Datasheet 2sc5171 pdf ( даташит )

Пошаговая инструкция проверки мультимером

Перед началом проверки, прежде всего определяется структура триодного устройства, которая обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Когда направление стрелки указывает на базу, то это вариант PNP, направление в сторону, противоположную базе, обозначает NPN проводимость.

Проверка мультимером NPN транзистора состоит из таких последовательных операций:

Проверяем обратное сопротивление, для этого присоединяем «плюсовой» щуп прибора к его базе.
Тестируется эмиттерный переход, для этого «минусовой» щуп подключаем к эмиттеру.
Для проверки коллектора перемещаем на него «минусовой» щуп.

Результаты этих измерений должны показать сопротивление в пределах значения «1».

Для проверки прямого сопротивления меняем щупы местами:

«Минусовой» щуп прибора присоединяем к базе.
«Плюсовой» щуп поочередно перемещаем от эмиттера к коллектору.
На экране мультиметра показатели сопротивления должны составить от 500 до 1200 Ом.

Данные показания свидетельствуют о том, что переходы не нарушены, транзистор технически исправен.

Многие любители имеют сложности с определением базы, и соответственно коллектора или эмиттера. Некоторые советуют начинать определение базы независимо от типа структуры таким способом: попеременно подключая черный щуп мультиметра к первому электроду, а красный – поочередно ко второму и третьему.

База обнаружится тогда, когда на приборе начнет падать напряжение. Это означает, что найдена одна из пар транзистора – «база – эмиттер» или «база – коллектор». Далее необходимо определить расположение второй пары таким же образом. Общий электрод у этих пар и будет база.

Datasheet Download — Toshiba Semiconductor

Номер произв

2SC5171

Описание

NPN EPITAXIAL TYPE (POWER/ DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)

Производители

Toshiba Semiconductor

логотип

1Page

No Preview Available !

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5171
Power Amplifier Applications
Driver Stage Amplifier Applications
2SC5171
Unit: mm

• High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.)

• Complementary to 2SA1930

Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power
dissipation
Ta = 25°C
Tc = 25°C

VCBO

VCEO

VEBO

180 V
180 V
5V
2A
1A
2.0
W
20
JEDEC
―
Junction temperature
Storage temperature range

Tj 150 °C

Tstg

−55 to 150

°C
JEITA
TOSHIBA
―
2-10R1A
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
Weight: 1.7 g (typ.)
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
1 2006-11-10
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

No Preview Available !

Electrical Characteristics (Tc = 25°C)

Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
Test Condition

ICBO

IEBO

V (BR) CEO

hFE (1)

hFE (2)

VCE (sat)

VBE

Cob

VCB = 180 V, IE = 0

VEB = 5 V, IC = 0

IC = 10 mA, IB = 0

VCE = 5 V, IC = 0.1 A

VCE = 5 V, IC = 1 A

IC = 1 A, IB = 0.1 A

VCE = 5 V, IC = 1 A

VCE = 5 V, IC = 0.3 A

VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz

Marking
2SC5171
Min Typ. Max Unit

― ― 5.0 μA

180 ―

―
V

100 ― 320

50 ― ―

― 0.16 1.0

― 0.68 1.5

― 200 ― MHz

― 16 ― pF

C5171
Part No. (or abbreviation code)
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
2 2006-11-10
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

No Preview Available !

2.0

150
100
1.6

IC – VCE

50
40
30
20

1.2 10

8
6
0.8
4
IB = 2 mA
0.4
Common emitter
Tc = 25°C

0 2 4 6 8 10

Collector-emitter voltage VCE (V)

2SC5171

IC – VBE

2.0
1.6
1.2
Tc = 100°C
25°C
0.8

−25°C

0.4
Common emitter
VCE = 5 V

0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0

Base-emitter voltage VBE (V)

VCE (sat) – IC

1
0.1
0.01
0.01
Tc = 100°C
Tc = 25°C

Tc = −25°C

Common emitter
IC/IB = 10
0.1 1
10

Collector current IC (A)

Safe Operating Area

5 IC max (pulsed)*

3 10 ms*

IC max
(continuous)
1
DC operation
0.5 Tc = 25°C
0.3

100 μs*

1 ms*

100 ms*

0.1
0.05
0.03

*: Single nonrepetitive pulse

Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in

0.01 temperature.

VCEO max
3 10 30 100 300 1000

Collector-emitter voltage VCE (V)

1000

hFE – IC

300 Tc = 100°C

100
Tc = 25°C
30

Tc = −25°C

10
3
0.01
Common emitter
VCE = 5 V
0.1 1 10

Collector current IC (A)

3 2006-11-10
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

Всего страниц

4 Pages

Скачать PDF

Модификации (версии) транзистора

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	h_FE	f_T	C_ob	NF	U_CE(sat)	Корпус	Примечание
C1815	0,625	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3	—	≤ 0,25	TO-92	Группы по h_FE: O/Y/GR/BL
2SC1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130…400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группы по h_FE: L/HМаркировка: HF
2SC1815	0,2	60	50	5	0,15	125	130…400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группа L по h_FE: маркировка: HFL.Группа H маркировка: HF
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3,5	1…10	≤ 0,25	TO-92	Группы по h_FE: O/Y/GR/BL
2SC1815(L)	0,4	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 6	≤ 0,25	TO-92	Группы по h_FE: O/Y/GR/BL
2SC1815LT1	0,225	60	50	5	0,15	150	70…700	—	—	—	≤ 0,3	SOT-23	Маркировка: L6
2SC1815M (BR3DG1815M)	0,3	60	50	5	0,15	150	25…700	≥ 80	≤ 3,5	1…10	≤ 0,25	SOT-23	Группы по h_FE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB
2SC1815 M	0,3	45	40	5	0,1	125	70…700	≥ 80	≤ 3,5	—	≤ 0,4	TO-92B	Группы по h_FE: O/Y/GR/BL
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130…400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группы по h_FE: L/HМаркировка: HF
C1815T	0,4	60	50	5	0,15	125	70…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по h_FE: O/Y/GR
CSC1815	0,625	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по h_FE: O/Y/GR/BL
FTC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	70…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по h_FE: O/Y/GR/BL
KSC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3	1	≤ 0,25	TO-92	Группы по h_FE: O/Y/GR/L
KTC1815	0,625	60	50	5	0,15	150	25…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по h_FE: Y/GR

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Транзистор, который включен по схеме с общим эмиттером

В данной конфигурации вывод эмиттера является общим между выводами входа и выхода, как показано на рисунке 9. Эта конфигурация обеспечивает среднее полное сопротивление на входе, среднее полное сопротивление на выходе, средний коэффициент усиления тока и коэффициент усиления напряжения.

Рисунок 9 Схема с общим эмиттером

Характеристики входа

Рисунок 10 показывает характеристики входа для данной конфигурации, которая объясняет изменение в IB в соответствии с VBE, где VCE является постоянной.

Рисунок 10 Характеристики входа

Исходя из рисунка, сопротивление на входе может быть представлено как:

Характеристики выхода

Характеристики выхода у такой конфигурации (Рисунок 11) также рассматриваются как характеристики коллектора. Этот график показывает изменение в IC с изменениями в VCE, когда IB удерживается постоянной. Исходя из графика, можно получить сопротивление на выходе следующим образом:

Рисунок 11 Характеристики выхода

Характеристики передачи тока

Эти характеристики данной конфигурации показывают изменение IC с IB, удерживающим VCE в качестве постоянной. Это может быть математически выражено как:

Это соотношение рассматривается как коэффициент усиления тока с общим эмиттером, и оно всегда больше единицы.

Рисунок 12 Характеристики передачи тока

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

2SC5171 Datasheet (PDF)

..1. 2sc5171.pdf Size:113K _toshiba

2SC5171 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5171 Power Amplifier Applications Unit: mmDriver Stage Amplifier Applications High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.) Complementary to 2SA1930 Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 180 VCollector-emitter voltage VCEO 180 VEmitter-base voltage VEBO

..2. 2sc5171.pdf Size:170K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5171DESCRIPTIONHigh Transition Frenquency : f =200MHz(Typ.)TComplementary to 2SA1930100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

0.1. 2sc5171s.pdf Size:472K _blue-rocket-elect

2SC5171S(BR3DA5171SQ) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126 NPN Silicon NPN transistor in a TO-126 Plastic Package. / Features 2SA1930S(BR3CA1930SQ) High fT, complementary pair with 2SA1930S(BR3CA1930SQ). / Applications General power an

0.2. 2sc5171i.pdf Size:488K _blue-rocket-elect

2SC5171I(BR3DA5171I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 NPN Silicon NPN transistor in a TO-251 Plastic Package. / Features 2SA1930I(BR3CA1930I) High fT, complementary pair with 2SA1930I(BR3CA1930I). / Applications General power and d

8.1. 2sc5175.pdf Size:183K _toshiba

8.2. 2sc5174.pdf Size:172K _toshiba

8.3. 2sc5173.pdf Size:230K _toshiba

8.4. 2sc5172.pdf Size:191K _toshiba

8.5. 2sc5176.pdf Size:235K _toshiba

8.6. 2sc5179.pdf Size:57K _nec

DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5179NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGEFOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIONFEATURES Low current consumption and high gainPACKAGE DIMENSIONS|S21e|2 = 9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz (Units: mm)|S21e|2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz2.10.1 Small Mini-Mold package1.250.1EIAJ: SC-

8.7. 2sc5178.pdf Size:82K _nec

DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5178NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGEFOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIONFEATURES Low current consumption and high gainPACKAGE DIMENSIONS|S21e|2 = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz(Units: mm)|S21e|2 = 10.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz2.8 +0.2 0.3 4-pin Mini-Mold package1.5 +

8.8. 2sc5177.pdf Size:56K _nec

DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5177NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGEFOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIONFEATURES Low Current Consumption and High GainPACKAGE DIMENSIONS|S21e|2 = 9.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz (Units: mm)|S21e|2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz2.80.2 Mini-Mold package1.50.65+0.1 0.15EIAJ:

8.9. 2sc5177.pdf Size:906K _kexin

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC5177SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=10mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=3V+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO 5 Collect

8.10. 2sc5174.pdf Size:184K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5174DESCRIPTIONSilicon NPN epitaxial typeLow Collector Saturation VoltageHigh transition frequencyComplementary to 2SA1932Good Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicatio