Даташит bcp55 pdf ( datasheet )

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC337.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC337 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор BC337 транзистором 2N4401; транзистором 2N5818; транзистором BC637; транзистором КТ504Б; транзистором MPSA06; транзистором SE6022;

транзистором PN5816; транзистором MMBT5449; транзистором NPS5449; транзистором PN5449; транзистором NPS5816; транзистором MQ5816; транзистором LBC547B; транзистором MPS5449; транзистором MMBT5816; транзистором MQ5449;

Технические характеристики

TDA2822M не требует для работы больших напряжений и обладает высоким коэффициентом усиления (до 41 дБ). Выходная мощность (P_O) зависит он конфигурации системы и её электронной обвязки. Чаще всего для включения схемы используют номинальные для неё 9 В (иногда обычную крону). При таком питании можно получить заявленные производителем 1,0-1,4 Вт на стандартные 8-ми омные колонки, но с достаточно большими уровнями гармонических искажений в 10 % (TDA), не приемлемыми для прослушивания музыки.

При питании от 6 В на 8-ми омных динамиках можно получить до 300-380 мВт, но тоже с высокими TDA до 10 %. Некоторые радиолюбители заявляют о получении выходной мощностью в 2 Вт при питания в 12 В, но не учитывают работу устройства на предельных своих возможностей. В техническом описании (datasheet) данные о таких экстремальных режимах эксплуатации (с напряжением более 9 В), производителями не представлены. Приведем максимально возможные значения параметров.

Максимальные параметры

Абсолютные (предельно допустимые) значения параметров для TDA2822M:

• напряжение питания (V_S) до 15 В;
• выходной ток (I_O) до 1 А;
• рассеиваемая мощность (P_tot) до 1.4 Вт (при T_CASE до 50 °C);
• диапазон рабочих температур (T_A) от -20 до 70 °C;
• температура хранения (T_stg) от -40 до +150 °C.

Не стоит превышать предельно допустимые значения параметров. Это приведёт к появлению высоких искажений, сильному нагреву микросхемы и вероятности скорого выхода её строя. Для охлаждения можно использовать небольшой радиатор, хотя в большинстве случаев он не нужен.

Слушать музыку с искажениями — не самое приятное занятие. Для получения приемлемого качества звучания и уменьшение уровня TDA чаще всего уменьшают выходную мощность (P_O). Например при работе усилителя в мостовом режиме, для уменьшения TDA до 0,2% в 8-ми омной нагрузке, необходимо снизить P_O до 0,5 Вт.

Cхемы включения

Многие параметры зависят не только от напряжения питания но и от того, какая схема включения у TDA2822M. На рисунке представлены её два основных варианта применения. Слева для работы двух каналов (стерео), а справа в одноканальном (режим моста). Последний можно использовать, например, для подключения сабвуфера.

Электрические характеристики

Рассмотрим электрические характеристики TDA2822M из datasheet (на русском языке). Производители приводя их в отдельных таблицах для разных схем включения. Номинальное напряжение питания (V_S) 6 В, если не указано иного. Температура устройства не должна превышать +25°C. Дополнительные режимы измерений указаны в отдельном столбце. Вот параметры при работе в режиме стерео.

Ниже представлены электрические параметры при работе устройства в мостовой схеме. Рабочая температура и номинальное напряжение такие же, как и при включении в стерео режиме.

Аналоги

У TDA2822M есть современный аналог от южнокорейской компании Samsung — микросхема КА2209. Чаще всего именно её предлагают как альтернативу. Из импортных устройств также можно рекомендовать NJM2073. Из отечественных, идентичной по параметрам считается 174УН22, и более старые 174УН34 и 174УН31, но они уже давно не выпускаются.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 5 В при различных значениях температуры среды T_a.

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C при различных температурах среды.

Соотношение токов I_C / I_B = β = 10.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C при различных температурах среды.

Соотношение токов I_C / I_B = β = 10.

Рис. 4. Входная характеристика транзистора: зависимость между напряжением база-эмиттер U_BE и током коллектора I_C.

