Аналоги и замена зарубежных транзисторов

Related Datasheets

Номер в каталоге	Описание	Производители
2N540	Trans GP BJT NPN 80V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve	New Jersey Semiconductor
2N5400	Amplifier Transistor	ON Semiconductor
2N5400	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	Samsung semiconductor
2N5400	PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose/ high voltage amplifier applications	Semtech Corporation

Номер в каталоге	Описание	Производители
6MBP200RA-060	Intelligent Power Module	Fuji Electric
ADF41020	18 GHz Microwave PLL Synthesizer	Analog Devices
AN-SY6280	Low Loss Power Distribution Switch	Silergy

DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск

Способы проверки irfz44n

Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.

Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.

Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.

Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.

У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.

По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.

Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.

irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.

Маркировка irfz44n

Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.

Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.

В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.

IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.

CMUT5401 Datasheet (PDF)

1.1. cmut5401.pdf Size:342K _central

CMUT5401
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
PNP SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5401
type is a PNP silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING CODE: 54C
SOT-523 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS
Collector-Base Voltage V

1.2. cmut5401e.pdf Size:349K _central

CMUT5401E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
PNP SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5401E is a
PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-523 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage and small space
saving packaging.
MARKING CODE: 4C5
FEATURES:
SOT-523 CASE
• High Collector Bre

5.1. cmut5551.pdf Size:342K _central

CMUT5551
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5551 type
is an NPN silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING CODE: 55C
SOT-523 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS
Collector-Base Voltage

5.2. cmut5087e.pdf Size:349K _central

CMUT5087E PNP
CMUT5088E NPN
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
COMPLEMENTARY
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5087E and
SILICON TRANSISTORS
CMUT5088E are Silicon transistors in an ULTRAmini
surface mount package with enhanced specifications
designed for applications requiring high gain and low
noise.
MARKING CODES: CMUT5087E: U87
CMUT5088E:

5.3. cmut5179.pdf Size:342K _central

CMUT5179
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
NPN SILICON
DESCRIPTION:
RF TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5179
type is an NPN silicon RF transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in an
ULTRAmini surface mount package, designed for
low noise, high frequency amplifier and high output
oscillator applications.
MARKING CODE: HC7
SOT-523 CASE

5.4. cmut5088e.pdf Size:349K _central

5.5. cmut5087e cmut5088e series.pdf Size:349K _central

5.6. cmut5551e.pdf Size:349K _central

CMUT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-523 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage and small space
saving packaging.
MARKING CODE: 5C1
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltag

Аналоги и замена зарубежных диодов и полупроводников

В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для диодов, стабилитронов, тиристоров и других полупроводников зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов.

Аналоги и возможные замены

Тип

Аналог

Возможная замена

Примечания

Любой СВЧ смесительный или детекторный диод диапазона 2,8-3,4 см (10 ГГц)

КД208, КД221, КД243, КД247, КД257

В этой схеме можно применить любой выпрямительный или импульсный диод, имеющий максимальный прямой ток до 1 А и обратное напряжение большее 50 В

1N4007

КД208, КД221А, КД243А, КД247Е

1N5338А
КС407Г

1N5349А
КС212

PD638
ФДЗ
Любые фотодиоды, работающие в видимом диапазоне. Наилучшие результаты даст использование ФД24

