Транзистор s9015: характеристики и аналоги

Схема TL431

Рассмотрим схему, которая находится в официальном datasheet производителя Texas Instruments.

Схема довольно простая. На ней изображен самый обыкновенный операционный усилитель (выглядит, как треугольник на картинке), который подключен к транзистору на выходе.

Как работает TL431?

Здесь все элементарно. Операционному усилителю на вход стоит источник опорного напряжения на 2.5В, который подсоединен ко входу. Контакт под кодовым названием REF и коллектор и эмиттер транзистора связаны с контактами питания усилителя. А безопасность обеспечивает защитный диод, который сохранит и убережет микросхему от переполюсовки.

Чтобы открылся выходной транзистор, нужно на вход REF подать сигнал, вольтаж которого будет чуть больше, чем опорное. Так как достаточно превышения в пару милливольт, то смело можем считать, что подаем вольтаж, который равен опорному. В таком случае, на выходе с ОУ идет напряжение на базу транзистора, и он открывается.

Специально для особо любознательных в даташите TL431 также имеется изображение детализированной схемы:

Как вы видите, даже на показанной развернутой схеме, устройство TL431 не вызывает чувство страха.

Классы работы звуковых усилителей

Все усилительные устройства разделяются на несколько классов, в зависимости от того, какая степень протекания в течение периода работы тока через каскад:

Класс «А» – ток протекает безостановочно в течение всего периода работы усилительного каскада.
В классе работы «В» протекает ток в течение половины периода.
Класс «АВ» говорит о том, что ток протекает через усилительный каскад в течение времени, равного 50-100 % от периода.
В режиме «С» электрический ток протекает менее чем половину периода времени работы.
Режим «D» УНЧ применяется в радиолюбительской практике совсем недавно – чуть больше 50 лет. В большинстве случаев эти устройства реализуются на основе цифровых элементов и имеют очень высокий КПД – свыше 90 %.

KST9012C Datasheet (PDF)

1.1. kst9012c.pdf Size:137K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type IC
SMD Type
PNP Transistors
KST9012C
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Excellent hFE liearity
Collector Current :IC=-0.5A 12
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -40 V
Collector — Emitter Voltag

3.1. kst9012.pdf Size:925K _kexin

SMD Type or
SMD Type TransistICs
SMD Type
PNP Transistors
KST9012
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
Excellent hFE liearity
Collector Current :IC=-0.5A 1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -40 V
Collector — Emitter Volta

4.1. kst9015-d.pdf Size:1068K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
PNP Transistors
KST9015-D
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=-0.1A
1 2
Complementary to KST9014-D
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -50 V
Collect

4.2. kst9013.pdf Size:987K _kexin

SMD Type TransistICs
SMD Type or
SMD Type
NPN Transistors
KST9013
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=0.5A
1 2
+0.1
0.95-0.1 0.1+0.05
-0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 40 V
Collector — Emitter Voltage

4.3. kst9014-d.pdf Size:1021K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST9014-D
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=0.1A
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
Complementary to KST9015-D
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 50 V
Collector-E

4.4. kst9013c.pdf Size:388K _kexin

SMD Type IC
SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST9013C
SOT-23
Unit: mm
2.9+0.1
-0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=0.5A
12
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 40 V
Collector — Emitter Voltag

4.5. kst9015.pdf Size:971K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
PNP Transistors
KST9015
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4-0.1
3
Features
Complementary to KST9014
1 2
+0.1
+0.05
0.95 -0.1 0.1 -0.01
+0.1
1.9 -0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO -50 V
Collector-Emitter Voltage VCEO -45 V
Emitter-Base Voltage VEBO —

4.6. kst9014.pdf Size:925K _kexin

SMD Type Transistors
SMD Type
NPN Transistors
KST9014
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
Excellent hFE linearity
Collector Current :IC=0.1A
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 50 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V
Emit

4.7. kst9018.pdf Size:515K _kexin

SMD Type
SMD Type Tra n s i s to rs IC
SMD Type
NPN Transistors
KST9018
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
Features
■ Features
High current gain bandwidth product.
●
1 2
+0.1
+0.05
power dissipation.(PC=200mW) 0.95 -0.1 0.1 -0.01
●
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ℃
Parameter Symbol Rating Unit
Col

