Хроника
Вам будет интересно:Как почистить барабан стиральной машины от грязи: рецепты, средства, полезные советы
История создания транзисторов начинается в 1947 году с компании Bell Laboratories, располагающейся в Нью-Джерси. В процессе участвовали трое блестящих американских физиков: Джон Бардин (1908–1991), Уолтер Браттэйн (1902–1987) и Уильям Шокли (1910–1989).
Команда, возглавляемая Шокли, пыталась разработать новый тип усилителя для телефонной системы США, но то, что они на самом деле изобрели, оказалось гораздо интереснее.
Бардин и Браттэйн соорудили первый транзистор во вторник 16 декабря 1947 года. Он известен как транзистор с точечным контактом. Шокли много работал над проектом, поэтому неудивительно, что он был взволнован и рассержен тем, что его отклонили. В скором времени он в одиночку сформировал теорию переходного транзистора. Это устройство по многим параметрам превосходит транзистор с точечным контактом.
Биполярный транзистор BC550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC550
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 240
Корпус транзистора:
BC550
Datasheet (PDF)
..1. bc549 bc550.pdf Size:110K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC549B/DLow Noise TransistorsNPN SiliconBC549B,CBC550B,CCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating S
..2. bc549 bc550 3.pdf Size:49K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC549; BC550NPN general purpose transistors1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 20Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC549; BC550FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS
..3. bc549 bc550.pdf Size:231K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D186BC549; BC550NPN general purpose transistorsProduct data sheet 2004 Oct 11Supersedes data of 1999 Apr 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose transistors BC549; BC550FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 colle
..4. bc546 bc547 bc548 bc549 bc550.pdf Size:44K _fairchild_semi
BC546/547/548/549/550Switching and Applications High Voltage: BC546, VCEO=65V Low Noise: BC549, BC550 Complement to BC556 … BC560TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC546 80 V: BC547/550 50 V: BC548/549 30 VVCE
..5. bc549 bc550.pdf Size:355K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC549,A.B,CNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC550,A,B,CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with «T»EBCLow Noise TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC549 BC550 UNITSCollector Emitter Voltage VCEO 30 45 V
0.1. bc549b-c bc550b-c.pdf Size:52K _diodes
Low Noise TransistorsBC549B,CNPN SiliconBC550B,CMAXIMUM RATINGSRating Symbol BC549 BC550 UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 30 45 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 50 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current Continuous IC 100 mAdc1Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 mW2Derate above 25C 5.0 mW/C 3Total Device Dissipation @ TC = 25
Другие транзисторы… BC548CP
, BC549
, BC549A
, BC549AP
, BC549B
, BC549BP
, BC549C
, BC549CP
, TIP42C
, BC550AP
, BC550B
, BC550BP
, BC550C
, BC550CP
, BC551
, BC556
, BC556A
.
BC550 Datasheet (PDF)
..1. bc549 bc550.pdf Size:110K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC549B/DLow Noise TransistorsNPN SiliconBC549B,CBC550B,CCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating S
..2. bc549 bc550 3.pdf Size:49K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC549; BC550NPN general purpose transistors1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 20Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC549; BC550FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS
..3. bc549 bc550.pdf Size:231K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D186BC549; BC550NPN general purpose transistorsProduct data sheet 2004 Oct 11Supersedes data of 1999 Apr 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose transistors BC549; BC550FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 colle
..4. bc546 bc547 bc548 bc549 bc550.pdf Size:44K _fairchild_semi
BC546/547/548/549/550Switching and Applications High Voltage: BC546, VCEO=65V Low Noise: BC549, BC550 Complement to BC556 … BC560TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC546 80 V: BC547/550 50 V: BC548/549 30 VVCE
..5. bc549 bc550.pdf Size:355K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC549,A.B,CNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC550,A,B,CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with «T»EBCLow Noise TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC549 BC550 UNITSCollector Emitter Voltage VCEO 30 45 V
0.1. bc549b-c bc550b-c.pdf Size:52K _diodes
Low Noise TransistorsBC549B,CNPN SiliconBC550B,CMAXIMUM RATINGSRating Symbol BC549 BC550 UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 30 45 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 50 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current Continuous IC 100 mAdc1Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 mW2Derate above 25C 5.0 mW/C 3Total Device Dissipation @ TC = 25
Что такое операционный усилитель
ОУ — интегральная микросхема (ИМС), основным предназначением которой является усиление значения постоянного тока. Она имеет только один выход, который называется дифференциальным. Этот выход обладает высоким коэффициентом, усиливающим сигнал (Kу). ОУ в основном применяются при построении схем с отрицательной обратной связью (ООС), которая при основной ТХ по усилению и определяет Kу исходной схемы. ОУ применяются не только в виде отдельных ИМС, но и в разных блоках сложных устройств.