Любой варикап для KB диапазона с максимальным напряжением меньшим 10 В

1N754
КС 162

1N757A
КС 182

MV2101
KB 102; KB 107А,В
Любой высокодобротный варикап для диапазона УКВ

1 N4742А
КС212

7N4745.А
КС515

1N4744
КС215Ж
КС508Б, КС509А, КС511А, КС515, КС528Г, КС535Б

1N4454
КД521А

HP5082-3168
КД409

НР3081
КД409

1N751A
КС 126Д1, КС 147Г, KC407F, КС451А

1N270
Д2,Д9

1N60
Д2,Д9

1N90
Д2,Д9

1N918
КД510А

HER602
КД213, КД206, КД271, КД2998

1N4732
КС133

1N4735
КС147

NTE5550
Т122-25-1
Тиристор на ток 25 А и напряжение большее 50 В

1N5231
КС126Д1 КС147Г КС407Г КС451А

2N3055
КТ8150

1N4732
КС147

BAS16
КД510А

1N4936
КД243

1N751
КС 156

1N34
Д2.Д9

1N914
КД510А

1N4001 — 1N4007
КД208, КД221, КД243, КД247, КД257
В этой схеме можно применить любой выпрямительный или импульсный диод, имеющий максимальный прямой ток до 1 А и обратное напряжение большее 50 В

1N5817- 1N5820
КД238, КД268, КД269, КД270, КД271, КД272, КД273
Это диоды Шоттки, размещенные в пластмассовых корпусах диаметром 3 и длиной 7 мм. Российские аналоги размещены в корпусах Т0-220

1N34A
Д310, Д311

1N4735
КС462, КС162

1N914
КД521А

PCBWay — всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН
Сборка печатных плат от $88 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет
Онлайн просмотрщик Gerber-файлов от PCBWay!

Sanken RK44 — это кремниевый барьерный диод Шоттки. Вот даташит по нему: rk44-diode-datasheet.zip Заменить можно на ему подобный — RK43, он самый близкий по параметрам. В некоторых случаях можно заменить на германиевые диоды что подходят по параметрам, но поскольку RK44 стоит в блоке питания то данное решение может и не подойти. Купить RK44 можно в интернете на зарубежных сайтах, поищите в Гугле по запросу: «Sanken RK44 купить».

Здравствуйте! А есть ли аналог у диода 82PF80 и 82PFR80? Не могу нигде найти.

Не могу найти диод в усилитель мистерии мк 2.МК, 40МК мне бы аналог. Усилитель мистери 2.8 диод 40 КД.

Подскажите аналог диодов 82PF80 и 82PFR80 Надо по 3шт

Подскажите аналог диодов 1147 TG

D655 на отечественный

Чем заменить диод SY 171/6 D R5

Подскажите для диода F1J аналог или каким можно заменить спасибо

CXT5401 Datasheet (PDF)

1.1. cxt5401e.pdf Size:290K _central

CXT5401E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
PNP SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5401E is a
PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage: 250V
SOT-89 CASE
• Low L

1.2. cxt5401.pdf Size:608K _htsemi

CXT5401
TRANSISTOR (PNP)
SOT-89
FEATURE
Switching and amplification in high voltage
1. BASE
Applications such as telephony
1 1
Low current(max. 500mA)
High voltage(max.160v) 2
2
2. COLLECTOR
3
3. EMITTER
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -160 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V

1.3. cxt5401.pdf Size:1165K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
CXT5401 (KXT5401)
■ Features
1.70 0.1
● Switching and amplification in high voltage
Applications such as telephony
● Low current(max. 500mA)
● High voltage(max.160v)
0.42 0.1
0.46 0.1
● Comlementary to CXT5551
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base V

В каких режимах функционирует полевой транзистор

Режим отсечки

Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.

Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:

Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?

Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.

Режим активной работы irfz44n

Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).

Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.

В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.

Режим насыщения irfz44n

Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.

Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.

Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.

Главные характеристики irfz44n

Полный список параметров транзистора не приведен в даташит, поскольку он может потребоваться лишь специалистам по разработке. Большинству даже опытных пользователей нужно знать лишь часть характеристик для включения irfz44n устройства в различные электронные схемы.

При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры:

Наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт.
Наибольший ток стока — 49 Ампер.
Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микроОм.
Рассеивающаяся мощность — 94 Ватт.

В ряде технических описаний наименование mosfet irfz44n транзистора с изоляцией затвора начинается с аббревиатуры МДП, что обозначает:

Металл.
Диэлектрик.
Полупроводник.

У этих устройств может быть 2 вида каналов:

встроенный;
индуцированный.

Эти полупроводниковые приборы обладают затвором, разделенным с кремниевой подложкой тончайшей прослойкой диэлектрического материала. Его толщина около 0,1 мкм.

Безопасность при эксплуатации полевых транзисторов

Все варианты полевиков, не важно, имеют они p-n переходы, или это МОП-варианты, сильно подвержены влиянию перегрузок электричеством на затворах. Прежде всего, это относится к электростатике, которая накапливается в организме людей и устройствах для измерения разных величин

В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы. Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима.

Желательно провести заземление измерительной и паяльной аппаратуры. Сегодня это происходит в автоматическом режиме с помощью розеток европейского типа, так как они оснащены заземляющими проводниками.

CZT5401 Datasheet (PDF)

1.1. czt5401e.pdf Size:534K _central

CZT5401E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
PNP SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5401E is a
PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage 250V
SOT-223 CASE
SOT-223

1.2. czt5401.pdf Size:614K _secos

CZT5401
PNP Transistor
Elektronische Bauelemente
Epitaxial Planar Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-223
Description
The CZT5401 is designed for general
purpose applications requiring high
breakdown voltages.
REF. REF.
Min. Max. Min. Max.
A 6.70 7.30 B 13 TYP.
C 2.90 3.10 J 2.30 REF.
5 4 0 1
D 0.02 0.10 1 6.30 6.70
Date Code
E 0 10 2 6.30 6.70
I 0.60 0.80 3 3.3

1.3. czt5401.pdf Size:313K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
CZT5401 (KZT5401)
Unit:mm
SOT-223
6.50±0.2
3.00±0.1
■ Features
4
● High Voltage
● High Voltage Amplifier Application
1 2 3
0.250
2.30 (typ)
Gauge Plane
1.Base
2.Collector
0.70±0.1
3.Emitter
4.60 (typ)
4.Collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -160
Coll

Описание транзистора 2N4401

Транзистор 2N4401 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > F_ГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE123AP, SK3854, BC337, BSS79C, PN100, EN2219*, A5T2222*, 2N3300*, 2N3302*, 2N3974*, 2N3976*, 2N4141*, 2N4970*, 2N5369*, 2N6000*, 2N6002*, 2N6004*, 2N6006*, 2N6010*, 2N6012*.

Транзистор
U_КЭ0 /U_{КБ0 ПРОБ}В
I_{К, МАКС}мА
P_{К, МАКС}мВт
h_21Э
f_грМГц
Изготовитель

мин.
макс.
I_КмА
U_КЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)

2N4401
40/60
600
350
100

150
10
250
American Microsemiconductor Inc
AmerMicroSC

Advanced Semiconductor tnc
Advncd Semi

Allegro Microsystems Inc
AlegroMicro

Central Semiconductor Corp
CentralSemi

Continental Device India Ltd
Contin Dev

Crimson Semiconductor Inc
CrimsonSimi

Diodes Inc
Diodes Inc

Elm State Electronics lnc
Elm State

Hi-Tron Semiconductor
Hi-Tron

Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA

KSL Microdevices Ing
KSL Micro

Micro Electronics Ltd
Micro Еlecs

Microsemi Corp
Microsemi

Mistral SPA
Mistral SpA

Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola

NAS Etektronische Halbleiter Gmbh
NAS Elekt

National Semiconductor Corp
Natl Semi

Phitips International BV/Philips Components
PhilipsComp

Rohm Со Ltd
Rohm Со Ltd

Samsung Electronics Inc
Samsung

Semelab Plc
Semelab

Semiconductors Inc
Semi Inc

Semiconductor Technology Inc
SemiconTech

Intex Со Inc/Semitronics Corp
Semitronics

Solid State Systems
Sld St Syst

Solid State Inc
Solid Stinc

Swampscott Electronics Со Inc
Swampscott

Toshiba America Electronic Components Inc
ToshibaAmer

Transistor Со
Transistor

United-Page Inc, UPI Semiconductor Division
UPI Semi

Zetex Semiconductors
Zetex

Space Power Electronics Inc
Space Power

Цоколёвка

Тип
Номера выводов

1
2
3

3 вывода
E
B
C

U_{КЭ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

I_К — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

h_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

f_ГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

Схема подключения

В кремниевой структуре транзистора есть 2 p-n перехода. Если отпирающее напряжение не подается, нет проходящего тока, транзистор закрыт. При подаче положительного отпирающего напряжения: на затвор «+»и исток «—», электрическое поле приводит к возникновению n-проводимого канала.

