Радиотехник

Что такое явление ионизации в газах?

Ионизацией называется процесс разделения атома (или частицы) на электрон и положительный ион. Для электроники представляет интерес ионизация газа, находящегося в электрическом поле. В этом случае свободные электроны перемещаются в направлении положительного электрода (рис. 1.10), и если они обладают соответствующей энергией (напряженность электрического поля соответственно велика), то в результате их соударений с атомами газа снова возникают свободные электроны и положительные ионы, которые при своем движении могут снова выбивать электроны и т. д. Здесь имеет место лавинная ионизация, возникающая под действием сильного электрического поля.

Рис. 1.10.Лавинная ионизация газа

Процесс ионизации характеризуется резким увеличением числа носителей заряда (электронов и ионов), в результате чего проводимость между электродами в лампе резко увеличивается. Одновременно с процессом ионизации в большей или меньшей степени происходит обратный процесс, называемый деионизацией или рекомбинацией, который заключается в соединении ионов с электронами.

Ионизации сопутствует свечение газа, причем цветность свечения зависит от вида газа, а яркость — от напряженности электрического поля.

Личная жизнь Попова

Женой Александра Попова стала Раиса Алексеевна Богданова, они обвенчались 18 ноября 1883 года. Дочь присяжного поверенного, она никак не была связана с наукой. С Александром познакомилась во время поступления на Высшие женские медицинские курсы, которые открылись при Николаевском военном госпитале.
В сфере медицины Раиса Алексеевна сумела также добиться немало. К моменту, когда она окончила курсы (1886 год), была в числе первых во всей России женщин-врачей с медицинским дипломом. До самой своей смерти она занималась медицинской практикой.

Александр Степанович Попов с женой Раисой Алексеевной

Первый сын Степан родился в семье в 1884 году. Он окончил мужскую гимназию в Кронштадте, получил два высших образования, после Первой мировой войны преподавал музыку, умер в 1920 году в Ростове-на-Дону от сыпного тифа.
Следующий сын Александр появился на свет через 3 года – в 1887 году. Он пошел по стопам отца – окончил гимназию Карла Мая, электротехническое отделение. Затем отслужил в армии и позже преподавал эстетику. В 1923 г поступил на архитектурный факультет и по его окончании в основном работал в проектных институтах. Умер во время блокады Ленинграда в 1942 году.
Старшая дочь Раиса была рождена в 1891 году. Она, как и мать, увлекалась медициной и окончила Женский медицинский институт, после чего стала работать в госпитале. Во время войны получила множество ранений, после неё – инвалидность и уже не работала по специальности. Умерла в 1976 году.

Александр Попов с женой Раисой Алексеевной и детьми

Ход урока

II. Изучение нового материала.

Слайд 1.

Слайд 2. Полупроводник – вещество, у которого удельное сопротивление может изменяться в широких пределах и очень быстро убывает с повышением температуры, а это значит, что электрическая проводимость (1/R) увеличивается.

Наблюдается у кремния, германия, селена и у некоторых соединений.

Слайд 3.

Механизм проводимости у полупроводников

Слайд 4.

Кристаллы полупроводников имеют атомную кристаллическую решетку, где внешние Слайд 5.электроны связаны с соседними атомами ковалентными связями.

При низких температурах у чистых полупроводников свободных электронов нет и они ведут себя как диэлектрики.

Полупроводники чистые (без примесей)

Если полупроводник чистый(без примесей), то он обладает собственной проводимостью, которая невелика.

Собственная проводимость бывает двух видов:

Слайд 6. 1) электронная (проводимость «n » – типа)

При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны – сопротивление уменьшается.

Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности электрического поля.

Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.

Слайд 7.

2) дырочная (проводимость » p» – типа)

При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном – «дырка».

Она может перемещаться по всему кристаллу, т.к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение «дырки» равноценно перемещению положительного заряда.

Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля.

