Мультивибратор на КТ315
Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.
Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).
Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.
Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.
Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.
Цветомузыкальная приставка на П213.
Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.
Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.
Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815
. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: NEC Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 13955 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Достоинства и недостатки составных транзисторов
Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.
Достоинства составных пар Дарлингтона и Шиклаи:
- Высокий коэффициент усиления по току.
- Схема Дарлингтона изготавливается в составе интегральных схем и при одинаковом токе площадь занимаемая парой на поверхности кристалла кремния меньше, чем у одиночного биполярного транзистора.
- Применяются при относительно высоких напряжениях.
Недостатки составного транзистора:
- Низкое быстродействие, особенно в ключевом режиме при переходе из открытого состояния в закрытое. Поэтому составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, работающих в линейном режиме. На высоких частотах их частотные параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
- Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер выходного транзистора в схеме Дарлингтона почти в два раза больше, чем в одиночном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В, так как не может быть меньше, чем удвоенное падение напряжения на прямосмещенном p-n переходе.
- Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности, так как не может быть меньше чем падение напряжения на прямосмещенном p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе.
Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчетом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии (начальный ток коллектора) создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счетфорсирования закрытия транзистора , так как неосновные носители, накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько кОм в маломощном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы Дарлингтона выполненной в одном корпусе со встроенным эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона типа КТ825, его типовой коэффициент усиления по току около 1000 при коллекторном токе 10 А.
Архив блога
-
►
2020
(2)
-
►
февраля
(1)
►
фев 09
(1)
-
►
января
(1)
►
янв 19
(1)
-
-
►
2019
(11)
-
►
июня
(1)
►
июн 29
(1)
-
►
апреля
(2)
►
апр 30
(1)
►
апр 26
(1)
-
►
февраля
(5)
►
фев 27
(1)
►
фев 24
(1)
►
фев 16
(1)
►
фев 12
(1)
►
