Характеристики транзистора bc327

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром, так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

Тип	VCEO, В	IC, мA	PC, мВт	hFE	fT, МГц	Цоколевка (слева направо)
BC547	50	100	500	110-800	300	кбэ
Отечественное производство
КТ3102	20-50	100	250	100-1000	от 150	+ (кбэ)
Импорт
BC171	45	100	350	120-800	150	+ (кбэ)
BC182	50	100	350	120-500	100	+ (кбэ)
BC237	45	100	500	120-460	100	+ (кбэ)
BC414	45	100	300	120-800	200	+ (кбэ)
BC447	80	300	625	50-460	от 100	+ (кбэ)
BC550	45	200	500	110-800	300	+ (кбэ)
2SC2474	30	100	310	20	2000	+ (кбэ)
2SC828A	45	100	400	130-520	220	— (экб)
2SC945	50	100	250	150-450	от 150	— (экб)

Примечания:

1. У КТ3102 значения V_CEO и h_FE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
2. В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
3. Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа. Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР. Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока — 250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Основные технические характеристики

Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:

• Тип проводимости транзистора NPN;
• Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
• Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
• Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
• Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
• Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
• Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandw >

Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга

Аналоги и описание

Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.

• Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
• Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
• Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
• Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Применение

Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:

Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.

Related Datasheets

Номер в каталоге	Описание	Производители
BC807	PNP general purpose transistor	NXP Semiconductors
BC807	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR	TRSYS
BC807	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR	Zetex Semiconductors
BC807	PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current High current gain)	Siemens Semiconductor Group

Номер в каталоге	Описание	Производители
6MBP200RA-060	Intelligent Power Module	Fuji Electric
ADF41020	18 GHz Microwave PLL Synthesizer	Analog Devices
AN-SY6280	Low Loss Power Distribution Switch	Silergy

DataSheet26.com    |    2020    |   Контакты    |    Поиск

Маркировка полевых SMD транзисторов

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора
6A	MMBF4416	C92	SST4392
6B	MMBF5484	C93	SST4393
6C	MMBFU310	H16	SST4416
6D	MMBF5457	I08	SST108
6E	MMBF5460	I09	SST109
6F	MMBF4860	I10	SST110
6G	MMBF4393	M4	BSR56
6H	MMBF5486	M5	BSR57
6J	MMBF4391	M6	BSR58
6K	MMBF4932	P01	SST201
6L	MMBF5459	P02	SST202
6T	MMBFJ310	P03	SST203
6W	MMBFJ175	P04	SST204
6Y	MMBFJ177	S14	SST5114
B08	SST6908	S15	SST5115
B09	SST6909	S16	SST5116
B10	SST6910	S70	SST270
C11	SST111	S71	SST271
C12	SST112	S74	SST174
C13	SST113	S75	SST175
C41	SST4091	S76	SST176
C42	SST4092	S77	SST177
C43	SST4093	TV	MMBF112
C59	SST4859	Z08	SST308
C60	SST4860	Z09	SST309
C61	SST4861	Z10	SST310
C91	SST4391

