ВИДЕО УСИЛИТЕЛЯ
Плата для LM крепится на основную плату УНЧ через стойки в виде трубок и болтов. Питание для этого блока берется со второго инвертора, предусмотрена отдельная обмотка. Выпрямитель и фильтрующие конденсаторы расположены непосредственно на плате усилителя. В качестве выпрямительных диодов уже традиционные КД213А. Дросселей для сглаживания ВЧ помех не использовал, да и нет нужды их применять, поскольку даже в довольно брендовых автомобильных усилителях их часто не ставят. В качестве теплоотвода использовал набор дюралюминиевых болванок 200х40х10 мм.
На плату также укреплен кулер, который одновременно отводит теплый воздух с этого блока и отдувает теплоотводы инверторов. С электроникой аудиокомплекса полностью разобрались — переходим к механике и слесарным работам…
Основа любой радиолюбительской конструкции — красивый удобный корпус, тем более он должен прилично смотреться у аппарата, который занимает достойное место в гостинной или вашем рабочем кабинете.
ЗАВЕРШЕНИЕ
Да, этот проект отнял у меня много времени и финансов, но знаете что? Ничуть не жалею, в конце концов был собран действительно очень крутой усилитель, который можно использовать и в машине, и дома, а качество звучания на все 200% лучше любого промышленного аудиоцентра аналогичного класса, не зря в комплексе использовал высококачественные схемы УМЗЧ.
Изначально, затял проект и не знал сколько времени он у меня отнимет, но благодаря конкурсу довел его до конца и успел буквально на последний день приема заявок, хотя очень сомневался, что успею в срок.
Усилитель вполне подходит для дискотек в малых залах — колоссальная мощность не подведет даже на свадьбах, осталось сделать блок питания и предварительные усилители со всеми удобствами, которые планирую на следующее лето. На сборку было потрачено 4 месяца, были трудности с компонентами и временем, которого так не хватает, но при наличии всех компонентов и комплектующих частей, можно уложится в гораздо короткий срок.
На счет качества звучания — не могу передать это словами, нужно лишь раз послушать и все станет ясно! Основные проблемы заключались в том, что нужно было все приспособить, резать, травить и смонтировать все это в общий блок. Над видом передней панели думали всей семьей, в конце концов победила версия матери — именно она предложила этот вариант, за это и многое другое — низкий ей поклон — основные идеи подавала она, ну и разумеется жена тоже не оставалась в стороне — помогала и работала почти наравне со мной.
В процессе сборки были некоторые этапы, когда проект забросил, но находил силы и довел до конца, а сегодня с гордостью представляю его вашему суду — здоровья вам, любви и терпения, всегда ваш КАСЬЯН АКА.
Маркировка
Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе. Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).
Маркировка
Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.
Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы. У MJE13001A — от 10 до 15. У MJE13001B — от 15 до 20. У MJE13001C — от 20 до 25. У MJE13001D — от 25 до 30. У MJE13001E — от 30 до 35. У MJE13001F — от 35 до 40. У MJE13001G — от 40 до 45. У MJE13001H — от 45 до 50. У MJE13001I — от 50 до 55. У MJE13001J — от 55 до 60. У MJE13001K — от 60 до 65. У MJE13001L — от 65 до 70.
Граничная частота передачи тока — 8МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 400 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный) — 200 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.
Характеристики и аналоги 13001 S8D
Транзистор 13001S8D имеет следующие предельные значение ( Tj = 25 ℃, если не указано иное):
| Параметр | Условное обозначение | Значение | Единица измерения |
| Напряжение коллектор-база | VCBO | 600 | V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | VCEO | 400 | V |
| Напряжение Эмиттер-База | VEBO | 7 | V |
| Ток коллектора | Ic | 0.5 | A |
| Полная рассеиваемая мощность | Pc | 0.65 | W |
| Температура хранения | Tstg | -65 |
150
Также приведем электрические параметры:
| ℃ | |||
| Температура соединения | Tj | 150 | ℃ |
| Параметр | Условное обозначение | Условия испытаний | Min | Max | Единица измерения |
| Напряжение пробоя коллектор-база | BVCBO | Ic=0.5mA,Ie=0 | 600 | V | |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | BVCEO | Ic=10mA,Ib=0 | 400 | V | |
| Напряжение пробоя базы эмиттера | BVEBO | Ie=1mA,Ic=0 | 7 | V | |
| Ток отсечки коллекторной базы | ICBO | Vcb=600V,Ie=0 | 100 | μA | |
| Ток отключения коллектор-эмиттер | ICEO | Vce=400V,Ib=0 | 20 | μA | |
| Ток отсечки эмиттер-базы | IEBO | Veb=7V,Ic=0 | 100 | μA | |
| Усиление постоянного тока | hFE | Vce=20V,Ic=20mA | 10 | 40 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | Ic=200mA,Ib=100mA | 0.6 | V | |
| Напряжение насыщения базы-излучателя | VBE(sat) | Ic=200mA,Ib=100mA | 1.2 | V | |
| Время хранения | Ts | Ic=0.1mA, (UI9600) | 2 | μS | |
| Время падения | fT | VCE =20V,Ic=20mA f=1MHZ | 0.8 | μS |
Аналоги 13001 S8D являются схожие по всем техническим значения биполярные NPN Транзисторы.
