Основные технические характеристики
У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, SOT-23;
- материал корпуса – пластмасса;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;
электрические:
- проводимость – обратная (n-p-n);
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCEmax) не более 50 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCBmax) не более 60 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВmax) не более 5 В (V);
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCEsat) не более 0.3 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandw >Классификация по Hfe
| Наименование | Коэффициент Hfe |
|---|---|
| С945-Y | 120-240 |
| С945-O | 70-140 |
| С945-R | 90-180 |
| С945-Q | 135-270 |
| С945-P | 200-400 |
| C945-K | 300-600 |
| C945-G | 200-400 |
| C945-GR | 200-400 |
| C945-BL | 350-700 |
| C945-L (SOT-23) | 120-200 |
| C945-H (SOT-23) | 200-400 |
Точное значение Hfe смотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer Hfe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.
Параллельное включение транзисторов
Современные транзисторы позволяют реализовать электронные схемы расчитаные на широкие диапазоны изменений токов и напряжений, но в отдельных случаях для увеличения допустимой мощности рассеивания применяется параллельное включение транзисторов.
Схема параллельного включения транзисторов
Максимально допустимый ток протекающий через такой составной транзистор равен:
IKmax(общ) = IKmax(VT1) + IKmax(VT2)
При такой схеме включения транзисторов следует учитывать, что вследствие разброса параметров параллельно включённых транзисторов токи между ними распределяются неравномерно. Большая часть тока будет протекать через транзистор, имеющий больший коэффициент усиления. Рассеиваемые транзисторами мощности можно выровнять включением в их эмиттерные цепи дополнительных симметрирующих резисторов с небольшими сопротивлениями. Так как на практике трудно подбирать такие сопротивление для каждого транзистора, в практических схемах в эмиттеры всех транзисторов ставят резисторы одного сопротивления. Сопротивление симметрирующих резисторов R1 и R2 можно определить по формуле
R1 = R2 ≈ 0,5n/IK,
где n – число параллельно соединенных транзисторов
IK — ток проходящий через коллектор.
Такой способ связан с ухудшением усилительных свойств транзисторов, однако его достоинством является возможность получения мощного силового элемента при использовании относительно маломощных транзисторов.
Виды транзисторов
В первых транзисторах применялся германий, который работал не совсем стабильно. Со временем от него отказалось в пользу других материалов: кремния (самый распространённый) и арсенида галлия. Но все это традиционные полупроводники.
В настоящее время начинают набирать популярность триоды на основе органических материалов и даже веществ биологического происхождения: протеинов, пептидов, молекул хлорофилла и целых вирусов. Биотранзисторы используются в медицине и биотехнике.
Другие классификации транзисторов:
- По мощности подразделяются на маломощные (до 0,1 Вт), средней мощности (от 0,1 до 1 Вт) и просто мощные (свыше 1 Вт).
- Также разделяются по материалу корпуса (металл или пластмасса), типу исполнения (в корпусе, бескорпусные, в составе интегральных схем).
- Нередко их объединяют друг с другом для улучшения характеристик. Такие транзисторы называются составными или комбинированными и могут состоять из двух и более полупроводниковых приборов. Строение и у них простое: эмиттер первого является базой для второго и так далее до необходимого количества триодов. Бывает нескольких типов: Дарлинга (все составляющие с одинаковым типом проводимости), Шиклаи (тип проводимости разный), каскодный усилитель (два прибора, работающие как один с подключением по схеме с общим эмиттером).
- К составным относится также и IGBT-транзистор, представляющий собой биполярный, который управляется при помощи полярного триода с изолированным затвором. Такой тип полупроводниковых приборов применяется в основном там, где нужно управлять большим током (сварочные аппараты, городские электросети) или электромеханическими приводами (электротранспорт).
- В качестве управления может применяться не ток, а другое электромагнитное воздействие. К примеру, в фототранзисторах в качестве базы используется чувствительный фотоэлемент, а в магнитотранзисторах – материал, индуцирующий ток при воздействии на него магнитного поля.
Технологический предел для транзисторов еще не достигнут. Их размеры уменьшаются с каждым голом, а различные научно-исследовательские институты ведут поиск новых материалов для использования в качестве полупроводника. Можно сказать, что эти полупроводниковые приборы еще не сказали миру своего последнего слова.
