13009 транзистор характеристики,аналоги, datasheet, цоколевка

STI13005-1 Datasheet (PDF)

1.1. sti13005-1.pdf Size:235K _update

STI13005-1 High voltage fast-switching NPN power transistor Preliminary data Features ■ STI13005-1 is opposite pin out versus standard IPAK package ■ High voltage capability ■ Low spread of dynamic parameters 3 ■ Very high switching speed 2 1 Application IPAK ■ Switch mode power supplies (AC-DC converters) Description Figure 1. Internal schematic diagram The device

2.1. sti13005h.pdf Size:226K _update

STI13005-H High voltage fast-switching NPN power transistor Datasheet — production data Features ■ Low spread of dynamic parameters ■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation TAB ■ Very high switching speed Applications 3 2 1 ■ Electronic ballast for fluorescent lighting I2PAK ■ Switch mode power supplies Description This device is manufactured using high volta

Транзисторы MJE13001 и 13001

Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание!

При близких(почти идентичных) общих параметрах уразных производителей транзисторы 13001 могутотличаться по расположению выводов .

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе. Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

H13005D Datasheet (PDF)

Транзистор h945

1.1. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi

R H13005DL 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast，etc 2． 2． 2

1.2. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi

R H13005D 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2．

1.3. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA)

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.
Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Список источников

russianstartuprating.ru
www.promebel.com
shematok.ru
elektrikaetoprosto.ru
alltransistors.com

Коммутация нагрузки

Простыми схемами на транзисторных ключах можно производить коммутацию токов в интервале 0,15… 14 А, напряжений 50… 500 В. Все зависит от конкретного типа транзистора. Ключ может производить коммутацию нагрузки 5-7 кВт при помощи управляющего сигнала, мощность которого не превышает сотни милливатт.

Можно применять вместо транзисторных ключей простые электромагнитные реле. У них имеется достоинство – при работе не происходит нагрев. Но вот частота циклов включения и отключения ограничена, поэтому использовать в инверторах или импульсных блоках питания для создания синусоиды их нельзя. Но в общем принцип действия ключа на полупроводниковом транзисторе и электромагнитного реле одинаков.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Характеристики и аналоги 13001 S8D

Транзистор 13001S8D имеет следующие предельные значение ( Tj = 25 ℃, если не указано иное):

Параметр	Условное обозначение	Значение	Единица измерения
Напряжение коллектор-база	VCBO	600	V
Напряжение коллектор-эмиттер	VCEO	400	V
Напряжение Эмиттер-База	VEBO	7	V
Ток коллектора	Ic	0.5	A
Полная рассеиваемая мощность	Pc	0.65	W
Температура хранения	Tstg	-65

150

Также приведем электрические параметры:

℃
Температура соединения	Tj	150	℃

Параметр	Условное обозначение	Условия испытаний	Min	Max	Единица измерения
Напряжение пробоя коллектор-база	BVCBO	Ic=0.5mA,Ie=0	600	V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	BVCEO	Ic=10mA,Ib=0	400	V
Напряжение пробоя базы эмиттера	BVEBO	Ie=1mA,Ic=0	7	V
Ток отсечки коллекторной базы	ICBO	Vcb=600V,Ie=0	100	μA
Ток отключения коллектор-эмиттер	ICEO	Vce=400V,Ib=0	20	μA
Ток отсечки эмиттер-базы	IEBO	Veb=7V,Ic=0	100	μA
Усиление постоянного тока	hFE	Vce=20V,Ic=20mA	10	40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	VCE(sat)	Ic=200mA,Ib=100mA	0.6	V
Напряжение насыщения базы-излучателя	VBE(sat)	Ic=200mA,Ib=100mA	1.2	V
Время хранения	Ts	Ic=0.1mA, (UI9600)	2	μS
Время падения	fT	VCE =20V,Ic=20mA f=1MHZ	0.8	μS

Аналоги 13001 S8D являются схожие по всем техническим значения биполярные NPN Транзисторы.

Номер в каталоге : 13001S8D

функция : TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

Производитель : JTD Semi

цоколевка :

(0 голосов, среднее: 0 из 5)

Проводимость транзисторов

Один из режимов работы транзистора – ключевой. По сути, он выполняет функции выключателя. Затрагивать схемы усилительных каскадов нет смысла, они не относятся к этому режиму работы. Полупроводниковые триоды применяются во всех типах устройств – в автомобильной технике, в быту, в промышленности. Все биполярные транзисторы могут иметь такой тип проводимости:

P-N-P.
N-P-N.

