Техническое описание
Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.
Характеристики
Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).
- принцип действия – биполярный;
- корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
- материал – кремний (Si);
- npn-проводимость (обратная);
предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):
основные электрические параметры:
- IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
- IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
- fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
- емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
- коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
- cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
- тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
- Токр от -40 до +85 °C.
При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах
Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.
По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.
Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.
Маркировка
Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.
Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.
Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.
Как уже писалось ранее, транзистор встречается в пластиковом и металлическом корпусе. Устройства с пластиковым корпусом КТ-26 содержат в конце символ “М”. Например КТ3102ВМ это транзистор в пластиковом корпусе КТ-26, а КТ3102В в металлическом КТ-17.
Цветовая и символьно – цветовая маркировка транзисторов
В данной статье речь пойдет об определению основных параметров как отечественных так и зарубежных транзисторов по таблицам цветовой и символьно – цветовой маркировке.
Цветовая маркировка транзисторов
В данной маркировке используют цветные точки для кодирования параметров транзисторов в корпусах КТ-26 (ТО-92) и КТП-4. При полной цветовой маркировке кодирование типономинала, группы и даты выпуска наносится на срезе боковой поверхности согласно принятой цветовой гамме.
Точку, обозначающую типономинал наносят в левом верхнем углу. Она является началом отсчета. Далее, по часовой стрелке наносятся три точки, означающие группу, год и месяц выпуска соответственно.
При сокращении цветовой маркировке дату выпуска опускают (указывается на вкладыше упаковки). Типономинал указывается на срезе боковой поверхности корпуса. Группа указывается на торце корпуса.
Символьно — цветовая маркировка транзисторов
Отличительная особенность данной маркировки – отсутствие цифр и букв. Типономинал транзистора обозначается на срезе боковой поверхности специальными символом (точки, горизонтальные, вертикальные или пунктирные линии) или цветной геометрической фигурой (круг, полукруг, квадрат, треугольник, ромб и др.). Маркировка группы относится одной (несколькими) точками на торце корпуса (КТ-26, КТП-4).
Цветовая гамма точек, обозначающих группу при данной маркировке, не совпадает со стандартной цветовой гаммой по ГОСТ 24709-81. Она определяется производителем.
Символ круга на боковом срезе транзистора необходимо отличать от точки, которая не имеет четкой формы, т.к. наносится кистью.
Особенности маркировки зарубежных транзисторов
Ряд зарубежных фирм использует цветовую маркировку для обозначения коэффициента усиления радиочастотных транзисторов. В таблице показана цветовая маркировка радиочастотных транзисторов фирмы MOTOROLLA. Возможно либо нанесение буквенного кода, либо цветной точки.
Маркировка года и месяца изготовления
В соответствии с ГОСТ 25486-82, для обозначения даты используют две буквы или букву и цифру. Первый символ соответствует году, а второй – месяцу. Такой вид кодирования применяется не только для транзисторов, но и для других отечественных полупроводниковых элементов. На зарубежных приборах дата обозначается четырьмя цифрами, первые две из которых соответствуют году, а последние – номеру недели. Рассмотрим, что означает кодовая маркировка транзисторов, соответствующая дате изготовления. Год выпуска/символ: 1986 – U, 1987 – V, 1988 – W, 1989 – X, 1990 – А, 1991 – В, 1992 – С, 1993 – D, 1994 – Е, 1995 – F, 1996 – Н, 1997 – I, 1998 – К, 1999 – L, 2000 – М и т. д. Месяц выпуска: первые девять месяцев соответствуют цифрам от 1 до 9 (январь – 1, февраль – 2), а последние – начальным буквам слова: октябрь – О, ноябрь – N, декабрь – D.
Цветовая маркировка радиоэлементов
Цветовая маpкиpовка отечественных ваpикапов | |
Цветовая маpкиpовка отечественных светодиодов | |
Цветовая маркировка диодов по европейской системе PRO-ELECTRON | |
Цветовая маркировка диодов по системе JEDEC (США) | |
Цветовая маркировка индуктивностей | |
Цветовая маркировка конденсаторов | |
Цветовая маркировка отечественных диодов | |
Цветовая маркировка отечественных резисторов в соответствии с ГОСТ 175-72 | |
Цветовая маркировка отечественных стабилитронов | |
Цветовая маркировка отечественных транзисторов |
|
Кодовая маркировка электролетических конденсаторов для поверхностного монтажа
Приведенные ниже принципы кодовой маркировки применяются такими известными фирмами, как «Panasonic», «Hitachi» и др. Различают три основных способа кодирования
А. Маркировка 2 или 3 символами
Код содержит два или три знака (буквы или цифры), обозначающие рабочее напряжение и номинальную емкость. Причем буквы обозначают напряжение и емкость, а цифра указывает множитель. В случае двухзначного обозначения не указывается код рабочего напряжения.