фев 07
(1)
-
►
января
(3)
►
янв 27
(1)
►
янв 25
(1)
►
янв 15
(1)
-
-
►
2018
(35)
-
►
декабря
(1)
►
дек 01
(1)
-
►
ноября
(1)
►
ноя 18
(1)
-
►
октября
(4)
►
окт 24
(1)
►
окт 09
(1)
►
окт 06
(1)
►
окт 04
(1)
-
►
сентября
(4)
►
сен 18
(4)
-
►
июля
(6)
►
июл 31
(5)
►
июл 03
(1)
-
►
мая
(2)
►
мая 24
(1)
►
мая 17
(1)
-
►
апреля
(5)
►
апр 25
(1)
►
апр 22
(1)
►
апр 19
(1)
►
апр 01
(2)
-
►
марта
(5)
►
мар 29
(1)
►
мар 10
(1)
►
мар 06
(1)
►
мар 05
(2)
-
►
февраля
(2)
►
фев 25
(1)
►
фев 12
(1)
-
►
января
(5)
►
янв 27
(1)
►
янв 18
(1)
►
янв 17
(2)
►
янв 09
(1)
-
-
►
2017
(98)
-
►
декабря
(10)
►
дек 24
(2)
►
дек 06
(1)
►
дек 03
(2)
►
дек 02
(1)
►
дек 01
(4)
-
►
ноября
(35)
►
ноя 29
(1)
►
ноя 22
(1)
►
ноя 19
(2)
►
ноя 16
(20)
►
ноя 14
(9)
►
ноя 13
(2)
-
►
октября
(9)
►
окт 23
(1)
►
окт 21
(1)
►
окт 20
(1)
►
окт 17
(3)
►
окт 13
(2)
►
окт 08
(1)
-
►
сентября
(8)
►
сен 22
(1)
►
сен 18
(1)
►
сен 13
(2)
►
сен 12
(1)
►
сен 09
(1)
►
сен 04
(1)
►
сен 02
(1)
-
►
августа
(1)
►
авг 13
(1)
-
►
июля
(1)
►
июл 09
(1)
-
►
июня
(1)
►
июн 22
(1)
-
►
мая
(3)
►
мая 23
(1)
►
мая 22
(1)
►
мая 16
(1)
-
►
апреля
(3)
►
апр 09
(2)
►
апр 07
(1)
-
►
марта
(11)
►
мар 31
(1)
►
мар 25
(1)
►
мар 23
(1)
►
мар 18
(1)
►
мар 17
(2)
►
мар 14
(1)
►
мар 03
(1)
►
мар 02
(2)
►
мар 01
(1)
-
►
февраля
(6)
►
фев 28
(1)
►
фев 26
(1)
►
фев 24
(2)
►
фев 20
(1)
►
фев 02
(1)
-
►
января
(10)
►
янв 28
(3)
►
янв 24
(2)
►
янв 21
(1)
►
янв 19
(1)
►
янв 14
(1)
►
янв 13
(2)
-
-
►
2016
(184)
-
►
декабря
(8)
►
дек 24
(1)
►
дек 23
(1)
►
дек 22
(1)
►
дек 20
(1)
►
дек 15
(1)
►
дек 14
(1)
►
дек 13
(1)
►
дек 11
(1)
-
►
ноября
(24)
►
ноя 30
(1)
►
ноя 29
(3)
►
ноя 28
(1)
►
ноя 26
(3)
►
ноя 25
(1)
►
ноя 21
(2)
►
ноя 19
(2)
►
ноя 15
(1)
►
ноя 14
(3)
►
ноя 12
(2)
►
ноя 10
(1)
►
ноя 08
(1)
►
ноя 06
(2)
►
ноя 04
(1)
-
►
октября
(7)
►
окт 31
(1)
►
окт 24
(1)
►
окт 19
(2)
►
окт 11
(2)
►
окт 02
(1)
-
►
сентября
(23)
►
сен 24
(2)
►
сен 23
(1)
►
сен 22
(8)
►
сен 20
(2)
►
сен 16
(1)
►
сен 15
(1)
►
сен 12
(1)
►
сен 10
(2)
►
сен 03
(3)
►
сен 01
(2)
-
►
августа
(7)
►
авг 06
(4)
►
авг 03
(2)
►
авг 01
(1)
-
►
июля
(28)
►
июл 31
(2)
►
июл 30
(3)
►
июл 28
(1)
►
июл 24
(1)
►
июл 22
(1)
►
июл 21
(2)
►
июл 20
(2)
►
июл 18
(4)
►
июл 15
(3)
►
июл 10
(1)
►
июл 07
(1)
►
июл 06
(3)
►
июл 05
(1)
►
июл 04
(2)
►
июл 01
(1)
-
►
июня
(11)
►
июн 27
(1)
►
июн 26
(2)
►
июн 19
(2)
►
июн 16
(1)
►
июн 13
(1)
►
июн 06
(2)
►
июн 05
(1)
►
июн 03
(1)
-
►
мая
(22)
►
мая 31
(5)
►
мая 27
(2)
►
мая 26
(1)
►
мая 24
(2)
►
мая 22
(3)
►
мая 21
(2)
►
мая 16
(1)
►
мая 15
(1)
►
мая 14
(1)
►
мая 09
(2)
►
мая 04
(1)
►
мая 01
(1)
-
►
апреля
(9)
►
апр 23
(2)
►
апр 16
(1)
►
апр 13
(1)
►
апр 09
(1)
►
апр 04
(1)
►
апр 02
(3)
-
►
марта
(25)
►
мар 26
(1)
►
мар 22
(1)
►
мар 21
(3)
►
мар 20
(5)
►
мар 19
(3)
►
мар 17
(1)
►
мар 12
(1)
►
мар 09