Если подать питание на нагрузку, в индуцированном канале начнется движение стокового тока ID.

От уровня напряжения, подаваемого на затвор, зависит число электронов, притягивающихся в область стока-истока, которая расширяется для движения тока. Это может происходить до того, как график линейной и отсечки переключатся между областями. Далее, в области насыщения увеличение показателя тока прекращается.

Рабочий режим (область насыщения) используется для схем усиления. В irfz44n datasheet процедура перехода в данный режим для различных значений V GS может быть показана с помощью графиков стандартных выходных параметров. Увидеть границы области насыщения для mosfet можно на почти горизонтально расположенной к оси напряжения стока-истока линии.

MMBT5401LT1 Datasheet (PDF)

1.1. nsvmmbt5401lt3g.pdf Size:125K _onsemi

MMBT5401L, SMMBT5401L,
NSVMMBT5401L
High Voltage Transistor
PNP Silicon
http://onsemi.com
Features
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
SOT-23 (TO-236)
Compliant
CASE 318
STYLE 6
MAXIMUM RATINGS
COLLECTO

1.2. mmbt5401lt1g.pdf Size:125K _onsemi

MMBT5401LT1G,
SMMBT5401LT1G,
MMBT5401LT3G
High Voltage Transistor
PNP Silicon
http://onsemi.com
Features
 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements
SOT-23 (TO-236)
CASE 318
 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
STYLE 6
Compliant*
COLLECTOR
MAXIMUM RAT

1.3. mmbt5401lt1-d.pdf Size:115K _onsemi

MMBT5401LT1G
High Voltage Transistor
PNP Silicon
Features
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http://onsemi.com
Compliant
COLLECTOR
3
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
1
Collector-Emitter Voltage VCEO -150 Vdc
BASE
Collector-Base Voltage VCBO -160 Vdc
2
Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc
EMITTER
Collector Current — Continuous IC -500 mAdc
S

1.4. mmbt5401lt1.pdf Size:325K _willas

FM120-M
WILLAS
MMBT5401LT1
THRU
High Voltage Transistor
FM1200-M
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY
BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V
SOD-123 PACKAGE
Pb Free Product
Package outline
Features
• Batch process design, excellent power dissipation offers
better reverse leakage current and thermal resistance.
SOD-123H
FEATURE
• Low profile surface mounted application in order to

1.5. mmbt5401lt1.pdf Size:910K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SOT-23
MMBT5401LT1 TRANSISTOR (PNP)
1. BASE
2. EMITTER
FEATURES
3. COLLECTOR
—
Power dissipation
2. 4
PCM: 0.3 W (Tamb=25℃)
1. 3
Collector current
ICM: -0.6 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: -160 V
Operating and storage junction temperature range
Unit: mm

Преимущества полевых транзисторов

Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.

Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.

Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.

С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором 2N5400; транзистором BF491; транзистором ECG288; транзистором КТ502Е; транзистором MPSA92; транзистором MPSA93; транзистором MPSL51;

транзистором MPSL51; транзистором 2SB646; транзистором 2SB646A; транзистором 2SA637; транзистором 2SB647; транзистором 2SB647A; транзистором 2SA638; транзистором 2SA639; транзистором BC526A; транзистором BC404VI;

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Характеристики транзистора 2N5401 говорят о том, что он биполярный, кремниевый, p-n-p структуры , произведенный по эпитаксиально-планарной технологии. Применяется в коммутирующих устройствах, усилителях. Его также используют в аппаратуре, для которой важен низкий уровень шума и повышенное напряжение.