Транзистор s8050 чем заменить

Производители

DataSheet от транзистора S9012 можно скачать от фирм которые занимаются их производством: SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy Semi-Conductor Holdings, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Jiangsu High diode Semiconductor, KEC Semiconductor, Weitron Technology, Nanjing International Group, Tiger Electronic, SHENZHEN SLS TECHNOLOGY, Diode Semiconductor Korea, Daya Electric Group, SHIKE Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor.

На отечественном рынке данные изделия представлены несколькими компаниями: Weitron Technology, KEC Semiconductor.

Электрические характеристики

Обозначение Параметр Условия измерения Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
BVCBO Напряжение пробоя коллектор-база IC= -100 µA, IE=0 -50 V
BVCEO Напряжение пробоя коллектор-эмиттер IC= -10mA, IB=0 -50 V
BVEBO Напряжение пробоя эмиттер-база IE= -10 µA, IC=0 -5 V
ICBO Ток отсечки коллектора VCB= -50V, IE=0 -0.1 µA
IEBO Ток отсечки эмиттера VEB= -5V, IC=0 -0.1 µA
hFE1 hFE2 Коэффициент усиления по постоянному току VCE= -6V, IC= -2mA VCE= -6V, IC= -150mA 70 25 400
VCE (sat) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC= -100mA, IB= -10mA -0.1 -0.3 V
VBE (sat) Напряжение насыщения база-эмиттер IC= -100mA, IB= -10mA -1.1 V
fT Частотная эффективность VCE= -10V, IC=-1mA 80 MHz
Cob Выходное сопротивление VCB= -10V, IE=0, f=1MHz 4 7 pF
NF Уровень шумов VCE= -6V, IC= -0.1mA f=100Hz, RG=10kΩ 0.5 6 dB

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре воздуха 25°C.

Транзисторы биполярные в корпусе SOT-23

SMD транзисторы. Маркировка и взаимозамена SMD-транзисторов. Как по маркировке правильно определить тип установленного в плату SMD- прибора, быстро и точно найти замену, подскажет предлагаемый материал. Можно спорить о частоте таких совпадений, но они нередки и встречаются даже среди продукции одной фирмы. Различить такие совпадения может только опытный человек по окружающим компонентам обвески и схеме включения. А пока встречаются элементы, корпус которых имеет стандартные размеры, но нестандартное название.

Корпуса с одним и тем же названием могут иметь разную высоту. В табл. Большинство из SMD-транзисторов можно заменить на их аналоги, а также на обычные дискретные транзисторы, зная электрические характеристики возможных замен. Таблица 3. Маркировка некоторых SMD-транзисторов и аналог для замены. Обозначение на корпусе. Тип транзистора.

Аналог по электрическим. В СА. MMBCF3 -. В таблице представлен далеко не полный список активных приборов в SMD- корпусах. Данные по SMD-транзисторам можно найти самостоятельно, обратившись к справочной литературе. Маркировка и электрические характеристики некоторых SMD-транзисторов широкого применения. U кэ откр. F гр МГц. SOT Маркировка транзисторных SMD-сборок. Маркировка некоторых высоковольтных SMD-транзисторов.

Коэффициент передачи. Тип прибора. SST «. Сейчас на сайте: гостей 3 роботов. Новые пользователи: Administrator. Всего пользователей: 1.

Подписка на новости. Все для радиолюбителя. Для тебя. Пользователи : 1 Статьи : Просмотры материалов : Подписка на новости Все для радиолюбителя. Маркировка некоторых SMD-транзисторов и аналог для замены Обозначение на корпусе. Аналог по электрическим характеристикам. U кэ откр В. I к const mA. Коэффициент передачи на МГц.

Граничная частота.

Техническое описание

Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.

Характеристики

Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
  • материал – кремний (Si);
  • npn-проводимость (обратная);

предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):

основные электрические параметры:

  • IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
  • IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
  • fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
  • емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
  • коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
  • cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
  • тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
  • Токр от -40 до +85 °C.

При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах

Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.

По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.

Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.

Маркировка

Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.

Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.

Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.

Как уже писалось ранее, транзистор встречается в пластиковом и металлическом корпусе. Устройства с пластиковым корпусом КТ-26 содержат в конце символ “М”. Например КТ3102ВМ это транзистор в пластиковом корпусе КТ-26, а КТ3102В в металлическом КТ-17.

Цветовая и цифровая маркировка

Транзисторы, как и другие радиокомпоненты, маркируют с помощью цветового кода. Цветовой код состоит из изображения геометрических фигур (треугольников, квадратов, прямоугольников и др.), цветных точек и латинских букв.

Код наносится на плоских частях, крышке и других местах транзистора. По нему можно узнать тип транзистора, месяц и год изготовления. Места маркировки и расшифровка цветовых кодов некоторых типов транзисторов приведены на рис. 2…3 и в табл. 1…4. Практикуется также маркировка некоторых типов транзисторов цифровым кодом (табл. 4).

Таблица 1. Цветовая и кодовая маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Тип транзистора Группы транзисторов Месяц выпуска Год выпуска
Обозначение Маркировка Обозначение Маркировка Обозначение Маркировка Обозначение Маркировка
        ян в. бежевая    
    А розовая фев. синяя 1977 бежевая
    Б желтая март зеленая 1978 еалатовая
    В синяя апр. красная 1979 оранжевая
    Г бежевая май еалатовая 1980 электрик
    Д оранжевая июнь серая 1981 бирюзовая
КТ3107 голубая Е электрик июль коричневая 1982 белая
    Ж еалатовая авг. оранжевая 1983 красная
    И зеленая сент. электрик 1984 коричневая
    К красная окт. белая 1985 зеленая
    Л серая ноябр. желтая 1986 голубая
        декаб. голубая    

Таблица 2.  Цветовая маркировка транзистора КТ3107 .

Рис. 2. Места цветовой и кодовой маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов в корпусе КТ-26 (ТО-92).

Рис. 3. Места цветовой маркировки транзистора КТ3107 в корпусе КТ-26 (ТО-92).

Рис. 4. Места кодовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-27 (ТО-126).

Таблица 3.  Цветовая и кодовая маркировки транзисторов.

Код Тип
4 КТ814
5 КТ815
6 КТ816
7 КТ817
8 КТ683
9 КТ9115
12 К.У112
40 КТ940
Год выпуска Код Месяц выпуска Код
1986 и Январь 1
1987 V Февраль 2
1988 W Март 3
1989 X Апрель 4
1990 А Май 5
1991 В Июнь 6
1992 С Июль 7
1993 D Август 8
1994 Е Сентябрь 9
1995 F Октябрь
1996 Н Ноябрь N
1997 1 Декабрь D
1998 К
1999 L
2000 М

Таблица 4. Кодовая маркировка мощных транзисторов.

Литература: В.М. Пестриков. Энциклопедия радиолюбителя.

KSP92 Datasheet (PDF)

..1. ksp92 ksp93.pdf Size:63K _fairchild_semi

KSP92/93High Voltage TransistorTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : KSP92 -300 V: KSP93 -200 VVCEO Collector-Emitter Voltage : KSP92 -300 V: KSP93 -200 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -500 mAPC Col

..2. ksp92.pdf Size:58K _samsung

KSP92/93 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE TRANSISTORTO-92ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage : KSP92 VCBO -300 V: KSP93 -200 VCollector-Emitter Voltage : KSP92 VCEO -300 V: KSP93 -200 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -500 mACollector Dissipation (TA=25 ) PC 625 mWmW/ Derate above 2

..3. ksp92.pdf Size:48K _kexin

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-channel enhancement modevertical D-MOS transistorKSP92SOT-223Unit: mm3.50+0.26.50+0.2 -0.2-0.2FeaturesLow threshold voltage VGS(th)+0.20.90-0.23.00+0.1-0.1Direct interface to C-MOS, TTL,etc.7.00+0.3-0.3High-speed switching 4No secondary breakdown.1 gate1 2 30.70+0.1-0.12,4 drain2.94.63 sourceAbsolute Maxi

Схемы с использованием TL431

Микросхема может использоваться во многих разных схемах блоков питания. Это могут быть как регулируемые блоки питания, так и зарядные устройства к аккумуляторам. Давайте разберем несколько базовых, типовых схем, которые можно модернизировать, и на базе которых можно создавать свои замыслы и творения.

Стабилизатор напряжения на TL431 (2.5-36В, 100mA)

Данная схема позволяет заменить обыкновенный стабилитрон. Вы можете менять выходное напряжение путем изменения сопротивления резисторов R1 и R2. Чтобы провести расчет сопротивления, рекомендуем прибегнуть к использованию формулы, указанной ниже:

Стабилизатор напряжения с увеличенным максимальным током (2.5-36В)

Максимальный выходной ток TL431 равен 100мА. Однако, если вашему проекту нужен больший показатель выходного тока, то советуем вам использовать транзистор: тогда максимальный ток будет зависеть от его характеристик. Формула для расчета сопротивлений резисторов остается такой же.

Подобные схемы часто используются с другими микросхемами.К сожалению, большинство из них просто не могут пропускать высокий ток, поэтому, чтобы решить такую проблему, в дело вступает управляющий транзистор. В таком случае максимальный ток ограничивается его свойствами. Главная задача здесь — правильный подбор транзистора под управляющее напряжение на его базе.

Лабораторный блок питания на TL431 с защитой

Данная схема представляет собой регулируемый блок питания, который способен выдавать до 30Вт. И помимо этого имеет встроенную защиту от перегрузки. В случае, если ток начнет превышать допустимое значение на транзисторе Т2, то на ЛБП произойдет прекращение подачи напряжения, о чем будет сигнализировать загоревшийся светодиод.

Не стоит забывать использовать охлаждение в виде радиатора, ведь компоненты во время пиковых нагрузок будут быстро нагреваться, и со временем при частых перегревах, выходить из строя.

Стабилизатор тока на TL431 (Светодиодный драйвер)

Чаще всего стабилизаторы тока используются для запитывания светодиодов и светодиодных лент. Схема тут элементарная — вам понадобятся всего лишь пара резисторов и один транзистор.

Индикатор напряжения

Схема может понадобиться, когда вам необходимо следить за тем, чтобы напряжение не выходило за верхние и нижние пределы. Эти пределы задаются сопротивлением резисторов, по формуле, указанной ниже.

Данную схему можно модернизировать путем добавления пищалок или других звуковых устройств. Таким образом точно не получится пропустить сигнал о неправильном напряжении.

Таймер задержки на TL431

Универсальная микросхема, на которой есть возможность реализовать даже схему таймера задержки. Все, что вам понадобится — это пара резисторов и конденсатор. Их номиналы необходимо рассчитать по формуле, чтобы получить требуемое время задержки (формула указана ниже).

Такая схема возможна благодаря очень низкому показателю входного тока (4мкА). Во время замыкания главного контакта, транзистор начинает производить зарядку. После достижения показателя в 2.5В он открывается, и ток при содействии оптопаровому светодиоду (оптрону) начинает течь, от чего на внешней цепи происходит замыкание.

Зарядное устройство для литиевых аккумуляторах на TL431 и LM317

Эта простейшая схема позволяет правильно заряжать литиевые аккумуляторы. В этой зарядке TL431 используется в качестве источника опорного напряжения, а LM317 в качестве источника тока. Устройство заряжает аккумуляторы методом CC CV, означает, как все знают, постоянный ток (Constant Current), постоянное напряжение (Constant Voltage).

Входное напряжение для этой схемы — 9-20В. Сначала аккумулятор заряжается постоянным током, который поддается изменению, меняя сопротивление резистора R5. После того, как аккумулятор достигнет напряжения около 4.2В, он начинает заряжаться постоянным напряжением.

Учтите, что очень важно перед использованием настроить устройство: без нагрузки необходимо подстроить переменный резистор RV1 так, чтобы на выходе напряжение было равно 4.2 Вольта.

Электрические характеристики

При температуре внешней среды (Ta ) 25°C.

