Несколько схем усилителей звука на основе микросхемы к174ун7

УМЗЧ с малыми искажениями на ИС К174УН7

В настоящее время по-прежнему остро стоит проблема миниатюризации звуковоспроизводящей аппаратуры при одновременном улучшении ее технических характеристик. Один из путей ее решения — широкое внедрение интегральных микросхем (ИС). К сожалению, не всегда их применение гарантирует высокое качество. Например, усилители мощности, построен-ные на основе ИС К174УН7 имеют сравнительно высокий (до 10 % при выходной мощности 4,5 Вт) коэффициент гармоник. В разное время радиолюбите-лями предлагались схемные решения, позволяющие снизить искажения до 1…2 %, однако этого недостаточно для высококачественных усилителей 3Ч. Автору статьи удалось довести этот параметр до 0,07…0,08 % на частоте 1000 Гц. Снижение искажений достигнуто введением дополнительного усилительного каскада и цепи ООС (см. рисунок). Напряжение ООС снимается с делителя, образованного резистором R10 (нижнее плечо) и резистором сопротивлением 4…6 кОм (верхнее плечо), находящимся внутри ИС и включенным между выводами 6 и 12.

Дополнительный усилительный каскад позволяет снизить искажения, вносимые ИС, поскольку дает возможность увеличить глубину ООС, повысив сопротивление резистора R10. Неизбежное снижение коэффициента усиления ИС компенсируется дополнительным каскадом усиления.

Дальнейшее снижение нелинейных искажений достигнуто включением цепи ООС (конденсатора С8) между выводом 6 ИС и точкой соединения резисторов R4, R5 коллекторной нагрузки транзистора VT1. При этом сам транзистор оказывается охваченным параллельной ООС по напряжению, и на его базу поступает разность входного и выходного сигналов. Входное же сопро-тивление усилителя становится равным сопротивлению резистора R1, т. е. 15 кОм. Для коллекторной цепи транзистора напряжение ООС является вольтодобавкой, увеличивающей эффективное сопротивление резистора R5 в несколько раз, что резко повышает коэффициент усиления дополнительного каскада.

При указанных на схеме номиналах элементов коэффициент усиления микросхемы DA1 составляет 4…6, а каскада на транзисторе VT1 — 10…12. Резистором R3 устанавливают симметричное ограничение полуволн сигнала при изменении напряжения питания в пределах 5…15 В. С целью снижения (в 2…Зраза) коэффициента гар-моник на частотах выше 6000 Гц в предлагаемом устройстве в 8 раз. по сравнению с типовой схемой включения, уменьшена емкость конденсатора С4, что может привести к самовозбуждению отдельных экземпляров усилителя. В этих случаях следует пойти на компромисс и несколько увеличить емкость упомянутого конденсатора. По-иному (опять же по сравнению с типовой схемой) включена нагрузка. Связано это со стремлением сократить число конденсаторов. Дополнительно введенная цепь R7C2 обеспечивает фильтрацию напряжения питания и уменьшает (в 1,5…2 раза) искажения, обусловленные его нестабильностью.

При макетировании описанного усилителя было установлено, что существенное влияние на коэффициент гармоник оказывает последовательность подключения выводов деталей к общему проводу. Она должна быть такой (от входа к выходу): R3, R6, вывод 9 DA1 СЗ. С4, R9, С9, вывод 10 DA1. С 10. Конденсатор С2 следует соединить с общим проводом в той точке, где к нему подключен резистор R3

Важно также, чтобы были соединены в одной точке выводы резисторов R1—R3 и базы VT1

Для измерения параметров усилителя использовались генератор сигналов звуковой частоты ГЗ-107

и измеритель нелинейных искаженийС6-5 . При напряжении питания12 и15 В , сопротивлении нагрузки4 Ом и выходном напряжении3 и4,3 В коэффициент гармоник на частоте 1000 Гц составил соответственно0,07 и0,1 % . Измеренное на нагрузке отношение сигнал/шум равно 79 дБ относительно номинального уровня выходного напряжения 3 В.

