Биполярный транзистор KT3102E – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KT3102E
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
Транзистор – полупроводниковый элемент электрический цепи, управляемый входным сигналом. В качестве сигнала может использоваться как привычный электрический ток, но и, например, свет в работе фототранзистора.
Транзистор КТ3102 – это популярнейший советский биполярный транзистор, который применялся и применяется по сей день в схемах различных усилителей сигнала: операционных усилителях, дифференциальных и УНЧ (усилитель низкой частоты). КТ3102, за счёт маленькой толщины базы, усиливал сигнал по току в тысячи раз. Изготавливается из кремния, чаще всего методом эпитаксии (наращивание на новых полупроводниковых слоёв на кремниевой подложке).
Транзистор КТ3102 изначально чаще всего изготавливался в металлическом цилиндрическом корпусе, привычном для многих советских транзисторов. На данный момент, он изготавливается в пластиковом корпусе. Является комплементарной парой для КТ3107.
Принцип работы прибора заключается в управлении током за счёт изменения напряжения. Чтобы элемент начал работать, к нему нужно приложить напряжение. Тогда прибор откроется. Изменяя напряжение базы, мы управляем всем элементом.
Биполярный транзистор
Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.
Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.
В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.
Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.
Основные особенности транзистора Дарлингтона
Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.
Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.
Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.
схема Шиклаи
К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.
Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.
Основные электрические параметры:
-
Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;
-
Напряжение эмиттер – база 5 V;
-
Ток коллектора – 15 А;
-
Ток коллектора максимальный – 30 А;
-
Мощность рассеивания при 250С – 135 W;
-
Температура кристалла (перехода) – 1750С.
На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.
![Транзисторы: принцип работы, схема включения, чем отличаются биполярные и полевые [амперка / вики]](https://seminar55.ru/wp-content/uploads/e/7/b/e7ba36d203f3b2fe54d758fae4fb3f0c.jpeg)
Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.
Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.
Маркировка (цветовая, кодовая)
Транзисторы КТ3102 до 1986 года, с корпусом КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. Цвет точки на верхнем торце корпуса, определяет модификацию:
- А – бордо;
- Б – желтый;
- В – зеленый;
- Г – голубой;
- Д – синий;
- Е – белый;
- Ж – коричневый;
- И – серебряный;
- К – оранжевый;
- Л(И) — светло-табачный;
- М(К) — серый.
Начиная с 1986 года начала использоваться стандатная маркировка — использование специальных символов. Для КТ3102 — белый прямоугольный треугольник, расположенный на передней части корпуса (слева сверху), обозначающий его модель (тип). Справа указывается групповая принадлежность, а в нижней части дата (год, месяц) выпуска.
Сегодня производители не используют различные символы в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.
При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.
Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.
Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.
Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.
Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.
Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.
Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.
Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.
Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.
FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.
REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.
Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.
Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.
Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.
При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.
Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.
Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.
Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.
Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.
Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.
Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.
Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.
Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.
Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.
Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.
В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.
Маркировка и цоколёвка
Данный прибор имеет структуру n — p — n
. Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.
Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:
- Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
- Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения:
А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.
На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.
Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.
Техническое описание
Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.
Характеристики
Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).
- принцип действия – биполярный;
- корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
- материал – кремний (Si);
- npn-проводимость (обратная);
предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):
основные электрические параметры:
- IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
- IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
- fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
- емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
- коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
- cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
- тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
- Токр от -40 до +85 °C.
КТ315 — аналоги отечественные и зарубежные
Но так как главной темой статьи является не КТ315 — аналоги для этого транзистора, то следует уже уделить внимание и основной теме. Итак, вот список аналогов:
- Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления. Если сравнивать с КТ315, аналог зарубежный довольно дорогой. Но он имеет то преимущество, что при пайке и перепайке не так быстро выходит из строя (что не в последнюю очередь благодаря его увеличенной и укреплённой конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность — 0,25. На направление «коллектор-база» может подаваться до 50 Вольт. На коллектор-эмиттер — до 45 Вольт. Максимальное напряжение для направления эмиттер-база составляет 6 Вольт. Коллекторный переход имеет ёмкость 8. Предельная температура перехода составляет 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока — 200.
- Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены. Значение максимальной рассеиваемой мощности составляет 0,18. Максимально допустимое напряжение на коллектор-базу и коллектор-эмиттер — 40 Вольт. Эмиттер-база — всего 6 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 8. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока — 90.
- Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что он для КТ315 — аналог отечественный будет неверно, ведь исторически так сложилось, что подобные детали изготавливались одного вида, который соответствует всем необходимым запросам и может выполнить возложенные на него функции. Дело в том, что просто КТ3102 не существует, обязательно вслед идёт ещё одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Более детальную информацию вы сможете получить, просматривая каждый транзистор. Отечественная разработка является усовершенствованным КТ315. Аналог в этом случае — слово не совсем уместное, скорее, усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 составляет 0,25. На коллектор-базу может подаваться максимальное напряжение в 20-50 Вольт. Максимальное напряжение, которое можно подавать на коллектор-эмиттер, тоже составляет 20-50 Вольт. Максимальное напряжение на эмиттер-базу составляет 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода равняется 6. Предельная температура перехода — 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока равняется 100.
- Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность — 0,1. Напряжение на направлении коллектор — база не должно превышать 40 Вольт. Максимальное напряжение на направлении коллектор — эмиттер не должно быть больше 15 Вольт. Для направления эмиттер — база это значение не должно превышать 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 6 единиц. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока равен 35.
DataSheet
Цоколевка транзистора КТ3107Параметры транзистора КТ3107
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ3107А | ВС557А, MPS3703,BC177VI *1, BC307VI *3, ВСХ79-7 *1, EN3250 *3, MPS6517 *1, MPS6516 *1, IMBT3905 *1, BSS69 *1, BSS69R *1, ВСХ78-7 *3, 2SA608SPAD *3, 2SA608NPD *3, 2SA495 *3 | |||
| КТ3107Б | ВС308А, ВС212А, JC560A *1, JC557A *1, ВС204А *1, ВСХ79-8 *1, BCX71GR *1, BCX79VII *1, KC307A *3, IMBT2907 *3, ВСХ78-8 *3, BCX78VII *3, 2SA608SPAE *3, 2SA608NPE *3, JC559A *3, JC558A *3 | ||||
| КТ3107В | ВС178АР, BCY72, РС108 *1, ВС260В *3, BC250B *3 | ||||
| КТ3107Г | ВС308А, ВС558А, РС109 *1, ВС357 *1, BSY40 *3, ВС205А *1 | ||||
| КТ3107Д | ВС308А, ВС178ВР, CD9012H *3, CD9012I *3, KC308B *3 | ||||
| КТ3107Е | ВС179АР, ВС309В, BC205A *1, BC205 *3, BC252A *1, BC262A *1, BC263A *1 | ||||
| КТ3107Ж | ВС309В, ВС179ВР, ВС559, BC252B *1, BC205B *1, BC206B *1, BC260C *1, BC253C *1 | ||||
| КТ3107И | ВС307В, ВС212С, BCX79VIII *1, JC557 *3, BC560A *3, BC177-6 *1, BC204B *1, BCX79-9 *1, BCX79-8 *3, BCX71 HR *1, BCX71H *1, BCX71GR *3, BCX79VII *3, MPS6518 *1, BCX78-9 *1 , BCX78-8 *3, BCX78VIII *1, BCX78VII *3, BCY78-8 *3, BCY78-7 *3, 2SA608SPAF *3, 2SA608SP *3, 2SA4950 | ||||
| КТ3107К | ВС308С, ВС213С, MPS6519 *1, КС308С *3, 2SB598G *3 | ||||
| КТ3107Л | ВС309С, ВС322С, BC205B *3, BC206B *3, ВС259С *3, ВС260С *3, BC253C *3, ВС250С *3 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | — | — | 300 | мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ3107А | — | ≥200 | МГц |
| КТ3107Б | — | ≥200 | |||
| КТ3107В | — | ≥200 | |||
| КТ3107Г | — | ≥200 | |||
| КТ3107Д | — | ≥200 | |||
| КТ3107Е | — | ≥200 | |||
| КТ3107Ж | — | ≥200 | |||
| КТ3107И | — | ≥200 | |||
| КТ3107К | — | ≥200 | |||
| КТ3107Л | — | ≥200 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ3107А | — | 50 | В |
| КТ3107Б | — | 50 | |||
| КТ3107В | — | 30 | |||
| КТ3107Г | — | 30 | |||
| КТ3107Д | — | 30 | |||
| КТ3107Е | — | 25 | |||
| КТ3107Ж | — | 25 | |||
| КТ3107И | — | 50 | |||