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Ток коллектора выключения, нА ICEX VCE = 30 В, VEB = 3 В ≤ 50
Ток базы выключения, нА IBL VCE = 30 В, VEB = 3 В ≤ 50
Напряжение пробоя коллектор – база, В V(BR)CBO IC = 10мкА, IE = 0 ≥ 40
Напряжение пробоя коллектор – эмиттер, В V(BR)CEO IC = 10мА, IB = 0 ≥ 40
Напряжение пробоя эмиттер – база, В V(BR)EBO IE = 10мкА, IC = 0 ≥ 5
Статический коэффициент усиления по току hFE(1) VCE = 1 В, IC = 0,1 мА ≥ 60
hFE(2) VCE = 1 В, IC = 1 мА ≥ 80
hFE(3) VCE = 1 В, IC = 10 мА от 100 до 300
hFE(4) VCE = 1 В, IC = 50 мА ≥ 60
hFE(5) VCE = 1 В, IC = 100 мА от 30 до 60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В VCE(sat)1 IC = 10 мА, IB = 1 мА ≤ 0,25
VCE(sat)2 IC = 50 мА, IB = 5 мА ≤ 0,4
Напряжение насыщения база-эмиттер, В VBE(sat)1 IC = 10 мА, IB = 1 мА ≤ 0,85
VBE(sat)2 IC = 50 мА, IB = 5 мА ≤ 0,95
Частота среза, МГц fT VCE = 20 В, IC = 10 мА, f =100 МГц ≥ 250
Выходная емкость коллектора, pF Cob VCB = 5 В, IE = 0, f = 1МГц ≤ 4,5
Входная емкость, pF Cib VBE = 0,5 В, IС = 0, f = 1МГц ≤ 10
Входной импеданс, кОм hie VCE = 10 В, IC = 1 мА, f = 1 кГц от 2 до 12
Коэффициент обратной связи по напряжению hre от 1 до 10
Коэффициент усиления при малом сигнале hfe от 100 до 400
Выходная проводимость, мкСм hoe от 3 до 60
Коэффициент шума транзистора,dB NF VCE = 5В, ICE = 0,1мА, Rg = 1кОм, f = от 10 Гц до 15,7 кГц ≤ 4,0
Времена режима переключения td См. Рис. 16 ≤ 35
tr ≤ 35
tstg (ts) См. Рис. 17 ≤ 225
tf ≤ 75

Предельные эксплуатационные характеристики

Примечание. Предельные характеристики транзистора подразумевают невозможность эксплуатации при превышении этих параметров без риска потери изделия или существенного ухудшения его характеристик.

Характеристика Обозначение Значение
Напряжение коллектор – база транзистора, В VCBO 40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В VCEO 40
Напряжение эмиттер – база транзистора, В VEBO 5
Ток коллектора, мА IC 200
Ток базы транзистора, мА IB 50
Рассеиваемая мощность, Вт При температуре окружающей среды Ta = 25°C PC 0,625
При температуре коллекторного перехода Tc = 25°C 1,5
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С Tj 150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg от -50 до 150

Основные характеристики и параметры транзисторов

Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.

Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).

В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?

ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.

Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.

По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).

По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).

По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!

По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).

По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).

Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.

Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».

Технические характеристики

При проектировании нового электронного устройства в первую очередь следует обратить внимание на предельно допустимые характеристики используемых транзисторов. Если один или несколько значений превысят их, то прибор выйдет из строя

Поэтому надо чтобы рабочие значения параметров при эксплуатации были на 20 % меньше максимальных. Для S9012, согласно технической документации от разных производителей, они имеют такие величины:

  • наибольшее возможное напряжение между коллектором и базой VCBO (Uкб max) = -40 В;
  • предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером VCEO (Uкэ max) = -25 В;
  • максимально возможное напряжение между эмиттером и базой VEBO (Uэб max) = -5 В;
  • предельно возможный постоянный ток коллектора IC (Iк max) = -500 мА;
  • максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе РСк max) = 625 мВт;
  • наибольшая возможная температура на кристалле TС до +150ОС;
  • диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150ОС;

Выше приведены данные для изделий, выполненных в корпусе ТО-92. Устройства в SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания 300 мВт. Некоторые фирмы-производители в своей документации пишут разные значения для максимального напряжения коллектор-эмиттер VCEO (Uкэ max). Например у компании Nanjing International Group оно равно 30 В, а у фирмы Tiger Electronic – 20 В.

Электрические параметры

Рассмотрим электрические параметры S9012. Они не менее важны для инженера, занимающегося разработкой устройств на данном транзисторе. Их значения также тестировались в лаборатории при температуре +25ОС:

Классификация по hfe

Транзистор S9012 делится на несколько классов, в зависимости от коэффициента передачи тока hfe1 измеренного, при VCE (Uкэ) = 1В и IC (Iк) =50 мА. Большинство компаний подразделяют свои изделия на три класса: L с коэффициентом передачи тока от 120 до 200, H от 200 до 350 и J от 300 до 400. Однако некоторые, например Jiangsu High diode Semiconductor (для своей продукции в корпусе ТО-92) и Weitron Technology делят свои изделия на шесть категорий:

Категория D E F G H I
hfe1 64-91 78-112 96-135 112-166 144-202 190-300

Комплементарная пара

У рассматриваемого устройства существует комплементарная пара, рекомендуемая всеми фирмами-производителями — S9013.

Биполярные транзисторы: принцип работы, характеристики и параметры

Биполярные транзисторы – электронные полупроводниковые приборы, отличающиеся от полевых способом переноса заряда.

В полевых (однополярных) транзисторах, используемых в основном в цифровых устройствах, заряд переносится или дырками, или электронами. В биполярных же в процессе участвуют и электроны, и дырки.

Биполярные транзисторы, как и другие типы транзисторов, в основном используются в качестве усилителей сигнала. Применяются в аналоговых устройствах.

Особенности устройства биполярного транзистора

Биполярный транзистор включает в себя три области:

  • эмиттер;
  • базу – очень тонкую, которая изготавливается из слаболегированного полупроводника, сопротивление этой области высокое;
  • коллектор – его область больше по размерам, чем область эмиттера.

К каждой области припаяны металлоконтакты, служащие для подсоединения прибора в электроцепь.

Электропроводность коллектора и эмиттера одинакова и противоположна электропроводности базы. В соответствии с видом проводимости областей, различают p-n-p или n-p-n приборы. Устройства являются несимметричными из-за разницы в площади контакта – между эмиттером и базой она значительно ниже, чем между базой и коллектором. Поэтому К и Э поменять местами путем смены полярности невозможно.

Принцип работы биполярного транзистора

Этот тип транзистора имеет два перехода:

  • электронно-дырочный между эмиттером и базой – эмиттерный;
  • между коллектором и базой – коллекторный.

Дистанция между переходами маленькая. Для высокочастотных деталей она составляет менее 10 мкм, для низкочастотных – до 50 мкм. Для активации прибора на него подают напряжение от стороннего ИП. Принцип действия биполярных транзисторов с p-n-p и n-p-n переходами одинаков. Переходы могут функционировать в прямом и обратном направлениях, что определяется полярностью подаваемого напряжения.

Режим отсечки

Переходы закрыты, прибор не работает. Этот режим получают при обратном подключении к внешним источникам. Через оба перехода протекают обратные малые коллекторные и эмиттерные токи. Часто считается, что прибор в этом режиме разрывает цепь.

Активный инверсный режим

Является промежуточным. Переход Б-К открыт, а эмиттер-база – закрыт. Ток базы в этом случае значительно меньше токов Э и К. Усиливающие характеристики биполярного транзистора в этом случае отсутствуют. Этот режим востребован мало.

Режим насыщения

Прибор полностью открыт. Оба перехода подключаются к источникам тока в прямом направлении. При этом снижается потенциальный барьер, ограничивающий проникновение носителей заряда. Через эмиттер и коллектор начинают проходить токи, которые называют «токами насыщения».

С общим эмиттером

Эта схема включения биполярных транзисторов обеспечивает наибольшее увеличение вольтамперных характеристик (ВАХ), поэтому является самой востребованной. Минус такого варианта – ухудшение усилительных свойств прибора при повышении частоты и температуры. Это означает, что для высокочастотных транзисторов рекомендуется подобрать другую схему.

С общей базой

Применяется для работы на высоких частотах. Уровень шумов снижен, усиление не очень велико. Каскады приборов, собранные по такой схеме, востребованы в антенных усилителях. Недостаток варианта – необходимость в двух источниках питания.

С общим коллектором

Для такого варианта характерна передача входного сигнала обратно на вход, что существенно уменьшает его уровень. Коэффициент усиления по току – высокий, по напряжению – небольшой, что является минусом этого способа. Схема приемлема для каскадов приборов в случаях, если источник входного сигнала обладает высоким входным сопротивлением.

Какие параметры учитывают при выборе биполярного транзистора?

  • Материал, из которого он изготовлен, – арсенид галлия или кремний.
  • Частоту. Она может быть – сверхвысокая (более 300 МГц), высокая (30-300 МГц), средняя – (3-30 МГц), низкая (менее 3 МГц).
  • Максимальную рассеиваемую мощность.

Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.

Datasheet Download — Fairchild Semiconductor

Номер произв KSP92
Описание High Voltage Transistor
Производители Fairchild Semiconductor
логотип  

1Page

No Preview Available !

High Voltage Transistor
KSP92/93
PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted

Symbol
Parameter

VCBO

Collector-Base Voltage
: KSP92
: KSP93

VCEO

Collector-Emitter Voltage
: KSP92
: KSP93

VEBO

IC

PC

Emitter-Base Voltage
Collector Current

Collector Power Dissipation (Ta=25°C)

Derate above 25°C

PC Collector Power Dissipation (TC=25°C)

Derate above 25°C

TJ

TSTG

Junction Temperature
Storage Temperature

1 TO-92

1. Emitter 2. Base 3. Collector
Value
-300
-200
-300
-200
-5
-500
625
5
1.5
12
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
mA
mW

mW/°C

W

mW/°C

°C

°C

Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted

Symbol

BVCBO

Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
: KSP92
: KSP93
Test Condition

IC= -100µA, IE=0

BVCEO

* Collector-Emitter Breakdown Voltage
: KSP92
: KSP93

IC= -1mA, IB=0

BVEBO

ICBO

IEBO

hFE

Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cur-off Current
: KSP92
: KSP93
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain

VCE (sat) *Collector-Emitter Saturation Voltage

VBE (sat) * Base-Emitter Saturation Voltage

fT Current Gain Bandwidth Product

Cob Output Capacitance

: KSP92
: KSP93

* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%

IE= -100µA, IC=0

VCB= -200V, IE=0

VCB= -160V, IE=0

VEB= -3V, IC=0

VCE= -10V, IC= -1mA

VCE= -10V, IC= -10mA

VCE= -10V, IC= -30mA

IC= -20mA, IB= -2mA

IC= -20mA, IB= -2mA

VCE= -20V, IC= -10mA, f=100MHz

VCB= -20V, IE=0

f=1MHz
Min.
-300
-200
-300
-200
-5
25
40
25
50
Max. Units
V
V
V
V
V
-0.25
-0.25
-0.10

µA

µA

µA

-0.50
-0.90
6
8
V
V
MHz
pF
pF
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, July 2001

No Preview Available !

Typical Characteristics
1000
100

VCE = -10V

10
1
-1
-10
-100
-1000

IC, COLLECTOR CURRENT

Figure 1. DC current Gain
100

Cib

10

Cob

1
-0.1 -1 -10 -100

VCB , COLLECTOR-BASE VOLTAGE

Figure 3. Capacitance
-500
-100
KSP93
1.5 WATT THERMAL

LIMITATION@TC=25℃

625mW THERMAL

LIMITATION@TA=25℃

BONDING WIRE LIMITATION

-10 SECOND BREAKDOWN

LIMITATION

-5 Tj=150℃

-3
-10
-100
-400

VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

Figure 5. Active-Regio Safe Operating Area
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
-10000
-1000
-100

VBE(sat)

VCE(sat)

IC = 10 IB

-10
-1
-10
-100
-1000

IC, COLLECTOR CURRENT

Figure 2. Saturation Voltage
1000

VCE = -20V

f = 100MHz
100
10
-1
-10 -100

IC, COLLECTOR CURRENT

Figure 4. Current Gain Bandwidth Product
Rev. A1, July 2001

No Preview Available !

Package Demensions
TO-92
4.58
+0.25
–0.15

0.46 ±0.10

1.27TYP

[1.27 ±0.20

1.27TYP

[1.27 ±0.20

3.60 ±0.20

(R2.29)
0.38
+0.10
–0.05
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Dimensions in Millimeters
Rev. A1, July 2001

Всего страниц 4 Pages
Скачать PDF

Графические данные

Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току hFE от величины тока коллектора IC при различных температурах (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).

Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.

Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.

Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).

Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).

Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).

Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).

Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).

Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (td) и времени нарастания (tr). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (tstg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (tf). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%. CS – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

Рейтинг
( Пока оценок нет )
Editor
Editor/ автор статьи

Давно интересуюсь темой. Мне нравится писать о том, в чём разбираюсь.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Семинар по технике
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: