Транзистор d1047 (2sd1047)

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных значениях тока базы I_B.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).

Температура корпуса T_c = 25°C.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C при различных температурах корпуса T_c и значении напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).

Рис. 4. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер U_CE от величины тока управления (базы) I_B при нескольких значениях коллекторного тока I_C.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).

Температура корпуса T_c = 25°C.

Рис. 5. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер U_CE от величины тока управления (базы) I_B при нескольких значениях коллекторного тока I_C.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”). Температура корпуса T_c = 100°C.

Рис. 6. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока нагрузки I_C от величины входного напряжения U_BE.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при трех различных температурах корпуса T_c и при напряжении на коллекторе U_CE = 5 В.

Рис. 7. Кривая ограничения рассеиваемой мощности транзистора P_C при увеличении температуры корпуса T_c.

Теплоемкость охладителя предполагается бесконечно большой (пояснение на поле рисунка — INFINITE YEAT SINK).

Рис. 8. Зависимость изменения переходного теплового сопротивления r_th(j—c) (коллектор-корпус) от длительности t_w одиночного неповторяющегося импульса тока.

Температура корпуса транзистора T_c = 25°C, то есть транзистор снабжен охладителем с бесконечно большой теплоемкостью.

Зависимость должна учитываться при всех тепловых ограничениях.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора.

Ограничения нагрузок:

• I_C max (PULSED)٭ — импульсные токи коллектора, одиночные неповторяющиеся импульсы различной длительности (10 мкс, 100 мкс, 1 мс, 10 мс, 100 мс). Длительности также помечены символом «٭».
• I_C max (CONTINUOUS) – постоянный ток нагрузки при T_c = 25°C (пояснение на поле рисунка DC OPERATION).
• U_CEO max – предельное напряжение коллектор-эмиттер.

Ординаты всех кривых должны линейно уменьшаться с увеличением температуры.

Транзисторные УНЧ

Транзисторные усилители мощности низкой частоты (УМЗЧ) для звуковой и аудио-аппаратуры. В разделе собраны принципиальные схемы самодельных усилителей мощности НЧ на биполярных и полевых транзисторах.

Здесь вы найдете схемы транзисторных усилителей разной сложности и с разным классом мощности:

• низкой мощности — до 1,5 Ватт;
• средней мощности — от 1,5 Ватт до 20 Ватт;
• большой мощности — 25 Ватт, 50 Ватт, 100 Ватт, 200 Ватт, 300 Ватт и более.

Для самодельного аудио-комплекса или при ремонте музыкального центра можно изготовить многоканальный усилитель мощности в конфигурациях:

• система 2.1 (сабвуфер + 2 сателлита);
• система 5.1 (сабвуфер + 5 сателлитов);
• стерео — два канала усиления;
• квадро — четыре канала усиления.

На транзисторах можно без лишних сложностей собрать небольшой самодельный усилитель для наушников. Присутствуют очень простые и доступные по себестоимости конструкции усилителей, которые прекрасно подойдут для изготовления начинающими радиолюбителями.

Усилитель построен по простой схеме на трех транзисторах. На выходе, на нагрузке сопротивлением 4 От выдает мощность 2W при питании от источника напряжением 12V. Входное сопротивление усилителя мало, и составляет 470 Ом. Столь малое входное сопротивление позволяет ему хорошо согласовываться .

Схема самодельного гибридного усилителя звука на лампах и микросхемах с выходной мощностью 30 Ватт. Усилитель построен на лампе ECC88 (отечественный аналог — 6Н23П) и мощной микросхеме LM3875.

Принципиальная схема гитарного усилителя мощности низкой частоты с предусилителем и темброблоком. УМЗЧ собран на транзисторах TIP142 и TIP147, выходная мощность — 40Вт на 8 Ом, 60 Вт на 4 Ома.

Несколько принципиальных схем высококачественных УМЗЧ на полевых транзисторах, привлекающие своей простотой и техническими характеристиками. Применение полевых транзисторов в усилителе мощности позволяет значительно повысить качество звучания при общем упрощении схемы.

Схема электрическая принципиальная усилителя приведена на рисунке (в скобках приведены замененные элементы). Данная конструкция является модернизациейразработки . Принципиальная схема УМЗЧ на MOSFET транзисторах (200Вт). Все основные части усилителя — трансформатор, радиаторы .

При разработке усилителей ЗЧ с максимальной выходной мощностью более 100 Вт первостепенноезначение приобретает необходимость получения возможно большего КПД усилителя при достаточно малых нелинейных искажениях. Вопрос о допустимом проценте нелинейных искажений усилителя ЗЧ не раз обсуждался на .