При напряжении питания 12 В и выходном 3 В АЧХ усилителя в диапазоне 1000…16 000 Гц

горизонтальна, а на частотах 63 и 100 Гц имеет спад соответственно 6 и 2,5 дБ, что обусловлено влиянием конденсатора С9. При увеличении его емкости до10000 мкФ АЧХ усилителя горизонтальна вплоть до 20 Гц.А. ЖАРОНКИНПолный текст статьи с печатными платами

▼ Файловый сервис недоступен. Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте.

Улучшение параметров усилителя на К174УН7 В. ГРОМОВ, А. РАДОМСКИН

▼ Файловый сервис недоступен. Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте.

Что делать, если усилитель не работает

Для начала, пройдите несколько пунктов проверки:

  • Проверьте плату на наличие лишнего припоя;
  • Все контакты должны быть качественно запаяны, без трещин;
  • Удостоверьтесь в качественном соединении всех проводов;
  • Нужно так же проверить вход усилителя на наличие сигнала — пальцем постучать по джеку (входу усилителя).

Схема рабочая и неисправность может быть либо на этапе изготовления платы, либо пайки. Например, можно перегреть саму микросхему, и она не будет работать. Так же не стоит забывать и о бракованных деталях. Сначала проверьте качество пайки, а затем принимайте решение о замене той или иной детали.

Post Views: 1 905

Конденсаторы постоянной емкости

Конденсаторы постоянной емкости применяют в различных схемах для разделения переменной и постоянной составляющих тока и сглаживания пульсации напряжений выпрямителя. В сочетании с другими элементами схем конденсаторы образуют резонансные контуры, широко используемые в радиоаппаратуре. Конденсаторы постоянной емкости классифицируют по величине номинальной емкости, классу точности, номинальному рабочему напряжению, назначению, материалу диэлектрика и по конструктивным признакам.

Номинальные величины емкостей конденсаторов установлены ГОСТ 2519 — 60. При изготовлении конденсаторов действительное значение емкости отличается от номинального, обозначенного в маркировке. Допустимое отклонение емкости от номинального называется допуском. По этому принципу все конденсаторы разделяют на пять классов: 0, 1, II, III, IV, допуски их соответственно составляют ±2%; ±5%; ±10%; ±20% и от — 20 до + 50%.

В зависимости от назначения различают контурные, разделительные, блокировочные и фильтровые конденсаторы. По материалу диэлектрика конденсаторы делят на слюдяные, керамические, бумажные, металлобумажные, бумаго-масляные, пленочные, стеклоэмалевые, стеклокерамические, электролитические, воздушные, вакуумные, газонаполненные. По конструктивному признаку конденсаторы подразделяют на трубчатые, дисковые, бочоночные, горшковые, опрессованные и герметизированные, плоские и цилиндрические и т. д.

Независимо от вида конденсатор характеризуется рабочим напряжением. Рабочим напряжением называется напряжение, под которым обкладки конденсатора могут длительно находиться без пробоя разделяющего их диэлектрика. Рабочее напряжение выражают в вольтах. Большое значение для нормальной работы конденсатора имеет сопротивление его изоляции. При малом сопротивлении изоляции возникают утечки, нарушающие нормальную работу схемы. Потери в конденсаторе характеризуются тангенсом угла диэлектрических потерь, выражающим отношение мощности активных потерь к реактивной мощности конденсатора.

В маломощных конденсаторах потери энергии в основном вызываются проводимостью диэлектрика и диэлектрическим гистерезисом, т. е. потерями на поворот полярных молекул в направлении поля при приложении напряжения к обкладкам. Потери в обкладках и выводах малы, поэтому ими обычно пренебрегают. Одной из важнейших характеристик конденсатора является стабильность — неизменность величины емкости конденсатора во время работы. Изменение емкости может быть как временным, так и необратимым. Основным фактором, влияющим на стабильность емкости конденсатора, является воздействие температуры окружающей среды и нагрев конденсатора за счет рассеиваемой на нем мощности. При повышении температуры увеличиваются геометрические размеры материала, что и влечет за собой временное (до возвращения температуры к первоначальному значению) изменение емкости.

