2n2222 характеристики транзистора: аналоги, цоколевка

Аналоги и комплементарная пара

Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.

Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.

В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.

Характеристики и распиновка 2n3055

Как и другие транзисторы, El 2N3055 имеет 3 подключения для эмиттера, базы и коллектора. Мы уже обсуждали это в других статьях о транзисторах. Поэтому ноль сомнений в распиновке этого NPN транзистора. Конфигурация аналогична контакту 1 для базы, который будет использоваться в качестве переключателя для тока, проходящего через полупроводник или нет, контакт 2 является эмиттером (обычно соединенным с GND или землей), а коллектор, который на самом деле является TAB так как третьего пина нет (нормально подключен к питанию).

Можно использовать транзистор 2n3055 для цепей средней мощности, он безопасен, он имеет низкое насыщение между напряжением коллектор-эмиттер, доступна упаковка без свинца, он имеет коэффициент усиления более 70 hFE для постоянного тока (линейный), максимальное напряжение, которое может выдерживать или пропускать коллектор и эмиттер — 60 В для постоянного тока, такой же максимальный ток, который может проходить через коллектор, составляет 15 А.

Теме статьи:
Транзистор BC547: все, что вам нужно знать

Для базы ограничения в обоих случаях составляют 7 В (база-эмиттер) и 7 А постоянного тока. В случае наличия напряжения между коллектором и базой оно может достигать 100 В. Если мы посмотрим на температуру, при которой он может работать, диапазон будет между От -65 до + 200ºC. Таким образом, он без проблем работает при экстремальных температурах, что терпят не все электронные устройства, особенно если вы посмотрите на максимальную поддерживаемую температуру

Кстати, по рассеиваемой мощности она достигает 115Вт, что немаловажно ..

Обзор функций:

Тип: NPN
Для цепей средней мощности
Увеличение 70 hFE
Коллектор-эмиттер 60в DC
Ток коллектора 15 А постоянного тока
База-эмиттер 7в
База 7А
Коллектор-база 100в
Рабочая температура от -65 до + 200ºC
Рассеиваемая мощность 115 Вт
Металлическая оболочка

Эквивалентные и дополнительные

Для 2n3055 есть эквивалентные транзисторы. Вы можете использовать их как заменители типа 2n6673 и 2n6675. Другие подобные транзисторы, хотя и не такие, — это MJ10023, BUX98 и BDW51. Вы можете без проблем использовать их в своих схемах в качестве альтернативы, теперь вы должны хорошо прочитать таблицы данных всех из них, чтобы увидеть возможные различия, поскольку они могут быть разными в некоторых случаях и могут создавать проблемы в крайних случаях.

Если вам интересно о дополнительный, то есть наоборот, вы можете увидеть MJ2955. В данном случае это почти сестринский транзистор, идентичный по многим характеристикам, описанным в предыдущем разделе, но это биполярный PNP вместо NPN. Знание дополнений иногда может очень помочь нам в составлении схем, поэтому мы всегда включаем их в наши сообщения.

Даташит

к безопасно составлять схемы и поддерживать поддерживаемые диапазоны Для этого устройства вы должны увидеть спецификации этих устройств. Они могут быть изготовлены самыми разными производителями, и у всех из них есть свои спецификации, в которых могут быть некоторые различия. Freescale, STMicroelectronics и Siemens — одни из самых известных производителей, хотя их больше.

Теме статьи:
Транзистор 2Н2222: все, что нужно знать

Так что ваши будущие схемы переключения мощности, усилители, ШИМ, регуляторы, усилители сигналов и т. Д. схем, которые могут быть составлены с помощью 2n3055, вы можете получить спецификации здесь:

Различные таблицы данных от различных производителей.
Компания ON Semiconductor 2n3055: поскольку в других случаях мы использовали техническое описание ON Semiconductor для других электронных устройств, вот техническое описание этой компании для рассматриваемого транзистора …

Габариты транзистора КТ361 и КТ361-1

Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1), а также пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ361 и КТ361-1 приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ361 и КТ361-1

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,630 Вт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 150в.
Максимальное напряжение коллектор — база — 160в.
Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.
Коэффициент передачи тока — от 60 до 240.
Максимальный постоянный ток коллектора — 0,3А, 0,6А — пульсирующий.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 0,5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 1в.
Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.
Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 нА.