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со струкрурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для применения в схемах усилителей низкой частоты, дифференциальных и операционных усилителей.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130 | 80 | 3,5 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 |
| КТ3102А | 0,25 | 50 | 50 | 5 | 0,1 | — | 100…200 | 150 | ≤ 6 | 10 | — | ТО-92, ТО-18 |
| КТ3102Б | 0,25 | 50 | 50 | 5 | 0,1 | — | 200…500 | 150 | ≤ 6 | 10 | — | ТО-92, ТО-18 |
| КТ602А/Б | 0,85 | 120 | 100 | 5 | 0,075 | 150 | 20…80 | 150 | ≤ 4 | — | ≤ 3,0 | ТО-126 |
| КТ602В/Г | 0,85 | 80 | 70 | 5 | 0,075 | 150 | 15…80 | 150 | ≤ 4 | — | ≤ 3,0 | ТО-126 |
| КТ611А/Б | 0,8 | 200 | 180 | 4 | 0,1 | 150 | 10…120 | ≥ 60 | ≤ 5 | — | ≤ 0,8 | ТО-126 |
| КТ611В/Г | 0,8 | 180 | 180 | 4 | 0,1 | 150 | 10…120 | ≥ 60 | ≤ 5 | — | ≤ 0,8 | ТО-126 |
| КТ660А | 0,5 | 50 | 45 | 5 | 0,8 | 150 | 110…220 | ≥ 200 | ≤ 10 | — | ≤ 0,5 | ТО-92 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус | Маркировка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 70…700 | 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | 0,25 | TO-92 | — |
| CSC3114/R | 0,4 | — | 50 | — | 0,15 | — | 100 | 100 | ≤ 3,5 | ≤ 100 | ≤ 0,25 | TO-92 | — |
| CSC3114S | 0,4 | — | 50 | — | 0,15 | — | 140 | 100 | — | — | — | TO-92 | — |
| CSC3114V | 0,4 | — | 50 | — | 0,15 | — | 280 | 100 | — | — | — | TO-92 | — |
| CSC3199 | 0,4 | — | 50 | — | 0,15 | — | 70…700 | 80 | — | — | — | TO-92 | — |
| CSC3331/R/S/T | 0,5 | — | 50 | — | 0,2 | — | 70 | 200 | — | — | — | TO-92 | — |
| CSC3331TU/U/V | 0,5 | — | 50 | — | 0,2 | — | 70 | 200 | — | — | — | TO-92 | — |
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130 | 80 | — | — | 0,25 | SOT-23 | HF |
| 2N5551SC | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 150 | 100 | ≤ 6 | ≤ 8 | ≤ 0,5 | SOT-23 | ZFC |
| 2PD601BRL | 0,25 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 210 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | ML٭ |
| 2PD601BSL | 0,25 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 290 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | MM٭ |
| 2PD602ASL | 0,25 | 60 | 50 | 5 | 0,5 | 150 | 170 | 180 | ≤ 15 | — | ≤ 0,6 | SOT-23 | SF |
| 2SC2412-R | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 180 | 180 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | BR |
| 2SC2412-S | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 270 | 180 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | BS |
| 2SC945LT1 | 0,23 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200 | 150 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | L6 |
| 2STR1160 | 0,5 | 60 | 50 | 5 | 1 | 150 | 250 | 150 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,43 | SOT-23 | 160 |
| BCV47 | 0,36 | 80 | 60 | 10 | 0,5 | 150 | 10000 | 170 | ≤ 3,5 | — | ≤ 1,0 | SOT-23 | DK, FG, FGp, FGs, FGt, W |
| BTC2412N3 | 0,225 | 60 | 50 | 7 | 0,2 | 150 | 180 | 80 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | C4 |
| BTD2150N3 | 0,225 | 80 | 50 | 6 | 4 | 150 | 270 | 175 | 14 | — | ≤ 0,32 | SOT-23 | CF |
| BTN6427N3 | 0,225 | 100 | 60 | 12 | 0,5 | 150 | 10000 | ≤ 7 | — | ≤ 1,5 | SOT-23 | 1N | |
| CMPT3820 | 0,35 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 200 | 150 | ≤ 10 | — | ≤ 0,28 | SOT-23 | 38C |
| CMPT491E | 0,35 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 200 | 150 | ≤ 10 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | C49 |
| INC5001AC1 | 0,2 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 130 | 240 | ≤ 10 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | XY |
| INC5006AC1 | 0,2 | 100 | 50 | 7 | 3 | 150 | 400 | 250 | 13 | — | ≤ 0,2 | SOT-23 | CER |
| KMMT619 | 0,35 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 20 | — | ≤ 0,5 | SOT-23 | 619, 619H |
| KST6428 | 0,35 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | — | — | SOT-23 | 1K |
| L2SC1623RLT1G | 0,225 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 180 | 250 | ≤ 3 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | L6 |
| L2SC1623SLT1G | 0,225 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 270 | 250 | ≤ 3 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | L7 |