Типовое включение ИС К174УН7

Рис. 1. Схема усилителя звука на основе микросхемы К174УН7.

Эта микросхема получили широкое распостранение во многих радиолюбительских и промышленных конструкциях. Схемы на еге основе отличаются простотой, дешевизной и надежностью.

Несмотря на невысокие электрические параметры и качественные показатели, в большинстве случаев этого бывает достаточно, особенно для малогабаритной и бытовой аппаратуры.

Усилитель, описанный ниже, имеет выходную мощность 4 Вт при напряжении питания 15 В и сопротивлении нагрузки 4 Ом. Входное сопротивление 80 кОм, ток потребления до 500 мА. Чувствительность усилителя около 100 мВ.

Микросхему К174УН7 во всех случаях можно заменить на А210К, МВА810Б.

Механизм и строение

Состав керамического BaTiO3 является совокупностью, составленной из микрокристаллов от 1 до 20 миллиметрового в диаметре. Этот микрокристалл называют частицей, и состоит из кристаллической структуры, которая показана на рис. 1 и 2. Частица разделена на много доменов при температуре ниже Точки Кюри. Кристаллические оси выровнены в одном направлении в пределах домена, таким образом, как и спонтанная поляризация. При нагревании до Точки Кюри и выше кристаллическая структура BaTiO3 изменяется от четырехугольной до кубической. Тогда, спонтанные поляризационные и доменные стены исчезают (пропадают).

Когда BaTiO3 находится в охлажденном состоянии (ниже Точки Кюри), ее кристаллическая структура поворачивается от кубической до четырехугольной, отрезки примерно до 1 % вдоль оси C и вдоль других осей – сокращаются. Тогда появляются спонтанные поляризационные и доменные стены. В то же время от воздействия «из вне» частицы искажаются. В этой стадии генерируются много мелких доменных стен, и направление спонтанной поляризации в каждом домене легко полностью изменить, даже малыми (низкими) электрическими полями. Так как диэлектрическая постоянная – пропорциональна сумме инверсии спонтанной поляризации к единице объема, наблюдается большая емкость.

Когда конденсаторы хранятся (применяются) без нагрузки при температурах ниже Точки Кюри размер беспорядочно ориентированных доменов становится большим, и они (домены) постепенно сдвигаются к устойчивому энергетическому состоянию (Рис. 3, 90 доменов). Это также облегчает сбор остаточного напряжения при кристаллическом искажении.

Кроме того, перемещение пространственных зарядов (ионы с низкой подвижностью, свободные точки кристаллической решетки и т.д.) в пределах доменной стены приводит к поляризации пространственного заряда. Эта поляризация пространственного заряда неблагоприятно воздействует на спонтанную поляризацию, преграждая ее инверсию.

Другими словами, временный переход от генерации спонтанной поляризации (спонтанная поляризация постепенно перестраивается к более устойчивому состоянию) к инверсии затруднена появлением поляризации пространственного заряда. В этом состоянии более высокое электрическое поле необходимо, чтобы полностью изменить спонтанную поляризацию в доменах, которые в свою очередь могут быть полностью изменены низким уменьшением электрического поля и снижениями емкости. Это, как полагают и есть механизм старения.

Однако, микротекстура кристаллической решетки возвращается в исходное состояние при нагревании до температуры выше Точки Кюри, в которой старение решетки начинается снова и снова. Вообще емкость многослойного керамического конденсатора с высокой диэлектрической постоянной уменьшается приблизительно линейно в логарифмическом масштабе времени – в течение 24 часов после термической обработки выше 125 C. Пожалуйста, обратитесь к прикрепленным типовым данным старения нашей продукции и номинальной емкости конденсаторов. Емкость, которая уменьшилась в результате естественного старения, имеет свойство восстанавливаться при нагревании конденсаторов до Точки Кюри и выше.

Ожидаемая емкость многослойного керамического конденсатора будет в его номинале, когда эти условия установлены на оборудовании. Мы выбираем свою амплитуду емкости, основанную на предшествующем предположении. Кстати, температура, компенсирующая значения типовых конденсаторов, не проявляют явление старения.