S9012LT1 Datasheet (PDF)

1.1. s9012lt1.pdf Size:238K _wietron

S9012LT1
PNP General Purpose Transistors
3
P b Lead(Pb)-Free 1
2
SOT-23
Value
V
CEO -20
-40
-5
-500
300
2.4
417
S9012PLT1=12P S9012QLT1=12Q S9012RLT1=12R S9012SLT1=12S
-0.1
-20
-100 -40
-5.0
-100
u
-0.15
-35
-0.15 u
-4.0
WEITRON
1/2 28-Apr-2011
http://www.weitron.com.tw
S9012LT1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued)
Characterist

1.2. s9012lt1.pdf Size:371K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SOT-23
1. BASE
S9012LT1 TRANSISTOR (PNP)
2. EMITTER
3. COLLECTOR
FEATURES
Power dissipation
2. 4
PCM: 0.3 W (Tamb=25℃)
1. 3
Collector current
ICM: -0.5 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: -40 V
Operating and storage junction temperature range
Unit: mm
TJ, Tst

3.1. s9012lt.pdf Size:939K _bruckewell

Bruckewell Technology Corp., Ltd.
PNP EPITAXIAL SILICON
TRANSISTOR
S9012LT
FEATURES
Excellent HFE Linearity HFE
hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V ,Ic=400m
High Total Power Dissipation: Pc=225mW
MECHANICAL DATA
* Case: SOT-23 Molded plastic
* Epoxy: UL94V-O rate flame retardant
SOT-23
Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum Ratings (T

Биполярные транзисторы: принцип работы, характеристики и параметры

Биполярные транзисторы – электронные полупроводниковые приборы, отличающиеся от полевых способом переноса заряда.

В полевых (однополярных) транзисторах, используемых в основном в цифровых устройствах, заряд переносится или дырками, или электронами. В биполярных же в процессе участвуют и электроны, и дырки.

Биполярные транзисторы, как и другие типы транзисторов, в основном используются в качестве усилителей сигнала. Применяются в аналоговых устройствах.

Особенности устройства биполярного транзистора

Биполярный транзистор включает в себя три области:

эмиттер;
базу – очень тонкую, которая изготавливается из слаболегированного полупроводника, сопротивление этой области высокое;
коллектор – его область больше по размерам, чем область эмиттера.

К каждой области припаяны металлоконтакты, служащие для подсоединения прибора в электроцепь.

Электропроводность коллектора и эмиттера одинакова и противоположна электропроводности базы. В соответствии с видом проводимости областей, различают p-n-p или n-p-n приборы. Устройства являются несимметричными из-за разницы в площади контакта – между эмиттером и базой она значительно ниже, чем между базой и коллектором. Поэтому К и Э поменять местами путем смены полярности невозможно.

Принцип работы биполярного транзистора

Этот тип транзистора имеет два перехода:

электронно-дырочный между эмиттером и базой – эмиттерный;
между коллектором и базой – коллекторный.

Дистанция между переходами маленькая. Для высокочастотных деталей она составляет менее 10 мкм, для низкочастотных – до 50 мкм. Для активации прибора на него подают напряжение от стороннего ИП. Принцип действия биполярных транзисторов с p-n-p и n-p-n переходами одинаков. Переходы могут функционировать в прямом и обратном направлениях, что определяется полярностью подаваемого напряжения.

Режим отсечки

Переходы закрыты, прибор не работает. Этот режим получают при обратном подключении к внешним источникам. Через оба перехода протекают обратные малые коллекторные и эмиттерные токи. Часто считается, что прибор в этом режиме разрывает цепь.

Активный инверсный режим

Является промежуточным. Переход Б-К открыт, а эмиттер-база – закрыт. Ток базы в этом случае значительно меньше токов Э и К. Усиливающие характеристики биполярного транзистора в этом случае отсутствуют. Этот режим востребован мало.

Режим насыщения

Прибор полностью открыт. Оба перехода подключаются к источникам тока в прямом направлении. При этом снижается потенциальный барьер, ограничивающий проникновение носителей заряда. Через эмиттер и коллектор начинают проходить токи, которые называют «токами насыщения».

