Телевизоры lg. модели cf 20/21 f60, cf21/21 f80, cf 14/20/21 к50/52e/x, cf 14/16/20/21 s10e/x/12e. шасси mc-84a. технические характеристики, электрическая схема

Содержание

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

• Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
• Биполярные – имеют два p-n перехода;
• Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

• Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
• Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Усилительные параметры транзистора

Усилительные свойства транзисторов для малого переменного сигнала оцениваются с помощью различных систем параметров, связывающих входные токи и напряжения, но нормируются только два основных параметра: h_21e и f_Т (или f_h21b). Зная параметр транзистора h_21e для заданного режима покоя I_E, можно с помощью следующих формул определить основные параметры усилительного каскада в области НЧ:

где S — проводимость транзистора, r_e — сопротивление эмиттера транзистора.

Таким образом, можно вычислить значения |K| — коэффициент усиления напряжения транзистора, |K_i| — коэффициент усиления тока транзистора, Z_ВХ — входное сопротивление транзистора:

Параметры усилительного каскада	Схема включения
ОЭ	ОБ	ОК
|K|	S*RH	S*RH	S*RH /( 1 + S*RH)
|Ki|	h21e	h21e/(1 +  h21e)	h21e
ZВХ	h21e*re	re	h21e*RH

Области применения усилительных каскадов ОЭ, ОБ и ОК определяются их свойствами.

Каскад с общим эмиттером обеспечивает усиление, как по напряжению, так и по току. Его входное сопротивление порядка сотен Ом, а выходное – десятков кОм. Отличительная особенность – изменяет фазу усиливаемого сигнала на 180°. Обладает лучшими усилительными свойствами по сравнению с ОБ и ОК и поэтому является основным типом каскада для усиления малых сигналов.

Каскад с общей базой обеспечивает усиление только по напряжению (практически такое же, как ОЭ). Входное сопротивление каскада в (1+h_21e) раз меньше, чем ОЭ, а выходное – в (1+h_21e) раз больше. В отличие от ОЭ каскад ОБ не изменяет фазы усиливаемого сигнала. Малое входное сопротивление каскада ОБ ограничивает его применение в УНЧ: практически он используется только как элемент дифференциального усилителя.

Каскад с общим коллектором обеспечивает усиление только по току (практически такое же, как ОЭ). В отличие от ОЭ каскад ОК не изменяет фазы усиливаемого сигнала. При К = 1 каскад ОК как бы повторяет усиливаемое напряжение по величине и фазе. Поэтому такой каскад называется эмиттерным повторителем. Входное сопротивление ОК зависит от сопротивления нагрузки R_H и велико (почти в h_21e раз больше R_H), а выходное сопротивление зависит от сопротивления источника сигнала R_Г и мало (почти в h_21e раз меньше R_Г). Каскад ОК благодаря большому входному и малому выходному сопротивлению находит применение как в предварительных, так и в мощных УНЧ.

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC556 – BC560 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.

Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A – от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B – от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C – от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.

Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 – BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.

BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +

В корзину

PNP транзистор общего применения

ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE

Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800

Общие ∙ Производитель Semtech

Параметры и Цоколевка

Нумерация контактов на транзисторе:

1. База;
2. Эмиттер;
3. Коллектор.

На корпус нанесены обозначения по которым можно узнать следующую информацию:

• A — место изготовления;
• Y — Год;
• WWW — неделя изготовления;
• G — свинца не содержит.

Перейдем к описанию основных характеристик MJE13007 (все замеры делались при Токр. среды = 25 °С.) :

• Корпус: TO-220;
• Ток коллектора, не более: 8 А;
• Напряжение коллектор-база, не более: 700 В;
• Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V;
• Структура — n-p-n;
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В;
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 8 до 60;
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц;
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт.

Российские аналоги MJE13007:

Полную информацию можно узнать в Datasheet выпускаемой производителем для данного транзистора.