Характеристика снята при разных температурах среды и коллекторном напряжении U_CE = 5 В.

Рис. 5. Влияние температуры внешней среды T_a на величину коллекторного тока выключения транзистора I_CBO.

Характеристика снята при напряжении коллектор-база U_CB = 100 В.

Рис. 6. Зависимости входной С_ib и выходной емкости C_cb от величины обратного напряжения U_CE коллектор-эмиттер.

Характеристика при частоте сигнала f = 1 МГц.

Рис. 7. Зависимость коэффициента усиления в режиме малого сигнала h_fe от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В на частоте 20 МГц.

Рис. 8. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора P_C при возрастании температуры корпуса T_C.

Характеристика дана для двух разных конструктивных исполнений: TO-92 и SOT-23.

Datasheet Download — ETC

Номер произв	K174UN7
Описание	K174UN7 #2
Производители	ETC
логотип
1Page No Preview Available ! К174УН7 Является усилителем мощности звуковой частоты. При сопротивлении нагрузки 4 Ом и напряжении источника питания 15 В его максимальная выходная мощность — 4,5 Вт. Принципиальная схема ИМС К174УН7. Входной каскад усилителя построен на составном транзисторе VT1,VT2 нагрузкой которого является VT3i включенный как генератор тока. С эмиттерного повторителя на VT7, нагрузкой которого служат резистор R9 и транзистор VT6, усиленный по току сигнал подается на VT8 и V10. В качестве коллекторной нагрузки VT1O используется генератор тока на транзисторе VT9 и термостабилизирующий диод VD3. Транзисторы VT4, VT5 с резисторами R3…R7 и диод VD2 в режиме покоя поддерживают выходное напряжение (на выводе 12) равным половине напряжения Uип. Предоконечный фазоинверсный каскад выполнен на транзисторах VT14, VT11 разной структуры. Выходной каскад по двух- тактной схеме на транзисторах VT16, VT17 одинаковой структуры. Ток покоя этих транзисторов задают генераторы тока на транзисторах VT12, VT13 и диоды VD4, VD5. Транзистор VT15 выполняет функцию термостабилизатора выходною тока. К базе транзистора подключают внешнюю цепь, корректирующую амплитудно-частотную характеристику на высоких частотах, а к выводу 6 — цепь обратной связи, с помощь. которой регулируют коэффициент усиления. No Preview Available ! При работе ИМС в типовом включении коэффициент гармоник Кг составляет от 2 до 10 %. При включении микросхемы в улучшенном варианте можно заметно снизить коэффициент гармоник, этом случае в зависимости от экземпляра ИМС коэффициент гармоник на частоте 1000 Гц имеет значение интервале от 0,03 до 0,06 %. Искажения снижены благодаря изменении глубины внешней отрицательной об ратной связи. Чтобы уменьшить коэффициент гармоник на высоких частотах в несколько раз должна быть уменьшена емкость конденсатора между выводами 5, 12 и удален конденсатор, включенный между общим проводом и выводом 5. Однако это может привести к самовозбуждению отдельных ИМС. В этом случае следует пойти на компромисс, включив между общим проводом и выводом 5 конденсатор емкостью 330 пФ, что, естественно, несколько увеличит коэффициент гармоник. В новом варианте включения ИМС изменена также цепь нагрузки, что уменьшает число конденсаторов. Коэффициент гармоник на частоте 20 кГц в зависимости от экземпляра ИМС имеет значение в интервале от 0,1 до 0,2 %. Расположение и назначение выводов ИМС. Типовая схема включения ИМС К174УН7. No Preview Available ! Улучшенная схема включения ИМС К174УН7 Электрические параметры ИМС К174УН7 при 25±10 С и Uпит.-15 В Ток потребления Iпот, мА, при Uвх~0, не более………………………………………………………………………………………20 Коэффициент гармоник Кг %, при f=1 кГц и выходной мощности 0,05 и 2,5В……………………………………………………2 Полоса воспроизводимых частот кГц ………………………………0,4…20 Входное сопротивление Rвх, кОм, при f 1 кГц, не менее…………………………………………………………………………..50 КПД, %, при f=1 кГц и выходной мощности Pвых-4,5 Вт, не менее………………………………………………….50 Предельные эксплуатационные параметры ИМС К174УН7 Напряжение питания U ип, В минимальное…………………………………………………………………………………3 максимальное……………………………………………………………18 Максимальное амплитудное, значение тока нагрузки IнА, A не более………………………………………………………..1,8 Амплитудное значение входного напряжения Uвх В, не более……………………………………………………………………………………………..2 Допустимое постоянное напряжение U, В, не более на выводе 7………………………………………………………………………………….15 на выводе 8………………………………………………………………—0,3…+2 Допустимая температура корпуса, °С, при температуре окружающей среды Токр.60°С не более………………………………………………………………………85 Тепловое сопротивление на границе кристалл-окружающая среда, °СВт,
Всего страниц	4 Pages
Скачать PDF