Номер в каталоге : 13001S8D
функция : TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
Производитель : JTD Semi
цоколевка :
- 5
- 4
- 3
- 2
- 1
(0 голосов, среднее: 0 из 5)
S13005ED Datasheet (PDF)
1.1. s13005ed.pdf Size:116K _jdsemi
R S13005ED 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2
4.1. ts13005 b07.pdf Size:364K _taiwansemi
TS13005 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram ? High Voltage ? High Speed Switching Structure ? Silicon Triple Diffused Type ? NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing TS13005CZ
4.2. ts13005ci-cz.pdf Size:361K _taiwansemi
TS13005 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing
4.3. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi
R S13005A 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 Charger and Switch-mode power supplies 2． 2
Другие транзисторы… 2SC4355 , 2SC4356 , 2SC4357 , 2SC4358 , 2SC4359 , 2SC436 , 2SC4360 , 2SC4361 , BD139 , 2SC4363 , 2SC4364 , 2SC4365 , 2SC4366 , 2SC4367 , 2SC4368 , 2SC4369 , 2SC437 .
Сфера использования
Сегодня IGBT транзисторы применяются в сетях с показателем напряжения до 6,5 кВт, обеспечивая при этом безопасную и надежную работу электрооборудования. Имеется возможность использования инвертора, частотно регулируемых приводов, сварочных аппаратов и импульсных регуляторов тока.
Сверхмощные разновидности IGBT используются в мощных приводах управления троллейбусов и электровозов. Их применение позволяет повысить КПД, обеспечив максимально возможную плавность хода техники, оперативно управляя выходом электродвигателей на их полную мощность. Силовые транзисторы применяются в цепях с высоким напряжением. Они используются в схемах бытовых кондиционеров, посудомоечных машин, блоков питания в телекоммуникационном оборудовании и в автомобильном зажигании.
Режима работы в SOA
Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA)
Режим FBSOA
На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.
Смещение с постоянной базой и смещение с постоянным сопротивлением
Схема имеет базовый резистор RB, который соединяет базу и напряжение постоянного тока. Тут соединение базы-эмиттера у транзистора, который смещён за счёт снижения напряжения через RB, что является результатом течения IB через него.
Здесь величины напряжения постоянного тока и VBE постоянны, в то время как величина RB постоянна с момента создания схемы. Это приводит к постоянной величине для IB за счёт постоянного операционного усилителя. Благодаря последнему данная схема называется смещением с постоянной базой. Этот вид смещения – результат стабилизирующего фактора (ß + 1), который приводит к очень низкой термической стабильности.
Причина этого кроется в том, что ß – параметр транзистора непредсказуем, и сильно изменяется, даже если транзисторы одного типа и модели. Это изменение в ß выражается в больших изменениях в Ic, которые не могут быть компенсированы никакими средствами при проектировании. Отсюда можно сделать вывод, что этот вид смещения, зависящего от ß, подвержен изменениям в операционном усилителе, возникающим из за изменений в характеристиках транзистора и температуры.
Как бы там ни было, стоит отметить, что смещение с постоянной базой наиболее простое и использует меньше деталей. Более того, оно даёт пользователю возможность менять операционный усилитель где угодно в активной зоне просто за счёт смены значения RB в проектировании. Также оно предлагает не загружать источник как соединение базы-эмиттера без резистора. Благодаря этим факторам, этот тип смещения используется при коммутации и для достижения автоматического контроля за коэффициентом усиления в транзисторах.
Смещение при обратной связи с коллектором
На данной схеме базовый резистор RB подсоединён через коллектор и базовые выводы транзистора. Это означает, что базовое напряжение, VB, и напряжение коллектора, Vс, взаимосвязаны.
Увеличение в Ic уменьшает Vс, из-за уменьшившегося IB. Автоматически уменьшается Ic. Это показывает, что для такого типа смещения, операционный усилитель остается постоянным безотносительно к изменениям в поступающем токе, являющимся причиной того, что транзистор постоянно находится в своей активной зоне вне зависимости от величины ß.
Эта схема также называется схемой само-смещения с отрицательной обратной связью, ведь обратная связь тут от выхода к входу через RB. Этот довольно простой вид смещения имеет стабилизирующий фактор меньше (ß + 1). Это обеспечивает большую стабильность по сравнению с постоянным смещением. Как бы там ни было, уменьшение тока коллектора за счёт базового электрического тока приводит к уменьшению коэффициента усиления на усилителе.