Рис. 9
Таблица 14
Код | Емкость | Напряжение |
А6 | 1,0 | 16/35 |
А7 | 10 | 4 |
АА7 | 10 | 10 |
АЕ7 | 15 | 10 |
AJ6 | 2,2 | 10 |
AJ7 | 22 | 10 |
AN6 | 3,3 | 10 |
AN7 | 33 | 10 |
AS6 | 4,7 | 10 |
AW6 | 6,8 | 10 |
СА7 | 10 | 16 |
СЕ6 | 1,5 | 16 |
СЕ7 | 15 | 16 |
CJ6 | 2,2 | 16 |
CN6 | 3,3 | 16 |
CS6 | 4,7 | 16 |
CW6 | 6,8 | 16 |
DA6 | 1,0 | 20 |
DA7 | 10 | 20 |
DE6 | 1,5 | 20 |
DJ6 | 2,2 | 20 |
DN6 | 3,3 | 20 |
DS6 | 4,7 | 20 |
DW6 | 6,8 | 20 |
Е6 | 1,5 | 10/25 |
ЕА6 | 1,0 | 25 |
ЕЕ6 | 1,5 | 25 |
EJ6 | 2,2 | 25 |
EN6 | 3,3 | 25 |
ES6 | 4,7 | 25 |
EW5 | 0,68 | 25 |
GA7 | 10 | 4 |
GE7 | 15 | 4 |
GJ7 | 22 | 4 |
GN7 | 33 | 4 |
GS6 | 4,7 | 4 |
GS7 | 47 | 4 |
GW6 | 6,8 | 4 |
GW7 | 68 | 4 |
J6 | 2,2 | 6,3/7/20 |
JA7 | 10 | 6,3/7 |
JE7 | 15 | 6,3/7 |
JJ7 | 22 | 6,3/7 |
JN6 | 3,3 | 6,3/7 |
JN7 | 33 | 6,3/7 |
JS6 | 4,7 | 6,3/7 |
JS7 | 47 | 6,3/7 |
JW6 | 6,8 | 6,3/7 |
N5 | 0,33 | 35 |
N6 | 3,3 | 4/16 |
S5 | 0,47 | 25/35 |
VA6 | 1,0 | 35 |
VE6 | 1,5 | 35 |
VJ6 | 2,2 | 35 |
VN6 | 3,3 | 35 |
VS5 | 0,47 | 35 |
VW5 | 0,68 | 35 |
W5 | 0,68 | 20/35 |
Советуем изучить Станок для разделки кабеля своими руками
Рис. 10
В. Маркировка 4 символами
Код содержит четыре знака (буквы и цифры), обозначающие емкость и рабочее напряжение. Буква, стоящая вначале, обозначает рабочее напряжение, последующие знаки — номинальную емкость в пикофарадах (пФ), а последняя цифра — количество нулей. Возможны 2 варианта кодировки емкости: а) первые две цифры указывают номинал в пикофарадах, третья — количество нулей; б) емкость указывают в микрофарадах, знак m выполняет функцию десятичной запятой. Ниже приведены примеры маркировки конденсаторов емкостью 4.7 мкФ и рабочим напряжением 10 В.
Рис. 11
С. Маркировка в две строки
Если величина корпуса позволяет, то код располагается в две строки: на верхней строке указывается номинал емкости, на второй строке — рабочее напряжение. Емкость может указываться непосредственно в микрофарадах (мкФ) или в пикофарадах (пф) с указанием количества нулей (см. способ В). Например, первая строка — 15, вторая строка — 35V — означает, что конденсатор имеет емкость 15 мкФ и рабочее напряжение 35 В.
Рис. 12
Книги по электронике
Сегодня в продаже:
-
Техническое обслуживание и ремонт электрооборудования. Слесарь-электрик. Учебное пособиеИздательство: Владос. Год: 2018. Серия: Специальное образование.
В учебном пособии дается описание профессиональных компетенций слесаря-электрика по специальности 13.02.11 «Техническое обслуживание и эксплуатация электрического и электромеханического оборудования (по отраслям)» в соответствии с ФГОС среднего профессионального образования. Рассматриваются 6 компетенций, начиная от производства подготовительных работ по подготовке электрооборудования…
-
Монтаж, эксплуатация и ремонт электрооборудования промышленных предприятий и установокИздательство: ИНФРА-М. Год: 2022. Серия: Среднее профессиональное образование.