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Любое оружие, используемое в сражении, заедает в самый неподходящий момент. Следствие дворника: Против лома нет приема. Поправка сценариста: Лом ТОЖЕ заедает. 3-ий закон Робототехники Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007. Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор MJE13007 транзистором BU406D; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335; транзистором 2SC2553; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC2335; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335; дата записи: 2015-02-04 07:44:50 дата записи: 2017-12-19 09:49:35 Добавить аналог транзистора MJE13007. Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13007? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника: Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество. Semiconductor Pinout Informations E13007-2 Datasheet – 8A, Vcbo=700V, NPN Transistor Part Number : E13007-2 Function : NPN Silicon Transistor Manufacturers : Fairchild, ON Semiconductor, San Pu Semiconductor Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C 1. Collector-Base Voltage : Vcbo = 700 V 2. Collector-Emitter Voltage : Vceo = 400 V 3. Emitter- Base Voltage : Vebo = 9 V 4. Collector Current (DC) : Ic = 8 A 5. Collector Current (Pulse) : Icp = 16 A 6. Base Current : Ib = 4 A 7. Collector Dissipation (TC=25°C) : Pc = 80 W High Voltage Switch Mode Application • High Speed Switching • Suitable for Switching Regulator and Motor Control 1. FLUORESCENT LAMP 2. ELECTRONIC BALLAST 3. ELECTRONIC TRANSFORMER 4. SWITCH MODE POWER SUPPLY

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешние характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах управления I_B.

Зависимость снята при температуре внешней среды T_a = 25°C (Надпись на поле рисунка).

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды и значении коллекторного напряжения U_CE = 6 В. Пунктиром показаны отклонения характеристик при малых значениях коллекторного напряжения U_CE = 1 В (надпись на поле рисунка).

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды T_a и при соотношении токов I_C/I_B = 10.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер транзистора U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при соотношении токов I_C/I_B = 10 и температуре внешней среды T_a = 25°C (надпись на поле рисунка).

Рис. 5. Входная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость входного тока (управления) I_B от напряжения управления U_BE при различных температурах внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 6 В.

Рис. 6. Зависимость граничной частоты усиления (частоты среза) f_T от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при температуре среды T_a = 25°C и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В (надпись на поле рисунка).

Рис. 7. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора P_C при нарастании температуры внешней среды T_a.

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора. Характеристики сняты при температуре корпуса T_C = 25°C в режиме подачи одиночного импульса (Single Pulse) длительностей 80 мкс, 300 мкс и постоянного тока — DC (надпись на поле рисунка Notes: …).

Ограничение по величине коллекторного тока: I_C = 150 мА.

Ограничение по величине коллекторного напряжения: U_CEO = 50 В.

Ограничения по общему нагреву и вторичному пробою структуры транзистора показаны в виде сплошных и пунктирных линий в диапазонах по напряжению 5…50 В и по току коллектора 30…150 мА.

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

• Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
• Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Cхемы на LCD телевизоры Samsung

После их замены конденсаторов проблема не исчезла. Принципиальная электрическая схема.
Функциональный состав шасси SCT11В Принципиальная электрическая схема Тракты обработки сигналов изображения и звукового сопровождения. Книга предназначена для широкого круга специалистов, занимающихся ремонтом телевизионной техники, а также для радиолюбителей, интересующихся этой темой.
Контроль высокого напряжения. Способ монтажа
Тракт обработки сигналов изображения. Но даже если необходимая техническая документация и есть у специалиста, в ней не так просто разобраться потому что, во-первых, она, как правило, на английском языке и во-вторых, представлена в очень сжатом виде. Сигналы на этих выводах показаны на осциллограммах TP01 и TP
Микроконтроллер, входящий в состав видеопроцессора ICS, осуществляет управление всеми функциями телевизора. Практическая ценность книги определяется подробным описанием типовых неисправностей и методики их поиска и устранения. Эта новейшая технология разработана компанией Philips. Демодулированный звуковой сигнал выделяется на выв.

Кадровые двухполярные импульсы пилообразной формы снимаются с выв. Применяется в основном для измерения температуры.