Кроме нагревания, разрыв ковалентных связей и возникновение собственной проводимости полупроводников могут быть вызваны освещением (фотопроводимость) и действием сильных электрических полей. Поэтому полупроводники обладают ещё и дырочной проводимостью.

Общая проводимость чистого полупроводника складывается из проводимостей «p» и «n» -типов и называется электронно-дырочной проводимостью.

Полупроводники при наличии примесей

У таких полупроводников существует собственная + примесная проводимость.

Наличие примесей проводимость сильно увеличивает.

При изменении концентрации примесей изменяется число носителей электрического тока – электронов и дырок.

Возможность управления током лежит в основе широкого применения полупроводников.

Существуют:

Слайд 8. 1) донорные примеси (отдающие) – являются дополнительными поставщиками электронов в кристаллы полупроводника, легко отдают электроны и увеличивают число свободных электронов в полупроводнике.

Слайд 9. Это проводники » n » – типа, т.е. полупроводники с донорными примесями, где основной носитель заряда – электроны, а неосновной – дырки.

Такой полупроводник обладаетэлектронной примесной проводимостью. Например – мышьяк.

Сравнение с другими усилителями

Это очень ответственный шаг. Нужно учесть все нюансы и понять, усилитель «Радиотехника» лучше или хуже остальных. Первый конкурент — «Амфитон-001». При одинаковых условиях воспроизведения наш герой показал куда более полную сцену звука, чем «Амфитон». Дальше — больше. Бас «Амфитона» никак не мог стать таким же правильным и быстрым, как НЧ, созданные «Радиотехникой». Явный провал. Следующим испытуемым стал легендарный «Бриг У-001». Этот монстр звука запросто сделал простенький 101. У «Брига» получилось куда более качественное звучание. И с этим ничего нельзя было сделать. Хоть «Бриг» и годами старше, но намного лучше, чем «Радиотехника». Беда только в том, что найти адекватный «Бриг» на вторичном рынке очень трудно. Поэтому «Радиотехника» остается оптимальным вариантом. Да и неискушенный слушатель не заметит особой разницы между этими двумя усилителями.

Характеристика полупроводников

Из 104 элементов таблицы Менделеева 79 являются металлами, 25 – неметаллами, из которых 13 химических элементов обладают полупроводниковыми свойствами и 12 – диэлектрическими. Основное отличие полупроводников состоит в том, что их электропроводность значительно возрастает при повышении температуры. При низких температурах они ведут себя подобно диэлектрикам, а при высоких — как проводники. Этим полупроводники отличаются от металлов: сопротивление металла растёт пропорционально увеличению температуры.

Другим отличием полупроводника от металла является то, что сопротивление полупроводника падает под действием света, в то время как на металл последний не влияет. Также меняется проводимость полупроводников при введении незначительного количества примеси.

Полупроводники встречаются среди химических соединений с разнообразными кристаллическими структурами. Это могут быть такие элементы, как кремний и селен, или двойные соединения, как арсенид галлия. Многие органические соединения, например полиацетилен (СН)n, – полупроводниковые материалы. Некоторые полупроводники проявляют магнитные (Cd1-xMnxTe) или сегнетоэлектрические свойства (SbSI). Другие при достаточном легировании становятся сверхпроводниками (GeTe и SrTiO3). Многие из недавно открытых высокотемпературных сверхпроводников имеют неметаллические полупроводящие фазы. Например, La2CuO4 является полупроводником, но при образовании сплава с Sr становится сверхроводником (La1-xSrx)2CuO4.

Учебники физики дают полупроводнику определение как материалу с электрическим сопротивлением от 10-4 до 107 Ом·м. Возможно и альтернативное определение. Ширина запрещённой зоны полупроводника — от 0 до 3 эВ. Металлы и полуметаллы – это материалы с нулевым энергетическим разрывом, а вещества, у которых она превышает З эВ, называют изоляторами. Есть и исключения. Например, полупроводниковый алмаз имеет запрещённую зону шириной 6 эВ, полуизолирующий GaAs – 1,5 эВ. GaN, материал для оптоэлектронных приборов в синей области, имеет запрещённую зону шириной 3,5 эВ.

Полупроводниковые приборы и их применение

Полупроводниковый диод

Прибор, в котором используется p-n-переход, называется полупроводниковым диодом.

Электрический ток через контакт полупроводников p-n-типа:

Идет значительный ток.

Ток практически отсутствует.

Вольт-амперная характеристика p-n-перехода.

Правая часть графика соответствует прямому направлению тока, а левая – обратному.

Полупроводниковый диод используется как выпрямитель переменного тока.

Транзистор

Транзистор имеет два p-n-перехода и используется как усилитель мощности в радиоэлектронных устройствах. Транзистор состоит из двух полупроводников p-типа и одного n-типа или двух полупроводников n-типа и одного p-типа. Эти переходы делят полупроводник на три области, называемые эмиттер, база, коллектор.

Отечественная техника 20 века

Радиотехника У-7111

Описание усилителя Радиотехника У7111

Усилитель полный RADIOTEHNIKA U-7111 STEREO относится к 4 поколению аппаратуры и соответствует требованиям технических условий 2.032.020ТУ.Усилитель предназначен для усиления,оперативного усиления и коммутации низкочастотных сигналов при работе в составе комплекта бытовой радиоаппаратуры.Усилитель состоит из двух независимых каналов усиления с общим источником питания.В усилителе применена схема защиты,предотвращающая повреждение усилителя при его перегреве,перегрузке по мощности и коротком замыкании в нагрузке.Малый коэффициент загрузки оконечных трпнзисторов,обеспечиваемыйпараллельным включением нескольких транзисторов, и развитая схема защиты,гарантируют высокую надежность усилителя.

• Возможность подключения для воспроизведения 4-х источников сигналов, в том числе: электропроигрывателя, тюнера и двух магнитофонов
• Возможность подключения двух пар акустических систем и их независимую коммутацию
• Возможность подключения стереотелефонов
• Возможность прослушивания сигнала в режимах «стерео» или «моно»
• Возможность тонкомпенсации при малых уровнях громкости
• Возможность ступенчатого уменьшения громкости
• Возможность ограничения диапазона эффективно воспроизводимых частот
• Возможность перезаписи содного магнитофона на другой
• Возможность записи на магнитофон (или перезаписи) сигнала одногоисточника программ и одновременного воспроизведения сигнала от другого источника прграмм
• Возможность одновременной записи на оба магнитофона
• Возможность оперативного контроля записи при наличии магнитофона,имеющего раздельные головки записи и воспроизведения
• Возможность одновременного включения и выключения (нажатием на кнопку СЕТЬ) напряжения питания усилителя и подключенных к розеткам ОТВЕТВЛЕНИЕ СЕТИ (ОТКЛЮЧАЕМОЕ) источников сигналов
• Индикацию включения (свечение индикатора приоритетного входа)
• Индикацию подключенного входа
• Индикацию пиковоймузыкальной выходной мощности по каждому каналу
• Возможность регулировки тембров по 5-ти частотным полосам (графический эквалайзер) или ее отключение