(1)
►
мар 08
(1)
►
мар 07
(2)
►
мар 06
(3)
►
мар 05
(3)
-
►
февраля
(10)
►
фев 28
(1)
►
фев 24
(1)
►
фев 22
(1)
►
фев 20
(1)
►
фев 10
(1)
►
фев 06
(2)
►
фев 02
(3)
-
►
января
(10)
►
янв 30
(1)
►
янв 26
(1)
►
янв 24
(1)
►
янв 20
(1)
►
янв 19
(4)
►
янв 09
(1)
►
янв 06
(1)
-
-
►
2015
(125)
-
►
декабря
(16)
►
дек 30
(4)
►
дек 24
(1)
►
дек 21
(1)
►
дек 20
(5)
►
дек 13
(3)
►
дек 05
(1)
►
дек 04
(1)
-
►
ноября
(35)
►
ноя 27
(1)
►
ноя 25
(1)
►
ноя 22
(3)
►
ноя 21
(7)
►
ноя 19
(1)
►
ноя 18
(1)
►
ноя 17
(2)
►
ноя 16
(3)
►
ноя 15
(3)
►
ноя 14
(6)
►
ноя 11
(2)
►
ноя 09
(3)
►
ноя 06
(2)
-
►
октября
(8)
►
окт 31
(1)
►
окт 23
(3)
►
окт 22
(3)
►
окт 08
(1)
-
►
сентября
(5)
►
сен 29
(1)
►
сен 28
(1)
►
сен 18
(1)
►
сен 17
(1)
►
сен 11
(1)
-
►
августа
(10)
►
авг 21
(1)
►
авг 20
(5)
►
авг 18
(1)
►
авг 16
(1)
►
авг 07
(2)
-
►
июля
(4)
►
июл 31
(1)
►
июл 10
(1)
►
июл 06
(1)
►
июл 01
(1)
-
►
июня
(9)
►
июн 30
(1)
►
июн 26
(1)
►
июн 25
(1)
►
июн 22
(1)
►
июн 19
(1)
►
июн 18
(1)
►
июн 13
(1)
►
июн 09
(1)
►
июн 01
(1)
-
►
мая
(11)
►
мая 27
(1)
►
мая 25
(1)
►
мая 23
(2)
►
мая 20
(1)
►
мая 17
(1)
►
мая 16
(2)
►
мая 11
(1)
►
мая 05
(1)
►
мая 04
(1)
-
►
апреля
(5)
►
апр 29
(1)
►
апр 19
(2)
►
апр 16
(1)
►
апр 06
(1)
-
►
марта
(4)
►
мар 26
(2)
►
мар 23
(1)
►
мар 10
(1)
-
►
февраля
(6)
►
фев 28
(1)
►
фев 22
(1)
►
фев 14
(1)
►
фев 10
(2)
►
фев 01
(1)
-
►
января
(12)
►
янв 17
(1)
►
янв 13
(2)
►
янв 12
(1)
►
янв 09
(1)
►
янв 06
(2)
►
янв 05
(1)
►
янв 04
(1)
►
янв 03
(2)
►
янв 01
(1)
-
-
▼
2014
(232)
-
►
декабря
(13)
►
дек 31
(1)
►
дек 27
(1)
►
дек 26
(1)
►
дек 23
(1)
►
дек 22
(1)
►
дек 20
(1)
►
дек 19
(1)
►
дек 14
(2)
►
дек 13
(1)
►
дек 06
(1)
►
дек 01
(2)
-
►
ноября
(5)
►
ноя 30
(3)
►
ноя 19
(1)
►
ноя 03
(1)
-
►
октября
(1)
►
окт 16
(1)
-
►
сентября
(1)
►
сен 21
(1)
-
►
августа
(5)
►
авг 19
(1)
►
авг 11
(1)
►
авг 08
(3)
-
►
июня
(15)
►
июн 30
(1)
►
июн 27
(1)
►
июн 24
(3)
►
июн 22
(2)
►
июн 21
(3)
►
июн 05
(2)
►
июн 04
(1)
►
июн 03
(2)
-
►
мая
(2)
►
мая 26
(1)
►
мая 20
(1)
-
►
апреля
(5)
►
апр 17
(2)
►
апр 13
(1)
►
апр 12
(1)
►
апр 02
(1)
-
►
марта
(3)
►
мар 10
(2)
►
мар 03
(1)
-
►
февраля
(10)
►
фев 19
(1)
►
фев 04
(8)
►
фев 01
(1)
-
▼
января
(172)
►
янв 26
(20)
-
▼
янв 25
(16)
►
янв 20
(2)
►
янв 19
(30)
►
янв 18
(10)
►
янв 17
(41)
►
янв 10
(13)
►
янв 06
(40)
-
-
Транзистор
Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, они стремительно начали вытеснять электровакуумные приборы и, в частности, триоды. В настоящее время транзисторы занимают ведущее положение в схемотехнике.
Начинающему, а порой и опытному радиолюбителю-конструктору, не сразу удаётся найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея же под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами гораздо легче строить «здание» того или другого устройства.
Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в ), рассмотрим лишь отдельные свойства и способы их улучшения.
Одна из первых проблем, возникающих перед разработчиком, — увеличение мощности транзистора. Её можно решить параллельным включением транзисторов (рис.1). Токовыравнивающие резисторы в цепях эмиттеров способствуют равномерному распределению нагрузки.
Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при усилении больших сигналов, но и для уменьшения шума при усилении слабых. Уровень шумов уменьшается пропорционально корню квадратному из количества параллельно включённых транзисторов.
Защита от перегрузки по току наиболее просто решается введением дополнительного транзистора (рис.2). Недостаток такого самозащитного транзистора — снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант усовершенствования показан на рис.3. Благодаря введению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R, а значит, и рассеиваемую на нём мощность.
Составной транзистор (рис. 4) имеет повышенное выходное сопротивление и значительно уменьшенный эффект Миллера благодаря каскодному включению полевого и биполярного транзисторов.
За счёт полной развязки второго транзистора от входа и питанию стока первого транзистора напряжением, пропорциональным входному, составной транзистор, изображённый на рис.5, имеет ещё более высокие динамические характеристики.
Единственное условие реализации такого транзистора — более высокое напряжение отсечки второго транзистора. Входной транзистор можно заменить на биполярный.
Одна из особенностей транзисторного ключа при изменяющейся нагрузке — изменение времени выключения транзистора. Чем больше насыщение транзистора при минимальной нагрузке, тем больше время выключения. Избежать глубокого насыщения можно путём предотвращения прямого смещения перехода база-коллектор. Наиболее простая реализация этой идеи с помощью диода Шоттки представлена на рис.6. На рис.7 изображён более сложный вариант — схема Бейкера.
https://youtube.com/watch?v=D60LaX9Fza0
Транзисторы серии КТ825, 2Т825
По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.
2Т825А
2Т825А Транзисторы 2Т825А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения . Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Транзистор 2Т825А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора: — в металлическом корпусе не более 20,0 г, — кристалла не более 0,025 г. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: — приемка «ВП» аА0.339.054ТУ; — приемка «ОСМ» аА0.339.054ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N6287.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки. Гарантийная наработка: — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ; — 40000 часов — в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т825А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт; • fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; • h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 500. 18000; • Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ; • Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом
Источник
Транзисторы КТ825
Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p. Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.
КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока — У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750. У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 . У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000 .
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в. У транзисторов КТ825Е — 25 в. У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в. У транзисторов КТ825Г — 70 в. У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.
Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А. У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.
Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе) У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт. У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт. У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт. Без радиатора — 3 Вт.
Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА — 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА — не более 2в.
Максимальная температура перехода: У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия. У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.
Граничная частота передачи тока — 4 МГц.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ825
КТ825Г — 2N6051. КТ825Д — 2N6050. КТ825Е — BDX64. КТ825ГM — 2N6052G. 2Т825В -2N6285. 2Т825Б — 2N6286. 2Т825А — TIP147, TIP142
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Источник
Аналоги КТ315
У транзистора имеется как отечественная замена, так и заграничная. Начнем с первой. Это КТ3102 (ТО-92). Он тоже кремниевый, с npn структурой, но с большей температурой (до +150 С), другим расположением диодов и более высокими электрическими возможностями. Можно сказать, что они, относительно, одинаковы.
Иностранные заменители: ВС547 (npn, высокочастотный (примерно в 300 МГц, когда у КТ315 — 250 МГц), расположение диодов как у КТ3102, температура до +150 С), PN2222 (300 МГц, цоколевка соответствует предыдущей, остальные характеристики примерно одинаковы с КТ315), 2SC9014 (температура от -55 С до +150 С, 270 МГц). Раньше зарубежные транзисторы выходили с корпусом КТ-13, но на данный момент таких уже не существует.
Усилитель на КТ315
Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.
На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).
Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.
Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.
Маркировка транзисторов
Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.
Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.
Транзисторы КТ818 и КТ825 — Основные параметры, маркировка и цоколевка.
Транзисторы
КТ825
Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные
низкочастотные, структуры p-n-p. Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.
КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах.
Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814.