Выходной каскад СР Q, Q, TS формирует токи отклонения строчных катушек, напряжения питания видеоусилителей и выходного каскада КР, а также напряжения, определяющие режим работы кинескопа. Ранее уже рассматривалось подобное оснащение, что означает широкое распространение этого номера шасси для телевизоров линейки Samsung. Изображение есть, звука нет Поиск неисправности в случае отсутствия звука при нормальном изображении следует начать с контроля сигнала на выв. Сигнал, пропорциональный току лучей кинескопа и используемый для регулировки уровня темновых токов, подается на выв. После этого телевизор должен начать работать нормально, но уже с настройками по умолчанию.

Тракт обработки сигналов изображения. Порт 0 представлен выв.
Ремонт телевизора Samsung UE40D5000PW Не включается

Область применения транзисторов 13001

Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.

• сетевые адаптеры мобильных устройств;
• электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
• электронные трансформаторы;
• другие импульсные устройства.

Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.

Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.

На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.

Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем

При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:

• этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
• собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
• заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.

Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки

Смотрите это видео на YouTube

Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.

Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007

Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142

Как работает транзистор и где используется?

Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность

Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора

Описание характеристик, назначение выводов и примеры схем включения линейного стабилизатора напряжения LM317

E13007-2 Datasheet – 8A, Vcbo=700V, NPN Transistor

Part Number : E13007-2

Function : NPN Silicon Transistor

Manufacturers : Fairchild, ON Semiconductor, San Pu Semiconductor

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C

1. Collector-Base Voltage : Vcbo = 700 V 2. Collector-Emitter Voltage : Vceo = 400 V 3. Emitter- Base Voltage : Vebo = 9 V 4. Collector Current (DC) : Ic = 8 A 5. Collector Current (Pulse) : Icp = 16 A 6. Base Current : Ib = 4 A 7. Collector Dissipation (TC=25°C) : Pc = 80 W

High Voltage Switch Mode Application • High Speed Switching • Suitable for Switching Regulator and Motor Control

1. FLUORESCENT LAMP 2. ELECTRONIC BALLAST 3. ELECTRONIC TRANSFORMER 4. SWITCH MODE POWER SUPPLY

Основные параметры транзистора 2SC3198 биполярного высокочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC3198 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
400mW	60V	50V	5V	150mA	125°C	130MHz	2	70MIN

Производитель: KECСфера применения: VHF, Medium Power, General PurposeПопулярность: 33823Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Телевизоры SAMSUNG на базовом шасси KS1A

Схемы строчной и кадровой разверток. Предлагаемая читателям книга — попытка восполнить приведенные выше пробелы.
Неплохое оснащение, что позволяет при необходимости заниматься самостоятельным программированием приспособления и его последующей настройкой.
В случае наличия напряжений на выходе микросхемы IC необходимо проконтролировать управляющее напряжение на выв.
В качестве антенны используется провод 1 м длиной. В дежурном режиме напряжение на этом выводе 0 В, в рабочем режиме телевизор включен напряжение на этом выводе должно быть около 3,3 В.
Формирование основных сигналов RGB выв. Способ монтажа
Сигнал обратной связи осциллограмма TP13 для стабилизации размера и формирования сигнала защиты кинескопа поступает от выходного каскада КР на выв. В этом случае дополнительно следует проверить исправность внешних элементов узла микроконтроллера микросхемы.
Настройка баланса белого.
Телевизор Samsung не включается ремонт строчной развертки

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13007 транзистором BU406D; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13007A;

транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335; транзистором 2SC2553; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC2335; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335;