Производители

Все DataSheet от указных производителей ВС557 можно скачать здесь. Производители: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.

Особенности и недостатки

Особенностью таймера является внутренний делитель напряжения, который задаёт фиксированный верхний и нижний порог срабатывания для двух компараторов. Ввиду того что делитель напряжения нельзя исключить, а пороговым напряжением нельзя управлять, область применения NE555 сужается.

Таймер на биполярных транзисторах имеет один существенный недостаток, связанный с переходом выходного каскада из одного состояния в противоположное. Каждое переключение сопровождается паразитным сквозным током, который в пике может достигать 400 мА, увеличивая тепловые потери. Решение проблемы заключается в установке полярного конденсатора ёмкостью до 0,1 мкФ между выводом управления (5) и общим проводом. Благодаря ему, повышается стабильность при запуске и надёжность всего устройства. Кроме того, для повышения помехоустойчивости цепь питания дополняют неполярным конденсатором 1 мкФ.

Корпус и распиновка

Цоколевка bc337 выглядит следующим образом. Большинство производителей выпускают его в пластмассовой упаковке ТО-92 с гибкими выводами, или её аналогах: SOT54, TO-226. Маркировка цифробуквенная, наносится на лицевой части корпуса по европейской системе Pro Electron. Если смотреть на неё, то первая ножка слева это — коллектор, второй — база, третий — эмиттер.

Несмотря на это, некоторые китайские компании выпускают устройство в тех же корпусах, что указаны выше, но с другой распиновкой. Например, у Foshan Blue Rocket Electronics сначала идет эмиттер, потом база и последним коллектор.