Керамические и стеклокерамические конденсаторы с твердым неорганическим диэлектрическим слоем выпускаются в высоковольтном и низковольтном исполнении. Отличаются компактными размерами и надежностью. Широко востребованы в вычислительной, бытовой, медицинской, военной техники, транспорте. По номинальному напряжению их разделяют на высоко- и низковольтные.

По типу конструкции выпускают следующие керамические конденсаторы:

  • КТК – трубчатые;
  • КДК – дисковые;
  • SMD – поверхностные и другие.

Для изготовления керамических конденсаторов используют не обожженную глину, а материалы, сходные с ней по структуре, – ультрафарфор, тиконд, ультрастеатит. Обкладка – серебряный слой. Керамические и стеклокерамические устройства используются в схемах, в которых важных частотные характеристики, невысокие потери при утечке, компактные габариты, невысокая стоимость.

УМЗЧ с малыми искажениями на ИС К174УН7

Усилители мощности, построенные на основе ИС К174УН имеют сравнительно высокий (до 10% при выходной мощности 4,5 Вт) коэффициент гармоник. В разное время радиолюбителями предлагались схемные решения, позволяющие снизить искажения до 1…2%, однако этого недостаточно для высококачественных усилителей ЗЧ.

Рис. 3. Схема УМЗЧ с малыми искажениями на ИС К174УН7.

Снижение искажений достугнуто введением дополнительного усилительного каскада и цепи ООС. Напряжение ООС снимается с делителя, образованного резистором R10 (нижнее плечо) и резистором сопротивлением 4…6 кОм (верхнее плечо), находящимся внутри ИС и включенным между выводами 6 и 12.

Дополнительный усилительный каскад позволяет снизить искажения, вносимые ИС, поскольку дает возможность увеличить глубину ООС, повысив сопротивление резистора R10.

Неизбежное снижение коэффициента усиления ИС компенсируется дополнительным каскадом усиления на транзисторе. При указанных на схеме номиналах элементов коэффициент усиления микросхемы DA1 составляет 4…6, а каскада на транзисторе VT1 – 10…12. Резистором R3 устанавливают симметричное ограничение полуволн сигнала при изменении напряжения питания в пределах 5…15 В.

Схема переделки модуля УНЧ

В центре схемы схема модуля УНЧ выше указанного телевизора. Модуль сделан на микросхеме К174УН14, кроме собственно УНЧ там так же есть и резисторы регулировки тембра R2 и R4, а так же, выключать S, которым можно выключить динамик, чтобы подключить головные телефоны. Схема модуля УНЧ подверглась изменениям, которые показаны на схеме.

Поскольку регулятор тембра для переговорного устройства не нужен, а регулятор громкости просто необходим, этот регулятор тембра был переделан в регулятор громкости. Регулятором громкости стал переменный резистор R4. Для этого потребовалось выпаять из схемы R3, R5, СЗ и С2.

Вместо СЗ поставить перемычку П1, а вместе С2 поставить конденсатор большей емкости (0,33 мкФ). Теперь бывший регулятор тембра по ВЧ R4 превратился в регулятор громкости.

Рис. 1. Схема подключения модуля УНЧ о телевизора в качестве переговорного устройства.

Кроме того, в последствии выяснилось что чувствительности УНЧ недостаточно для хорошей работы с электретными микрофонами, поэтому было принято решение увеличить коэффициент передачи микросхемы К174УН14 изменив её ООС, путем увеличения сопротивления резистора R9. Вместо 330 Ом поставлено 680 Ом, но конкретно это нужно уточнить.

Теперь о работе схемы в целом. На входе устанавливается пассивный блок, состоящий из динамика В1, электретного микрофона М1 и звонковой кнопки S3. Система вызова работает независимо, и представляет собой стандартную схему квартирного звонка, разница только в том, что он установлен не возле двери в квартиру, а на заборе, возле калитки для входа на дачный участок.

S3 — звонковая кнопка, чтобы не мокла защищена тубусом, вырезанным из пластиковой бутылки. От неё двойной провод на 220V идет в дом, а там обычный квартирный звонок ЗВ1. В общем, эта схема звонка была еще до того, как появилось переговорное устройство, но теперь можно не бежать сразу к калитке, а сначала поговорить.

Активный узел установлен в доме, и не считая звонка, соединяется с пассивным только одним экранированным аудиокабелем (для стереосигнала). К оплетке припаяны соединенные вместе вывод динамика В1 и отрицательный вывод микрофона М1.

Переключатель S2 служит для управления «прием / передача». Он без фиксации, кнопка. В не нажатом положении, как показано на схеме, можно слушать собеседника — гостя. А чтобы ответить — нужно нажать S2, и удерживать нажатой во время ответа.

S1 — выключатель питания. Пока никто не звонит можно все выключить. Микрофон М2 и динамик В2 расположены в доме.

И так, поступил звонок, включаем схему выключателем S1. При этом S2 не нажат, и находится в показанном на схеме положении. На микрофон М1 поступает питание через резистор R101 (обозначил трехзначным числом, чтобы отличалось от нумерации резисторов на схеме модуля УНЧ).

Подбором сопротивления этого резистора можно установить чувствительность микрофона М1, в процессе налаживания домофона. Через кабель, верхнюю по схеме секцию S2 сигнал с микрофона М1 поступает на УНЧ. Переменным резистором R4 можно регулировать громкость звука. С выхода УНЧ на микросхеме К174УН14 (выключатель S модуля УНЧ должен быть замкнут) сигнал поступает через нижнюю по схеме секцию S2 на динамик В2, расположенный в доме. Таким образом, из В2 слышно то, что говорят перед М1.

Чтобы ответить, нужно нажать S2. При этом через его верхнюю по схеме секцию подключается микрофон М2, расположенный в доме. Питание на него поступает через резистор R102.

Подбором сопротивления этого резистора можно установить чувствительность микрофона М2, в процессе налаживания домофона. Сигнал от микрофона М2 через верхнюю по схеме секцию S2 поступает на УНЧ. Переменным резистором R4 можно регулировать громкость звука. С выхода УНЧ на микросхеме К174УН14 (выключатель S модуля УНЧ должен быть замкнут) сигнал поступает через нижнюю по схеме секцию S2 на динамик В1, расположенный возле калитки. Таким образом, из В1 слышно то, что говорят перед М2, и гость будет вас слышать.

DataSheet

Функциональный состав: I — устройство защиты от перегрузок; II — предварительный усилитель; III — управляющий каскад; IV — мощный выходной каскад; V — тепловая защита Корпус типа 1501Ю.5-1
Типовая схема включения ИМС К174УН14 в качестве усилителя мощности Типовая схема включения микросхемы К174УН14. Допускается изменять сопротивления резисторов R1 и R2 (R2 = 22 Ом) с целью изменения коэффициента усиления микросхемы. Цепь R4C7 подключается в случае самовозбуждения усилителя
Электрическая схема включения

Описание Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с выходной мощностью 4,5 Вт. Предназначена для использования в оконечных ступенях тракта звуковоспроизводящей аппаратуры и в телевизионных приемниках. По сравнению с К174УН7 имеет более совершенную встроенную тепловую защиту и защиту от коротких замыканий на выходе, токовых перегрузок и перемены полярности, а также меньшее значение Кг. Содержит 86 интегральных элементов. Корпус типа 1501.5-1. Масса не более 2,5 г. В состав микросхемы входят: устройство защиты от перегрузок, предварительный усилитель, управляющий каскад, мощный выходной каскад, тепловая защита.

Datasheet Download — ETC

Номер произв K174UN7
Описание K174UN7 #2
Производители ETC
логотип  

1Page

No Preview Available !

К174УН7

Является усилителем мощности звуковой частоты. При сопротивлении

нагрузки 4 Ом и напряжении источника питания 15 В его максимальная

выходная мощность — 4,5 Вт.

