Рабочие режимы IRF740
Uзи (напряжение) бывает или нулевым, или обратным. Второе помогает прикрыть транзистор, поэтому и применяется внутри усилителей группы А и иных схемах с плавным регулированием.
В так называемом режиме отсечки Uзи=Uотсечки. Тогда для всех приборов оно разное, хоть и прилагается в обратную сторону.
Типы подключений
По аналогии с биполярниками, у рассматриваемого устройства есть 3 варианта подключения:
- С одним истоком. Самая распространенная схема, усиливает ток и мощность.
- С одним затвором. Непопулярный вариант. Небольшое напряжение входа, усиление отсутствует.
- С одним стоком. Напряжение усиливается почти на 100%, сильное сопротивление входа, маленькое — выхода. По-другому схема называется токовым повторителем.
Как проверить устройство с помощью мультиметра
Основная часть полевиков проверяется с помощью стандартного мультиметра. Первым делом нужно проверить, как работает так называемый диод-паразит, соединяющий выводы истока и стока. Далее — проверьте как мофсет открывают и закрывают одновременным быстрым прикосновением щупов оборудования к контактам G и S.
Если такая подача положительного заряда на первый вывод открывает транзистора, а между первым и вторым возникает короткое замыкание, значит, устройство находится в рабочем состоянии. При проблемах с его открытием, он нерабочий.
Но чтобы провести полноценную проверку мофсета, не достаточно одного мультиметра. Чтобы его открыть, на затворе должно быть напряжение максимум 4-5 В, а мультиметр выдает всего лишь 0,3. Так что, для проверки нужен запас источников питания, к примеру, стандартная крона.
Если быстро коснуться с помощью “минусовой” клеммы этой кроны контакта И, или “плюсово” — G, открывается транзистора. При этих условиях ток движется в 2 направлениях, можно сказать об исправности транзистора. До проверки на степени закрытия и открытия, проверьте, исправен ли паразитный диод. Взгляните на схему.
H8050 Datasheet (PDF)
1.1. lh8050qlt1g.pdf Size:211K _lrc
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
LH8050PLT1G
Series
NPN Silicon
S-LH8050PLT1G
FEATURE Series
High current capacity in compact package.
IC =1.5A.
3
Epitaxial planar type.
NPN complement: LH8050
Pb-Free Package is available.
1
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and
2
Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
1.2. lh8050plt1g.pdf Size:237K _lrc
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
LH8050PLT1G
Series
NPN Silicon
S-LH8050PLT1G
FEATURE
High current capacity in compact package.
Series
IC =1.5A.
Epitaxial planar type.
NPN complement: LH8050
3
Pb-Free Package is available.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and
1
Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PP
1.3. h8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H8050S
█ APPLICATIONS
Audio Frequency Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation……………………
1.4. h8050.pdf Size:137K _shantou-huashan
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H8050
█ NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE RADIOS IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipatio
1.5. h8050.pdf Size:788K _kexin
SMD Type Transistors
NPN Transistors
H8050
■ Features
1.70 0.1
● Collector Power Dissipation: PC=1W
● Collector Current: IC=1.5A
Comlementary to H8550
●
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 40 V
Collector-emitter voltage VCEO 25 V
Emitter-base voltage VEBO 5 V
C
Типы транзисторов
В настоящее время находят применение транзисторы двух видов — биполярные и полевые. Биполярные транзисторы появились первыми и получили наибольшее распространение. Поэтому обычно их называют просто транзисторами. Полевые транзисторы появились позже и пока используются реже биполярных.
В таблице ниже представлена цветовая маркировка транзисторов:
Цветовая маркировка транзисторов
Биполярные транзисторы
Биполярными транзисторы называют потому, что электрический ток в них образуют электрические заряды положительной и отрицательной полярности. Носители положительных зарядов принято называть дырками, отрицательные заряды переносятся электронами.
В биполярном транзисторе используют кристалл из германия или кремния — основных полупроводниковых материалов, применяемых для изготовления транзисторов и диодов. Поэтому и транзисторы называют одни кремниевыми, другие — германиевыми. Для обоих разновидностей биполярных транзисторов характерны свои особенности, которые обычно учитывают при проектировании устройств.
Слово “транзистор” составлено из слов TRANSfer и resISTOR – преобразователь сопротивления. Он пришел на смену лампам в начале 1950-х. Это прибор с тремя выводами, используется для усиления и переключения в электронных схемах.
Для изготовления кристалла используют сверхчистый материал, в который добавляют специальные строго дозированные; примеси. Они и определяют появление в кристалле проводимости, обусловленной дырками (р-проводимость) или электронами (n-проводимость).
Таким образом формируют один из электродов транзистора, называемый базой. Если теперь в поверхность кристалла базы ввести тем или иным технологическим способом специальные примеси, изменяющие тип проводимости базы на обратную так, чтобы образовались близколежащие зоны n-р-n или р-n-р, и к каждой зоне подключить выводы, образуется транзистор.
Классификация биполярных транзисторов.
Одну из крайних зон называют эмиттером, т. е. источником носителей заряда, а вторую — коллектором, собирателем этих носителей. Зона между эмиттером и коллектором называется базой. Выводам транзистора обычно присваивают названия, аналогичные его электродам. Усилительные свойства транзистора проявляются в том, что если теперь к эмиттеру и базе приложить малое электрическое напряжение — входной сигнал, то в цепи коллектор — эмиттер потечет ток, по форме повторяющий входной ток входного сигнала между базой и эмиттером, но во много раз больший по значению.
Для нормальной работы транзистора в первую очередь необходимо подать на его электроды напряжение питания. При этом напряжение на базе относительно эмиттера (это напряжение часто называют напряжением смещения) должно быть равно нескольким десятым долям вольта, а на коллекторе относительно эмиттера — несколько вольт.
Включение в цепь n-р-n и р-n-р транзисторов отличается только полярностью напряжения на коллекторе и смещения. Кремниевые и германиевые транзисторы одной и той же структуры отличаются между собой лишь значением напряжения смещения. У кремниевых оно примерно на 0,45 В больше, чем у герма ниевых.
HE8050 Datasheet (PDF)
1.1. he8050l.pdf Size:19K _utc
UTC HE8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC HE8050 is a low voltage high current small
signal NPN transistor, designed for Class B push-pull 2W
audio amplifier for portable radio and general purpose
applications.
1
FEATURES
*Collector current up to 1.5A
*Collector-Emitter voltage up to 25 V
*Complimentary to U
1.2. he8050.pdf Size:216K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
HE8050 NPN SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH
CURRENT SMALL SIGNAL
NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC HE8050 is a low voltage high current small signal NPN
transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for
portable radio and general purpose applications.
FEATURES
*Collector current up to 1.5A
*Collector-Emitter volta
1.3. he8050s.pdf Size:54K _hsmc
Spec. No. : HE6110
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.09.30
Revised Date : 2004.07.26
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HE8050S
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HE8050S is designed for general purpose amplifier applications.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature ………………………………………………………….
1.4. he8050.pdf Size:46K _hsmc
Spec. No. : HE6112
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.09.30
Revised Date : 2004.11.29
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/4
HE8050
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HE8050 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B
push-pull operation.
TO-92
Features
• High total power dissipation (PT: 2W, TC=25°C)
• High collector current (IC: 1.5A)
C8050D Datasheet (PDF)
0.1. c8050b c8050c c8050d.pdf Size:120K _usha
Transistors
C8050
www.DataSheet4U.com
www.DataSheet4U.com
9.1. tpc8050-h.pdf Size:207K _toshiba
TPC8050-H
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅥ-H)
TPC8050-H
Switching Regulator Applications
Motor Drive Applications
Unit: mm
DC-DC Converter Applications
• Small footprint due to a small and thin package
• High-speed switching
• Small gate charge: QSW = 9.2 nC (typ.)
• Low drain-source ON-resistance:
RDS (ON) = 9.3 mΩ (typ.)
•
9.2. utc8050s.pdf Size:23K _utc
UTC 8050S NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT
SMALL SIGNAL NPN
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC8050S is a low voltage high current small signal
NPN transistor, designed for Class B push-pull audio
amplifier and general purpose applications.
