Биполярный транзистор 2SC3281 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3281
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 270
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: X104
2SC3281
Datasheet (PDF)
..1. 2sc3281.pdf Size:134K _mospec
AAA
..2. 2sc3281.pdf Size:190K _jmnic
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3281 DESCRIPTION With TO-3PL package Complement to type 2SA1302 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol 3
..3. 2sc3281.pdf Size:202K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3281DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 3.0V(Max)@ I = 10A, I = 1ACE(sat) C BHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fid
8.1. 2sc3280.pdf Size:25K _wingshing
2SC3280 NPN PLANAR SILICON TRANSISTORAUDIO POWER AMPLIFIERDC TO DC CONVERTER 2-21F1A High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SA1301ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25CC)CCCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 160 V Collector-Emitter Voltage VCEO 160 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 12 A Collec
8.2. 2sc3284.pdf Size:28K _sanken-ele
LAPT 2SC3284Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1303)Application : Audio and General Purpose(Ta=25C) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics External Dimensions MT-100(TO3P)Symbol Ratings Symbol Conditions Ratings UnitUnit0.24.80.415.60.1VCBO 150 ICBO VCB=150V 100max A 9.6 2.0VVCEO 150 IEBO VEB=5V 100max
8.3. 2sc3285.pdf Size:198K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3285DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-V = 800V(Min)CEO(SUS)High Speed SwitchingGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector
8.4. 2sc3284.pdf Size:202K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3284DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = 150V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1303Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU
8.5. 2sc3280.pdf Size:202K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3280DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 160V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 8ACE(sat) CComplement to Type 2SA1301Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity au
Другие транзисторы… 2SC3279L
, 2SC3279M
, 2SC3279N
, 2SC3279P
, 2SC328
, 2SC3280
, 2SC3280O
, 2SC3280R
, C945
, 2SC3281O
, 2SC3281R
, 2SC3282
, 2SC3282A
, 2SC3283
, 2SC3283A
, 2SC3284
, 2SC3285
.
5.2. Схема с эмиттерной стабилизацией
Схема эмиттерной стабилизацией (ЭС) имеет три сопротивления: R’Б, R»Б и RЭ. индексы отражают названия электродов, к которым подключены эти сопротивления, рис. 5.3:
Рис. 5.3. Схема эмиттерной стабилизации, транзистор включен по схеме с ОЭ.
Элементы одного каскада условно отделены от другого пунктирными линиями. Нагрузкой каскада может быть аналогичный каскад; тогда вместо RH будем указывать RВХ.СЛ – входное сопротивление следующего каскада.
Известно, что для БТ характерным является наличие заметного входного тока iВХ.0 = iБ0, как было отмечено выше через сопротивление RЭ приходит сумма токов: iЭ0 = iБ0 + iК0. отпирающее напряжение смещения (между базой и эмиттером) UСМ = UБ0 должно быть положительным для транзистора n-p-n, а для транзистора p-n-p – отрицательным:
UБ0 = [UR»Б – URЭ] = iДЕЛ ·R»Б – iЭ0 ·RЭ = [iДЕЛ ·R»Б – (iK0 – iБ0)]; (5.1)
Должно выполняться условие:
|UR»Б| > |URЭ|;
Здесь R’Б и R»Б – делитель напряжения в цепи базы. Для БТ при расчетах иногда удобнее использовать вместо напряжения UБ0, ток смещения iБ0. Эти величины однозначно связаны входной характеристикой, рис. 5.2а.
Данная схема обеспечивает не только необходимое смещение для транзистора, но и стабилизирует положение РТ при действии дестабилизирующих факторов (температуры, нестабильности источника питания, старения элементов схемы, разброса параметров транзистора и др.). Например, при увеличении тока iК0 величина UБ0 уменьшается, в управлении (5.1) и наоборот. Это стабилизирует положение РТ и можно сказать является результатом введения ООС. Напряжение обратной связи создаётся на сопротивлении RЭ:
UСВ = ∆iK0· RЭ. (5.2)
где ∆iK0 – изменение тока коллектора. С увеличением RЭ возрастает UСВ и её глубина:
; (5.3)
здесь – эквивалентное сопротивление делителя; h21Э – статический коэффициент усиления по току БТ в схеме с общим эмиттером; RВХ.Э – входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером. Из уравнения (5.2) видно, что с увеличение RЭ возрастает UСВ и её глубина, уравнение (5.3). Напряжение ООС подаётся на вход транзистора через сопротивление делителя R’Б и R»Б. Чем меньше эти сопротивления, тем эффективнее работает данная схема, тем лучше стабилизация режима. Однако выбирать очень малыми сопротивления в цепи базы нельзя, т.к. эти сопротивления шунтируют вход УЭ и уменьшают передаваемое на вход напряжение сигнала. Данная схема является одной из самых эффективных схем, используемых в радиоэлектронике.
5.6. Особенности цепей питания и смещения в каскадах на полевых транзисторах
В режимах усиления ПТ могут работать без входных токов и поэтому рассматриваются как приборы, управляемые напряжением: RУПР = RЗ затвора. Это является основным их отличаем от БТ. Такие условия работы обеспечиваются при подаче на входной электрод определённого по знаку напряжения смещения. Рабочая точка выбирается на наиболее крутом и линейном участке характеристики подачей противоположного (по сравнению EП и U) по знаку напряжения смещения. Обычная схема резистивных каскадов на ПТ аналогична схеме каскада на БТ, рис. 5.7.
Рис. 5.7. Схема резистивного каскада на ПТ
Элементом связи является резистор RС. Для получения нужного по знаку и величине смещения при использование ПТ с p-n переходом в цепь истока включается резистор RИ, на котором постоянная составляющая выходного тока iС создаёт напряжение, равное необходимому смещению:
UЗ0 = iC0·RИ
При этом резистор RЗ соединяет управляющий электрод (затвор) с общей для входа и выхода заземленной точкой. Небольшие токи утечки на этом резисторе не должны создавать заметного напряжения:
iУТ·RЗ ≈ 0;
т.е. величина RЗ должна быть ограничена и указывается в справочнике для используемого ПТ. Током утечки iУТ для ПТ является обратный ток запертого p-n перехода затвор-канал. Резистор в цепи истока шунтируют большей ёмкостью СИ.
В рассматриваемой схеме можно увеличить стабильность, если ввести ООС по постоянному току путём включения делителя в цепь затвора (пунктир, рис. 5.7) Для ПТ с изолированным затвором и встроенным каналом, работающих в режиме обеднения, схема цепей питания имеет вид, показанный на рис.5.7 (без R′З). При работе ПТ в режиме обогащения, а также для ПТ с индуцированным каналом могут быть использованы схемы, аналогичные БТ, рассмотренных выше.
Классификация выходных каскадов
Есть несколько методов сборки выходного каскада:
- Из транзисторов, имеющих различную проводимость. Для этих целей чаще всего используют «комплементарные» (близкие по параметрам) транзисторы.
- Из транзисторов, имеющих одинаковую проводимость.
- Из транзисторов составного типа.
- Из полевых транзисторов.
Работа усилителя, сконструированного, при помощи комплементарных транзисторов, отличается простотой: положительная сигнальная полуволна запускает работу одного транзистора, а отрицательная — другого. Необходимо, чтобы плечи (транзисторы) работали в одинаковых режимах и для реализации этого используется базовое смещение.
Если усилитель использует в работе одинаковые транзисторы, то никаких принципиальных отличий от первого варианта это не имеет. За исключением того факта, что для подобных транзисторов сигнал отличаться не должен.
При работе с остальными разновидностями усилителей необходимо помнить, что отрицательное напряжение для p-n-p транзисторов, и положительное — для n-p-n транзисторов.
Обычно звание усилителя мощности принадлежит именно оконечному каскаду, поскольку он работает с самыми большими величинами, хотя с технической точки зрения так можно называть и предварительные каскады. К числу основных показателей усилителя можно отнести: полезную, отдаваемую в нагрузку мощность, КПД, полосу усиливаемых частот, коэффициент нелинейных искажений. На эти показатели весьма сильно влияет выходная характеристика транзистора. При создании усилителя напряжения может быть использована однотактная и двутактная схемы. В первом случае режим работы усилителя линейный (класс А). Данная ситуация характеризуется тем, что протекание тока по транзистору длится до тех пор пока не окончится период входного сигнала.
Однотактный усилитель отличается высокими показателями по линейности. Однако эти качества могут искажаться при намагничивании сердечника. Для предотвращения подобной ситуации необходимо озаботиться наличием цепи трансформатора с высоким уровнем индуктивности для первичной цепи. Это отразится на размерах трансформатора. К тому же, ввиду принципа его работы, он обладает достаточно низким КПД.
В сравнении с ним данные по двутактному усилителю (класс B) куда выше. Данный режим позволяет искажать форму транзисторного тока на выходе. Это увеличивает результат отношения переменного и постоянного токов, снижая вместе с тем уровень потребляемой мощности, это и считается самым главным плюсом применения двутактных усилителей. Их работа обеспечивается подачей двух равных по значению, но фазно противоположных напряжений. Если отсутствует трансформатор со средней точкой, то можно воспользоваться фазоинверсным каскадом, который снимет противоположные по фазе напряжения с соответственных резисторов цепей коллектора и эмиттера.
Существует двухтактная схема, не включающая в себя выходной трансформатор. Для этого потребуются разнотипные транзисторы, работающие как эмиттерные повторители. Если оказывать воздействие двуполярным входным сигналом, то будет происходить поочерёдное открытие транзисторов, и расхождение токов по противоположным направлениям.
5.5. Схема с коллекторной стабилизацией
В схеме с коллекторной стабилизацией в цепи эмиттера отсутствует сопротивление: RЭ = 0, рис. 5.6, а вход схемы и выход соединяются сопротивлением RБ.
Рис. 5.6. Схема с коллекторной стабилизацией
Ток смещения в этой схеме равен:
;
и уменьшается при увеличении (изменение – в общем случае). В этом проявляется ООС; по способу снятия и введения это параллельная ООС. Глубина этой обратной связи равна:
; (5.4)
Данная схема отличается простотой, обеспечивает стабилизацию режима до 30°С, но имеет существенный недостаток – вследствие ООС по переменному току через сопротивление RБ, малый коэффициент усиления. Для этого в цепи базы включают RC – фильтр, устраняющий ООС по переменному току.