Принципиальная схема ИМС К174УН7.

Входной каскад усилителя построен на составном транзисторе VT1,VT2

нагрузкой которого является VT3i включенный как генератор тока. С

эмиттерного повторителя на VT7, нагрузкой которого служат резистор R9 и

транзистор VT6, усиленный по току сигнал подается на VT8 и V10. В

качестве коллекторной нагрузки VT1O используется генератор тока на

транзисторе VT9 и термостабилизирующий диод VD3.

Транзисторы VT4, VT5 с резисторами R3…R7 и диод VD2 в режиме покоя

поддерживают выходное напряжение (на выводе 12) равным половине

напряжения Uип. Предоконечный фазоинверсный каскад выполнен на

транзисторах VT14, VT11 разной структуры. Выходной каскад по двух-

тактной схеме на транзисторах VT16, VT17 одинаковой структуры.

Ток покоя этих транзисторов задают генераторы тока на транзисторах VT12,

VT13 и диоды VD4, VD5. Транзистор VT15 выполняет функцию

термостабилизатора выходною тока. К базе транзистора подключают

внешнюю цепь, корректирующую амплитудно-частотную характеристику

на высоких частотах, а к выводу 6 — цепь обратной связи, с помощь.

которой регулируют коэффициент усиления.

No Preview Available !

При работе ИМС в типовом включении коэффициент гармоник Кг

составляет от 2 до 10 %. При включении микросхемы в улучшенном варианте

можно заметно снизить коэффициент гармоник, этом случае в зависимости

от экземпляра ИМС коэффициент гармоник на частоте 1000 Гц имеет

значение интервале от 0,03 до 0,06 %. Искажения снижены благодаря

изменении глубины внешней отрицательной об ратной связи. Чтобы

уменьшить коэффициент гармоник на высоких частотах в несколько раз

должна быть уменьшена емкость конденсатора между выводами 5, 12 и

удален конденсатор, включенный между общим проводом и выводом 5.

Однако это может привести к самовозбуждению отдельных ИМС. В этом

случае следует пойти на компромисс, включив между общим проводом и

выводом 5 конденсатор емкостью 330 пФ, что, естественно, несколько

увеличит коэффициент гармоник. В новом варианте включения ИМС

изменена также цепь нагрузки, что уменьшает число конденсаторов.

Коэффициент гармоник на частоте 20 кГц в зависимости от экземпляра ИМС

имеет значение в интервале от 0,1 до 0,2 %.

Расположение и назначение выводов ИМС.

Типовая схема включения ИМС К174УН7.

No Preview Available !

Улучшенная схема включения ИМС К174УН7

Электрические параметры ИМС К174УН7 при 25±10 С и Uпит.-15 В

Ток потребления Iпот, мА, при Uвх~0,

не более………………………………………………………………………………………20

Коэффициент гармоник Кг %, при f=1 кГц и

выходной мощности 0,05 и 2,5В……………………………………………………2

Полоса воспроизводимых частот кГц ………………………………0,4…20

Входное сопротивление Rвх, кОм, при

f 1 кГц, не менее…………………………………………………………………………..50

КПД, %, при f=1 кГц и выходной

мощности Pвых-4,5 Вт, не менее………………………………………………….50

Предельные эксплуатационные параметры ИМС К174УН7

Напряжение питания U ип, В

минимальное…………………………………………………………………………………3

максимальное……………………………………………………………18

Максимальное амплитудное, значение

тока нагрузки IнА, A не более………………………………………………………..1,8

Амплитудное значение входного напряжения Uвх В, не

более……………………………………………………………………………………………..2

Допустимое постоянное напряжение U, В, не более

на выводе 7………………………………………………………………………………….15

на выводе 8………………………………………………………………—0,3…+2

Допустимая температура корпуса, °С, при температуре окружающей среды

Токр.60°С не более………………………………………………………………………85

Тепловое сопротивление на границе

кристалл-окружающая среда, °СВт,

Всего страниц 4 Pages
Скачать PDF

Сборка усилителя

Схема проверенная и рабочая. Это простой моно усилитель, собран на микросхеме К174УН7. На эту микросхему необходим радиатор. Аналогами микросхемы являются TBA810AS и LA4420. Печатную плату можно сделать с помощью перекиси, этот метод очень доступен. Только для этой платы нужно 200 мл перекиси. Красная линия на печатной плате это ее граница, ее перед травлением нужно стереть. Плату можно питать от аккумуляторов, даже от 4 вольт. Еще в схеме еще регулировка звука с помощью переменного резистора на 40 кОм.

Проверить работу схемы просто. После подключения питания можно дотронуться пальцем до джека (вход усилителя). В динамике (выход усилителя) будет слышен резкий треск с фоновым шумом.

Пайку лучше начинать с проводов и мелких компонентов, например керамических конденсаторов или резисторов.

Микросхему нужно установить на радиатор и припаивать к плате последней.

Время пайки одного вывода за одно прикосновение паяльника не больше пары секунд, затем перерыв.

Если вывод плохо запаялся, подождите пока он остынет, снова нанесите флюс и паяйте. Радиатор немного экранирует тепло, но чтобы перестраховаться, пайка одного контакта не должна быть слишком долгой.

Микросхема К174УН7

Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основан на справочных данных различных организаций, занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Какие драгоценные металлы содержатся в микросхемах

Микросхемы могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Структура обозначения советских микросхем.

Советские (а также российские) микросхемы обозначаются стандартным кодом, согласно ГОСТ РВ 5901-005-2010 (предыдущие — ОСТ 11073915-2000, 11073915-80), состоящим из четырех элементов: Первый элемент состоит из цифры и означает конструктивно-технологическую группу: 1,5,6 — обозначают полупроводниковые ИМС 2,4,8 — обозначают гибридные ИМС 7 — обозначает бескорпусную полупроводниковую ИМС 3 — прочие ИМС

Второй элемент состоит из двух цифр, обозначающих порядковый номер разработки.

Третий элемент содержит две буквы русского алфавита, определяющие функциональное назначение ИМС (см. таблицу ниже).

Четвёртый элемент — порядковый номер одноименных по функциональному признаку ИМС в одной серии. Состоит из одной или двух цифр.

За четвёртым элементом может находиться буква (или цифра через дефис), указывающая деление данного типа ИМС на группы, различные по одному или нескольким параметрам. В первых микросхемах в пластиковых корпусах после четвертого элемента могла ставиться буква «П».1

Перед полным условным обозначением ИМС, предназначенной для аппаратуры широкого применения, ставится буква «К». При необходимости указания типа корпуса ИМС после буквы «К» добавляется буква:2 Р — для пластмассовых корпусов типа «2»; М — для керамических, металло-керамических и металло-стеклянных корпусов типа «2»; Е — для металло-полимерного корпуса типа «2»; А — для пластмассового корпуса типа «4»; И — для керамико-стеклянного корпуса типа «4»; Э — экспортный вариант (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм); Н — кристаллоноситель.

Примечание. На микросхемах, разработанных до 1974 года, третий элемент (две буквы) стоит сразу после первой цифры серии, при этом буквенные обозначения могут отличаться от принятых по отраслевому стандарту 1980 года.

DataSheet

Типовая схема включения ИМС К174УН7 в качестве усилителя мощности. При нагрузках 8 или 16 Ом емкость конденсатора должна быть 500 или 100…200 мкФ соответственно Корпус типа 201.12-1
Электрическая схема включения Типовая схема включения микросхемы К174УН7
Принципиальная схема мостового усилителя мощности низкой частоты на двух микросхемах К174УН7 (21) Принципиальная схема генератора стирания и подмагничивания для магнитофона на микросхеме К174УН7 (21)

Описание Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с выходной мощностью 4,5 Вт. Предназначена для работы в телевизионной аппаратуре. Содержит 41 интегральный элемент. Корпус типа 201.12-1, масса не более 2 г (ТУ 1986 г.).