Основные технические характеристики

Номинальная выходная мощность каждого канала усилителя на номинальном сопротивлении нагрузки 8 Ом	35 Вт
Максимальная выходная мощность каждого канала усилителя на номинальном сопротивлении нагрузки 8 Ом	50 Вт
Пиковая музыкальная выходная мощность каждого канала усилителя на номинальном сопротивлении нагрузки 8 Ом/4 Ом	110 Вт170 Вт
Мощность на выходе для подключения стереотелефонов	85±15 мВт
Средняя потребляемая мощность не более	75 Вт
Номинальное напряжение питания усилителя	220 Вчастотой 50 Гц
Номинальная э.д.с. источника сигнала (входное напряжение) для линейных входов/ для корректирующего входа	500 мВ5 мВ
Минимальная э.д.с. источника сигнала (входное напряжение) для линейных входов/для корректирующего входа	200-50 мВ2.0-1.0 мВ
Диапазон воспроизводимых частот, при неравномерности АЧХ±3 дБ не уже	10-30000 Гц
Допускаемые отклонения амплитудно-частотной характеристики в диапазоне звуковых частот от 20 Гц до 20000 Гц относительно уровня сигнала f=1000 Гц для линейных входов/для корректирующего входа не более	±1.0 дБ±1.5 дБ
Коэффициент гармоник, в диапазоне частот от 40 Гц до 16000 Гц не более	0.2 %
Отношение сигнал/взвешенный шум для линейных входов/ для корректирующего входа не менее	76 дБ60 дБ
Габаритные размеры усилителя	431x360x72 мм
Масса усилителя без упаковки не более	7.0 кг

Схема усилителя ниже на скрепке. Архивированный файл в формате djvu. Если возникли проблемы с чтением- весь необходимый софт можно найти на странице «программы для радиолюбителя».

Вложения к странице

Файл	Описание	Размер файла:
Радиотехника У-7111-Стерео	схема	2276 Кб

↑ Образование свободных электронов и дырок в полупроводнике

При абсолютном нуле (абсолютный нуль — наиболее низкая возможная температура —273,16 °С; в настоящее время достигнуты температуры, отличающиеся от абсолютного нуля на ничтожные доли градуса) все валентные электроны находятся на орбитах и прочно связаны с атомами. Поэтому в таком полупроводнике нет свободных электронов и он представляет собой идеальный изолятор (диэлектрик). С ростом температуры валентные электроны получают дополнительную энергию и могут оторваться от атома. Оторвавшийся электрон становится «свободным». Энергетические уровни свободных электронов образуют зону проводимости, расположенную над валентной зоной и отделенную от нее запрещенной зоной шириной ΔW (рис. 3.1, в). Свободные электроны могут перемещаться по полупроводнику и участвовать таким образом в образовании электрического тока. Чем больше свободных электронов в единице объема вещества, тем меньше его сопротивление.

Между атомами в кристалле полупроводника существуют ковалентные связи. Ковалентная связь образуется за счет вращения двух электронов, принадлежащих двум рядом расположенным атомам, по одной общей орбите (рис. 3.2, а). Германий и кремний являются четырехвалентными элементами, и их атомы имеют по 4 валентных электрона. В результате образования парных ковалентных связей все атомы германия и кремния оказываются взаимосвязанными. Плоские модели кристаллических решеток чистого германия Ge и кремния Si изображены на рис. 3.2, б. На этом рисунке парные ковалентпые связи показаны двумя параллельными линиями, соединяющими два соседних атома, а электроны, образующие эти связи,— в виде черных точек.

При сообщении электрону дополнительной энергии ковалентная связь может нарушиться и он станет свободным. Место на внешней орбите атома, где ранее находился электрон, называют дыркой. На энергетической диаграмме дырке соответствует свободный энергетический уровень в валентной зоне, с которого электрон перешел в зону проводимости (рис. 3.2, г).

Образование свободных электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне называют генерацией подвижных носителей заряда, или генерацией пар электрон — дырка, поскольку появление свободного электрона в зоне проводимости обязательно сопровождается появлением дырки в валентной зоне.

Свободный электрон может, теряя часть своей энергии, из зоны проводимости перейти в валентную зону, заполнив собой одну из имеющихся в ней дырок. При этом восстанавливается ковалентная связь. Этот процесс называют рекомбинацией. Таким образом, рекомбинация всегда сопровождается потерей пары электрон—дырка.

Что я увидела в нынешних 12-ти шагах?

Видела людей, которые не вылечиваются,
многие ходят на собрания годами, проходят 12 шагов по
третьему и пятому кругу, и им не становится лучше.

