Какие бывают стандарты маркировки
Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.
Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.
Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.
Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.
| Тип | Наименование ЭРЭ | Зарубежное название |
| A1 | Полевой N-канальный транзистор | Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel |
| A2 | Двухзатворный N-канальный полевой транзистор | Tetrode, Dual-Gate |
| A3 | Набор N-канальных полевых транзисторов | Double MOSFET Transistor Array |
| B1 | Полевой Р-канальный транзистор | MOS, GaAs FET, P-Channel |
| D1 | Один диод широкого применения | General Purpose, Switching, PIN-Diode |
| D2 | Два диода широкого применения | Dual Diodes |
| D3 | Три диода широкого применения | Triple Diodes |
| D4 | Четыре диода широкого применения | Bridge, Quad Diodes |
| E1 | Один импульсный диод | Rectifier Diode |
| E2 | Два импульсных диода | Dual |
| E3 | Три импульсных диода | Triple |
| E4 | Четыре импульсных диода | Quad |
| F1 | Один диод Шоттки | AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode |
| F2 | Два диода Шоттки | Dual |
| F3 | Три диода Шоттки | Tripple |
| F4 | Четыре диода Шоттки | Quad |
| K1 | “Цифровой” транзистор NPN | Digital Transistor NPN |
| K2 | Набор “цифровых” транзисторов NPN | Double Digital NPN Transistor Array |
| L1 | “Цифровой” транзистор PNP | Digital Transistor PNP |
| L2 | Набор “цифровых” транзисторов PNP | Double Digital PNP Transistor Array |
| L3 | Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN | Double Digital PNP-NPN Transistor Array |
| N1 | Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) | AF-Transistor NPN |
| N2 | Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) | RF-Transistor NPN |
| N3 | Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) | High-Voltage Transistor NPN |
| N4 | “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) | Darlington Transistor NPN |
| N5 | Набор транзисторов NPN | Double Transistor Array NPN |
| N6 | Малошумящий транзистор NPN | Low-Noise Transistor NPN |
| 01 | Операционный усилитель | Single Operational Amplifier |
| 02 | Компаратор | Single Differential Comparator |
| P1 | Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) | AF-Transistor PNP |
| P2 | Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) | RF-Transistor PNP |
| P3 | Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) | High-Voltage Transisnor PNP |
| P4 | “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) | Darlington Transistor PNP |
| P5 | Набор транзисторов PNP | Double Transistor Array PNP |
| P6 | Набор транзисторов PNP, NPN | Double Transistor Array PNP-NPN |
| S1 | Один сапрессор | Transient Voltage Suppressor (TVS) |
| S2 | Два сапрессора | Dual |
| T1 | Источник опорного напряжения | “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference |
| T2 | Стабилизатор напряжения | Voltage Regulator |
| T3 | Детектор напряжения | Voltage Detector |
| U1 | Усилитель на полевых транзисторах | GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) |
| U2 | Усилитель биполярный NPN | Si-MMIC NPN, Amplifier |
| U3 | Усилитель биполярный PNP | Si-MMIC PNP, Amplifier |
| V1 | Один варикап (варактор) | Tuning Diode, Varactor |
| V2 | Два варикапа (варактора) | Dual |
| Z1 | Один стабилитрон | Zener Diode |
Биполярный транзистор C945 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты
Наименование производителя: C945
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130
- Корпус транзистора: SOT23
- Аналоги (замена) для C945
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.