С общим эмиттером

Эта схема включения биполярных транзисторов обеспечивает наибольшее увеличение вольтамперных характеристик (ВАХ), поэтому является самой востребованной. Минус такого варианта – ухудшение усилительных свойств прибора при повышении частоты и температуры. Это означает, что для высокочастотных транзисторов рекомендуется подобрать другую схему.

С общей базой

Применяется для работы на высоких частотах. Уровень шумов снижен, усиление не очень велико. Каскады приборов, собранные по такой схеме, востребованы в антенных усилителях. Недостаток варианта – необходимость в двух источниках питания.

С общим коллектором

Для такого варианта характерна передача входного сигнала обратно на вход, что существенно уменьшает его уровень. Коэффициент усиления по току – высокий, по напряжению – небольшой, что является минусом этого способа. Схема приемлема для каскадов приборов в случаях, если источник входного сигнала обладает высоким входным сопротивлением.

Какие параметры учитывают при выборе биполярного транзистора?

Материал, из которого он изготовлен, – арсенид галлия или кремний.
Частоту. Она может быть – сверхвысокая (более 300 МГц), высокая (30-300 МГц), средняя – (3-30 МГц), низкая (менее 3 МГц).
Максимальную рассеиваемую мощность.

Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.

«Альтернативные» конструкции

Очень низкое значение уровня нелинейных искажений в выходном сигнале.
Высших гармоник меньше, чем в транзисторных конструкциях.

Но есть один огромный минус, который перевешивает все достоинства, – обязательно нужно ставить устройство для согласования. Дело в том, что у лампового каскада очень большое сопротивление – несколько тысяч Ом. Но сопротивление обмотки динамиков – 8 или 4 Ома. Чтобы их согласовать, нужно устанавливать трансформатор.

Конечно, это не очень большой недостаток – существуют и транзисторные устройства, в которых используются трансформаторы для согласования выходного каскада и акустической системы. Некоторые специалисты утверждают, что наиболее эффективной схемой оказывается гибридная – в которой применяются однотактные усилители, не охваченные отрицательной обратной связью. Причем все эти каскады функционируют в режиме УНЧ класса «А». Другими словами, применяется в качестве повторителя усилитель мощности на транзисторе.

Причем КПД у таких устройств достаточно высокий – порядка 50 %. Но не стоит ориентироваться только на показатели КПД и мощности – они не говорят о высоком качестве воспроизведения звука усилителем. Намного большее значение имеют линейность характеристик и их качество

Поэтому нужно обращать внимание в первую очередь на них, а не на мощность

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE)

Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (F_Ш), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение F_Ш определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (R_s) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H_FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 H_FE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много

Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111

KST9012 Datasheet (PDF)

1.1. kst9012c.pdf Size:137K _kexin

1.2. kst9012.pdf Size:925K _kexin

4.1. kst9015-d.pdf Size:1068K _kexin

4.2. kst9013.pdf Size:987K _kexin

4.3. kst9014-d.pdf Size:1021K _kexin

4.4. kst9013c.pdf Size:388K _kexin

4.5. kst9015.pdf Size:971K _kexin

4.6. kst9014.pdf Size:925K _kexin

4.7. kst9018.pdf Size:515K _kexin

L8050 Datasheet (PDF)

1.1. l8050.pdf Size:597K _blue-rocket-elect

L8050(BR3DA8050K)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package.
特征 / Features
PC, IC 大,与 L8550(BR3CA8550K)互补。
High PC and IC, complementary pair with L8550(BR3CA8550K).
用途 / Applications
用于 2W 乙类推挽功放。
2W output amplifier of portable radios in cl

1.2. l8050m.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

L8050M
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
与 L8550M 互补。
Complementary pair with L8550M.
用途 / Applications
用于功率放大电路。
Power amplifier applications.
内部等效电路 / Equivalent Circuit
引脚排列 / Pinning
3
2

1.3. l8050hplt1g.pdf Size:101K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L8050HQLTIG
General Purpose Transistors
Series
NPN Silicon S-L8050HQLTIG
FEATURE
Series
High current capacity in compact package.
IC =1.5 A.
3
Epitaxial planar type.
NPN complement: L8050H
Pb-Free Package is available.
1
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
2
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