Видела людей с повреждённой психикой,
которые никогда не проходили реабилитацию у
профессиональных психологов, и они пришли в это
сообщество, как единственный шанс поправить своё
состояние.

Видела, как участникам прививают
зависимость к собраниям. Им постоянно твердят, что 12-ти
шаговая программа — их последний шанс, это
единственное, что им поможет. Как в лучших традициях
тоталитарных сект. Моя знакомая считала, что, если она
бросила курить, то она обязана всем этому сообществу, и
поэтому не может оттуда уйти.

Скажу, что людям действительно тяжело
уйти из этого сообщества, потому что они чувствуют свою
сопричастность и зависимость, чувствуют, что должны
отдавать что-то этому сообществу: деньги, но в основном
своё присутствие, своё служение.

Видела людей в постоянном чувстве вины,
они чувствуют себя жертвами. И у меня сложилось мнение,
что сообщество 12 шагов заставляет их чувствовать себя
более виноватыми и более жертвами, чем ранее. Для этого
есть различные приемы.

В первую очередь, в «12 шагах» используют для усугубления чувства вины
у жертвы, по моему
мнению, четвёртый шаг. Первый шаг — это то, что нужно
признать своё бессилие перед миром, перед тем, что
пытаешься, но у тебя ничего не получается, ты не можешь
контролировать и изменить мир. В принципе это правильно.
На втором шагу, участники должны принять, что есть
«…Сила, более могущественная, чем наша собственная,
может вернуть нам здравомыслие». Третий шаг — нужно это
перепоручить «высшей силе». В программе нельзя называть
слово «бог», можно только говорить «высшая сила, как я
ее понимаю».

Так вот, на четвёртом шагу нужно понять,
в чём ты была неправ, и там составляется такая «таблица
обиды». В первой колонке указываются те люди, которые
тебя обидели, во второй, чем они обидели, третья колонка
— на что это повлияло, на какие психологические
установки, и четвертая колонка, в чём ты был неправ, а
точнее в чём твой эгоизм, заключающийся в… неприятии
случившегося.

Что получается?! Ты по программе обязан
принять то, что тебя била мать или отец, или тебя
насиловали. По мнению программы, ты обязана это принять,
чтобы выздороветь.

На собраниях не обсуждается грех
родителей, насильников и т.п., там ты должна понять, что
насильники, абьюзеры и т.п. имели право (!) так
поступать, поскольку они воспитывались в плохой семье.
При этом если тебя бил отец, унижал, сделал твою жизнь
адской, это все понятно, но ты же тоже плохо поступала.
Ты же на него злилась, ты что-то для него не делала, ты
и говорила о нём плохо, жаловалась на него или даже его
оскорбляла. И из-за этого ты тоже плохая девочка,
намного хуже, чем твой отец абьюзер и тиран.

Направление: Технические профессии

Радиотехник – специалист по сборке, настройке, тестированию и эксплуатации радиотехнических систем и устройств.

Радиотехник – это бытовое, разговорное обозначение специалиста по приборостроению. Официальное название специальности – радиоаппаратостроение.Эта профессия родственна профессии радиомеханика. Разница в том, что радиотехник умеет не только чинить радиоэлектронные устройства и системы, но может также самостоятельно их проектировать.Если для ремонта и обслуживания радиоэлектроники обычно (хотя и не всегда) достаточно начального профессионального образования, то для аппаратостроения требуется по крайней мере среднее специальное образование (уровень техникума).

Радиотехник может отвечать за организацию и сборку радиотехнических приборов и систем, заниматься их настройкой по уже имеющейся технологии и технической документации. Может также участвовать в разработке новых моделей устройств, их расчёте и проектировании.