У ОУ 2 входа и 1 выход, а также есть выводы для подключения источника питания (ИП). Принцип действия операционного усилителя прост. Существует 2 правила, взятых за основу. Правила описывают простые процессы работы ИМС, происходящие в ОУ, и как работает ИМС, понятно даже чайникам. На выходе разность напряжений (U) равна 0, а входы ОУ почти не потребляют ток (I). Один вход называется неинвертирующим (V+), а другой является инвертирующим (V-). Кроме того, входы ОУ обладают высоким сопротивлением (R) и практически не потребляют I.
Чип сравнивает значения U на входах и выдает сигнал, предварительно усиливая его. Kу ОУ имеет высокое значение, достигающее 1000000. Если произойдет подача низкого U на вход, то на выходе возможно получить величину, равную U источника питания (Uип). Если U на входе V+ больше, чем на V-, то на выходе получится максимальное положительное значение. При запитывании положительным U инвертирующего входа на выходе будет максимальная величина отрицательного напряжения.
Смотрите это видео на YouTube
Основным требованием для работы ОУ является применение двухполярного ИП. Возможно применение однополярного ИП, но при этом возможности ОУ сильно ограничиваются. Если использовать батарейку и принять за 0 ее плюсовую сторону, то при измерении значений получится 1,5 В. Если взять 2 батарейки и соединить их последовательно, то произойдет сложение U, т.е. прибор покажет 3 В.
Если принять за ноль минусовой вывод батарейки, то прибор покажет 3 В. В другом случае, если принять за 0 плюсовой вывод, то получается -3 В. При использовании в качестве нуля точки между двумя батарейками получится примитивный двухполярный ИП. Проверить исправность ОУ можно только при подключении его в схему.
История и использование
BC548 является частью семейства эпитаксиальных кремниевых транзисторов NPN и PNP, которые возникли на основе семейства транзисторов BC108 в металлическом корпусе . BC548 — это современный BC108 в пластиковой упаковке; В статье BC548 на сайте Radiomuseum BC548 описывается как преемник BC238 и отличается от BC108 только формой корпуса. В технических описаниях BC548 приведены технические характеристики, которые идентичны или превосходят спецификации предшественников BC108, BC148 и BC238. Таким образом, BC548 (или BC546 — 550) является допустимой заменой в любой схеме, разработанной для более старой модели BC108 (или BC148), которая включает в себя многие опубликованные проекты Mullard и Philips.
Германий
В конце XIX века германий был впервые выделен и идентифицирован немецким химиком Клеменсом Винклером. Этот материал, названный в честь родины Винклера, долгое время считался малопроводящим металлом. Это утверждение было пересмотрено в период Второй мировой войны, так как именно тогда были обнаружены полупроводниковые свойства германия. Приборы, состоящие из германия, широко распространились в послевоенные годы. В это время нужно было удовлетворить потребность в производстве германиевых транзисторов и подобных устройств. Так, производство германия в США выросло с нескольких сотен килограммов в 1946 году до 45 тонн к 1960 году.
Производители
Все DataSheet от указных производителей ВС557 можно скачать здесь. Производители: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.
Самые известные, но не обязательно лучшие для аудио…
LM741 и LM324 очень популярны и используются повсеместно, то это главным образом благодаря тому, что они внесли огромный вклад в небольшую революцию в области интегральных усилителей. LM741 и LM324 были «лучше» и стабильнее своих предшественников LM709, но их характеристики вряд ли предназначались для усиления слабых звуковых сигналов. Тем не менее, они все таки для этого использовались, порой даже в схемах микрофонных усилителей.
NE5532 и NE5534 — отличное соотношение цена/качество. Очень подходят для изготовления небольших микрофонных предусилителей или даже предусилителей RIAA (RIAA — сертификация американской ассоциации звукозаписывающей индустрии Recording Industry Association of America). Эти чипы имеют небольшую склонность к нестабильности на высоких коэффициентах усиления (паразитные автоколебания на высокой частоте, обычно неслышимые и видимые только на осциллографе, приводящие однако к искажению звукового сигнала при прослушивании). Однако это явление легко устранить, обеспечив хорошую развязку по питанию и и добавив небольшую емкость в несколько пФ в цепи обратной связи.
Кроме того, иметь четыре ОУ в одном корпусе (например LM324) было и остается весьма практичным, даже при сомнительной линейности и уровне шума этих чипов.