1.4. l8050hslt1g.pdf Size:83K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
L8050HQLTIG
NPN Silicon
Series
S-L8050HQLTIG
FEATURE
High current capacity in compact package.
Series
IC =1.5 A.
Epitaxial planar type.
3
NPN complement: L8050H
Pb-Free Package is available.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
1
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and P

1.5. l8050qlt1g.pdf Size:70K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L8050PLT1G
General Purpose Transistors
Series
NPN Silicon
S-L8050PLT1G
FEATURE
Series
High current capacity in compact package.
IC = 0.8A.
Epitaxial planar type. 3
NPN complement: L8050
Pb-Free Package is available.
1
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
2
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPA

1.6. l8050plt1g.pdf Size:77K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
L8050PLT1G
Series
NPN Silicon
S-L8050PLT1G
FEATURE Series
High current capacity in compact package.
IC = 0.8A.
3
Epitaxial planar type.
NPN complement: L8050
Pb-Free Package is available.
1
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
2
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PP

1.7. l8050hqlt1g.pdf Size:88K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
L8050HQLTIG
Series
NPN Silicon
S-L8050HQLTIG
FEATURE
Series
High current capacity in compact package.
IC =1.5 A.
3
Epitaxial planar type.
NPN complement: L8050H
Pb-Free Package is available.

1
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

1.8. l8050hrlt1g.pdf Size:84K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
L8050HQLTIG
Series
NPN Silicon
S-L8050HQLTIG
FEATURE
High current capacity in compact package.
Series
IC =1.5 A.
Epitaxial planar type.
3
NPN complement: L8050H
Pb-Free Package is available.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
1
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and P

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Как правильно травить плату?

Для изготовления усилителя своими руками необходимо нанести на плату все используемые дорожки под радиодетали. Выполнить эту работу можно при помощи маркера CD, а после травить плату хлорным железом. К сожалению, хлорное железо имеет высокую стоимость, поэтому многие заменяют его приготовленным самостоятельно раствором из поваренной соли и медного купороса.

Пропорции приготавливаемой смеси:

Кухонная соль – 200 грамм.
Медный купорос – 100 грамм.
1 литр тёплой воды.

Размешав все компоненты опустите в ёмкость обезжиренные и чистые гвозди или металлические изделия.

Далее вам понадобится компрессор от аквариума, который активизирует реакцию. Кладём в ёмкость плату и выдерживаем около 20 – 30 минут.

Собираем усилитель

На первоначальном этапе выполняется установка используемых радиодеталей на печатной плате. Учитывайте полярность и мощность всех используемых компонентов. Данную работу выполняйте в полном соответствии с имеющейся схемой, что позволит избежать опасности появления короткого замыкания.

Завершив сборку платы можно переходить к изготовлению корпуса. Размеры будущего усилителя зависят от габаритов платы и используемого блока питания. Вы также можете использовать уже готовые заводские корпуса от старых усилителей.

Можем порекомендовать вам изготовить корпус вручную из ДСП. В последующем вы можете с лёгкостью отделать изготовленный корпус шпоном или же самоклеящейся плёнкой.

Перед окончательной сборкой необходимо произвести тестовый запуск усилителя. Производится установка блока питания, платы и всех используемых составляющих. На этом работа по изготовлению усилителя своими руками полностью завершена, и вы можете наслаждаться качественным звуком.

Производители

DataSheet от транзистора S9012 можно скачать от фирм которые занимаются их производством: SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy Semi-Conductor Holdings, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Jiangsu High diode Semiconductor, KEC Semiconductor, Weitron Technology, Nanjing International Group, Tiger Electronic, SHENZHEN SLS TECHNOLOGY, Diode Semiconductor Korea, Daya Electric Group, SHIKE Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor.

На отечественном рынке данные изделия представлены несколькими конторами: Weitron Technology, KEC Semiconductor.

Как проверить TL431

Так как это не одиночный радиокомпонент, а целая схема, заключенная в маленький корпус, мы не можем проверить ее одним лишь мультиметром, ведь в ней содержится только 10 штук транзисторов, не говоря об остальных компонентах. Проверка сопротивлений между выводами не принесет никакой полезной информации, так как от партии к партии и от производителя к производителю референсные значения разнятся.

Поэтому, как и для проверки большинства микросхем, необходимо собрать простейшую схему с ее использованием. Такой схемой может послужить приведенная ниже

При подаче на вход 12В на выходе должно быть 5В, а при замыкании S1 на выход должно идти опорной напряжение микросхемы TL431 — 2.5В. Вы можете подобрать свои значения

Важно, чтобы они соответствовали формуле:

Если все значения подходят — значит микросхема рабочая и ее можно использовать в проекте. Если собрать небольшой стенд с такой схемой на breadboard, то получится конвейерно проверять большое количество TL431 и ей подобных микросхем.

Усилительные параметры транзистора

Усилительные свойства транзисторов для малого переменного сигнала оцениваются с помощью различных систем параметров, связывающих входные токи и напряжения, но нормируются только два основных параметра: h_21e и f_Т (или f_h21b). Зная параметр транзистора h_21e для заданного режима покоя I_E, можно с помощью следующих формул определить основные параметры усилительного каскада в области НЧ:

где S — проводимость транзистора, r_e — сопротивление эмиттера транзистора.

Таким образом, можно вычислить значения |K| — коэффициент усиления напряжения транзистора, |K_i| — коэффициент усиления тока транзистора, Z_ВХ — входное сопротивление транзистора:

Параметры усилительного каскада	Схема включения
ОЭ	ОБ	ОК
\|K\|	S*R_H	S*R_H	SR_H /( 1 + SR_H)
\|K_i\|	h_21e	h_21e/(1 + h_21e)	h_21e
Z_ВХ	h_21e*r_e	r_e	h_21e*R_H

Области применения усилительных каскадов ОЭ, ОБ и ОК определяются их свойствами.

Каскад с общим эмиттером обеспечивает усиление, как по напряжению, так и по току. Его входное сопротивление порядка сотен Ом, а выходное – десятков кОм. Отличительная особенность – изменяет фазу усиливаемого сигнала на 180°. Обладает лучшими усилительными свойствами по сравнению с ОБ и ОК и поэтому является основным типом каскада для усиления малых сигналов.

Каскад с общей базой обеспечивает усиление только по напряжению (практически такое же, как ОЭ). Входное сопротивление каскада в (1+h_21e) раз меньше, чем ОЭ, а выходное – в (1+h_21e) раз больше. В отличие от ОЭ каскад ОБ не изменяет фазы усиливаемого сигнала. Малое входное сопротивление каскада ОБ ограничивает его применение в УНЧ: практически он используется только как элемент дифференциального усилителя.

Каскад с общим коллектором обеспечивает усиление только по току (практически такое же, как ОЭ). В отличие от ОЭ каскад ОК не изменяет фазы усиливаемого сигнала. При К = 1 каскад ОК как бы повторяет усиливаемое напряжение по величине и фазе. Поэтому такой каскад называется эмиттерным повторителем. Входное сопротивление ОК зависит от сопротивления нагрузки R_H и велико (почти в h_21e раз больше R_H), а выходное сопротивление зависит от сопротивления источника сигнала R_Г и мало (почти в h_21e раз меньше R_Г). Каскад ОК благодаря большому входному и малому выходному сопротивлению находит применение как в предварительных, так и в мощных УНЧ.

Наличие искажений в различных классах НЧ-усилителей

Рабочая область транзисторного усилителя класса «А» характеризуется достаточно небольшими нелинейными искажениями. Если входящий сигнал выбрасывает импульсы с более высоким напряжением, это приводит к тому, что транзисторы насыщаются. В выходном сигнале возле каждой гармоники начинают появляться более высокие (до 10 или 11). Из-за этого появляется металлический звук, характерный только для транзисторных усилителей.

При нестабильном питании выходной сигнал будет по амплитуде моделироваться возле частоты сети. Звук станет в левой части частотной характеристики более жестким. Но чем лучше стабилизация питания усилителя, тем сложнее становится конструкция всего устройства. УНЧ, работающие в классе «А», имеют относительно небольшой КПД – менее 20 %. Причина заключается в том, что транзистор постоянно открыт и ток через него протекает постоянно.