Модификации (версии) транзистора

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	UCE(sat)	Корпус	Примечание
C1815	0,625	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3	—	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130…400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группы по hFE: L/HМаркировка: HF
2SC1815	0,2	60	50	5	0,15	125	130…400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группа L по hFE: маркировка: HFL.Группа H маркировка: HF
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3,5	1…10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815(L)	0,4	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 6	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815LT1	0,225	60	50	5	0,15	150	70…700	—	—	—	≤ 0,3	SOT-23	Маркировка: L6
2SC1815M (BR3DG1815M)	0,3	60	50	5	0,15	150	25…700	≥ 80	≤ 3,5	1…10	≤ 0,25	SOT-23	Группы по hFE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB
2SC1815 M	0,3	45	40	5	0,1	125	70…700	≥ 80	≤ 3,5	—	≤ 0,4	TO-92B	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130…400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группы по hFE: L/HМаркировка: HF
C1815T	0,4	60	50	5	0,15	125	70…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR
CSC1815	0,625	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
FTC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	70…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
KSC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3	1	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/L
KTC1815	0,625	60	50	5	0,15	150	25…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: Y/GR

Усилитель звука из телевизора

На рисунках 2 и 3 показаны схемы блоков управления БУ411 и БУ413. которые применялись в телевизорах 4УСЦТ. По схемам УНЧ эти блоки полностью идентичны. различие только в цепях управления. В первом случае управление кнопочное, во втором аналоговое, переменными резисторами. Но это не имеет никакого отношения к УНЧ. Платы А9 содержат УНЧ на основе микросхемы К174УН14, которая более современная чем К174УН7 блока БУ3. и обладает значительно лучшим качеством звучания. Но регулятор тембра по низким и высоким частотам выполнен по пассивной схеме, что несколько ухудшает глубину его регулировки. УНЧ блока БУ 411 и БУ413 обладает выходной мощностью 6 Вт, при КНИ 10% (4 Вт при КНИ 0,15%) и диапазоном рабочих частот 4016000 Гц при неравномерности 6 дБ.

Данный УНЧ в схеме телевизора питается напряжением 15V. но он работоспособен в значительно более широком диапазоне питающего напряжения от 8 до 18V. При этом изменяется только его максимальная выходная мощность, которая на нагрузке сопротивлением 2 Ом может достигать 10 Вт (при КНИ 10%). Чувствительность микросхемы К174УН14 составляет около 50 мВ. что позволяет использовать пассивный регулятор тембра. включенный на входе. Регулировка громкости так же не предусмотрена Поэтому, конструируя УНЧ на основе этих плат, нужно будет сделать обычный пассивный регулятор громкости на переменных резисторах.

Усилитель мощности на микросхеме К174УН14 (TDA2003)

На плате усилитель низкой частоты А9 блока БУ411 или БУ 413 непосредственно установлены разъемы Х1 и XS1. Остальные разъемы расположены за пределами платы и соединяются с ней ленточными кабелями. Точки подключения этих кабелей на схеме обозначены цифрами. Точками общего минуса являются точки 2. 4, 1, 7. Напряжение питания поступает на точку 5. А входной сигнал на точку 6. На рисунке 4 показана схема стереоусилителя на основе плат А9.2 блоков управления БУ3.

Входной сигнал поступает через разъем XI. Величины сопротивлений резисторов R1 и R4 зависят от выхода источника сигнала. Если это линейный выход, например. DVD плеера. то они могут быть указанного на схеме сопротивления или вообще их можно удалить. Если же сигнал подается от телефонного выхода, например, карманного МП3 плеера.то сопротивления этих резисторов нужно уменьшить до величин, обеспечивающих нормальную нагрузку телефонного усилителя (обычно 50100 Ом достаточно).

Резисторы R3 и R6 раздельные регуляторы громкости. Регуляторы тембра на схеме не показаны, потому что они входят в состав плат. Цепи R2 С2 и R5 С4 служат для подавления помехи с частотой дискретизации, которая может быть на выходе цифрового источника сигнала.
На рисунке 5 показана схема стереоусилителя на основе плат А9 блоков управления БУ411 или БУЗИ. Источник питания должен выдавать постоянное напряжение в указанных на схемах пределах, с максимальным током до ЗА в схеме на рис. 3 и до 5А в схеме на рис.4. Следует заметить, что применение разнотипных плат УНЧ в одном и том же стереоусилителе не допустимо.