Datasheet Download — General Semiconductor

Номер произв	BC807
Описание	Small Signal Transistors (PNP)
Производители	General Semiconductor
логотип
1Page No Preview Available ! BC807, BC808 Small Signal Transistors (PNP) SOT-23 .122 (3.1) .118 (3.0) .016 (0.4) 3 Top View 12 .037(0.95) .037(0.95) FEATURES PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching, AF driver and amplifier applications. Especially suited for automatic insertion in thick- and thin-film circuits. These transistors are subdivided into three groups -16, -25 and -40 according to their current gain. As complementary types, the NPN transistors BC817 and BC818 are recommended. .016 (0.4) .016 (0.4) .102 (2.6) .094 (2.4) Dimensions in inches and (millimeters) Pin configuration 1 = Base, 2 = Emitter, 3 = Collector. MECHANICAL DATA Case: SOT-23 Plastic Package Weight: approx. 0.008 g Marking code Type BC807-16 -25 -40 BC808-16 -25 -40 Marking 5A 5B 5C 5E 5F 5G MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Peak Collector Current Peak Base Current Peak Emitter Current Power Dissipation at TSB = 50 °C Junction Temperature Storage Temperature Range 1) Device on fiberglass substrate, see layout BC807 BC808 BC807 BC808 Symbol –VCES –VCES –VCEO –VCEO –VEBO –IC –ICM –IBM IEM Ptot Tj TS Value 50 30 45 25 5 500 1000 200 1000 3101) 150 – 65 to +150 Unit V V V V V mA mA mA mA mW °C °C 4/98 No Preview Available ! BC807, BC808 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified DC Current Gain at –VCE = 1 V, –IC = 100 mA Current Gain Group-16 -25 -40 at –VCE = 1 V, –IC = 300 mA -16 -25 -40 Thermal Resistance Junction Substrate Backside Thermal Resistance Junction to Ambient Air Collector Saturation Voltage at –IC = 500 mA, –IB = 50 mA Base-Emitter Voltage at –VCE = 1 V, –IC = 300 mA Collector-Emitter Cutoff Current at –VCE = 45 V at –VCE = 25 V at –VCE = 25 V, Tj = 150 °C BC807 BC808 Emitter-Base Cutoff Current at –VEB = 4 V Gain-Bandwidth Product at –VCE = 5 V, –IC = 10 mA, f = 50 MHz Collector-Base Capacitance at –VCB = 10 V, f = 1 MHz 1) Device on fiberglass substrate, see layout .30 (7.5) .12 (3) Symbol hFE hFE hFE hFE hFE hFE RthSB RthJA –VCEsat –VBE –ICES –ICES –ICES –IEBO fT CCBO Min. 100 160 250 60 100 170 – – – – – – – – – Typ. – – – – – – – – – – – – – – 100 12 .59 (15) .03 (0.8) .47 (12) 0.2 (5) .04 (1) .08 (2) .04 (1) .08 (2) .06 (1.5) .20 (5.1) Dimensions in inches (millimeters) Layout for RthJA test Thickness: Fiberglass 0.059 in (1.5 mm) Copper leads 0.012 in (0.3 mm) Max. Unit 250 400 600 – – – 3201) 4501) 0.7 1.2 – – – – – – K/W K/W V V 100 nA 100 nA 5 µA 100 nA – MHz pF No Preview Available ! RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BC807, BC808
Всего страниц	5 Pages
Скачать PDF

О транзисторе

Давайте вспомним о том, что вне зависимости от того, проверяем мы транзистор с прямой или обратной проводимостью, они имеют два p-n перехода. Любой из этих переходов можно сопоставить с диодом. Исходя из этого, можно с уверенностью заявить, что транзистор представляют собой пару диодов, соединённых параллельно, а место их соединения, является базой.

Таким образом получается, что у одного из диодов выводы будут представлять собой базу и коллектор, а у второго диода выводы будут представлять базу и эмиттер, или наоборот. В таблице ниже представлена цветовая и кодовая маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Таблица маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Исходя из выше написанного, наша задача сводится к проверке напряжения падения на полупроводниковом приборе, или проверки его сопротивления.

Если диоды работоспособны, значит и проверяемый элемент рабочий.Для начала рассмотрим транзистор с обратной проводимостью, то есть имеющим структуру проводимости N-P-N.

На электрических схемах, разных устройств, структуру транзистора определяют с помощью стрелки, которая указывает эмиттерный переход.

Так если стрелка указывает на базу, значит, мы имеем дело c с транзистором прямой проводимости, имеющим структуру p-n-p, а если наоборот, значит это транзистор с обратной проводимостью, имеющий структуру n-p-n.

Для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления (h21э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика.

Для открытия транзистора с прямой проводимостью, нужно дать отрицательное напряжение на базу. Для этого берём мультиметр, включаем его, и после этого выбираем режим измерения прозвонки, обычно он обозначается символическим изображением диода. В этом режиме прибор показывает падение напряжения в мВ. Благодаря этому мы можем определить кремниевый или германиевый диод или транзистор. Если падение напряжения лежит в пределах 200-400 мВ, то перед нами германиевый полупроводник, а если 500-700 кремниевый.

Современный многофункциональный мультиметр.

