2n5401 транзистор характеристики, datasheet, цоколевка, аналоги

Транзисторные пары в усилительных каскадах

Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют «комплементарные», или «согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.

Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=I_C/I_B согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.

Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.

Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.

Основные параметры

Коэффициент передачи по току.
Входное сопротивление.
Выходная проводимость.
Обратный ток коллектор-эмиттер.
Время включения.
Предельная частота коэффициента передачи тока базы.
Обратный ток коллектора.
Максимально допустимый ток.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:

коэффициент усиления по току α;
сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току r_э, r_к, r_б, которые представляют собой:
- r_э — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
- r_к — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
- r_б — поперечное сопротивление базы.

Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой «h».

Входное сопротивление — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.

h₁₁ = U_m1/I_m1, при U_m2 = 0

Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.

h₁₂ = U_m1/U_m2, при I_m1 = 0.

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.

h₂₁ = I_m2/I_m1, при U_m2 = 0.

Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.

h₂₂ = I_m2/U_m2, при I_m1 = 0.

Зависимость между переменными токами и напряжениями транзистора выражается уравнениями:

U_m1 = h₁₁I_m1 + h₁₂U_m2;

I_m2 = h₂₁I_m1 + h₂₂U_m2.

В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК.

Для схемы ОЭ: I_m1 = I_mб, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mб-э, U_m2 = U_mк-э. Например, для данной схемы:

h_21э = I_mк/I_mб = β.

Для схемы ОБ: I_m1 = I_mэ, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mэ-б, U_m2 = U_mк-б.

Собственные параметры транзистора связаны с h-параметрами, например для схемы ОЭ:

;

С повышением частоты заметное влияние на работу транзистора начинает оказывать ёмкость коллекторного перехода C_к. Его реактивное сопротивление уменьшается, шунтируя нагрузку и, следовательно, уменьшая коэффициенты усиления α и β. Сопротивление эмиттерного перехода C_э также снижается, однако он шунтируется малым сопротивлением перехода r_э и в большинстве случаев может не учитываться. Кроме того, при повышении частоты происходит дополнительное снижение коэффициента β в результате отставания фазы тока коллектора от фазы тока эмиттера, которое вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эммитерного перехода к коллекторному и инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. Частоты, на которых происходит снижение коэффициентов α и β на 3 дБ, называются граничными частотами коэффициента передачи тока для схем ОБ и ОЭ соответственно.

В импульсном режиме ток коллектора изменяется с запаздыванием на время задержки τ_з относительно импульса входного тока, что вызвано конечным временем пробега носителей через базу. По мере накопления носителей в базе ток коллектора нарастает в течение длительности фронта τ_ф. Временем включения транзистора называется τ_вкл = τ_з + τ_ф.

Аналоги и замена зарубежных диодов и полупроводников

В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для диодов, стабилитронов, тиристоров и других полупроводников зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов.

Аналоги и возможные замены

Тип

Аналог

Возможная замена

Примечания

Любой СВЧ смесительный или детекторный диод диапазона 2,8-3,4 см (10 ГГц)

КД208, КД221, КД243, КД247, КД257

В этой схеме можно применить любой выпрямительный или импульсный диод, имеющий максимальный прямой ток до 1 А и обратное напряжение большее 50 В

1N4007

КД208, КД221А, КД243А, КД247Е

1N5338А
КС407Г

1N5349А
КС212

PD638
ФДЗ
Любые фотодиоды, работающие в видимом диапазоне. Наилучшие результаты даст использование ФД24

Любой варикап для KB диапазона с максимальным напряжением меньшим 10 В

1N754
КС 162

1N757A
КС 182

MV2101
KB 102; KB 107А,В
Любой высокодобротный варикап для диапазона УКВ

1 N4742А
КС212

7N4745.А
КС515

1N4744
КС215Ж
КС508Б, КС509А, КС511А, КС515, КС528Г, КС535Б

1N4454
КД521А

HP5082-3168
КД409

НР3081
КД409

1N751A
КС 126Д1, КС 147Г, KC407F, КС451А

1N270
Д2,Д9

1N60
Д2,Д9

1N90
Д2,Д9

1N918
КД510А

HER602
КД213, КД206, КД271, КД2998

1N4732
КС133

1N4735
КС147

NTE5550
Т122-25-1
Тиристор на ток 25 А и напряжение большее 50 В

1N5231
КС126Д1 КС147Г КС407Г КС451А

2N3055
КТ8150

1N4732
КС147

BAS16
КД510А

1N4936
КД243

1N751
КС 156

1N34
Д2.Д9

1N914
КД510А

1N4001 — 1N4007
КД208, КД221, КД243, КД247, КД257
В этой схеме можно применить любой выпрямительный или импульсный диод, имеющий максимальный прямой ток до 1 А и обратное напряжение большее 50 В