К первому типу относятся полупроводники, изготовленные на основе германия. Эти элементы получили широкое распространение более полувека назад. Чуть позже в качестве активного элемента начали использовать кремний, у которого проводимость обратная – n-p-n.

Принцип работы у приборов одинаков, отличаются они только лишь полярностью питающего напряжения, а также отдельными параметрами. Популярность у кремниевых полупроводников на данный момент выше, они почти полностью вытеснили германиевые. И большая часть устройств, включая транзисторные ключи, изготавливаются на биполярных кремниевых элементах с проводимостью n-p-n.

My-chip.info — Дневник начинающего телемастера

Всем привет. Сегодня на ремонт привезли Rainford TV5555 с типичной неисправностью «не включается». При попытке включения, телевизор издает умирающий писк, после чего снова переходит в дежурный режим. Хозяин сказал, что несколько раз отвозил его к знакомому мастеру, после чего телевизор проработал не более года.

rainford TV5555

Сняв заднюю крышку, сразу в глаза бросается прикрученный дополнительный радиатор для BU808DF. В принципе, это не является чем-то новым, так как многие мастера добавляют такие радиаторы, чтобы уменьшить температуру строчного транзистора, которая порой может достигать 80 градусов. Я лично такого ни разу не делал, так как в этом не было необходимости.

Дополнительный радиатор BU808DF

Немного почистив плату от пыли, приступил к визуальному осмотру. Сразу увидел вздутый конденсатор C623 47мкф на 160в. Более никаких внешних особенностей на плате мною замечено не было.

Из остатков флюса на плате видно, что предыдущий мастер производил замену транзистора BU808DF и конденсатора C613 10мкф на 50в. Это было сделано правильно, так как севший с613 и является частой причиной «смерти» сточного транзистора.

Приступим к ремонту

Первым же делом я заменил C623 47мкф на 160в. Неисправность этого конденсатора могла вызывать плохую фильтрацию напряжения +B на строчник, что приводит к перегреву транзистора и помехам на изображении. Далее, прозвонил сам BU808DF. Как я и предполагал, он был пробитый. Переход коллектор-база показывал 450 Ом в обе стороны. Так как одну причину возможного выхода из строя строчного транзистора мы определили, я решил сразу проверить C613, и как оказалось не зря. Выпаяв конденсатор, подключил его к ESR метру. Результат был далеко не в пользу конденсатора, так как замеры показали, что его внутренне сопротивление составляет 16 Ом, а должно быть не более 1 Ома! С таким C613 шансов выжить у строчного транзистора не было вообще.

Завышенный ESR конденсатора

Заменить C613 я решил на конденсатор, номиналом 22 Мкф на 63в. После благополучной замены приступил к замене самого транзистора BU808DF.

Замена BU808DF на сборку из двух транзисторов.

С виновниками «смерти» BU808DF разобрался, теперь приступил к замене самого транзистора. Выпаиваю из платы такие вещи я с помощью оплетки. Если в наличии нет заводской оплетки, то использую обычный многожильный медный провод хорошо покрытым флюсом.Нагретым паяльником прижимаю к ножке транзистора оплетку, чтоб та вобрала в себя все олово. Убираю оплетку, и кусачками откусываю использованный кусочек.

Выпаивание транзистора оплеткой

Так повторяю пока ножки детали полностью не освободятся от олова. Результат таких действий видно на картинке ниже.

Результат выпаивания BU808 оплеткой

Купить BU808DF нормального качества сейчас почти не реально, да и цена его очень сильно кусается. Как только стало проблематично закупать транзисторы BU808DF , я задался вопросом о замене транзистора на что-то другое. На одном из форумов (наверное форум сайта монитор), я наткнулся на сборку BU808DF из 2-х транзисторов MD1802 и MD1803DFX. Перерисовав схему, пользуюсь ей по сей день. Кстати, вместо 1802 и 1803 неоднократно использовал BU508AF и BU508DF, работают они также хорошо, правда немного больше греются, но это ни на что не влияет. Вот сама схема:

Схема замены BU808DF

Из дополнительных запчастей еще понадобится диод (можно любой выпрямительный из блока питания) и сопротивление 390-400 Ом. Сначала выпаиваю сам радиатор. Откручиваю дополнительный радиатор установленный предыдущим мастером, и устанавливаю транзисторы как на картинке ниже.

