Усилитель класса a на 3 транзисторах mje13003

Преимущества и недостатки

Сегодня в продаже можно подобрать различные модели полупроводников, которые будут отличаться своими показателями рабочей частоты, емкостью и рядом других характеристик. Популярность IGBT транзисторов обусловлена их отличными параметрами, характеристиками и многочисленными преимуществами:

Возможность эксплуатации с высокой мощностью и повышенным напряжением.
Работа при высокой температуре.
Минимальные потери тока в открытом виде.
Устойчивость к короткому замыканию.
Повышенная плотность.
Практически полное отсутствие потерь.
Простая параллельная схема.

К недостаткам IGBT относят их высокую стоимость, что приводит к некоторому увеличению расходов на изготовление электроприборов и мощных блоков питания. При планировании схемы подключения с транзисторами этого типа необходимо учитывать имеющиеся ограничения по показателю максимально допустимого тока. Чтобы решить такие проблемы, можно использовать следующие конструктивные решения:

Использование обходного пути коммутации.
Выбор сопротивления затвора.
Правильный подбор показателей тока защиты.

Конструктивные особенности и принцип работы

Из нескольких способов преобразования напряжения для питания электронных компонентов, можно выделить два, получивших наибольшее распространение:

Аналоговый, основным элементом которого является понижающий трансформатор, помимо основной функции еще и обеспечивающий гальваническую развязку.
Импульсный принцип.

Рассмотрим, чем отличаются эти два варианта.

БП на основе силового трансформатора

Упрощенная структурная схема аналогового БП

Следующий блок играет выполняет две функции: сглаживает напряжение (для этой цели используется конденсатор соответствующей емкости) и стабилизирует его. Последнее необходимо, чтобы напряжение «не проваливалось» при увеличении нагрузки.

Приведенная структурная схема сильно упрощена, как правило, в источнике данного типа имеется входной фильтр и защитные цепи, но для объяснения работы устройства это не принципиально.

Все недостатки приведенного варианта прямо или косвенно связаны с основным элементом конструкции – трансформатором. Во-первых, его вес и габариты, ограничивают миниатюризацию. Чтобы не быть голословным приведем в качестве примера понижающий трансформатор 220/12 В номинальной мощностью 250 Вт. Вес такого агрегата – около 4-х килограмм, габариты 125х124х89 мм. Можете представить, сколько бы весила зарядка для ноутбука на его основе.

Понижающий трансформатор ОСО-0,25 220/12

Во-вторых, цена таких устройств порой многократно превосходит суммарную стоимость остальных компонентов.

Импульсные устройства

Как видно из структурной схемы, приведенной на рисунке 3, принцип работы данных устройств существенно отличается от аналоговых преобразователей, в первую очередь, отсутствием входного понижающего трансформатора.

Рисунок 3. Структурная схема импульсного блока питания

Рассмотрим алгоритм работы такого источника:

Теперь, как и обещали, рассмотрим принцип работы основного элемента данного устройства – инвертора.

Здесь мы поговорим об импульсных блоках питания (ИБП), которые на сегодняшний день получили самое широкое распространение и с успехом используются во всех современных радиоэлектронных устройствах.

Прежде всего, эта статья посвящена для начинающих специалистов по ремонту электронной техники, поэтому материал будет изложен в упрощенной форме и поможет понять основные принципы работы ИБП.

Основной принцип, положенный в основу работы ИБП заключается в преобразовании сетевого переменного напряжения (50 Гц) в переменное высокочастотное напряжение прямоугольной формы, которое трансформируется до требуемых значений, выпрямляется и фильтруется.

Преобразование осуществляется с помощью мощного транзистора, работающего в режиме ключа и импульсного трансформатора, вместе образующих схему ВЧ преобразователя. Что касается схемного решения, то здесь возможны два варианта преобразователей: первый –выполняется по схеме импульсного автогенератора (например, такой использовался в ИБП телевизоров 3 – 4 УСЦТ) и второй – с внешним управлением (используется в большинстве современных радиоэлектронных устройств).

Поскольку частота преобразователя обычно выбирается от 18 до 50 кГц, то размеры импульсного трансформатора, а, следовательно, и всего блока питания достаточно компактны, что является немаловажным параметром для современной аппаратуры.

В ИБП используются два принципа реализации цепей слежения – «непосредственный» и «косвенный». Выше описанный метод называется «непосредственный», так как напряжение обратной связи снимается непосредственно с вторичного выпрямителя. При «косвенном» слежении напряжение обратной связи снимается с дополнительной обмотки импульсного трансформатора (рисунок 2).