1N5817- 1N5820
КД238, КД268, КД269, КД270, КД271, КД272, КД273
Это диоды Шоттки, размещенные в пластмассовых корпусах диаметром 3 и длиной 7 мм. Российские аналоги размещены в корпусах Т0-220

1N34A
Д310, Д311

1N4735
КС462, КС162

1N914
КД521А

PCBWay — всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН
Сборка печатных плат от $88 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет
Онлайн просмотрщик Gerber-файлов от PCBWay!

Sanken RK44 — это кремниевый барьерный диод Шоттки. Вот даташит по нему: rk44-diode-datasheet.zip Заменить можно на ему подобный — RK43, он самый близкий по параметрам. В некоторых случаях можно заменить на германиевые диоды что подходят по параметрам, но поскольку RK44 стоит в блоке питания то данное решение может и не подойти. Купить RK44 можно в интернете на зарубежных сайтах, поищите в Гугле по запросу: «Sanken RK44 купить».

Здравствуйте! А есть ли аналог у диода 82PF80 и 82PFR80? Не могу нигде найти.

Не могу найти диод в усилитель мистерии мк 2.МК, 40МК мне бы аналог. Усилитель мистери 2.8 диод 40 КД.

Подскажите аналог диодов 82PF80 и 82PFR80 Надо по 3шт

Подскажите аналог диодов 1147 TG

D655 на отечественный

Чем заменить диод SY 171/6 D R5

Подскажите для диода F1J аналог или каким можно заменить спасибо

Related Datasheets

Номер в каталоге	Описание	Производители
2N540	Trans GP BJT NPN 80V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve	New Jersey Semiconductor
2N5400	Amplifier Transistor	ON Semiconductor
2N5400	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	Samsung semiconductor
2N5400	PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose/ high voltage amplifier applications	Semtech Corporation

Номер в каталоге	Описание	Производители
6MBP200RA-060	Intelligent Power Module	Fuji Electric
ADF41020	18 GHz Microwave PLL Synthesizer	Analog Devices
AN-SY6280	Low Loss Power Distribution Switch	Silergy

DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск

Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором 2N5400; транзистором BF491; транзистором ECG288; транзистором КТ502Е; транзистором MPSA92; транзистором MPSA93; транзистором MPSL51;

транзистором MPSL51; транзистором 2SB646; транзистором 2SB646A; транзистором 2SA637; транзистором 2SB647; транзистором 2SB647A; транзистором 2SA638; транзистором 2SA639; транзистором BC526A; транзистором BC404VI;

Распиновка

Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.

Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право: база, коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Характеристики транзистора 2N5401 говорят о том, что он биполярный, кремниевый, p-n-p структуры , произведенный по эпитаксиально-планарной технологии. Применяется в коммутирующих устройствах, усилителях. Его также используют в аппаратуре, для которой важен низкий уровень шума и повышенное напряжение.

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .

CZT5401 Datasheet (PDF)

1.1. czt5401e.pdf Size:534K _central

CZT5401E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
PNP SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5401E is a
PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage 250V
SOT-223 CASE
SOT-223

1.2. czt5401.pdf Size:614K _secos

CZT5401
PNP Transistor
Elektronische Bauelemente
Epitaxial Planar Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-223
Description
The CZT5401 is designed for general
purpose applications requiring high
breakdown voltages.
REF. REF.
Min. Max. Min. Max.
A 6.70 7.30 B 13 TYP.
C 2.90 3.10 J 2.30 REF.
5 4 0 1
D 0.02 0.10 1 6.30 6.70
Date Code
E 0 10 2 6.30 6.70
I 0.60 0.80 3 3.3

1.3. czt5401.pdf Size:313K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
CZT5401 (KZT5401)
Unit:mm
SOT-223
6.50±0.2
3.00±0.1
■ Features
4
● High Voltage
● High Voltage Amplifier Application
1 2 3
0.250
2.30 (typ)
Gauge Plane
1.Base
2.Collector
0.70±0.1
3.Emitter
4.60 (typ)
4.Collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -160
Coll