Обязательно под транзисторы необходимо намазать немного теплопроводящей пасты. Вверх ножками у нас установлен транзистор MD1802. Для того, чтоб не сделать ошибку, на радиаторе делаю надписи с обозначением выводов, чтобы случайно их не попутать. Вот так выглядит конечный результат.

Готовая замена BU808DF

Для большей наглядности провода сделал разными цветами. Устанавливаем все на место.

Забыл добавить, что перед установкой транзистора, я измерял напряжение, приходящее на строчник. Оно ровняется 115в, что в пределах нормы. Конечный вариант после чистки платы от флюса.

После всех манипуляций телевизор заработал.

После 20 минут работы, температура радиатора составила 45 градусов. Так как термопара может немного искажать результат, думаю, что реальная температура радиатора составила не более 50 градусов, так как руку держать на нем можно без усилий.

температура радиатора BU808DF

Подводя итоги:

Весь инструмент и расходники, которые я использую в ремонтах находится здесь.Если у Вас возникли вопросы по ремонту телевизионной техники, вы можете задать их на нашем новом форуме . (7 оценок, среднее: 4,86 из 5)

Транзистор в режиме ключа

Транзистор в режиме ключа выполняет те же функции, что и электромагнитное реле или выключатель. Ток управления протекает следующим образом:

От микроконтроллера через переход «база — эмиттер».
При этом канал «коллектор — эмиттер» открывается.
Через канал «коллектор — эмиттер» можно пропустить ток, величина которого в сотни раз больше, нежели базового.

Особенность транзисторных переключателей в том, что частота коммутации намного выше, нежели у реле. Кристалл полупроводника способен за одну секунду совершить тысячи переходов из открытого состояния в закрытое и обратно. Так, скорость переключения у самых простых биполярных транзисторов — около 1 млн раз в секунду. По этой причине транзисторы используют в инверторах для создания синусоиды.

Работа с микроконтроллерами

При расчете транзисторного ключа нужно учитывать все особенности работы элемента. Для того чтобы работала система управления на микроконтроллере, используются усилительные каскады на транзисторах. Проблема в том, что выходной сигнал у контроллера очень слабый, его не хватит для того, чтобы включить питание на обмотку электромагнитного реле (или же открыть переход очень мощного силового ключа). Лучше применить биполярный транзисторный ключ, которым произвести управление MOSFET-элементом.

Применяются несложные конструкции, состоящие из таких элементов:

Биполярный транзистор.
Резистор для ограничения входного тока.
Полупроводниковый диод.
Электромагнитное реле.
Источник питания 12 вольт.

Диод устанавливается параллельно обмотке реле, он необходим для того, чтобы предотвратить пробой транзистора импульсом с высоким ЭДС, который появляется в момент отключения обмотки.

Сигнал управления вырабатывается микроконтроллером, поступает на базу транзистора и усиливается. При этом происходит подача питания на обмотку электромагнитного реле – канал «коллектор — эмиттер» открывается. При замыкании силовых контактов происходит включение нагрузки. Управление транзисторным ключом происходит в полностью автоматическом режиме – участие человека практически не требуется. Главное – правильно запрограммировать микроконтроллер и подключить к нему датчики, кнопки, исполнительные устройства.

H13005 Datasheet (PDF)

1.1. ksh13005a.pdf Size:227K _upd

KSH13005A KSH13005A ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005A KSH13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO-220

1.2. ksh13005af.pdf Size:223K _upd

KSH13005AF KSH13005AF ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005AF KSH13005AF Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO

1.3. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13005W █ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-263（D2PAK） Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ Tj——Junction Temperature………

1.4. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

R H13005ADL 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast，etc 2． 2． 2

1.5. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi

1.6. h13005.pdf Size:116K _jdsemi

R H13005 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 Charger and Switch-mode power supplies 2． 2

1.7. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi

1.8. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi

Распиновка

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока —

от 8 до 40, в зависимости от буквы У MJE13003A — от 8 до 12. У MJE13003B — от 12 до 18. У MJE13003C — от 18 до 27. У MJE13003D — от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер —

400 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А

— 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А —

— не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора: В корпусе TO-126 — 1.4 ватт, TO-220 — 50 ватт(с радиатором), TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором), TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.