Datasheet Download — Infineon Technologies AG

Номер произв	BCP55
Описание	NPN Silicon AF Transistors
Производители	Infineon Technologies AG
логотип
1Page No Preview Available ! NPN Silicon AF Transistors BCP54…BCP56 For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCP51 … BCP53 (PNP) 4 3 2 1 VPS05163 Type BCP54 BCP54-10 BCP54-16 BCP55 BCP55-10 BCP55-16 BCP56 BCP56-10 BCP56-16 Marking BCP 54 1 = B BCP 54-10 1 = B BCP 54-16 1 = B BCP 55 1 = B BCP 55-10 1 = B BCP 55-16 1 = B BCP 56 1 = B BCP 56-10 1 = B BCP 56-16 1 = B Pin Configuration 2=C 3=E 4=C 2=C 3=E 4=C 2=C 3=E 4=C 2=C 3=E 4=C 2=C 3=E 4=C 2=C 3=E 4=C 2=C 3=E 4=C 2=C 3=E 4=C 2=C 3=E 4=C Package SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 SOT223 1 Nov-29-2001 No Preview Available ! BCP54…BCP56 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-emitter voltage RBE 1k Collector-base voltage Emitter-base voltage DC collector current Peak collector current Base current Peak base current Total power dissipation, TS = 124 °C Junction temperature Storage temperature Symbol VCEO VCER VCBO VEBO IC ICM IB IBM Ptot Tj Tstg BCP54 45 45 45 5 BCP55 BCP56 60 80 60 100 60 100 55 1 1.5 100 200 1.5 150 -65 … 150 Unit V A mA W °C Thermal Resistance Junction — soldering point1) RthJS 17 K/W 1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance 2 Nov-29-2001 No Preview Available ! BCP54…BCP56 Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified. Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC Characteristics Collector-emitter breakdown voltage IC = 10 mA, IB = 0 BCP54 BCP55 V(BR)CEO 45 60 — — V — — BCP56 80 — — Collector-base breakdown voltage IC = 100 µA, IE = 0 BCP54 BCP55 BCP56 V(BR)CBO 45 60 100 — — — — — — Emitter-base breakdown voltage IE = 10 µA, IC = 0 Collector cutoff current VCB = 30 V, IE = 0 Collector cutoff current VCB = 30 V, IE = 0 , TA = 150 °C DC current gain 1) IC = 5 mA, VCE = 2 V DC current gain 1) IC = 150 mA, VCE = 2 V V(BR)EBO 5 — — ICBO — — 100 nA ICBO — — 20 µA hFE 25 — — hFE BCP54…56 hFE-grp.10 hFE-grp.16 40 — 250 63 100 160 100 160 250 DC current gain 1) IC = 500 mA, VCE = 2 V Collector-emitter saturation voltage1) IC = 500 mA, IB = 50 mA Base-emitter voltage 1) IC = 500 mA, VCE = 2 V hFE 25 — — VCEsat — — 0.5 V VBE(ON) — — 1 AC Characteristics Transition frequency IC = 50 mA, VCE = 10 V, f = 100 MHz fT — 100 — MHz 1) Pulse test: t ≤=300µs, D = 2% 3 Nov-29-2001
Всего страниц	5 Pages
Скачать PDF

Описание и область применения

NE555 является разработкой американской компании Signetics, специалисты которой в условиях экономического кризиса не сдались и смогли воплотить в жизнь труды Ганса Камензинда

Именно он в 1970 году сумел доказать важность своего изобретения, которое на тот момент не имело аналогов. ИМС NE555 имела высокую плотность монтажа при низкой себестоимости, чем заслужила особый статус

Впоследствии её стали копировать конкурирующие производители из разных стран мира. Так появилась отечественная КР1006ВИ1, которая так и осталась уникальной в данном семействе. Дело в том, что в КР1006ВИ1 вход останова (6) имеет приоритет над входом запуска (2). В импортных аналогах других фирм такая особенность отсутствует. Данный факт следует учитывать при разработке схем с активным использованием двух входов.

Однако в большинстве случаев приоритеты не влияют на работу устройства. С целью снижения мощности потребления, ещё в 70-х годах прошлого века был налажен выпуск таймера КМОП-серии. В России микросхема на полевых транзисторах получила название КР1441ВИ1.

Наибольшее применение 555 таймер нашёл в построении схем генераторов и реле времени с возможностью задержки от микросекунд до нескольких часов. В более сложных устройствах он выполняет функции по исключению дребезга контактов, ШИМ, восстановлению цифрового сигнала и так далее.

BCP55 Datasheet (PDF)

..1. bc637 bcp55 bcx55.pdf Size:153K _philips

BC637; BCP55; BCX5560 V, 1 A NPN medium power transistorsRev. 07 25 June 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN medium power transistor series.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECBC637 SOT54 SC-43A TO-92 BC638BCP55 SOT223 SC-73 — BCP52BCX55 SOT89 SC-62 TO-243 BCX52 Valid for all available sel

..2. bcp54 bcp55 bcp56 3.pdf Size:48K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D087BCP54; BCP55; BCP56NPN medium power transistors1999 Apr 08Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 08Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistors BCP54; BCP55; BCP56FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 base2, 4 collectorAP

..3. bcp55.pdf Size:50K _fairchild_semi

BCP55CECBSOT-223NPN General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose medium poweramplifiers and switching circuits requiring collector currentsto 1.0 A. Sourced from Process 38. See BCP54 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsV Collector-Emitter Voltage 60 VCEOV Collector-Base Vo