В учебном пособии приведены общие сведения о материалах, инструменте, приспособлениях и механизмах, используемых электромонтажниками и электромонтерами в процессе работ. Даны некоторые технические характеристики важнейших электроустановок. Рассмотрены…
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
Код | Сопротивление |
101 | 100 Ом |
471 | 470 Ом |
102 | 1 кОм |
122 | 1.2 кОм |
103 | 10 кОм |
123 | 12 кОм |
104 | 100 кОм |
124 | 120 кОм |
474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Зарубежная маркировка SMD
В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.
Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.
Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.
Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.
Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.
Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.
Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.
Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.
Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.
Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.
Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.
Самые длинные названия применяют:
- американская фирма Motorola,
- японская Seiko Instruments
- тайваньская Pan Jit.
Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
7E | MUN5215DW1T1 | K2 | MO | 2Q | |||||
11 | MUN5311DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7F | MUN5216DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
12 | MUN5312DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7G | MUN5230DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
12 | INA-12063 | U2 | HP | 2Q | 7H | MUN5231DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
13 | MUN5313DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7J | MUN5232DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
14 | MUN5314DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7K | MUN5233DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
15 | MUN5315DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7L | MUN5234DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
16 | MUN5316DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7M | MUN5235DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
1С | BC847S | N5 | SI | 2Q | 81 | MGA-81563 | U1 | HP | 2Q |
1P | BC847PN | P6 | SI | 2Q | 82 | INA-82563 | U1 | HP | 2Q |
31 | MUN5331DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 86 | INA-86563 | U1 | HP | 2Q |
32 | MUN5332DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 87 | INA-87563 | U1 | HP | 2Q |
33 | MUN5333DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 91 | IAM-91563 | U1 | HP | 2Q |
34 | MUN5334DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A2 | MBT3906DW1T1 | P5 | MO | 2Q |
35 | MUN5335DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A3 | MBT3906DW9T1 | P5 | MO | 2Q |
36 | ATF-36163 | A1 | HP | 2Q | A4 | BAV70S | E4 | SI | 2Q |
3C | BC857S | P5 | SI | 2Q | E6 | MDC5001T1 | U3 | MO | 2Q |
3X | MUN5330DW1T1 | L3 | MO | 2Q | H5 | MBD770DWT1 | F2 | MO | 2Q |
46 | MBT3946DW1T1 | P6 | MO | 2Q | II | AT-32063 | N2 | HP | 2Q |
51 | INA-51063 | U2 | HP | 2Q | M1 | CMY200 | U1 | SI | 2R |
52 | INA-52063 | U2 | HP | 2Q | M4 | MBD110DWT1 | F2 | MO | Q |
54 | INA-54063 | U2 | HP | 2Q | M6 | MBF4416DW1T1 | A3 | MO | 2Q |
6A | MUN5111DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MA | MBT3904DW1T1 | N5 | MO | 2Q |
6B | MUN5112DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MB | MBT3904DW9T1 | N5 | MO | 2Q |
6C | MUN5113DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MC | BFS17S | N5 | SI | 2Q |
6D | MBF5457DW1T1 | A3 | MO | 2Q | RE | BFS480 | N5 | SI | 2Q |
6D | MUN5114DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RF | BFS481 | N5 | SI | 2Q |
6E | MUN5115DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RG | BFS482 | N5 | SI | 2Q |
6F | MUN5116DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RH | BFS483 | N5 | SI | 2Q |
6G | MUN5130DW1T1 | L2 | MO | 2Q | T4 | MBD330DWT1 | F2 | MO | 2Q |
6H | MUN5131DW1T1 | L2 | MO | 2Q | W1 | BCR10PN | L3 | SI | 2Q |
6J | MUN5132DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WC | BCR133S | K2 | SI | 2Q |
6K | MUN5133DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WF | BCR08PN | L3 | SI | 2Q |
6L | MUN5134DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WK | BCR119S | K2 | SI | 2Q |
6M | MUN5135DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WM | BCR183S | K2 | SI | 2Q |
7A | MUN5211DW1T1 | K2 | MO | 2Q | WP | BCR22PN | L3 | SI | 2Q |
7B | MUN5212DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y2 | CLY2 | A1 | SI | 2R |
7C | MUN5213DW1T1 | K2 | MO | 2Q | 6s | CGY60 | U1 | SI | 2R |
7D | MUN5214DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y7s | CGY62 | U1 | SI | 2R |
Биполярный транзистор
Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.
Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.
В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.
Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.
Основные особенности транзистора Дарлингтона
Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.
Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.
Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.
схема Шиклаи
К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.
Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.
Основные электрические параметры:
-
Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;
-
Напряжение эмиттер – база 5 V;
-
Ток коллектора – 15 А;
-
Ток коллектора максимальный – 30 А;
-
Мощность рассеивания при 250С – 135 W;
-
Температура кристалла (перехода) – 1750С.
На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.
Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.
Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.
Механизм и строение
Состав керамического BaTiO3 является совокупностью, составленной из микрокристаллов от 1 до 20 миллиметрового в диаметре. Этот микрокристалл называют частицей, и состоит из кристаллической структуры, которая показана на рис. 1 и 2. Частица разделена на много доменов при температуре ниже Точки Кюри. Кристаллические оси выровнены в одном направлении в пределах домена, таким образом, как и спонтанная поляризация. При нагревании до Точки Кюри и выше кристаллическая структура BaTiO3 изменяется от четырехугольной до кубической. Тогда, спонтанные поляризационные и доменные стены исчезают (пропадают).
Когда BaTiO3 находится в охлажденном состоянии (ниже Точки Кюри), ее кристаллическая структура поворачивается от кубической до четырехугольной, отрезки примерно до 1 % вдоль оси C и вдоль других осей – сокращаются. Тогда появляются спонтанные поляризационные и доменные стены. В то же время от воздействия «из вне» частицы искажаются. В этой стадии генерируются много мелких доменных стен, и направление спонтанной поляризации в каждом домене легко полностью изменить, даже малыми (низкими) электрическими полями. Так как диэлектрическая постоянная – пропорциональна сумме инверсии спонтанной поляризации к единице объема, наблюдается большая емкость.
Когда конденсаторы хранятся (применяются) без нагрузки при температурах ниже Точки Кюри размер беспорядочно ориентированных доменов становится большим, и они (домены) постепенно сдвигаются к устойчивому энергетическому состоянию (Рис. 3, 90 доменов). Это также облегчает сбор остаточного напряжения при кристаллическом искажении.
Кроме того, перемещение пространственных зарядов (ионы с низкой подвижностью, свободные точки кристаллической решетки и т.д.) в пределах доменной стены приводит к поляризации пространственного заряда. Эта поляризация пространственного заряда неблагоприятно воздействует на спонтанную поляризацию, преграждая ее инверсию.
Другими словами, временный переход от генерации спонтанной поляризации (спонтанная поляризация постепенно перестраивается к более устойчивому состоянию) к инверсии затруднена появлением поляризации пространственного заряда. В этом состоянии более высокое электрическое поле необходимо, чтобы полностью изменить спонтанную поляризацию в доменах, которые в свою очередь могут быть полностью изменены низким уменьшением электрического поля и снижениями емкости. Это, как полагают и есть механизм старения.
Однако, микротекстура кристаллической решетки возвращается в исходное состояние при нагревании до температуры выше Точки Кюри, в которой старение решетки начинается снова и снова. Вообще емкость многослойного керамического конденсатора с высокой диэлектрической постоянной уменьшается приблизительно линейно в логарифмическом масштабе времени – в течение 24 часов после термической обработки выше 125 C. Пожалуйста, обратитесь к прикрепленным типовым данным старения нашей продукции и номинальной емкости конденсаторов. Емкость, которая уменьшилась в результате естественного старения, имеет свойство восстанавливаться при нагревании конденсаторов до Точки Кюри и выше.
Ожидаемая емкость многослойного керамического конденсатора будет в его номинале, когда эти условия установлены на оборудовании. Мы выбираем свою амплитуду емкости, основанную на предшествующем предположении. Кстати, температура, компенсирующая значения типовых конденсаторов, не проявляют явление старения.
Керамические и стеклокерамические конденсаторы с твердым неорганическим диэлектрическим слоем выпускаются в высоковольтном и низковольтном исполнении. Отличаются компактными размерами и надежностью. Широко востребованы в вычислительной, бытовой, медицинской, военной техники, транспорте. По номинальному напряжению их разделяют на высоко- и низковольтные.
По типу конструкции выпускают следующие керамические конденсаторы:
- КТК – трубчатые;
- КДК – дисковые;
- SMD – поверхностные и другие.
Для изготовления керамических конденсаторов используют не обожженную глину, а материалы, сходные с ней по структуре, – ультрафарфор, тиконд, ультрастеатит. Обкладка – серебряный слой. Керамические и стеклокерамические устройства используются в схемах, в которых важных частотные характеристики, невысокие потери при утечке, компактные габариты, невысокая стоимость.
Маркировка транзисторов по американской системе JEDEC
Первый символ в маркировке транзистора обозначает количество p-n-переходов. Второй символ указывает типономинал электронного компонента. Следующая последовательность цифр — это серийный номер устройства. Буква, стоящая за серийным номером, характеризует возможные отклонения от характеристик по EIA. В некоторых случаях, когда корпус транзистора чересчур мал и не позволяет нанести весь маркировочный код полностью, используется его сокращённая версия без буквы «N» в начале и без предшествующей ей цифре.
Надеемся, вышеизложенная информация поможет вам разобраться в многообразии маркировок, и вы сможете с легкостью выбрать и купить транзисторы, а также другие электронные компоненты с подходящими характеристиками.