Электронные технологии постоянно развиваются усилиями таких специалистов и инженеров-разработчиков. Но и сами технологии разработки не стоят на месте. Для проектирования приборов, для планирования технологии сборки и монтажа современные специалисты используют специальные компьютерные программы, так называемые системы автоматизированного проектирования на ЭВМ.Вновь разработанные приборы, узлы и системы всегда подвергаются сертификационным испытаниям. Этим также занимаются радиотехники.Профессия радиотехника, как и любая другая, накладывает особый отпечаток на человека. Например, радиотехник по-особому относится к приборам, окружающим нас в повседневной жизни.Он как никто другой может оценить качество телевизора или DVD-проигрывателя. В отличие от обычного любителя телепрограмм, радиотехник способен оценить не только качество изображения, но и красоту инженерной мысли, качество сборки.

Как правило, в эту профессию приходят люди, с детства увлечённые радиоэлектроникой, получающие удовольствие от конструирования радиопередатчиков или роботов, многочасовой возни с платами, деталями и работы паяльником.

Радиотехник с дипломом о среднем профессиональном образовании  может работать на производстве, в конструкторском бюро, ремонтных мастерских и т.п. в качестве монтажника, контролёра радиоэлектронных приборов, технолога и даже инженера-радиоэлектронщика.

Радиотехник должен хорошо понимать законы физики и инженерные принципы, на которых основана работа приборов, знать и уметь использовать стандарты конструирования, монтажа и сборки радиоэлектронных устройств.Необходимо уметь читать и создавать электротехнические схемы, схемы приборов, уметь работать паяльником, проводить диагностику и ремонт, владеть компьютерными средствами проектирования.

Специальности:

Радиотехника

Квалификация: Бакалавриат

Область профессиональной деятельности бакалавров включает исследования и разработки, направленные на создание и обеспечение функционирования устройств и…

Радиотехника

Квалификация: Магистратура

Область профессиональной деятельности магистров включает исследования и разработки, направленные на создание и обеспечение функционирования устройств и …

Радиофизика

Квалификация: Магистратура

Магистратура по специальности «Радиофизика» представляет собой высшее профессиональное образование, позволяющее специалистам продолжить обуч…

Радиофизика

Квалификация: Бакалавриат

Слушатели, поступившие на бакалавриат по специальности «Радиофизика», пройдут базовое обучение по физическим дисциплинам: механика, электрич…

Радиоэлектронные системы и комплексы

Квалификация: Специалитет

Область профессиональной деятельности специалистов включает исследования и разработки, направленные на создание и обеспечение функционирования устройств…

Сфера деятельности выпускника

Обучение на данной специальности включает детальное изучение методов и средств деятельности человека, направленной на все виды исследований, а также на моделирование (математическое либо компьютерное). Бакалавр научится разбираться в способах конструирования, проектирования и в технологиях производства. Учащийся сможет в полной мере эксплуатировать электронные устройства, их компоненты и материалы, из которых они изготовлены. В процессе обучения студент овладеет навыками использования вакуумной, плазменной, оптической и иной нанотехники различного функционального назначения.

Что такое полупроводник и с чем его едят?

Полупроводник — материал,
без которого не мыслим современный мир
техники и электроники. Полупроводники
проявляют свойства металов и неметаллов
в тех или иных условиях. По значению удельного электрического сопротивления полупроводники занимают промежуточное положение между хорошими проводниками и диэлектриками.
Полупроводник отличается от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от
наличия в кристаллической решетки
элементов-примесей (примесные элементы) 
и концентрации этих элементов, а также
от температуры и воздействия различных видов излучения.Основное свойство полупроводника — увеличение электрической проводимости с
увеличением температуры.
Полупроводниками являются вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет порядка нескольких электрон-вольт (эВ)

Например, алмаз можно отнести к широкозонным полупроводникам, а арсенид индия — к узкозонным.
Ширина запрещённой зоны — это ширина энергетического зазора между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны, в котором отсутствуют разрешённые состояния для электрона.
Величина ширины запрещённой зоны имеет важное значение при генерации света в светодиодах и полупроводниковых лазерах
и определяет энергию испускаемых фотонов.
К числу полупроводников относятся многие химические элементы:
Si  кремний, Ge германий, As мышьяк, Se селен,
Te теллур и другие, а также всевозможные
сплавы и химические соединения,
например: йодид кремния, арсенид галлия,
теллурит ртути и др.). В общем почти все неорганические вещества окружающего нас мира
являются полупроводниками

Самым распространённым в природе полупроводником является кремний, составляющий
по приблизительным подсчетам почти 30 % земной коры.
В зависимости от того, отдаёт ли атом
примесного элемента электрон или захватывает его, примесные атомы называют донорными или акцепторными.
Донорские и акцепторные свойства атома
примесного элемента зависят также того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую кристаллографическую плоскость встраивается.
Как выше упоминалось, проводниковые
свойства полупроводников сильно зависит от температуры,
а при достижениитемпературы абсолютного нуля
(-273°С) полупроводники имеют свойства диэлектриков.

Электронно-дырочная проводимость.

В «чистом» кристалле полупроводника число высвободившихся

в данный момент электронов равно числуобразующихся при этом дырок, поэтому электропроводность такого полупроводникамала , так как он оказывает электрическому токубольшое сопротивление, и такую электропроводность называютсобственной .

Но если в полупроводник добавить в виде примеси

некоторое количество атомов других элементов, то электропроводность его повысится в разы, и в зависимости отструктуры атомов примесных элементов электропроводность полупроводника будетэлектронной илидырочной .

Электронная проводимость.

Допустим, в кристалле полупроводника, в котором атомы имеют по четыре валентных электрона, мы заменили один атом атомом, у которого пять

валентных электронов. Этот атом своимичетырьмя электронами свяжется с четырьмя соседними атомами полупроводника, апятый валентный электрон останется «лишним » – то есть свободным. И чембольше будет таких атомов в кристалле, тембольше окажется свободных электронов, а значит, такой полупроводник по своим свойствам приблизится к металлу, и чтобы через него проходил электрический ток, в немне обязательно должны разрушаться межатомные связи .

Полупроводники, обладающие такими свойствами, называют полупроводниками с проводимостью типа «n

», или полупроводникиn -типа. Здесь латинская буква n происходит от слова «negative» (негатив) — то есть «отрицательный». Отсюда следует, что в полупроводникеn -типаосновными носителями заряда являются –электроны , а не основными – дырки.

Дырочная проводимость.

Возьмем все тот же кристалл, но теперь заменим его атом атомом, в котором только три

свободных электрона. Своими тремя электронами он свяжется только стремя соседними атомами, а для связи с четвертым атомом у него не будет хвататьодного электрона. В итоге образуетсядырка . Естественно, она заполнится любым другим свободным электроном, находящимся поблизости, но, в любом случае, в кристалле такого полупроводника не будетхватать электронов для заполнения дырок. И чембольше будет таких атомов в кристалле, тембольше будет дырок.

Чтобы в таком полупроводнике могли высвобождаться и передвигаться свободные электроны, обязательно должны разрушаться валентные связи между атомами

. Но электронов все равно не будет хватать, так как число дырок всегда будетбольше числа электронов в любой момент времени.

Такие полупроводники называют полупроводниками с дырочной

проводимостью или проводникамиp -типа, что в переводе от латинского «positive» означает «положительный». Таким образом, явление электрического тока в кристалле полупроводника p-типа сопровождается непрерывнымвозникновением иисчезновением положительных зарядов – дырок. А это значит, что в полупроводникеp -типаосновными носителями заряда являютсядырки , а не основными — электроны.

Теперь, когда Вы имеете некоторое представление о явлениях, происходящих в полупроводниках, Вам не составит труда понять принцип действия полупроводниковых радиокомпонентов.

На этом давайте остановимся, а в следующей части рассмотрим устройство, принцип работы диода, разберем его вольт-амперную характеристику и схемы включения. Удачи!

Источник