..4. bcp54 bcp55 bcp56.pdf Size:131K _siemens

NPN Silicon AF Transistors BCP 54 … BCP 56 For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCP 51 BCP 53 (PNP)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3 4BCP 54 BCP 54 Q62702-C2117 B C E C SOT-223BCP 54-10 BCP 54-10 Q62702-C2119BCP 54-16 BCP 54-16 Q62702-C2120BCP 55

..5. bcp55.pdf Size:42K _diodes

SOT223 NPN SILICON PLANARBCP55MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 3 AUGUST 1995 T i I i C i II V T T EC T I D T I BABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I V I i

..6. bcp54 bcp55 bcp56.pdf Size:206K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BCP54 BCP55 BCP56SOT-223Formed SMD PackageGeneral Purpose Medium Power DC ApplicationsComplementary BCP51 BCP52 and BCP53ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BCP54 BCP55 BCP56 UNITSCollector Base Voltage V

..7. bcp54 bcp55 bcp56.pdf Size:244K _lge

BCP54,55,56SOT-223 Transistor(NPN)SOT-2231. BASE 2. COLLECTOR 1 3. EMITTER Features For AF driver and output stages High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCP51 … BCP53 (PNP) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter BCP54 BCP55 BCP56 Units VCBO Col

0.1. bcp55-16.pdf Size:46K _st

BCP55-16LOW POWER NPN TRANSISTOROrdering Code MarkingBCP55-16 BCP5516 SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN MEDIUMVOLTAGE TRANSISTOR SOT-223 PLASTIC PACKAGE FOR2SURFACE MOUNTING CIRCUITS TAPE AND REEL PACKING3 THE PNP COMPLEMENTARY TYPE IS2BCP52-161APPLICATIONS SOT-223 MEDIUM VOLTAGE LOAD SWITCHTRANSISTORS OUTPUT STAGE FOR AUDIO AMPLIFIERSCIRCUITS AUTOMOTIVE

0.2. bcp55-bcp56.pdf Size:71K _st

BCP55/56MEDIUM POWER AMPLIFIERADVANCE DATA SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS MINIATURE PLASTIC PACKAGE FORAPPLICATION IN SURFACE MOUNTINGCIRCUITS GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED2FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIALAPPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER3OUTPUT STAGE2 PNP COMPLEMENTS ARE BCP52 AND1BCP53 RESPECTIVELYSOT-223INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE

 0.3. bcp54m bcp55m bcp56m.pdf Size:31K _siemens

BCP 54M … BCP 56MNPN Silicon AF Transistors4 For AF driver and output stages5 High collector current Low collector-emitter saturation voltage3 Complementary types: BCP 51M…BCP 53M(PNP)21VPW05980Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCP 54M BAs Q62702-C2595 1 = B 2 = C 3 = E 4 n.c. 5 = C SCT-595BCP 55M BEs Q62702-C2606 BCP 56M BHs Q6270

0.4. bcp5551.pdf Size:342K _secos

BCP5551NPN EpitaxialElektronische BauelementePlanar TransistorRoHS Compliant ProductSOT-89 FeaturesDesigned for gereral prupose application requiringhigh breakdown voltage.1231.BASE2.COLLECTOR3.EMITTERREF. REF. Min. Max. Min. Max. A 4.4 4.6 G 3.00 REF. B 4.05 4.25 H 1.50 REF. Marking:5551C 1.50 1.70 I 0.40 0.52 D 1.30 1.50 J 1.40 1.60 XXXXE 2.40 2

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в высокочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания.