10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32
Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали
Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | hfe | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 20-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | TO-92 | |
| 2N5551C | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | TO-92 | |
| 2N5551CN | 0,4 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 150 | 3 | — | — | TO-92N | |
| 2N5551CSM | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | LCC1 ٭ | |
| 2N5551DCSM | 0,35 | — | 160 | — | 0,6 | — | 80 | 100 | — | — | — | LCC2 ٭ | Тот же MO-041BB |
| 2N5551G | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 80-400 | 100-300 | 6 | 8 | — | TO-92 | Группы по hFE: A/B/C |
| 2N5551G | 0,5 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 80-400 | 100-300 | 6 | 8 | — | SOT-89 | Группы по hFE: A/B/C |
| 2N5551HR | 0,36 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 200 | 20-250 | — | 6 | — | 1-50 | TO-18 | |
| 2N5551HR | 0,58 | 180 | 160 | 6 | 0,5 | 200 | 20-250 | — | 6 | — | 1-50 | LCC3, UB ٭ | |
| 2N5551K | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 50-300 | 100-300 | 6 | — | — | TO-92 | Группы по hFE: A/B/C |
| 2N5551N | 0,4 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 150 | 3 | — | — | TO-92N | |
| 2N5551S | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | SOT-23 | Маркировка: ZF |
| 2N5551SC | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 150-250 | 100-300 | — | — | — | SOT-23(1) | Маркировка: ZFC |
| BTN5551K3 | 0,9 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | ≥ 50 | ≥ 100 | 6 | — | — | TO-92L | |
| H2N5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 50-400 | 100-300 | 6 | — | — | TO-92 | Группы по hFE: A/N/C |
| H5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-280 | 100-300 | — | — | — | TO-92 | |
| 2N5551SQ | 0,5 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | — | — | SOT-89 | Маркировка: BG1 |
| MMBT5551 | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | SOT-23 | Маркировка: 3S |
٭ — корпуса SMD типа LCC 1/2/3 и UB – для тяжелых условий эксплуатации, требующих высокой степени надежности.
Примечание: параметр hFE – статический (по постоянному току) коэффициент усиления. hfe – коэффициент усиления по переменному току в режиме усиления малого сигнала (на определенной частоте).
Биполярный транзистор 2N5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5551
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
- Корпус транзистора: TO92
Основные технические характеристики
У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, SOT-23;
- материал корпуса – пластмасса;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;
электрические:
- проводимость – обратная (n-p-n);
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCEmax) не более 50 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCBmax) не более 60 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВmax) не более 5 В (V);
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCEsat) не более 0.3 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandw >Классификация по Hfe
| Наименование | Коэффициент Hfe |
|---|---|
| С945-Y | 120-240 |
| С945-O | 70-140 |
| С945-R | 90-180 |
| С945-Q | 135-270 |
| С945-P | 200-400 |
| C945-K | 300-600 |
| C945-G | 200-400 |
| C945-GR | 200-400 |
| C945-BL | 350-700 |
| C945-L (SOT-23) | 120-200 |
| C945-H (SOT-23) | 200-400 |
Точное значение Hfe смотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer Hfe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.
Технические характеристики
Наиболее важными техническими параметрами транзистора 2N5401 (при температуре +25 0 С) являются:
- Предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером -160 В;
- Наибольшее допустимое напряжение между коллектором и базой -150 В;
- Предельное напряжение между эмиттером и базой — 6 В;
- Предельная рассеиваемая мощность коллектора 0,625 Вт;
- Наибольший допустимый ток коллектора -0,6 А;
- Коэффициент усиления по току (hfe) 60 … 240;
- Наибольшая частота коэффициента передачи тока 100 МГц;
- Рабочая температура -55…+150 0 С, у кристалла до 150 0 С.
Электрические
У большинства производителей значения параметров, для PNP-структур, указано со знаком минус. Имейте ввиду, что таким образом они указывают обратное напряжение на P-N переходе (на коллектор — минус, на базу плюс). Ниже, в таблице, приведены все электрические величины для 2N5401 при температуре +25 0 С.
Тепловые
Тепловые параметры показывают, на какую температуру транзистор может нагреться при заданной рассеиваемой мощности. Они влияют на надежность работы, ведь при превышении максимальной температуры устройство выйдет из строя. Эти значения важны также, при выборе радиатора.
Наиболее важные параметры.
- Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,630 Вт.
- Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;
- Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 150в.
- Максимальное напряжение коллектор — база — 160в.
- Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.
- Коэффициент передачи тока — от 60 до 240.
- Максимальный постоянный ток коллектора — 0,3А, 0,6А — пульсирующий.
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 0,5в.
- Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 1в.
- Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.
- Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 нА.
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