Проверка работоспособности транзистора

Подключаем на базу полевого транзистора плюсовой щуп (красный цвет), другим щупом (черный- минус) подключаем к выводу коллектора и делаем измерение. Затем минусовым щупом подключаем к выводу эмиттера и измеряем. Если переходы транзистора не пробиты, то падение напряжения на коллекторном и эмиттерном переходе должно быть на границе от 200 до 700 мВ.

Будет интересно Варианты схем подключения проходных выключателей

Для этого берем, подключаем черный щуп к базе, а красный по очереди подключаем к эмиттеру и коллектору, производя измерения.

Теперь произведём обратное измерение коллекторного и эмиттерного перехода.

Во время измерения, на экране прибора высветится цифра «1», что в свою очередь означает, что при выбранном нами режиме измерения, падение напряжения отсутствует.

Точно также, можно проверить элемент, который находиться на электронной плате, от какого-либо устройства.

При этом во многих случаях можно обойтись и без выпаивания его из платы.

Бывают случаи, когда на впаянные элементы в схеме, оказывают большое влияние резисторы с малым сопротивлением.

Но такие схематические решения, встречаются очень редко. В таких случаях при измерении обратного коллекторного и эмиттерного перехода, значения на приборе будут низкие, и тогда нужно выпаивать элемент из печатной платы. Способ проверки работоспособности элемента с обратной проводимостью (P-N-P переход), точно такой же, только на базу элемента подключается минусовой щуп измерительного прибора.

Характеристики КТ815

Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815

Наименование	U КБ , В	U КЭ , В	I K , мА	Р К , Вт	h21 э	I КБ , мА	f, МГц	U КЭ , В.
КТ815А	40	30	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815Б	50	45	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815В	70	65	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815Г	100	85	1500(3000)	1(10)	30-275	≤50	≥ 3	<0,6

Обозначения из таблицы читаются следующим образом:

• U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
• U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
• I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
• Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
• h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
• I КБ — обратный ток вывода коллектора.
• f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
• U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.

Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:

• Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
• Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.

Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.

Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.

Корпус и распиновка

Цоколевка bc337 выглядит следующим образом. Большинство производителей выпускают его в пластмассовой упаковке ТО-92 с гибкими выводами, или её аналогах: SOT54, TO-226. Маркировка цифробуквенная, наносится на лицевой части корпуса по европейской системе Pro Electron. Если смотреть на неё, то первая ножка слева это — коллектор, второй — база, третий — эмиттер.

Несмотря на это, некоторые китайские компании выпускают устройство в тех же корпусах, что указаны выше, но с другой распиновкой. Например, у Foshan Blue Rocket Electronics сначала идет эмиттер, потом база и последним коллектор.

Цоколёвка и маркировка КТ815

Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.

Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.

На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.

Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.

Маркировка биполярный SMD транзисторов

Обозначение на корпусе	Тип транзистора	Условный аналог
15	MMBT3960	2N3960
1A	BC846A	BC546A
1B	BC846B	BC546B
1C	MMBTA20	MPSA20
1D	BC846	—
1E	BC847A	BC547A
1F	BC847B	BC547B
1G	BC847C	BC547C
1H	BC847	—
1J	BC848A	BC548A
1K	BC848B	BC548B
1L	BC848C	BC548C
1M	BC848	—
1P	FMMT2222A	2N2222A
1T	MMBT3960A	2N3960A
1X	MMBT930	—
1Y	MMBT3903	2N3903
2A	FMMT3906	2N3906
2B	BC849B	BC549B
2C	BC849C	BC549C / BC109C / MMBTA70
2E	FMMTA93	—
2F	BC850B	BC550B
2G	BC850C	BC550C
2J	MMBT3640	2N3640
2K	MMBT8598	—
2M	MMBT404	—
2N	MMBT404A	—
2T	MMBT4403	2N4403
2W	MMBT8599	—
2X	MMBT4401	2N4401
3A	BC856A	BC556A
3B	BC856B	BC556B
3D	BC856	—
3E	BC857A	BC557A
3F	BC857B	BC557B
3G	BC857C	BC557C
3J	BC858A	BC558A
3K	BC858B	BC558B
3L	BC858C	BC558C
3S	MMBT5551	—
4A	BC859A	BC559A
4B	BC859B	BC559B
4C	BC859C	BC559C
4E	BC860A	BC560A
4F	BC860B	BC560B
4G	BC860C	BC560C
4J	FMMT38A	—
449	FMMT449	—
489	FMMT489	—
491	FMMT491	—
493	FMMT493	—
5A	BC807-16	BC327-16
5B	BC807-25	BC327-25
5C	BC807-40	BC327-40
5E	BC808-16	BC328-16
5F	BC808-25	BC328-25
5G	BC808-40	BC328-40
549	FMMT549	—
589	FMMT589	—
591	FMMT591	—
593	FMMT593	—
6A	BC817-16	BC337-16
6B	BC817-25	BC337-25
6C	BC817-40	BC337-40
6E	BC818-16	BC338-16
6F	BC818-25	BC338-25
6G	BC818-40	BC338-40
9	BC849BLT1	—
AA	BCW60A	BC636 / BCW60A
AB	BCW60B	—
AC	BCW60C	BC548B
AD	BCW60D	—
AE	BCX52	—
AG	BCX70G	—
AH	BCX70H	—
AJ	BCX70J	—
AK	BCX70K	—
AL	MMBTA55	—
AM	BSS64	2N3638
AS1	BST50	BSR50
B2	BSV52	2N2369A
BA	BCW61A	BC635
BB	BCW61B	—
BC	BCW61C	—
BD	BCW61D	—
BE	BCX55	—
BG	BCX71G	—
BH	BCX71H	BC639
BJ	BCX71J	—
BK	BCX71K	—
BN	MMBT3638A	2N3638A
BR2	BSR31	2N4031
C1	BCW29	—
C2	BCW30	BC178B / BC558B
C5	MMBA811C5	—
C6	MMBA811C6	—
C7	BCF29	—
C8	BCF30	—
CE	BSS79B	—
CEC	BC869	BC369
CF	BSS79C	—
CH	BSS82B / BSS80B	—
CJ	BSS80C	—
CM	BSS82C	—
D1	BCW31	BC108A / BC548A
D2	BCW32	BC108A / BC548A
D3	BCW33	BC108C / BC548C
D6	MMBC1622D6	—
D7	BCF32	—
D8	BCF33	BC549C / BCY58 / MMBC1622D8
DA	BCW67A	—
DB	BCW67B	—
DC	BCW67C	—
DE	BFN18	—
DF	BCW68F	—
DG	BCW68G	—
DH	BCW68H	—
E1	BFS17	BFY90 / BFW92
EA	BCW65A	—
EB	BCW65B	—
EC	BCW65C	—
ED	BCW65C	—
EF	BCW66F	—
EG	BCW66G	—
EH	BCW66H	—
F1	MMBC1009F1	—
F3	MMBC1009F3	—
FA	BFQ17	BFW16A
FD	BCV26	MPSA64
FE	BCV46	MPSA77
FF	BCV27	MPSA14
FG	BCV47	MPSA27
GF	BFR92P	—
H1	BCW69	—
H2	BCW70	BC557B
H3	BCW89	—
H7	BCF70	—
K1	BCW71	BC547A
K2	BCW72	BC547B
K3	BCW81	—
K4	BCW71R	—
K7	BCV71	—
K8	BCV72	—
K9	BCF81	—
L1	BSS65	—
L2	BSS70	—
L3	MMBC1323L3	—
L4	MMBC1623L4	—
L5	MMBC1623L5	—
L6	MMBC1623L6	—
L7	MMBC1623L7	—
M3	MMBA812M3	—
M4	MMBA812M4	—
M5	MMBA812M5	—
M6	BSR58 / MMBA812M6	2N4858
M7	MMBA812M7	—
O2	BST82	—
P1	BFR92	BFR90
P2	BFR92A	BFR90
P5	FMMT2369A	2N2369A
Q3	MMBC1321Q3	—
Q4	MMBC1321Q4	—
Q5	MMBC1321Q5	—
R1	BFR93	BFR91
R2	BFR93A	BFR91
S1A	SMBT3904	—
S1D	SMBTA42	—
S2	MMBA813S2	—
S2A	SMBT3906	—
S2D	SMBTA92	—
S2F	SMBT2907A	—
S3	MMBA813S3	—
S4	MMBA813S4	—
T1	BCX17	BC327
T2	BCX18	—
T7	BSR15	2N2907A
T8	BSR16	2N2907A
U1	BCX19	BC337
U2	BCX20	—
U7	BSR13	2N2222A
U8	BSR14	2N2222A
U9	BSR17	—
U92	BSR17A	2N3904
Z2V	FMMTA64	—
ZD	MMBT4125	2N4125

Замена импортных транзисторов отечественными

Аналоги и возможные замены
Тип	Аналог	Возможная замена	Примечания
MJEF34		КТ816	Любой мощный рпр-транзистор с максимальным током коллектора большим 3 А
TIP42		КТ816
2SK58		КПС315А, Б
2N5911		Обычные ПТ
U441		КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12; КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е
U444		КП303Д, Е; КП307Г, Д;КП312; КП323,КП329; КП341;КП364Д, Е
MPF102		КП303Д, Е	В этой схеме можно применить любой высокочастотный полевой транзистор с каналом ri-типа и изоляцией рп-переходом. При наладке схемы может понадобиться подобрать резисторы в цепях затворов и/или истоков. Предпочтение следует отдавать транзисторам с наибольшим и начальными токами стока, малым пороговым напряжением и уровнем шума на ВЧ
MPS3866		КТ368	В этой схеме можно применить любой высокочастотный биполярный прп-транзистор. Предпочтение следует отдавать транзисторам с малым уровнем шума на ВЧ
25139	КП327А,В	КП346А-9; КП382А
1N754		КС162
1N757A		КС182
2N3563		КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е
2N3565		КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е
2N3569		КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е
BFR90	КТ3198А	КТ371А, КТ3190А
MPS3866	КТ939А
MRF557		КТ948; КТ996Б-2;КТ9141; КТ9143;КТ919; КТ938
MRF837		КТ634; КТ640; КТ657Б-2
MV2101		KB102; KB107А,В
2N4401	КТ6103	КТ504
2N4403	КТ6102, КТ6116	КТ505
ВС547В	КТ3102
ВС549С	КТ3102
ВС557В	KТ3107
BD139	КТ815
BD140	КТ814
2N5771	КТ363АМ
ВС548	КТ3102
ВС557	КТ3107
TIP111	КТ716
TIP116	КТ852
TIP33B	КТ865
TIP34B	КТ864
2SC2092		КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120
MRF475		КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120
40673		КП350, КП306,КП327, КП347,КП382
2N4124	КТ3102Д
J309		КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12, КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е
MPS2907	КТ313
2N3414		КТ645
2N4403	КТ6102, КТ6116	КТ505
3055Т	КТ8150А
ВС517		КТ972
IRF9Z30		КП944
TIP125	КТ853, КТ8115
BS250P		КП944
2N3391A		КТ3102	Любые маломощные с большим h2fe
BC184L		КТ3102	Любые маломощные с большим h2fe
ВС547В		КТ3102
BUZ11		КП150
IRFL9110		КП944
2N4401	КТ6103, КТ6117	КТ504
2N4403	КТ6102, КТ6116	КТ505
ВС109С		КТ342
ВС237		КТ3102
ВС547		КТЗ102, КТ645А
2N4401	КТ6103, КТ6117	КТ504
2N4403	КТ6102, КТ6116	КТ505
MPS А18		КТ342Б, Д
2N3704		КТ685
2N4393		КП302ГМ
2N5401		КТ6116А
ВС487		КТ342Б, Д; КТ630Е
IRFZ44	КП723А
MPS2907	КТ313	КТ3107
MPSА14		КТ685
MPSA64		КТ973
2N2222	КТ3117Б	КТ315
2N3904	КТ6137А	КТ815
2N3906	КТ6136А
ECG-187	ГТ906А
FPT-100			фототранзистор
HRF-511	КП904
TIL 414			фототранзистор

Нужно заменить диод или стабилитрон? — аналоги и замены диодов и полупроводников.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC337.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC337 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор BC337 транзистором 2N4401; транзистором 2N5818; транзистором BC637; транзистором КТ504Б; транзистором MPSA06; транзистором SE6022;

транзистором PN5816; транзистором MMBT5449; транзистором NPS5449; транзистором PN5449; транзистором NPS5816; транзистором MQ5816; транзистором LBC547B; транзистором MPS5449; транзистором MMBT5816; транзистором MQ5449;

Транзистор, который включен по схеме с общим коллектором

Эта конфигурация транзистора имеет общий вывод коллектора между выводами входа и выхода (Рисунок 5) и также имеет отношение к конфигурации эмиттера. Это обеспечивает высокое полное сопротивление на входе, низкое полное сопротивление на выходе, коэффициент усиления напряжения меньше единицы и значительный коэффициент усиления тока.

Рисунок 5 Схема с общим коллектором

Характеристики входа

Рисунок 6 демонстрирует характеристики входа для этой конфигурации, которые описывают изменение в IB в соответствии с VCB, для обеспечения постоянного значения напряжения на коллекторе-эмиттере, VCE.

Рисунок 6 Характеристики входа

Характеристики выхода

Рисунок 7 показывает характеристики выхода для данной конфигурации, которые демонстрируют изменения в IE против изменений в VCE для постоянных значений IB.

Рисунок 7 Характеристики выхода

Ищем базу, эмиттер и коллектор на транзисторе

Как сразу найти коллектор.

Чтобы сразу найти коллектор нужно выяснить, какой мощности перед вами транзистор, а они бывают средней мощности, маломощные и мощные.

Транзисторы средней мощности и мощные сильно греются, поэтому от них нужно отводить тепло.

Делается это с помощью специального радиатора охлаждения, а отвод тепла происходит через вывод коллектора, который в этих типах транзисторов расположен посередине и подсоединен напрямую к корпусу.

Получается такая схема передачи тепла: вывод коллектора – корпус – радиатор охлаждения.

Если коллектор определен, то определить другие выводы уже будет не сложно.

Бывают случаи, которые значительно упрощают поиск, это когда на устройстве уже есть нужные обозначения, как показано ниже.

Производим нужные замеры прямого и обратного сопротивления.

Однако все равно торчащие три ножки в транзисторе могу многих начинающих электронщиков ввести в ступор.

Как же тут найти базу, эмиттер и коллектор?

Без мультиметра или просто омметра тут не обойтись.

Итак, приступаем к поиску. Сначала нам нужно найти базу.

Берем прибор и производим необходимые замеры сопротивления на ножках транзистора.

Берем плюсовой щуп и подсоединяем его к правому выводу. Поочередно минусовой щуп подводим к среднему, а затем к левому выводам.

Между правым и среднем у нас, к примеру, показало 1 (бесконечность), а между правым и левым 816 Ом.

Эти показания пока ничего нам не дают. Делаем замеры дальше.

Теперь сдвигаемся влево, плюсовой щуп подводим к среднему выводу, а минусовым последовательно касаемся к левому и правому выводам.

Опять средний – правый показывает бесконечность (1), а средний левый 807 Ом.

Это тоже нам ничего не говорить. Замеряем дальше.

Теперь сдвигаемся еще левее, плюсовой щуп подводим к крайнему левому выводу, а минусовой последовательно к правому и среднему.

Если в обоих случаях сопротивление будет показывать бесконечность (1), то это значит, что базой является левый вывод.

А вот где эмиттер и коллектор (средний и правый выводы) нужно будет еще найти.

Теперь нужно сделать замер прямого сопротивления. Для этого теперь делаем все наоборот, минусовой щуп к базе (левый вывод), а плюсовой поочередно подсоединяем к правому и среднему выводам.

Запомните один важный момент, сопротивление p-n перехода база – эмиттер всегда больше, чем p-n перехода база – коллектор.

В результате замеров было выяснено, что сопротивление база (левый вывод) – правый вывод равно 816 Ом, а сопротивление база – средний вывод 807 Ом.

Значит правый вывод — это эмиттер, а средний вывод – это коллектор.

Итак, поиск базы, эмиттера и коллектора завершен.

Все про терморезисторы, назначение, виды, устройство, принцип действия