Отечественно производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	hfe	Корпус	Примечание
2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	20-250	100 — 300	6	8	50-200	TO-92
КТ6117А	0,625	180	160	6	0,6	150	80-250	100	6	—	—	КТ-26	Тот же TO-92
КТ6127И	0,6	—	160	4	2	150	≥ 30	≥ 150	74	—	—	КТ-26	Тот же TO-92
КТ6127К	0,6	—	200	4	2	150	≥ 30	≥ 150	74	—	—	КТ-26	Тот же TO-92
КТ683А	1,2	150	150	7	1	150	40-120	50	15	—	—	SOT-32

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	hfe	Корпус
2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	20-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5550	0,625	160	140	6	0,6	150	20-250	100-300	6	10	50-200	TO-92
2N5175	0,2	130	100	5	0,025	125	55	—	—	—	—	TO-98-1
2SC6136	0,5	600	285	8	0,7	150	60-200	—	—	—	—	TO-92
2SD1701	0,75	1700	—	8	0,8	150	10000	—	—	—	—	TO-92
ECG194	0,35	180	160	—	0,6	150	100	100	—	—	—	TO-92
HEPS0005	0,31	180	160	—	0,6	150	160	200	—	—	—	TO-92

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	UCBO	180
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	UCEO	160
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	UEBO	6
Ток коллектора постоянный, А	IC	0,6
Предельная рассеиваемая мощность, Вт	TO-92	PC	0,625
SOT-23 ٭	PC	0,35
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	Tstg	-55…+150
Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/Вт	TO-92	RƟJС	83,3
SOT-23	—
Тепловое сопротивление p-n переход – внешняя среда, °С/Вт	TO-92	RƟJA	200
SOT-23	357

٭ — транзистор 2N5551 в корпусе SOT-23 по каталогу имеет обозначение MMBT5551 (по даташит компании “Fairchild”).

Характеристики

Все характеристики на BC337 приведены в техническом описании (datasheet) на устройство. Наиболее важные значения, находятся в таблицах “максимальные рейтинги” и “электрические параметры”. Они проверяются производителем при тестировании и выпуске продукции.

Максимальные рейтинги

В максимальных рейтингах отражены предельные эксплуатационные свойства bc337. Превышение этих значений, может привести к выводу устройства из строя. Вот их полный перечень:

• Напряжение между коллектором и эмиттером (при разомкнутой цепи базы) V_CEO не более 45 В;
• Напряжение между коллектором и эмиттером (база соединена с эмиттером) V_CES не более 50 В;
• Напряжение между эмиттером и базой V_EBO не должно превышать 5 В;
• Ток коллектора I_C не должен быть больше 800 мА;
• Максимальная мощность P_C, которую транзистор может рассеять 625 мВт;
• Предельно допустимая температура 150 О С;
• Диапазон рабочих температур T_STG от -55 О С до 150 О С.

Обычно, эти данные приводятся вместе с параметрами на транзистор bc338. У 338 они немного хуже по допустимому напряжению, между выводами коллектор-эммитер (до 30 В). В остальном же, это полная копия рассматриваемого экземпляра, ставшая результатом отбраковки по итогам тестирования на завершающем этапе производства.

Электрические параметры

Ниже приведены электрические характеристики транзистора ВС337. Они выведены в отдельную таблицу и приводятся совместно с условиями проверки, указанными в отдельном столбце. Все значения проверяются производителем при температуре окружающей среды +25 О С:

Коэффициент усиления

Рассматриваемые изделия делятся на три группы по H_FE: “-16”, “-25” и “-40”. Эти данные, наносятся на корпус транзистора при маркировке. Обозначение при этом выглядит так: BC337-16, BC337-25, BC337-40. Максимальным коэффициентом усиления по току обладает BC33740 (до 630 H_FE).

Модификации (версии) транзистора

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	hfe	Корпус	Примечание
2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	20-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5551C	0,625	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5551CN	0,4	180	160	6	0,6	150	30-250	150	3	—	—	TO-92N
2N5551CSM	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	LCC1 ٭
2N5551DCSM	0,35	—	160	—	0,6	—	80	100	—	—	—	LCC2 ٭	Тот же MO-041BB
2N5551G	0,625	180	160	6	0,6	150	80-400	100-300	6	8	—	TO-92	Группы по hFE: A/B/C
2N5551G	0,5	180	160	6	0,6	150	80-400	100-300	6	8	—	SOT-89	Группы по hFE: A/B/C
2N5551HR	0,36	180	160	6	0,6	200	20-250	—	6	—	1-50	TO-18
2N5551HR	0,58	180	160	6	0,5	200	20-250	—	6	—	1-50	LCC3, UB ٭
2N5551K	0,625	180	160	6	0,6	150	50-300	100-300	6	—	—	TO-92	Группы по hFE: A/B/C
2N5551N	0,4	180	160	6	0,6	150	30-250	150	3	—	—	TO-92N
2N5551S	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	SOT-23	Маркировка: ZF
2N5551SC	0,35	180	160	6	0,6	150	150-250	100-300	—	—	—	SOT-23(1)	Маркировка: ZFC
BTN5551K3	0,9	180	160	6	0,6	150	≥ 50	≥ 100	6	—	—	TO-92L
H2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	50-400	100-300	6	—	—	TO-92	Группы по hFE: A/N/C
H5551	0,625	180	160	6	0,6	150	30-280	100-300	—	—	—	TO-92
2N5551SQ	0,5	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	—	—	SOT-89	Маркировка: BG1
MMBT5551	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	SOT-23	Маркировка: 3S

٭ — корпуса SMD типа LCC 1/2/3 и UB – для тяжелых условий эксплуатации, требующих высокой степени надежности.

Примечание: параметр h_FE – статический (по постоянному току) коэффициент усиления. h_fe – коэффициент усиления по переменному току в режиме усиления малого сигнала (на определенной частоте).

Related Datasheets

Номер в каталоге	Описание	Производители
BCP51	PNP medium power transistors	NXP Semiconductors
BCP51	PNP Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current)	Siemens Semiconductor Group
BCP51	PNP Silicon AF Transistors	Infineon Technologies AG
BCP51	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors	Diotec Semiconductor

Номер в каталоге	Описание	Производители
6MBP200RA-060	Intelligent Power Module	Fuji Electric
ADF41020	18 GHz Microwave PLL Synthesizer	Analog Devices
AN-SY6280	Low Loss Power Distribution Switch	Silergy

DataSheet26.com    |    2020    |   Контакты    |    Поиск

Расположение и назначение выводов

1. Общий (GND). Первый вывод относительно ключа. Подключается к минусу питания устройства.
2. Запуск (TRIG). Подача импульса низкого уровня на вход второго компаратора приводит к запуску и появлению на выходе сигнала высокого уровня, длительность которого зависит от номинала внешних элементов R и С. О возможных вариациях входного сигнала написано в разделе «Одновибратор».
3. Выход (OUT). Высокий уровень выходного сигнала равен (Uпит-1,5В), а низкий – около 0,25В. Переключение занимает около 0,1 мкс.
4. Сброс (RESET). Данный вход имеет наивысший приоритет и способен управлять работой таймера независимо от напряжения на остальных выводах. Для разрешения запуска необходимо, чтобы на нём присутствовал потенциал более 0,7 вольт. По этой причине его через резистор соединяют с питанием схемы. Появление импульса менее 0,7 вольт запрещает работу NE555.
5. Контроль (CTRL). Как видно из внутреннего устройства ИМС он напрямую соединен с делителем напряжения и в отсутствие внешнего воздействия выдаёт 2/3 Uпит. Подавая на CTRL управляющий сигнал, можно получить на выходе модулированный сигнал. В простых схемах он подключается к внешнему конденсатору.
6. Останов (THR). Является входом первого компаратора, появление на котором напряжения более 2/3Uпит останавливает работу триггера и переводит выход таймера в низкий уровень. При этом на выводе 2 должен отсутствовать запускающий сигнал, так как TRIG имеет приоритет перед THR (кроме КР1006ВИ1).
7. Разряд (DIS). Соединен напрямую с внутренним транзистором, который включен по схеме с общим коллектором. Обычно к переходу коллектор-эмиттер подключают времязадающий конденсатор, который разряжается, пока транзистор находится в открытом состоянии. Реже используется для наращивания нагрузочной способности таймера.
8. Питание (VCC). Подключается к плюсу источника питания 4,5–16В.