| L2SC2412KRLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 180 | 180 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | BR |
| L2SC2412KSLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 270 | 180 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | G1F |
| L2SC5343RLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 180 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | 7R |
| L2SC5343SLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 270 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | 7S |
| LMBT6428LT1G | 0,225 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | ≤ 0,5 | SOT-23 | 1KM | |
| MMBT5343-G/L | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | 5343 |
| MMBT6428 | 0,3 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,6 | SOT-23 | 1K, 1KM |
| MMBT6428L/LT1/LT1G | 0,225 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,6 | SOT-23 | 1KM |
| MMBT945-H/L | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200/130 | 150 | ≤ 3 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | CR |
| MMBTA28 | 0,35 | 80 | 80 | 12 | 0,8 | 150 | 10000 | 125 | ≤ 8 | — | ≤ 1,5 | SOT-23 | 3SS K6R |
| NXP3875G | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | ٭JF |
| PBSS4041NT | 0,3 | 60 | 60 | 5 | 3,8 | 150 | 300 | 175 | 17 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | ٭BK |
| PBSS4160T | 0,3 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 250 | 150 | ≤ 10 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | ٭U5 |
| PBSS8110T | 0,3 | 120 | 100 | 5 | 1 | 150 | 150 | 100 | ≤ 7,5 | — | ≤ 0,2 | SOT-23 | ٭U8 |
| SSTA28 | 0,2 | 80 | 80 | 12 | 0,3 | 150 | 10000 | 200 | ≤ 8 | — | ≤ 1,5 | SOT-23 SST3 | RAT |
| TMPS1654N7 | 0,225 | 80 | 160 | 5 | 0,15 | 150 | 150 | 100 | ≤ 8 | — | ≤ 1,5 | SOT-23 | N7 |
| TMPT6428 | 0,225 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,2 | SOT-23 | 1K |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Зарождение нового мира
В то время как Бардин бросил Bell Labs, чтобы стать академиком (он продолжил изучение германиевых транзисторов и сверхпроводников в Иллинойском университете), Браттэйн поработал еще некоторое время, а после ушел в педагогику. Шокли основал свою собственную компанию по производству транзисторов и создал уникальное место — Силиконовую долину. Это процветающий район в Калифорнии вокруг Пало-Альто, где находятся крупные корпорации электроники. Двое из его сотрудников, Роберт Нойс и Гордон Мур, основали компанию Intel — крупнейшего в мире производителя микросхем.
Бардин, Браттэйн и Шокли ненадолго воссоединились в 1956 году: за свое открытие они получили высшую в мире научную награду — Нобелевскую премию по физике.
Недостатки
Какие недостатки есть у импульсных реле? Некоторые модели
отдельных производителей чувствительны к перепадам напряжения.
Чем это чревато? А тем, что свет на некоторых лампах у вас будет включаться и выключаться самопроизвольно при нестабильном напряжении.
Еще многих раздражает постоянное клацанье и щелчки при работе реле. Особенно этим грешат эл.механические разновидности. Они состоят из рычажной и контактной системы, катушки, плюс пружины.
Отличить их можно по рычагу с лицевой стороны. С его
помощью реле вручную переводится из одного положения в другое.
В электронные встроена плата с микроконтроллером. В них
клацать особо нечему, и они менее шумны.
Чтобы было меньше проблем, выбирайте реле от известных и давно зарекомендовавших себя брендов. Таких как — ABB (E-290), Schneider Electric (Acti 9iTL), F&F (Biss) или отечественный Меандр (РИО-1 и РИО-2).
У ABB очень большой выбор по добавлению к основной модели E290 всяких накладок и дополнительных «плюшек».
У Меандр РИО-2 есть полезная функция для работы с обычными одноклавишными выключателями.
Для этого данную релюшку нужно перевести в режим №2 и к каждому из входов Y, Y1 и Y2 подключить свой выключатель света (всего 3шт).
В итоге вы получите режим работы перекрестных выключателей на основе обычных одноклавишников. При нажатии любого из них (вкл или выкл), будет изменяться выход и переключаться контакты на самом реле, зажигая или гася лампочку.
Транзистор
Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, они стремительно начали вытеснять электровакуумные приборы и, в частности, триоды. В настоящее время транзисторы занимают ведущее положение в схемотехнике.