Назначение выводов: 1 — напряжение питания (+Uп); 6 — цепь обратной связи для регулировки Ку,U; 7 — коррекция; 8 — обратная связь; 9 — фильтр; 10 — вход; 11, 14 — напряжение питания (—Uп); 16 — выход.

Общие рекомендации по применению

При монтаже микросхемы необходимо предусматривать наименьшую длину соединений между выводами и навесными элементами для уменьшения влияния паразитных связей. Температура пайки при монтаже микросхемы 235±5 °С, расстояние от основания корпуса до места пайки не менее 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхемы. Допускается использовать микросхему с нагрузкой не менее 4 Ом. При увеличении сопротивления нагрузки выходная мощность уменьшается. Допускается использовать микросхему при напряжении питания менее 15 В; при этом выходная мощность снижается. Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса выше 60 °С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле Р = ( 150-Ткорп)/20, Вт (с теплоотводом), где Ткорп — температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы. Допускается кратковременное (в течение 3 мин) увеличение напряжения питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего источника на выводы 5 ,6 и 12 микросхемы недопустима. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Выходное сопротивление источника питания должно быть не более 0,05 Ом.

Электрические параметры
Параметры Условия К174УН7 Ед. изм.
Номинальное напряжение питания 15±10% В
Выходное напряжение при Uп = 15 В, fвх = 1 кГц 2,6…5,5 В
Максимальное входное напряжение при Uп = 15 В, Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 2,5 Вт 30…70 мВ
Ток потребления при Uп = 15 В ≤5…20 мА
Выходная мощность при Rн = 4 Ом 4,5 Вт
Коэффициент гармоник при Uп = 15 В, Uвых = 4,25 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 4,5 Вт ≤10 %
при Uп = 15 В, Uвых = 0,45 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 0,05 Вт ≤2
при Uп = 15 В, Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 2,5 Вт ≤2
Коэффициент усиления по напряжению при Т = -10…+55 °С ≥45
Диапазон рабочих частот 40…20×103 Гц
Значение КПД при Pвых = 4,5 Вт ≥50 %
Входное сопротивление ≥30 кОм
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия К174УН7 Ед.изм.
Напряжение питания 13,5…16,5 В
Амплитуда входного напряжения ≤2 В
Постоянное напряжение на выводе 7 ≤15 В
на выводе 8 0,3…2
Сопротивление нагрузки ≥4 Ом
Тепловое сопротивление переход—среда 100 °С/Вт
переход—корпус 20
Температура корпуса 85 °С
Температура окружающей среды -10…+55 °С
Зависимость выходного напряжения от напряжения питания при Rн = 4 Ом, Kr = 10%, Т = +25 °С. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Амплитудно-частотная характеристика
Зависимость коэффициента гармоник от выходной мощности Зависимость коэффициента гармоник от частоты
Зависимость выходной мощности от напряжения питания при Rн = 4 Ом, Kr = 10%, Т = +25 °С. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

УМЗЧ для радиомегафона на К174УН7

УМЗЧ собран на двух микросхемах К174УН7 (DA1, DA2), включенных по мостовой схеме. При питании от батареи напряжением 12 В на нагрузке, равной 4 Ом, он развивает мощность 7 Вт.

Указанные на схеме номиналы элементов усилителя оптимальны при его работе от микрофона на основе телефонного капсуля выходную ДЭМШ -1А.

Рис. 4. Схема УМЗЧ для радиомегафона на К174УН7.

Сопротивления резисторов R4, R8 подбирают в зависимости от чувствительности используемого микрофона, но они обязательно должны быть одинаковыми.

Соединение друг с другом седьмых выводов микросхем DA1, DA2 улучшает симметрию усилителя по постоянному току. Резистор R6 несколько уменьшает выходную мощность усилителя, но зато увеличивает его надежность. Описание усилителя приводится в .

Литература:   Николаев А.П., Малкина М.В.  Н82 500 схем для радиолюбителей. 1998, 143 с.

Рейтинг
( Пока оценок нет )
Editor
Editor/ автор статьи

Давно интересуюсь темой. Мне нравится писать о том, в чём разбираюсь.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Семинар по технике
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: