Bc847c транзистор маломощный 45в 100ма

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 700 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 12 А, пульсирующий — 24 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 5А, базы 1 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 5А, базы 1 А — 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — около 100 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Технические характеристики

Рассмотрение технических характеристик BC327, как правило, начинается с максимально возможных, предельно допустимых значений. Именно в них отражены наиболее важные параметры, которые необходимо знать об устройстве. На практике рекомендуется делать 10-20 % запас от указанных в datasheet величин. Также следует учитывать, что производитель приводит их для температуры окружающей среды (Т_А) не выше +25°С.

Предельные параметры

Максимальные характеристики транзистора BC327 (Т_А=+25°С):

• напряжение: К -Э (V_CEO) до -45В; К-Б (V_CBO)=-50В; Э-Б (V_EBO)=-5В;
• ток коллектора (I_C) до -500мА;
• рассеиваемая мощность (P_C) до 625мВт;
• максимальная температура: (Т_j) до +150°С; при хранении (T_STG) -55°С … +150°С.

При знакомстве с электрическими свойствами и особенностями PNP-транзистора необходимо обращать внимание на знак «-», с помощью которого производители указывают на обратные значения параметров. Продолжительное использование транзистора на пределах возможностей, в большинстве случаев, критически сказывается на его дальнейшей эксплуатации

Довольно часто кремниевая структура не выдерживает высоких температур и изделие выходит из строя. Поэтому не стоит превышать указанные выше максимальные параметры

Продолжительное использование транзистора на пределах возможностей, в большинстве случаев, критически сказывается на его дальнейшей эксплуатации. Довольно часто кремниевая структура не выдерживает высоких температур и изделие выходит из строя. Поэтому не стоит превышать указанные выше максимальные параметры.

Электрические параметры

Электрические параметры на BC327 дают представление о том, в каких условиях транзистор сможет работать стабильно и продолжительно долго. В них, кроме основных свойств, производители приводят условия применения (режимы измерений), при которых устройство показывает наилучшие результаты при эксплуатации. Температура окружающей среды, при этом, не превышает +25°С.

Коэффициентом усиления (H_FE)

Производители классифицируют BC327 по группам, которые определяются коэффициентом усиления по току (H_FE). Для рассматриваемого транзистора их три. Определить H_FE возможно по цифрам в конце маркировки: 16 (от 100 до 250), 25 (от 160 до 400), 40 (от 250 до 630).

Комплементарная пара

В связи с широким применением рассмартиваемого транзистора в маломощных схемах усиления аудиосигнала, для него была разработана комплиментарная пара BC. Она отличается от BC327 только кремниевой структурой (NPN). В остальном параметры идентичны.

Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC546 – BC550 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – n-p-n. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC546 65в. У транзисторов BC547, BC550 45в. У транзисторов BC548, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC546 80в. У транзисторов BC547, BC550 50в. У транзисторов BC548, BC549 30в.

Максимальное напряжение эмиттер – база – У транзисторов BC546, BC547 6в. У транзисторов BC548, BC549, BC550 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC546A, BC547A, BC548A, BC549A, BC550A – от 110 до 220. У транзисторов BC546B, BC547B, BC548B, BC549B, BC550B – от 200 до 450. У транзисторов BC546C, BC547C, BC548C, BC549C, BC550C – от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.

Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 в западном мире столь же популярны, как были популярны в Советском Союзе в свое время – КТ315. Сравнивать напрямую эти транзисторы было бы совершенно некорректно, более поздняя западная разработка конечно, намного совершенней.

BC547, BC548 иногда(в малосигнальных каскадах УЗЧ) можно заменить КТ3102А, Б, Г( и почти всегда – наоборот). BC549 меняется на КТ3102Д, Е. Нужно учитывать что КТ3102 имеют более низкую мощность рассеиваемую коллектором и уступают по предельной частоте передачи тока.

BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Простейший усилитель на биполярном транзисторе

Рассмотрим детальнее принцип усиления сигнала в электрической плоскости на примере схемы.
Заранее оговорюсь, что такая схема не совсем правильная. Никто не подключает источник постоянного
напряжения напрямую к источнику переменного. Но в данном случае, так будет проще и нагляднее для
понимания самого механизма усиления с помощью биполярного транзистора. Так же, сама техника расчетов
в приведенном ниже примере носит несколько упрощенный характер.

1.Описание основных элементов цепи

Итак, допустим в нашем распоряжении транзистор с коэффициентом усиления 200 (β = 200).
Со стороны коллектора подключим относительно мощный источник питания в 20V,
за счет энергии которого будет происходить усиление. Со стороны базы транзистора
подсоединим слабый источник питания в 2V. К нему последовательно подсоединим источник переменного
напряжения в форме синуса, с амплитудой колебаний в 0.1V. Это будет сигнал, который нужно усилить.
Резистор Rb возле базы необходим для того, чтобы ограничить ток, идущий от источника сигнала,
обычно обладающего слабой мощностью.

2. Расчет входного тока базы I_b

Теперь посчитаем ток базы I_b. Поскольку мы имеем дело с переменным напряжением,
нужно посчитать два значения тока – при максимальном напряжении (V_max) и минимальном (V_min).
Назовем эти значения тока соответственно — I_bmax и I_bmin.

Также, для того чтобы посчитать ток базы, необходимо знать напряжение база-эмиттер V_BE. Между базой и эмиттером располагается
один PN-переход. Получается, что ток базы «встречает» на своем пути полупроводниковый диод. Напряжение,
при котором полупроводниковый диод начинает проводить — около 0.6V. Не будем вдаваться в подробности
вольт-амперных характеристик диода, и для простоты расчетов возьмем приближенную модель,
согласно которой напряжение на проводящем ток диоде всегда 0.6V. Значит, напряжение между
базой и эмиттером V_BE = 0.6V. А поскольку эмиттер подключен к земле (V_E = 0),
то напряжение от базы до земли тоже 0.6V (V_B = 0.6V).

Посчитаем I_bmax и I_bmin с помощью закона Ома:

2. Расчет выходного тока коллектора I_С

Теперь, зная коэффициент усиления (β = 200),
можно с легкостью посчитать максимальное и
минимальное значения тока коллектора ( I_cmax и I_cmin).

3. Расчет выходного напряжения V_out

Осталось посчитать напряжение на выходе нашего усилителя V_out.
В данной цепи — это напряжение на коллекторе V_C.

Через резистор Rc течет ток коллектора, который мы уже посчитали. Осталось подставить значения:

4. Анализ результатов

Как видно из результатов, V_Cmax получился меньше чем V_Cmin. Это произошло из-за того,
что напряжение на резисторе V_Rc отнимается от напряжения питания VCC. Однако в большинстве
случаев это не имеет значения, поскольку нас интересует переменная составляющая сигнала – амплитуда,
которая увеличилась c 0.1V до 1V. Частота и синусоидальная форма сигнала не изменились. Конечно же,
соотношение V_out/V_in в десять раз — далеко на самый лучший показатель для усилителя,
однако для иллюстрации процесса усиления вполне подойдет.

Итак, подытожим принцип работы усилителя на биполярном транзисторе.
Через базу течет ток I_b, несущий в себе постоянную и переменную составляющие.
Постоянная составляющая нужна для того чтобы PN-переход между базой и эмиттером начал проводить – «открылся».
Переменная составляющая – это, собственно, сам сигнал (полезная информация).
Сила тока коллектор-эмиттер внутри транзистора – это результат умножения тока базы на коэффициент усиления β.
В свою очередь, напряжение на резисторе Rc над коллектором – результат умножения усиленного тока коллектора на значение резистора.

Таким образом, на вывод Vout поступает сигнал с увеличенной амплитудой колебаний,
но с сохранившейся формой и частотой

Важно подчеркнуть, что энергию для усиления транзистор
берет у источника питания VCC. Если напряжения питания будет недостаточно,
транзистор не сможет полноценно работать, и выходной сигнал может получится с искажениями.

Описание транзистора BC847BWT1

Транзистор BC847BWT1 — высокочастотный (30 МГц > F_ГР < 300 МГц) проводимость типа N-P-N, биполярный, кремниевый (Si), малой мощности ( P_К,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса SOT-323. Аналогами данного транзистора являются транзисторы: BCW71, 2N2222, KT3117A.

Транзистор
U_КЭ0 /U_{КБ0 ПРОБ}В
I_{К, МАКС}мА
P_{К, МАКС}мВт
h_21Э
f_грМГц
Изготовитель

мин.
макс.
I_КмА
U_КЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)

BC847BWT1
45/50
100
300
290

2
5
300

Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola

Цоколёвка

Тип
Номера выводов

1
2
3

3 вывода
E
B
C

U_{КЭ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

I_К — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

h_21Э — схема с общим эмиттером — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

f_ГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.

Микросхемы

Транзисторы

0401 ÷ 2N6085

2N605 ÷ 2SC3359SR

2SC32 ÷ BC856W

BC857 ÷ K9015

K917 ÷ …

SC32 ÷ 2SC3359SR 2SC3360 ÷ 2SC3576 2SC3615K ÷ 2SC372Y 2SC373 ÷ 2SC4018KP 2SC403 ÷ 2SC4272F 2SC4295M ÷ 2SC4486T 2SC4487 ÷ 2SC4620Q 2SC4639 ÷ 2SC4721Q 2SC4722 ÷ 2SC504 2SC505 ÷ 2SC693 2SC696 ÷ 2SC849 2SC853 ÷ 2SC996 2SD1009 ÷ 2SD1249R 2SD1250 ÷ 2SD1257R 2SD1258 ÷ 2SD1483 2SD1449 ÷ 2SD1619U 2SD1620 ÷ 2SD1743R 2SD1744 ÷ 2SD1758F5R 2SD1760F5 ÷ 2SD1835U 2SD1857A ÷ 2SD2008R 2SD2028 ÷ 2SD2171SW 2SD2172 ÷ 2SD2322SR 2SD2324 ÷ 2SD602A 2SD603 ÷ 2SD860R 2SD863 ÷ 40080 40084 ÷ 40326S 40327 ÷ 40406S 40407 ÷ 40634S 40635 ÷ A5T2907A A5T3391 ÷ A5T5400 A5T5401 ÷ AC126 AC127 ÷ AC184 AC185 ÷ AF115 AF116 ÷ AP1107 AP1121 ÷ AT2604 AT2605 ÷ BC115 BC116A ÷ BC158B BC159 ÷ BC178VI BC179 ÷ BC190B BC192 ÷ BC213LC BC214A ÷ BC258VI BC259 ÷ BC298/7 BC300-4 ÷ BC320B BC321 ÷ BC338-40 BC340 ÷ BC393 BC394 ÷ BC450B BC461-4 ÷ BC530 BC531 ÷ BC612L BC618L ÷ BC807WBC808 ÷ BC856WBC808
BC808-16
BC808-25
BC808-25W
BC808-40
BC808-40W
BC808.16
BC808.25
BC808.40
BC808W
BC817-16
BC817-16L
BC817-16LT1
BC817-25
BC817-25LT1
BC817-40
BC817-40LT1
BC818-16
BC818-25
BC818-40
BC846ALT1
BC846AWT1
BC846BLT1
BC846BWT1
BC847ALT1
BC847AWT1
BC847BLT1
BC847BWT1
BC847BWT1
BC847CLT1
BC847CWT1
BC848ALT1
BC848AWT1
BC848BLT1
BC848BWT1
BC848CLT1
BC848CWT1
BC849ALT1
BC849BLT1
BC849CLT1
BC850ALT1
BC850BLT1
BC850CLT1
BC856
BC856A
BC856ALT1
BC856AW
BC856AWT1
BC856B
BC856BLT1
BC856BW
BC856BWT1
BC856W

################