Начинающему, а порой и опытному радиолюбителю-конструктору, не сразу удаётся найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея же под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами гораздо легче строить «здание» того или другого устройства.
Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в ), рассмотрим лишь отдельные свойства и способы их улучшения.
Одна из первых проблем, возникающих перед разработчиком, — увеличение мощности транзистора. Её можно решить параллельным включением транзисторов (рис.1). Токовыравнивающие резисторы в цепях эмиттеров способствуют равномерному распределению нагрузки.
Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при усилении больших сигналов, но и для уменьшения шума при усилении слабых. Уровень шумов уменьшается пропорционально корню квадратному из количества параллельно включённых транзисторов.
Защита от перегрузки по току наиболее просто решается введением дополнительного транзистора (рис.2). Недостаток такого самозащитного транзистора — снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант усовершенствования показан на рис.3. Благодаря введению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R, а значит, и рассеиваемую на нём мощность.
Составной транзистор (рис. 4) имеет повышенное выходное сопротивление и значительно уменьшенный эффект Миллера благодаря каскодному включению полевого и биполярного транзисторов.
![Транзисторы: принцип работы, схема включения, чем отличаются биполярные и полевые [амперка / вики]](https://seminar55.ru/wp-content/uploads/7/9/1/791cccfa30c3ee66b51f0af5f7cd2936.gif)
За счёт полной развязки второго транзистора от входа и питанию стока первого транзистора напряжением, пропорциональным входному, составной транзистор, изображённый на рис.5, имеет ещё более высокие динамические характеристики.
Единственное условие реализации такого транзистора — более высокое напряжение отсечки второго транзистора. Входной транзистор можно заменить на биполярный.
Одна из особенностей транзисторного ключа при изменяющейся нагрузке — изменение времени выключения транзистора. Чем больше насыщение транзистора при минимальной нагрузке, тем больше время выключения. Избежать глубокого насыщения можно путём предотвращения прямого смещения перехода база-коллектор. Наиболее простая реализация этой идеи с помощью диода Шоттки представлена на рис.6. На рис.7 изображён более сложный вариант — схема Бейкера.
https://youtube.com/watch?v=D60LaX9Fza0
Практика работы составного транзистора
На рис. 3 показаны три варианта построения выходного каскада (эмиттерный повторитель). При подборе транзисторов надо стремится к b1~b2 и b3~b4 . Различие можно компенсировать за счёт подбора пар по равенству коэффициентов усиления СТ b13~b24 (см. табл. 1).
- Схема на рис. 3а имеет наибольшее входное сопротивление, но это худшая из приведённых схем: требует изоляцию фланцев мощных транзисторов (или раздельные радиаторы) и обеспечивает наименьший размах напряжения, поскольку между базами СТ должно падать ~2 В, в противном случае сильно проявятся искажения типа «ступенька».
- Схема на рис. 3б досталась в наследство с тех времён, когда ещё не выпускались комплементарные пары мощных транзисторов. Единственный плюс по сравнению с предыдущим вариантом – меньшее падение напряжения ~1,8 В и больше размах без искажений.
- Схема на рис. 3в наглядно демонстрирует преимущества СТШ: между базами СТ падает минимум напряжения, а мощные транзисторы можно посадить на общий радиатор без изоляционных прокладок.
На рис. 4 показаны два параметрических стабилизатора. Выходное напряжение для варианта с СТД равно:
Поскольку Uбэ гуляет в зависимости от температуры и коллекторного тока, то у схемы с СТД разброс выходного напряжения будет больше, а потому вариант с СТШ предпочтительней.
Рис. 3. Варианты выходных эмиттерных повторителей на СТ
Рис. 4. Применение СТ в качестве регулятора в линейном стабилизаторе
Для коммутации электромеханических приводов и, тем более, в импульсных схемах следует использовать готовые СТ с нормированными параметрами включения и выключения, паразитными ёмкостями. Типичный пример – широко распространённые импортные комплементарные СТД серии TIP12х.
Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: S9014
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
- Корпус транзистора: SOT23
Транзистор S9014 можно заменить на KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, KTC9014, MPSA42, MPSA43, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, SS9014
↑ Техническое задание
Как всегда, считаю, что любительская конструкция, как правило, должна быть простой, дешевой, технологичной, состоять из недефицитных деталей. Кроме того, я давно пришел к выводу, что для подобных целей лучше делать небольшие простые платы без блока питания, без цифрового индикатора, без сложного корпуса. Достаточно предусмотреть зажимы для подключения внешнего лабораторного регулируемого блока питания, индикатора в виде простого цифрового тестера или стрелочного прибора, при необходимости — осциллографа и т. п.
Такие приборы быстро делаются и переделываются, а главное — они работают и приносят пользу. Если же задумать многофункциональный самодостаточный прибор в отдельном красивом корпусе, он обычно так и останется в прожектах. Кроме того, если прибор сделан, вдруг оказывается, что надо добавить еще одну функцию, например, капацитовизор, а места на передней панели уже нет и дизигн надо портить… Поэтому я считаю, что неказистые любительские узкофункциональные изделия имеют право на жизнь.
Итак, задумана проверка кремниевых транзисторов в режиме — ток 200 мА, напряжение К-Э = 2 В. Оперативно можно изменять ток в диапазоне примерно 150…300 мА, напряжение К-Э до 5…7 В. Можно проверять (чуть изменив настройки) составные транзисторы с двумя последовательными P-N переходами.
Тумблером можно изменить ток, например, в 10 раз. Это позволит проверять и маломощные транзисторы при токе 15…30 мА (заменой одного резистора можно установить любой разумный ток). Важным считаю удобство подключения любых транзисторов. Для транзисторов КТ814-819 на плате стоят панельки, для мощных транзисторов в корпусах типа ТО-247, ТО-3Р, есть зажимы. В них устанавливают провода с «крокодилами», которые позволяют подключать транзисторы в корпусе ТО-3, любые транзисторы с гнутыми паяными выводами и т. д.
Изменение напряжения К-Э осуществляется внешним источником питания, цель – проверка идентичности режимов при большем напряжении и значительном нагреве транзисторов. При 5 В и 200 мА получаем предельную мощность для КТ814 без теплоотвода — 1 Вт. Для бОльших корпусов без теплоотводов тепловая мощность обычно = 2 Вт.
Легко заметить, что усиление транзистора зависит в некоторых пределах как от напряжения, так и от температуры, поэтому определение абсолютного значения усиления транзистора с помощью микропроцессора с точностью до седьмого знака, не имеет смысла. По этой причине выбрано простейшее схемное решение, которое дает достаточную для практики точность и позволяет обойтись без ОУ, МК и нескольких источников питания. Для измерения тока базы годится любой цифровой тестер, например, М-832.
Маркировка
Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.
КТ315 — аналоги отечественные и зарубежные
Но так как главной темой статьи является не КТ315 — аналоги для этого транзистора, то следует уже уделить внимание и основной теме. Итак, вот список аналогов:
- Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления. Если сравнивать с КТ315, аналог зарубежный довольно дорогой. Но он имеет то преимущество, что при пайке и перепайке не так быстро выходит из строя (что не в последнюю очередь благодаря его увеличенной и укреплённой конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность — 0,25. На направление «коллектор-база» может подаваться до 50 Вольт. На коллектор-эмиттер — до 45 Вольт. Максимальное напряжение для направления эмиттер-база составляет 6 Вольт. Коллекторный переход имеет ёмкость 8. Предельная температура перехода составляет 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока — 200.
- Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены. Значение максимальной рассеиваемой мощности составляет 0,18. Максимально допустимое напряжение на коллектор-базу и коллектор-эмиттер — 40 Вольт. Эмиттер-база — всего 6 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 8. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока — 90.
- Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что он для КТ315 — аналог отечественный будет неверно, ведь исторически так сложилось, что подобные детали изготавливались одного вида, который соответствует всем необходимым запросам и может выполнить возложенные на него функции. Дело в том, что просто КТ3102 не существует, обязательно вслед идёт ещё одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Более детальную информацию вы сможете получить, просматривая каждый транзистор. Отечественная разработка является усовершенствованным КТ315. Аналог в этом случае — слово не совсем уместное, скорее, усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 составляет 0,25. На коллектор-базу может подаваться максимальное напряжение в 20-50 Вольт. Максимальное напряжение, которое можно подавать на коллектор-эмиттер, тоже составляет 20-50 Вольт. Максимальное напряжение на эмиттер-базу составляет 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода равняется 6. Предельная температура перехода — 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока равняется 100.
- Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность — 0,1. Напряжение на направлении коллектор — база не должно превышать 40 Вольт. Максимальное напряжение на направлении коллектор — эмиттер не должно быть больше 15 Вольт. Для направления эмиттер — база это значение не должно превышать 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 6 единиц. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока равен 35.