Производители и DataSheet

Выпуском рассматриваемого устройства занимаются много фирм. Перечислим наиболее крупные:

Fairchild Semiconductor;
KEC(Korea Electronics);
Guangdong Kexin Industrial;
Weitron Technology;
Foshan Blue Rocket Electronics.

В отечественных магазинах можно встретить транзистор 2N7002 выпущенный многими зарубежными компаниями:

ON Semiconductor;
Diodes Incorporated;
Micro Commercial Components;
Vishay Siliconix;
NXP Semiconductors;
Yangzhou yangjie electronic;
Pan Jit International;
Comchip Technology;
Infineon Technologies;
Central Semiconductor;
GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL;
Diotech Company;
Shenzhen Luguang Electronic Technology;
Microchip Technology.

Скачать datasheet на 2N7002 от каждого производителя можно по ссылка выше.

Преимущества схемы Дарлингтона

Транзисторы Дарлингтона используются так же, как одинарные биполярные. Их можно рассматривать как один транзистор с измененными параметрами

Наиболее важной особенностью такого изменения является умножение текущих коэффициентов усиления

Вернемся к примеру, приведенному в начале: объединив мощный транзистор с β = 40 с меньшим значением β, мы получим коэффициент усиления 1600. Для включения нагрузки, потребляющей 5 А, потребуется всего 3 мА — это ток, который успешно обеспечивает большинство микроконтроллеров.

Однако необходимо помнить, что транзисторы в этом соединении загружены неравномерно: большая часть тока проходит через T2. Это означает, что они не обязательно должны быть одного типа. Например, T1 может быть транзистором малой мощности с большим β, что делает результирующее усиление еще выше!

Зарубежные и отечественные аналоги транзистора КТ3102

Наиболее часто для замены КТ3102 используют элементы, приведенные в таблице 1.

Аналог	V_CEO	I_C	P_C	h_FE	f_T
КТ3102	50	0,2	0,25	100	100
Отечественный
КТ611Б	180	0,1	3	30	60
КТ315Б	20	0,1	0,15	50	250
КТ315Г	35	0,1	0,15	50	250
КТ315Е	35	0,1	0,15	50	250
Импорт
BC174	64	0,1	0,3	125	100
2SA2785
BC546	80	0,1	0,5	110	300
BC547	50	0,1	0,5	110	300
BC548	30	0,1	0,5	110	300
BC549	30	0,1	0,5	110	200
BC182	50	0,2	0,3	120	150

Таблица 1

Таблица 2 включает перечень элементов, схожих по электрическим параметрам, транзистору КТ3102 конкретной категории.

Группа	Аналоги
	Импорт	Отечественные
КТ3102АМ	2N4123, 2SC1815O, 2SC945O, 2SC945R, BC107AP, BC107АP, BC182A, BC183A, BC237A, BC238A, BC317, BC547A, BC548A, BC550A, BCY59-VII, BCY65-VII, MPS3709, SS9014A	КТ6111А
КТ3102БМ	2N2483 , 2N5210, 2SC1000GTM, 2SC1815, 2SC1815BL, 2SC1815GR, 2SC1815L, 2SC1815Y, 2SC828A, 2SC945G, 2SC945L, 2SC945Y, BC107BP, BC182B, BC182C, BC183B, BC183C, BC184A, BC237B, BC237C, BC318, BC337, BC382B, BC452, BC546B, BC547B, BC547C, BC550B, BC550C, BCY56, BCY59-IX, BCY59-VIII, BCY65-IX, BCY65-VII, BCY79, MPSA09, PN1484, SF132E, SS9014B, SS9014C, SS9014D	КТ3102БМ, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3117Б, КТ6111Б, КТ6111В, КТ6111Г, КТ660А
КТ3102ВМ	2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, 2SC828, BC108AP, BC108BP, BC238, BC238A, BC238B, BC238C, BC451, BC548A, BC548B, BC548C, BC549A, BC549B, BC549C, MPS3708, MPS3710, SF131E
КТ3102ГМ	2SC538, 2SC900, 2SC923, BC108CP, BC183C, BC238C, BC382C, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, SF131F, SF132F
КТ3102ДМ	2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, 2SC945, BC109BP, BC184A, BC239B, BC239C, BC383B, BC384B, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-X, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, PN1484
КТ3102ЕМ	2N5088, 2N5089, 2N5210, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BC549C, BCY57, BFX65, MPS6516, MPS6517
КТ3102ЖМ	BC239B, MPS6518
КТ3102ИМ	BC109BP
КТ3102КМ	BC109CP

Таблица 2

Биполярный транзистор 2SD667 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD667

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

2SD667
Datasheet (PDF)

..1. 2sd667.pdf Size:160K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD667 NPN SILICON TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL DESCRIPTION The UTC 2SD667 is a NPN epitaxial silicon transistor, which can be used as a low frequency power amplifier. FEATURES * Low frequency power amplifier ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SD667L-x-T9N-B 2SD6

..2. 2sd667.pdf Size:32K _hitachi

2SD667, 2SD667ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SB647/AOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD667, 2SD667AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD667 2SD667A UnitCollector to base voltage VCBO 120 120 VCollector to emitter voltage VCEO 80 100 VEmitter to base voltage VEBO 55V

0.1. 2sd667l.pdf Size:284K _mcc

MCCTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street Chatsworth2SD667LMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Low Frequency Power Amplifier NPN Complementary Pair with 2SB647/A Plastic-Encapsulate Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisture Sensitivity Level 1Transistor Lead Free Finish/Rohs Compl

0.2. 2sd667a-b-c-d 2sd667-b-c-d.pdf Size:557K _mcc

2SD667(A)-BMCCMicro Commercial ComponentsTM2SD667(A)-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SD667(A)-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingNPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Capable of 0.9Watts of Power Dissipation. Capable of 0.9Watts of Power Dissipation.Pla

0.3. 2sd667a.pdf Size:64K _secos

2SD667A 1A , 120V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES AD Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair with 2SB647A BKEFCLASSIFICATION OF hFE (1) CProduct-Rank 2SD667A-B 2SD667A-C 2SD667A-D Range 60~120 100~200 160~320 NG H1 Emitte

0.4. 2sd667-2sd667a to-92mod.pdf Size:257K _lge

2SD667/2SD667A TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE Features Low frequency power amplifier 5.8006.200 Complementary pair with 2SB647/A 8.400MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 8.8000.9001.100Symbol Parameter Value Units 0.400VCBO Collector- Base Voltage 120 V 0.600VCEO Collector-Emitter Voltage 2SD667 8

0.5. 2sd667-2sd667a to-92l.pdf Size:215K _lge

2SD667/2SD667A TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 4.7005.100 2 3 1Features7.800 Low frequency power amplifier 8.200 Complementary pair with 2SB647/A 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.350Symbol Parameter Value Units0.55013.80014.200VCBO Collector- Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Vol

0.6. 2sd667a.pdf Size:557K _blue-rocket-elect

2SD667(A)(BR3DG667(A)L) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM NPN Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features 2SB647(BR3CG647L)/2SB647A(BR3CG647AL) Complementary pair with 2SB647(BR3CG647L)/2SB647A(BR3CG647AL). / Applications Low frequency power ampli

Другие транзисторы… 2SD660
, 2SD661
, 2SD662
, 2SD663
, 2SD664
, 2SD665
, 2SD666
, 2SD666A
, 2SC6090LS
, 2SD667A
, 2SD668
, 2SD668A
, 2SD668AB
, 2SD668AC
, 2SD668B
, 2SD668C
, 2SD668D
.

Таблица предельных значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	Величина	Ед.изм.
U_{кб max}	Напряжение коллектор-база	20…50	В
U_{кэ max}	Напряжение коллектоp-эмиттеp (R_бэ=10кОм)	20…50	В
U_{эб max}	Напряжение эмиттер-база	5	В
I_{к max}	Постоянный ток коллектора	200	мА
I_{к имп max}	Импульсный ток коллектора (tu 500)	250	мА
P_{к max}	Рассеиваемая мощность коллектора	250	мВт
T_j	Температура перехода	125	°C

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

Технические характеристики

Рассмотрим более подробно транзистор 2N2222, его технические характеристики и особенности. Они справедливы при температуре окружающей среды (Т_А) не более +25оС. В datasheet указано, что устройство предназначено для работы с высокой скоростью переключений и обеспечивает эффективное усиление в широком диапазоне частот.

Максимальные параметры

2n2222 имеет следующие максимально допустимые эксплуатационные параметры (при Т_А < +25оС):

предельное напряжение между выводами: К-Б (V_CBO) до 60 В (при I_E=0); К-Э (V_CEO) до 30 В (при I_B=0); Э-Б (V_EBO) до 5 В (при I_B=0);
пиковый ток коллектор (I_B) до 0,8 А;
рассеиваемая мощность (P_tot) до 500 мВт (при Т_С_ase <+25оС); 1,2 Вт (с теплоотводом);
температура хранения (T_STG) -65 … +200оС;
температура кристалла (T_J) до +175оС.

Новые устройства изготавливаются с использованием безсвинцовых технологий (Lead Free) и соответствуют европейскому стандарту RoHS. У некоторых из них рабочая температура кристалла (T_J), согласно datasheet, может достигать +200 оС.

Электрические параметры

Электрические характеристики 2N2222 (на русском языке) сведены в единую таблицу, которая представлена ниже. Их величины, как и для максимальных указаны для температуры (Т_А) не более +25 оС. В отдельном столбце выведены условия измерений.

Коэффициент усиления

Коэффициент усиления по току (H_FE) рассматриваемого триода, как и у большинства подобных электронных компонентов из 60-х, сильно разнится и находится в диапазоне от 100 до 300. Даже у устройств одного производителя значения параметра H_FE могут быть разные. Обычно их H_FE выясняют предварительно, зачастую с помощью мультиметра и непосредственно перед использованием в проекте.

Комплементарная пара

Комплементарной парой считается 2N2907(ТО-18). Можно сказать, что последний имеет «зеркальные» характеристики, по отношению к рассматриваемому и отличается только PNP-структурой. Внешне они очень похожи между собой и довольно часто встречаются вместе в схемах дифференциальных каскадов усиления.

Виды транзисторов

По принципу действия и строению различают полупроводниковые триоды:

полевые;
биполярные;
комбинированные.

Эти транзисторы выполняют одинаковые функции, однако существуют различия в принципе их работы.

Полевые

Данный вид триодов ещё называют униполярным, из-за электрических свойств – у них протекает ток только одной полярности. По строению и типу управления эти устройства подразделяются на 3 вида:

Транзисторы с управляющим p-n переходом (рис. 6).
С изолированным затвором (бывают со встроенным либо с индуцированным каналом).
МДП, со структурой: металл-диэлектрик-проводник.

Отличительная черта изолированного затвора – наличие диэлектрика между ним и каналом.

Детали очень чувствительны к статическому электричеству.

Схемы полевых триодов показано на рисунке 5.

Рис. 5. Полевые транзисторыРис. 6. Фото реального полевого триода

Обратите внимание на название электродов: сток, исток и затвор. Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии

Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п.

Биполярные

Об этом виде транзисторов много сказано в подразделе «Базовый принцип работы». Отметим лишь, что название «Биполярный» устройство получило из-за способности пропускать заряды противоположных знаков через один канал. Их особенностью является низкое выходное сопротивление.

Транзисторы усиливают сигналы, работают как коммутационные устройства. В цепь коллектора можно включать достаточно мощную нагрузку. Благодаря большому току коллектора можно понизить сопротивление нагрузки.

Более детально о строении и принципе работы рассмотрим ниже.

Комбинированные

С целью достижения определённых электрических параметров от применения одного дискретного элемента разработчики транзисторов изобретают комбинированные конструкции. Среди них можно выделить:

биполярные транзисторы с внедрёнными и их схему резисторами;
комбинации из двух триодов (одинаковых или разных структур) в одном корпусе;
лямбда-диоды – сочетание двух полевых триодов, образующих участок с отрицательным сопротивлением;
конструкции, в которых полевой триод с изолированным затвором управляет биполярным триодом (применяются для управления электромоторами).

Комбинированные транзисторы – это, по сути, элементарная микросхема в одном корпусе.

Это интересно: Как подключить электроплиту к 220 Вольт — кратко и понятно

Транзисторы Дарлингтона медленные!

Для схемы Дарлингтона характерно определенное явление, которое очень затрудняет работу на высоких частотах. Его переключение, а особенно выключение, занимает много времени (для электроники).

Давайте еще раз посмотрим на принципиальную схему. При включении питания потенциал базы T1 повышается (например, микроконтроллером), тем самым вводя в нее ток. Этот транзистор очень быстро переходит из состояния засорения в активный, в котором он усиливает этот ток и подает его на базу T2, которая также очень эффективно включается. Все происходит довольно быстро.

Предположим, что этот транзистор используется для включения мощного приемника, например двигателя, который требует его сильного насыщения.

Примерная схема подключения двух биполярных транзисторов в схему Дарлингтона

Теперь выключаем транзистор Дарлингтона. Потенциал базы T1 подтягивается резистором к земле. Носители заряда, накопившиеся в этой базе, должны оттекать от нее через этот резистор. Поскольку T1 был «по-настоящему» насыщен, таких носителей там было довольно много.

В течение этого времени, T2 все еще был проводящим, хотя он больше не должен таковым быть. Предположим, что носители вышли из базы T1, вопрос: куда должны уйти носители с базы T2? Единственный выход — это база, но к ней подключен только забитый транзистор… Нам остается только ждать, пока эти носители самопроизвольно «рассеются» и транзистор окончательно перестанет проводить.

Это явление демонстрируют следующие иллюстрации (текущие значения, конечно, не отражают реальные — они служат только для иллюстрации шкалы и самого факта прохождения тока; RL и значок двигателя символизируют какой-то элемент, который питается от транзистора, например двигатель).


Оба транзистора непроводящие	Течение тока через базу, активирует оба транзистора

В выключенном состоянии ситуация следующая:


Заряд, накопленный после отключения тока	Захваченный заряд медленно рассеивается

Таким образом, на отключение транзистора Дарлингтона влияют два события:

снятие с насыщения и засорения Т1,
ожидание, пока транзистор Т2 перестанет проводить.

Первую проблему можно как-то решить, используя, например, соответствующие схемы для ускорения переключения транзисторов. Однако с последним есть проблема, потому что по носителям должен быть обеспечен поток от базы к эмиттеру.

Электроника придумала способ частично решить эту проблему. Этот метод предполагает добавление резистора между базой и эмиттером Т2. Благодаря этому, носители заряда находят выход из базы. Одним из недостатков является снижение коэффициента усиления по току, поскольку этот резистор «крадет» ток у эмиттера T1.

Такие модифицированные транзисторы Дарлингтона коммерчески доступны как одиночные, так и в виде интегральных схем с большим количеством компонентов внутри. Хорошим примером является популярная микросхема ULN2003, в состав которой входит аж 7 таких систем.

Популярная микросхема ULN2003

В состав этой микросхемы также входят резисторы, ограничивающие базовый ток T1 (2,7 кОм) и ускоряющие выключение T1. Использование таких интегральных блоков удобно тем, что экономит место на плате, вход этой схемы подключается напрямую к выходу микроконтроллера.

Внутренняя схема ULN2003

История создания

Разработчиком 2N2222 в корпусе ТО-18 считается американская компания Motorola. Её сотрудник (Джек Хайничен) изобрёл кольцевую структуру (annular) при производстве полупроводниковых триодов, позволившую увеличить напряжение p-n-перехода до 100 В. Ряд изделий, изготовленных по новой технологии, в том числе и рассматриваемый транзистор, впервые были продемонстрированы конференции «Института инженеров радиотехники» (IRE) в марте 1962 г. в г.Нью-Йорк.

С 1965 г. его стали производить в пластиковом корпусе ТО-92. У компании Motorola он имел маркировку PN2222, а затем PN2222A. Последний завоевал большую популярность, как среди любителей электроники, так и её производителей. В те времена для зарубежной промышленности он был таким же известным, как например, в Советском союзе КТ315.

В последующем, вместе с внедрением технологий поверхностного монтажа (SMD), появились 2N2222 в корпусах SOT-23, SOT-223. К таким транзисторам можно отнести: MMBT2222(Motorola), PMBT2222(Philips), FMMT2222(Zetex) и др. Их производством в настоящее время занимаются и другие компании.

Более поздние модификации рассматриваемого транзистора имеют маркировку 2N2222ADCSM. Они производятся в герметичном керамическом корпусе LCC (для поверхностного монтажа на плату) английской компанией Semelab.