| КТ3107К | — | 30 | |||
| КТ3107Л | — | 25 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ3107А | — | 5 | В |
| КТ3107Б | — | 5 | |||
| КТ3107В | — | 5 | |||
| КТ3107Г | — | 5 | |||
| КТ3107Д | — | 5 | |||
| КТ3107Е | — | 5 | |||
| КТ3107Ж | — | 5 | |||
| КТ3107И | — | 5 | |||
| КТ3107К | — | 5 | |||
| КТ3107Л | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ3107А | — | 100(200*) | мА |
| КТ3107Б | — | 100(200*) | |||
| КТ3107В | — | 100(200*) | |||
| КТ3107Г | — | 100(200*) | |||
| КТ3107Д | — | 100(200*) | |||
| КТ3107Е | — | 100(200*) | |||
| КТ3107Ж | — | 100(200*) | |||
| КТ3107И | — | 100(200*) | |||
| КТ3107К | — | 100(200*) | |||
| КТ3107Л | — | 100(200*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ3107А | 20 В | ≤0.1 | мкА |
| КТ3107Б | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107В | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107Г | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107Д | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107Е | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107Ж | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107И | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107К | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107Л | 20 В | ≤0.1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ3107А | 5 В; 2 мА | 70…140 | |
| КТ3107Б | 5 В; 2 мА | 120…220 | |||
| КТ3107В | 5 В; 2 мА | 70…140 | |||
| КТ3107Г | 5 В; 2 мА | 120…220 | |||
| КТ3107Д | 5 В; 2 мА | 180…460 | |||
| КТ3107Е | 5 В; 2 мА | 120…220 | |||
| КТ3107Ж | 5 В; 2 мА | 180…460 | |||
| КТ3107И | 5 В; 2 мА | 180…460 | |||
| КТ3107К | 5 В; 2 мА | 380…800 | |||
| КТ3107Л | 5 В; 2 мА | 380…800 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ3107А | 10 В | ≤7 | пФ |
| КТ3107Б | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107В | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107Г | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107Д | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107Е | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107Ж | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107И | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107К | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107Л | 10 В | ≤7 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | КТ3107А | — | ≤20 | Ом |
| КТ3107Б | — | ≤20 | |||
| КТ3107В | — | ≤20 | |||
| КТ3107Г | — | ≤20 | |||
| КТ3107Д | — | ≤20 | |||
| КТ3107Е | — | ≤20 | |||
| КТ3107Ж | — | ≤20 | |||
| КТ3107И | — | ≤20 | |||
| КТ3107К | — | ≤20 | |||
| КТ3107Л | — | ≤20 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ3107А | 1 кГц | ≤10 | Дб, Ом, Вт |
| КТ3107Б | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3107В | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3107Г | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3107Д | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3107Е | 1 кГц | ≤4 | |||
| КТ3107Ж | 1 кГц | ≤4 | |||
| КТ3107И | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3107К | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3107Л | 1 кГц | ≤4 | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ3107А | — | — | пс |
| КТ3107Б | — | — | |||
| КТ3107В | — | — | |||
| КТ3107Г | — | — | |||
| КТ3107Д | — | — | |||
| КТ3107Е | — | — | |||
| КТ3107Ж | — | — | |||
| КТ3107И | — | — | |||
| КТ3107К | — | — | |||
| КТ3107Л | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов. *1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Проверка мультиметром
Транзистор кт3107
С помощью мультиметра можно проверить кт315, да и собственно любой полупроводниковый триод в два этапа. На первом этапе надо посмотреть состояние p-n переходов между базой и другими выводами. Как известно, p-n переходы у транзистора представляют собой два диода. Для их проверки надо установить на мультиметре режим измерения для диодов.