Сама схема выглядит вот таким образом.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока —
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750. У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 . У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750
18000
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в. У транзисторов КТ825Е — 25 в. У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в. У транзисторов КТ825Г — 70 в. У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.
Максимальный ток коллектора.У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А. У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.
Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе) У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт. У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт. У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт. Без радиатора — 3
Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора
10 А и базовом токе 40 мА— 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в
Емкость коллекторного перехода
при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА
— не более 2в.
Максимальная температура перехода: У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия. У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.
Граничная частота передачи тока — 4 МГц.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ825
КТ825Г — 2N6051. КТ825Д — 2N6050. КТ825Е — BDX64.КТ825ГM — 2N6052G.2Т825В -2N6285.
Транзисторы — купить… или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы?В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые
транзисторы из ее схем.Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей «Амфитон», «Вега», «Эстония», «Ода».
На главную страницу
Параметры транзистора КТ825. Datasheet. Цоколевка и аналоги.
КТ825
—
кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный составной (Дарлингтона) n-p-n
транзистор в пластмассовом корпусе TO-3
Назначение: КТ825
предназначен для применения
усилителях низкой частоты, переключающих устройствах
Типы: КТ825
Г, КТ825
Д, КТ825 Е
Аналог КТ825
: по параметрам близок 2N6050
Комплементарная пара: npn транзистор КТ827
Цоколевка КТ825
: см. рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Datasheet:
(подробные
характеристики с графиками зависимостей параметров)
| Основные параметры транзисторов КТ825: | |||
|---|---|---|---|
| Параметры | Режим измерения | Min (минимальное значение параметра) | Max (максимальное значение параметра) |
| Статический коэффициент передачи тока КТ825 | Uкэ=10B, Iк=10A | 750 | 18000 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ825 | Iк=10А, Iб=40мA | 1 | 2.0В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер КТ825 | Iк=20A, Iб=200мA | 2.6 | 4.0В |
| Предельные параметры транзисторов КТ825 : |
|||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттерКТ825 ГКТ825 ДКТ825 Е | Rэб≤ 1кОм | 90В60В30В | |
| Напряжение эмиттер-база (обратное) | 5В | ||
| Постоянный ток коллектора КТ825 | 20А | ||
| Импульсный ток коллектора | 40А | ||
| Постоянный ток базы | 0.5А | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Тк ≤ 25 °С | 125Вт |
Подробные характеристики КТ825
и графики зависимостей
параметров приведены в
справочнике мощных транзисторов
Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)
Кремниевый составной транзистор КТ825 (p-n-p)
Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.
Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: золото 10.0332 грамм, серебро 48.0028 грамм. Содержание цветных металлов медь — 3.8 грамм в одном транзисторе.
Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.
Основные технические характеристики транзисторов КТ825:
| Прибор | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | при TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКБ,В | IЭ, А | UКЭ нас, В | IКБ0, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс |
| КТ825Г | 20 | 30 | 70 | 5 | 125 | 25 | 150 | 100 | 750 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1 | |
| КТ825Д | 20 | 30 | 45 | 5 | 125 | 25 | 150 | 100 | 750 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1 | |
| КТ825Е | 20 | 30 | 25 | 5 | 125 | 25 | 150 | 100 | 750 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1 | |
| 2Т825А | 20 | 40 | 80 | 5 | 160 | 25 | 175 | 125 | 500. 18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1,2 | |
| 2Т825Б | 20 | 40 | 60 | 5 | 160 | 25 | 175 | 125 | 750. 18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1,2 | |
| 2Т825В | 20 | 40 | 45 | 5 | 160 | 25 | 175 | 125 | 750. 18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 600 | 600 | 1 | 4,5 | 1,2 | |
| 2Т825А2 | 15 | 40 | 80 | 100 | 5 | 30 | 25 | 150 | 100 | 500. 18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 250 | 400 | 4,17 | ||
| 2Т825Б2 | 15 | 40 | 60 | 80 | 5 | 30 | 25 | 150 | 100 | 750. 18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 250 | 400 | 4,17 | ||
| 2Т825В2 | 15 | 40 | 45 | 60 | 5 | 30 | 25 | 150 | 100 | 750. 18000 | 10 | 10 | 2 | 4 | 250 | 400 | 4,17 |
КТ825 эквивалентная схема составного танзистора:
Источник