FEATURES
*Collector current up to 800mA
*Collector-Emitter voltage up to 20 V
TO-92
*Complementary to UTC 8550S
1:EMITTER
9.3. ktc8050a.pdf Size:48K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050A
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
·Complementary to KTC8550A.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25℃) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.0
9.4. ktc8050.pdf Size:38K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
Complementary to KTC8550.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.00 + 0.
9.5. ktc8050s.pdf Size:393K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
E
L B L
Complementary to KTC8550S.
DIM MILLIMETERS
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
C 1.30 MAX
2
3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
1
G 1.90
H 0.95
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
J 0.13+0.10/-0.05
K 0.00 ~ 0.10
VCBO
Collector-Base Voltag
9.6. stc8050n.pdf Size:242K _blue-rocket-elect
STC8050N
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• High current application
• Radio in class B push-pull operation
Feature
• Complementary pair with STA8550N
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STC8050N STC8050 TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20~4.40
2.25 Max.
0.52 Max.
0.90 Max.
1.27 Typ.
0.40 Max.
1 2 3
3.55
9.7. hc8050s.pdf Size:130K _shantou-huashan
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HC8050S
█ APPLICATIONS
Audio Frequency Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation……………………
9.8. hc8050.pdf Size:137K _shantou-huashan
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HC8050
█ NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2W OUTPUT AMPLIFIER PORTABLE RADIO IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ TO-92
Tj——Juncttion Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation
9.9. ftc8050h.pdf Size:352K _first_silicon
SEMICONDUCTOR
FTC8050H
TECHNICAL DATA
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
3
High current capacity in compact package.
I C
=1.5A.
1
Epitaxial planar type.
2
PNP complement: FTA8550H
Pb-Free Package is available.
SOT–23
COLLECTOR
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
3
Shipping
Device Marking
1
FTC8050H 1FC 3000/Tape&Reel
BASE
2
E
9.10. ftc8050.pdf Size:222K _first_silicon
SEMICONDUCTOR
FTC8050
TECHNICAL DATA
TRANSISTOR (NPN)
FTC8050
B C
FEATURES
Complimentary to FTA8550
Collector current: IC=0.5A
DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
B 4.80 MAX
G
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
C 3.70 MAX
D
D 0.55 MAX
Symbol Parameter
Value Unit E 1.00
F 1.27
G 0.85
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
H 0.45
_
H
J 14.00 0.50
+
VCEO Col
9.11. dc8050.pdf Size:62K _dc_components
DC COMPONENTS CO., LTD.
DC8050
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in 2W output amplifier of portable
radios in class B push-pull operation.
TO-92
Pinning
.190(4.83)
1 = Emitter
.170(4.33)
2 = Base
2oTyp
3 = Collector
.190(4.83)
.170(4.33)
2oTyp
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.500
Characterist
KTC8050 Datasheet (PDF)
1.1. ktc8050a.pdf Size:48K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050A
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
·Complementary to KTC8550A.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25℃) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.0
1.2. ktc8050.pdf Size:38K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
Complementary to KTC8550.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.00 + 0.
1.3. ktc8050s.pdf Size:393K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8050S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
E
L B L
Complementary to KTC8550S.
DIM MILLIMETERS
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
C 1.30 MAX
2
3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
1
G 1.90
H 0.95
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
J 0.13+0.10/-0.05
K 0.00 ~ 0.10
VCBO
Collector-Base Voltag
M8050 Datasheet (PDF)
1.1. m8050-d.pdf Size:271K _mcc
MCC
Micro Commercial Components
TM
M8050-C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
M8050-D
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
NPN Silicon
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
• Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating an
1.2. m8050-c.pdf Size:271K _mcc
MCC
Micro Commercial Components
TM
M8050-C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
M8050-D
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
NPN Silicon
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
• Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating an
1.3. m8050.pdf Size:365K _secos
M8050
40V, 0.8A, 200mW
NPN Plastic Encapsulate Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
SOT-23
FEATURES
A
Power dissipation
L
3
3
Top View C B
MARKING
1
1 2
Product Marking Code
2
K E
M8050 Y11
D
H J
F G
PACKAGE INFORMATION
Millimeter Millimeter
Package MPQ Leader Size REF. REF.
Min.
1.4. m8050s.pdf Size:512K _jiangsu
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
TO-92
M8050S TRANSISTOR (NPN)
1.EMITTER
FEATURES
Power Dissipation 2. COLLECTOR
3. BASE
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Curr
1.5. m8050.pdf Size:479K _htsemi
M8050
TRANSISTOR(NPN)
SOT-23
FEATURES
Power dissipation
1. BASE
2. EMITTER
MARKING: Y11
3. COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current -Continuous 0.8 A
PC Collector Power Dissipation 0.2 W
Tj Junction
1.6. m8050.pdf Size:292K _gsme
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM8050
FEATURES
■FEATURES 特點
FEATURES
Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大
Suitable for Driver Stage of Small Motor 小馬達驅動
Complementary to GM8550 与 GM8550 互补
(Ta=25 )
■最大
1.7. m8050 sot-23.pdf Size:234K _lge
M8050
SOT-23 Transistor(NPN)
SOT-23
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
Features
Power dissipation
MARKING: Y11
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current -Continuous 0.8 A
PC
1.8. m8050 to-92.pdf Size:200K _lge
M8050(NPN)
TO-92 Transistors
TO-92
1.
EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
Features
Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current -Continuous 800 mA
PC Collector Power Dissipation 625 mW
Dimensions i
1.9. m8050lt1.pdf Size:325K _wietron
M8050LT1
NPN General Purpose Transistors
3
P b Lead(Pb)-Free
1
2
SOT-23
Value
V
CEO 25
40
5.0
800
300
2.4
417
0.1
25
100 40
5.0
100
0.15
u
35
u
4.0 0.15
WEITRON
1/4 15-Jul-10
http://www.weitron.com.tw
M8050LT1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued)
Characteristics
Symbol Max UnitM
Min
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
—
1.10. gstm8050lt1.pdf Size:210K _globaltech_semi
GSTM8050LT1
NPN General Purpose Transistor
Product Description Features
This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 25V
amplifier and switch. Collector Current : 800mA
Lead(Pb)-Free
Packages & Pin Assignments
SOT-23
Pin Description
1 Base
2 Emitter
3 Collector
Marking Information
P/N Package Rank Part Marking
GSTM8050LT1F SOT-23 P 80P
Достоинства и недостатки
Основной плюс всех ролевиков — высокий уровень входного сопротивления. Сопротивлением выхода называется соотношение силы тока с напряжением затвора-истока.
Суть работы прибора состоит в том, что им управляет электрическое поле, образующееся, когда прикладывается напряжение. Иными словами, полевиками управляет напряжение.
Полевики почти не тратят электричество, что уменьшает потери управления, изменение сигналов, перегруженность по току, исходящему от сигнального источника.
Средние показатели частоты полевиков намного превосходят биполярники. Это вызвано тем, что рассасывание заряда происходит быстрее. Ряд современных биполярников по основным характеристикам не уступают полевикам, за счет использования современных усовершенствованных технологий и сужения базы.
Транзисторы почти бесшумны. Дело в том, что в них практически нет инжекции заряда.
Устройство стабильно работает при температурных перепадах. Оно потребляет невысокую мощность состоянии проводника, что увеличивает КПД.
Основной минус — в том, что у таких транзисторов есть своего рода боязнь статики. То есть, если наэлектризовать руки и притронуться к прибору, он перестанет работать. Это называется результатом управления ключом посредством поля.
Поэтому для работы с транзисторами необходимы перчатки из диэлектрических материалов. Мало того, они должны заземляться с помощью специального браслета, с помощью паяльника с низким напряжением, у которого изолировано жало.
Транзисторные выводы нужно обмотать проволокой. Это приведёт к временному короткому замыканию при монтаже. Для современных приборов это почти безопасно, так как в них входят элементы для защиты, например, стабилитроны. Их задача — сработать при возрастании напряжения.
Бывают случаи, когда радиоэлектроники излишне опасаются, поэтому надевают на голову шапки, изготовленные из фольги. Инструкцию, конечно, нужно соблюдать, но это не говорит о том, что при минимальном отклонении от нее сразу сломается прибор.