Далее приложите положительный щуп «+» мультиметра к базе, а отрицательны «-» на любой из электродов. Если переходы рабочие, то падение напряжения на них должно быть в пределах 500-700 милливольт. При подключения тестера по другому, когда отрицательный щуп установлен на базе, на экране мультиметра должна отображается единица. Единица указывает на бесконечно большое сопротивление перехода. Если эти условия не выполняются, то транзистор не проходит первый этап проверки и считается не исправным.
На втором этапе проверяется проводимость между выводами коллектора и эммитера. Щупы прикладываются разными способами между этими электродами, при этом на мультиметре должна отображаться единица. Если это не так –полупроводниковый прибор не исправен.
Зарубежные аналоги КТ3102
Для замены KT 3102 существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.
Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.
КТ3102 в SMD исполнении
Зарубежные аналоги КТ3102
Для замены KT 3102
существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.
Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.
КТ315 — аналоги отечественные и зарубежные
Но так как главной темой статьи является не КТ315 — аналоги для этого транзистора, то следует уже уделить внимание и основной теме. Итак, вот список аналогов:
- Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления. Если сравнивать с КТ315, аналог зарубежный довольно дорогой. Но он имеет то преимущество, что при пайке и перепайке не так быстро выходит из строя (что не в последнюю очередь благодаря его увеличенной и укреплённой конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность — 0,25. На направление «коллектор-база» может подаваться до 50 Вольт. На коллектор-эмиттер — до 45 Вольт. Максимальное напряжение для направления эмиттер-база составляет 6 Вольт. Коллекторный переход имеет ёмкость 8. Предельная температура перехода составляет 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока — 200.
- Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены. Значение максимальной рассеиваемой мощности составляет 0,18. Максимально допустимое напряжение на коллектор-базу и коллектор-эмиттер — 40 Вольт. Эмиттер-база — всего 6 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 8. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока — 90.
- Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что он для КТ315 — аналог отечественный будет неверно, ведь исторически так сложилось, что подобные детали изготавливались одного вида, который соответствует всем необходимым запросам и может выполнить возложенные на него функции. Дело в том, что просто КТ3102 не существует, обязательно вслед идёт ещё одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Более детальную информацию вы сможете получить, просматривая каждый транзистор. Отечественная разработка является усовершенствованным КТ315. Аналог в этом случае — слово не совсем уместное, скорее, усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 составляет 0,25. На коллектор-базу может подаваться максимальное напряжение в 20-50 Вольт. Максимальное напряжение, которое можно подавать на коллектор-эмиттер, тоже составляет 20-50 Вольт. Максимальное напряжение на эмиттер-базу составляет 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода равняется 6. Предельная температура перехода — 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока равняется 100.
- Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность — 0,1. Напряжение на направлении коллектор — база не должно превышать 40 Вольт. Максимальное напряжение на направлении коллектор — эмиттер не должно быть больше 15 Вольт. Для направления эмиттер — база это значение не должно превышать 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 6 единиц. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока равен 35.