Уменьшение или увеличение напряжения на обмотке W2, приведет к изменению напряжения и на обмотке W3, которое через резистор R2 также приложено к выводу 1 ШИМ контроллера.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1.5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

E13005-250 Datasheet (PDF)

1.1. e13005-250.pdf Size:163K _upd

E13005-250

Pb E13005-250 Pb Free Plating Product MJE Power Transistor Product specification MJE13005 series Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Silicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. E Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ ) Parameter Value Unit l Collector-Base Voltage VCBO 70

2.1. e13005-225.pdf Size:162K _upd

E13005-225

Pb E13005-225 Pb Free Plating Product MJE Power Transistor Product specification MJE13005 series Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Silicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. E Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ ) Parameter Value Unit l Collector-Base Voltage VCBO 70

3.1. mje13005-k.pdf Size:393K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13005-K NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS ? DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. ? FEATURES * VCEO(SUS)= 400 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC = 100°С * Indu

Мини-диваны

Это одно из лучших решений, предназначенных для малогабаритных квартир и студий. Если вы столкнулись с такой ситуацией, необязательно покупать полноразмерную мебель, которая займет все свободное пространство. Это хорошее решение и для тех, кто часто переезжает. Мебель anderssen небольшого размера отличается высоким качеством и удобными механизмами трансформации. Ее можно поставить в комнате ребенка, на кухне, в спальне и небольшой гостиной. Она хорошо смотрится в домашнем кабинете. Но ее можно установить и в просторной квартире, если вы склонны к минимализму или вам требуется дополнительный диван небольшого формата.

Мини-диваны зачастую оснащают механизмом еврокнижка, дополняют подушками со съемными чехлами и удобной спинкой. Такие чехлы особенно удобны тем, у кого есть дети и домашние животные. Их можно почистить и снова надеть на подушки. Когда диван раскладывается, подушки убирают, после чего выкатывают вперед сидение. Затем отпускают спинку. Вы можете выбрать и боковой вариант трансформации компактной мебели.

Вы должны учитывать, что боковая раскладка дополнительно требует свободное пространство слева или справа. Мебель нельзя ставить вплотную со стеной или шкафом. Многочисленные варианты мини-диванов anderssen дают возможность подобрать оптимальную модель. Выделяют следующие преимущества малогабаритных диванов:

экономию свободного места;
эстетичность исполнения;
невысокую стоимость;
удобство эксплуатации;
функциональность.

Таким образом, при выборе дивана необходимо учитывать различные факторы, такие как размеры помещения, удобство использования, качество и надежность. Выбирая мягкую мебель anderssen, вы можете быть уверены в надежности и долгосрочности ее использования в своем доме.

Одна из признанных мебельных компаний пересмотрела маркетинговую концепцию и запустила программу ребрендинга.

Ушедший 2013 год стал для фабрики мягкой мебели Anderssen во многом оценочным, поворотным.

«Мы вступили в новый этап, — комментирует генеральный директор Anderssen Елена Фетисова. — Было проанализировано всё, чего мы достигли, и определены перспективы развития компании на несколько лет вперёд — сформулировано видение и вытекающие из него цели.

Мы очень серьёзно, системно занялись оптимизацией и формализацией операционной деятельности. Дали старт девяти новым мощным проектам, связанным с построением корпоративной культуры на основе ценностей компании.

Всё это помогает позиционировать компанию на рынке, грамотно выстраивать внутренние и внешние коммуникации, точнее ставить акценты в маркетинговой политике».

Осенью 2013-го компания Anderssen провела ребрендинг.

«Ребрендинг был вызван изменением концепции компании, — говорит Вера Малова, коммерческий директор Anderssen. — Фабрика давно ушла от «детского» модельного ряда, ассортимент стал более широким, универсальным. Мы, например, стали делать не только раскладные диваны, но и модульные модели, диваны для сидения. Фабрика «выросла» из прежнего своего имиджа, и мы хотели, чтобы клиент увидел наше новое лицо. Если раньше в позиционировании мебели от Anderssen звучали утилитарные нотки — качество, ежедневный сон, практичность, надёжность, — то сейчас мы движемся дальше и стараемся через нашу мебель нести в дома покупателей заботу наших рук и тепло наших сердец. Чуть смягчилось начертание логотипа, изменился дескриптор — «Диваны для семейного тепла» вместо безэмоционального, бесстрастного — «Современная мягкая мебель».

Разумеется, перепозиционирование потребовало новых подходов к оформлению фирменных розничных площадок Anderssen. Экспериментировали на собственном 1000-метровом салоне при фабрике, и, надо признать, эксперимент удался. Получилось очень комфортное, обаятельное, обжитое пространство. Позитивная колористика, модные ткани на подиумных образцах, нетривиальные композиционные решения — всё это «работает» на образ дружелюбного, обустроенного с любовью и вкусом семейного «гнезда». Причём эффект полноценного жилого интерьера дизайнер компании Елена Попова смогла создать без «участия» корпусной мебели.

Салон грамотно зонирован. В центре — своеобразная рекреация, где вольготно расположились лаунж-диваны из коллекции Tanagra. Отдельная зона, озаглавленная Anderssen Kids, отдана под модельную линейку трансформируемых диванов для детей и тинейджеров. Раскладные диваны из базовой ассортиментной программы Anderssen (каждый — в своей мини-декорации) обрамляют торговый зал.

«Дилерам мы показали обновлённый салон в ноябре прошлого года, когда проводили на фабрике домашнюю выставку, — продолжает Вера Малова. — Все партнёры оценили нововведения, и сейчас идёт процесс переформатирования салонов. Для каждой торговой точки — с учётом её площади и архитектурных особенностей — специалисты Anderssen делают проект застройки, визуализацию. Сформирована коллекция тканей, в которых мы рекомендуем выставлять диваны в торговые залы».

В Москве в самое ближайшее время в новом свете предстанут площадки Anderssen в «Мебельграде» и на улице Полярной. Постепенно все фирменные места продаж — как в столице, так и в регионах — планируется привести к утверждённым визуальным стандартам.

За последние полтора года фабрика ввела в ассортимент 17 новинок. Значительно расширился размерный ряд диванов. Некоторые модели выпускаются в нескольких габаритных вариантах и на разной конструкционной базе — с выкатным механизмом или с металлическими трансформерами. Активно развивает Anderssen и тему классики: всё больше в модельном ряду диванов с подлокотниками-волютами, с басонным декором, в тканях с традиционными орнаментами.

«Понять, чего ждёт покупатель — задача, которую решает каждая компания, — говорит Елена Фетисова. — Конечно, профессионал интуитивно чувствует рынок, но всегда полезно подтверждать интуицию точными данными. Поэтому в прошлом году мы заказали независимому маркетинговому агентству целый пакет качественных исследований. Результаты фокус-групп, покупательских опросов, анкетирования клиентов легли в основу нашей работы по обновлению модельного ряда».

Маркером покупательского признания может служить победа в народном конкурсе-голосовании «Марка №1 в России», который проходит с 1998 года. В 2013-м компания Anderssen собрала наибольшее число голосов в номинации «Мягкая мебель». К слову, среди розничных клиентов компании велика доля тех, кто, однажды купив диван Anderssen, совершает покупки вновь и рекомендует продукцию фабрики своим друзьям и знакомым.

Валентина Леткова

13 июня 2014 (№128)

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы. У MJE13001A — от 10 до 15. У MJE13001B — от 15 до 20. У MJE13001C — от 20 до 25. У MJE13001D — от 25 до 30. У MJE13001E — от 30 до 35. У MJE13001F — от 35 до 40. У MJE13001G — от 40 до 45. У MJE13001H — от 45 до 50. У MJE13001I — от 50 до 55. У MJE13001J — от 55 до 60. У MJE13001K — от 60 до 65. У MJE13001L — от 65 до 70.

Граничная частота передачи тока — 8МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) — 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

S13005ED Datasheet (PDF)

1.1. s13005ed.pdf Size:116K _jdsemi

R S13005ED 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2

4.1. ts13005 b07.pdf Size:364K _taiwansemi

TS13005 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram ? High Voltage ? High Speed Switching Structure ? Silicon Triple Diffused Type ? NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing TS13005CZ

4.2. ts13005ci-cz.pdf Size:361K _taiwansemi

TS13005 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing

4.3. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R S13005A 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 Charger and Switch-mode power supplies 2． 2

Другие транзисторы… 2SC4355 , 2SC4356 , 2SC4357 , 2SC4358 , 2SC4359 , 2SC436 , 2SC4360 , 2SC4361 , BD139 , 2SC4363 , 2SC4364 , 2SC4365 , 2SC4366 , 2SC4367 , 2SC4368 , 2SC4369 , 2SC437 .

H13005D Datasheet (PDF)

Транзистор h945

1.1. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi

R H13005DL 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast，etc 2． 2． 2

1.2. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi

R H13005D 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2．

1.3. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали

Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил. KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W

Транзисторы MJE13001 и 13001

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов. Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими

Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.