Свое знакомство с мощными усилителями я начал в 1958 году, когда учился в энергетическомтехникуме, и мне поручили обслуживать радиоузел. Он состоял из трех частей: малогабаритной радиотрансляционной установки “ТУ-100″, магнитофона “Днепр 9” и ЛАТРа на .

Уже давно разработчики УМЗЧ задают себе вопрос: до какого уровня необходимо снижать нелинейность усилителя? . Если проанализировать рекламные журналы по аудиотехнике, то гармонические искажения даже “топовых” моделей УМЗЧ в основном лежат в диапазоне 0,003. 0,05% .

Всем доброго времени суток! Вот с чем я осмелюсь с Вами поделиться. Тема для многих известна, и понятна. В чём она состоит. Дальше чисто моё ИМХО. Давно любителям звука внушают – если лампы, то в любом проявлении, а если транзисторы, то чтобы их было o-очень много! Иначе лапового звука не добьёшься. Например советские стандарты сначала классифицировали аудио-аппаратуру по кассам 4-й, 3-й, 2-й, 1-й!, и наконец.

Принципиальная схема простого трехтранзисторного усилителя мощности для применения в разнообразной малогабаритной аппаратуре. Зачастую, от «компьютерных колонок» требуется только воспроизведение каких-то звуковых сигналов, речевых сигналов, не требующих HI-FI или Hl-end качества .

Классификация выходных каскадов

Есть несколько методов сборки выходного каскада:

• Из транзисторов, имеющих различную проводимость. Для этих целей чаще всего используют «комплементарные» (близкие по параметрам) транзисторы.
• Из транзисторов, имеющих одинаковую проводимость.
• Из транзисторов составного типа.
• Из полевых транзисторов.

Работа усилителя, сконструированного, при помощи комплементарных транзисторов, отличается простотой: положительная сигнальная полуволна запускает работу одного транзистора, а отрицательная — другого. Необходимо, чтобы плечи (транзисторы) работали в одинаковых режимах и для реализации этого используется базовое смещение.

Если усилитель использует в работе одинаковые транзисторы, то никаких принципиальных отличий от первого варианта это не имеет. За исключением того факта, что для подобных транзисторов сигнал отличаться не должен.

При работе с остальными разновидностями усилителей необходимо помнить, что отрицательное напряжение для p-n-p транзисторов, и положительное — для n-p-n транзисторов.

Обычно звание усилителя мощности принадлежит именно оконечному каскаду, поскольку он работает с самыми большими величинами, хотя с технической точки зрения так можно называть и предварительные каскады. К числу основных показателей усилителя можно отнести: полезную, отдаваемую в нагрузку мощность, КПД, полосу усиливаемых частот, коэффициент нелинейных искажений. На эти показатели весьма сильно влияет выходная характеристика транзистора. При создании усилителя напряжения может быть использована однотактная и двутактная схемы. В первом случае режим работы усилителя линейный (класс А). Данная ситуация характеризуется тем, что протекание тока по транзистору длится до тех пор пока не окончится период входного сигнала.

Однотактный усилитель отличается высокими показателями по линейности. Однако эти качества могут искажаться при намагничивании сердечника. Для предотвращения подобной ситуации необходимо озаботиться наличием цепи трансформатора с высоким уровнем индуктивности для первичной цепи. Это отразится на размерах трансформатора. К тому же, ввиду принципа его работы, он обладает достаточно низким КПД.

В сравнении с ним данные по двутактному усилителю (класс B) куда выше. Данный режим позволяет искажать форму транзисторного тока на выходе. Это увеличивает результат отношения переменного и постоянного токов, снижая вместе с тем уровень потребляемой мощности, это и считается самым главным плюсом применения двутактных усилителей. Их работа обеспечивается подачей двух равных по значению, но фазно противоположных напряжений. Если отсутствует трансформатор со средней точкой, то можно воспользоваться фазоинверсным каскадом, который снимет противоположные по фазе напряжения с соответственных резисторов цепей коллектора и эмиттера.

Существует двухтактная схема, не включающая в себя выходной трансформатор. Для этого потребуются разнотипные транзисторы, работающие как эмиттерные повторители. Если оказывать воздействие двуполярным входным сигналом, то будет происходить поочерёдное открытие транзисторов, и расхождение токов по противоположным направлениям.

Реле времени

TL431 нашел свое применение не только как источник опорного напряжения, а и во многих других применениях. Например благодаря тому что входной ток TL431 составляет 2-4мкА, то на основе этой микросхемы можно построить реле времени: при размыкании контакта S1 C1 начинает медленно заряжаться через R1, а когда напряжение на входе TL431 достигнет 2,5 В выходной транзистор DA1 откроется и через светодиод оптопары PC817 начнет протекать ток, соответственно откроется и фототранзистор и замкнет внешнюю цепь.
В этой схеме резистор R2 ограничивает ток через оптрон и стабилизатор (например 680 Ом), R3 нужен чтобы предупредить зажигание светодиода от тока собственных нужд TL431 (например 2 кОм).

Измерить ток покоя выходного транзистора

Током покоя называют коллекторный ток, который проходит по транзисторам выходных каскадов при условии, что сигнал отсутствует. В условно-идеальных (невозможных на самом деле) условиях значение такого тока должно находиться на нулевой отметке. На деле это не совсем так, собственная температура и характерные различия разнотипных транзисторов влияют на данный показатель. В наихудшем случае возможен перегрев, который станет причиной теплового пробоя транзистора.

Кроме того, существует ещё один показатель — напряжение покоя. Он демонстрирует значение напряжения соединительной точки транзисторов. Если питание у каскада двухполярное, то напряжение будет равно нулю, а если однополярное, тогда напряжение составляет 1/2 питающего напряжения.

На роль стабилизатора обычно берётся дополнительный транзистор, которые в качестве балласта подсоединяется к базовым цепям (наиболее часто он при этом оказывается прямо на радиаторе, максимально близко к выходным транзисторам).

Чтобы выявить, каков ток покоя выходных транзисторов или каскадов, необходимо при помощи мультиметра измерить данные по падению напряжения для его эммитерных резисторов (значения обычно выражаются в милливольтах), а потом, опираясь на закон Ома и данные по реальному сопротивлению, можно будет вычислить нужный показатель: значение падения напряжения разделить на значение реального сопротивления — значения тока покоя для данного выходного транзистора.

Все замеры необходимо производить весьма осторожно, иначе придётся производить замену транзистора.

Есть ещё один способ, гораздо менее травмоопасный. Взамен предохранителей потребуется установить сопротивление в 100 Ом и минимальную мощность в 0,5 Ватт для каждого канала. При отсутствии предохранителей сопротивление подсоединяется к разрыву питания. После осуществляется подача питания усилителю, производятся замеры показаний по падению напряжения на приведённом выше уровне сопротивления. Дальнейшая математика до крайности проста: падению напряжения в 1 В соответствует ток покоя величиной в 10мА. Аналогичным образом при 3,5 В получится 35 мА и так далее.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

компенсационный стабилизатор напряжения

Принцип компенсационного стабилизатора на TL431 такой же как и на обычном стабилитроне: разность напряжений между входом и выходом компенсирует мощный биполярный транзистор. Но точность стабилизации получается выше, за счет того что обратная связь берется с выхода стабилизатора. Резистор R1 нужно рассчитывать на минимальный ток 5 мА, R2 и R3 рассчитываются, также как для параметрического стабилизатора.

Чтобы стабилизировать токи на уровне единиц и десятков Ампер одним транзистором в компенсационном стабилизаторе не обойтись, нужен промежуточный усилительный каскад. Оба транзистора работают по схеме с эмиттерного повторителя, т.е. происходит усиление тока, а напряжение не усиливается.
На рисунке представлена реальная схема компенсационного стабилизатора на TL431, в ней появились новые компоненты: резистор R2 ограничивающий ток базы VT1 (например 330 Ом), резистор R3 – компенсирующий обратный ток коллектора VT2 (что особенно актуально при нагреве VT2) (например 4,7 кОм) и конденсатор C1 – повышающий устойчивость работы стабилизатора на высоких частотах (например 0,01 мкФ).

Модификации и группы транзистора D1047

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE ٭	Корпус
2SD1047	100	160	140	6	12	150	15	210	60	TO-247
2SD1047 (D, E)	100	160	140	6	12	150	15	210	20…200	TO-3PN
2SD1047 C	120	160	140	6	12	150	15	140	35…200	TO-3PB
2SD1047 P	120	160	140	6	12	150	15	210	20…200	TO-3PB
CSD1047 F (O, Y)	90	160	160	6	12	150	15	210	20…200	TO-3P
KSD1047 (O, Y)	80	160	140	6	8	150	15	210	20…200	TO-3P
KTD1047 (O, Y)	100	160	140	6	12	150	15	210	20…200	TO-3P(N)
KTD1047 B (O, Y)	100	160	140	6	12	150	15	210	20…200	TO-3P(N)-E
PMD1047 (D, E)	100	160	140	6	12	150	15	210	20…200	TO-3PI

٭ — производителями почти во всех модификациях выделяются группы (O, Y) или (D, E) по поддиапазонам величин h_FE.

Обозначение транзистора в группе	2SD1047 O	2SD1047 Y	2SD1047 D	2SD1047 E
Диапазон величины hFE	60…120	100…200	60…120	100…200

Технические характеристики

Рассмотрим характеристики KSA928A более подробно. В технических описаниях (datasheet) они представлены в таблицах c максимальными и электрическими параметрами. Все значения указаны для температуры окружающей среды (Т_А) не более +25°С.

Максимальные параметры

Максимальные характеристики A928A (при Т_А=+25°С):

• напряжение между выводами: К-Б (V_CBO) до -30 В; К-Э (V_CEO) до -30 В; Э-Б (V_EBO) = -5 В;
• ток коллектора I_C до -2 А;
• мощность рассеиваемая на коллекторе Р_С до 1 Вт;
• нагрев кристалла (T_j) до +150°С;
• температура хранения (T_stg) -55 … 150°С.

При изучении транзисторов имеющих PNP-структуру следует обращать внимание на знак «-», который указывает на обратные значения тока и напряжения. Максимальные значения превышать недопустимо, так как устройство может выйти из строя, а его внутренняя структура будет повреждена

Иногда такое происходит даже после кратковременного всплеска напряжения выше заданных пределов. Для предотвращения таких случаев необходимо чтобы транзистор работал с небольшим запасом по всем параметрам, примерно 30-40% от предельно допустимых величин

Максимальные значения превышать недопустимо, так как устройство может выйти из строя, а его внутренняя структура будет повреждена. Иногда такое происходит даже после кратковременного всплеска напряжения выше заданных пределов. Для предотвращения таких случаев необходимо чтобы транзистор работал с небольшим запасом по всем параметрам, примерно 30-40% от предельно допустимых величин.

Электрические параметры

Наиболее реальные возможности транзистора A928A отражены в таблицах электрических (номинальных) характеристик. Там же представлены условия (режимы измерений), при которых устройство может работать наиболее стабильно и продолжительно долго, без возникновения риска выхода его из строя. Все значения как и для предельных значений параметров указаны для Т_А не более +25°С.

Группы усиления по H_FE

Электронная промышленность подразделяет KSA928A на две группы. Такая классификация осуществляется на завершающих этапах производства, в том числе в ходе тестирования и отбраковки дефектных изделий. Решающее значение при этом имеет коэффициент усиления по току (H_FE). У рассматриваемого транзистора H_FE находится в диапазоне: от 100 до 200 (O), от 160 до 320 (Y).

Комплементарная пара

В связи с тем, что A928A используется преимущественно для работы в усилителях звуковой частоты, для него была разработана комплементарная пара KSC2328A. Последний имеет кремниевую NPN-структуру. В настоящее время существует множество аудиоусилителей сконструированных на базе двух этих транзисторов работающих парой в выходном дифференциальном каскаде.

ТУТ ВИДЕО

   Совсем не дурно, почти hi-end! На самом деле если ориентироваться только по КНИ, то этот усилитель полноценный HI-END, но для хай-энда этого не достаточно, поэтому его отнесли к старому и доброму разряду hi-fi.

   Несмотря на то, что усилитель развивает всего 100 ватт, он на порядок сложнее аналогичных схем, но сама сборка не составит труда при наличии всех компонентов. Отклонять номиналы схемы не советую – мой опыт это подтверждает. 

   Маломощные транзисторы в ходе работы могут перегреваться, но волноваться не стоит – это их нормальный режим работы. Выходной каскад, как уже сказал, работает в классе АВ, следовательно, выделятся огромное количество тепла, которое нужно отводить. В моем случае они укреплены на общий теплоотвод, которого более, чем достаточно, но на всякий случай, имеется также и активное охлаждение. 

   После сборки нас ждет первый запуск схемы. Для этого советую еще раз прочитать запуск и настройку Ланзара – тут все делается точно таким же образом. Первый запуск делаем с закороченной на землю входом, если все ОК, то размыкаем вход и подаем звуковой сигнал. К тому времени все силовые компоненты должны быть укреплены на теплоотвод, а то восхищаясь музыкой можете не заметить, как дымят ключи выходного каскада – каждый из них стоит очень и очень. А про блок защиты в узнаете в следующем материале. С уважением – АКА КАСЬЯН.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC/ICP	TJ	UCE (sat)	UBE (sat)	fT	Cob	hFE	Временные параметры: ton / tstg / tf мкс	Корпус
2SD2499	50	1500	600	5	6	150	˂ 5	˂ 1,3	2	95	5…25	— / 11,0 / 0,6	TO-3PHIS
КТ839А	50	1500	—	5	10	150	˂ 1,5	—	5	240	˃ 5	—	TO-3
КТ872А	100	1500	700	6	8	150	˂ 1,0	—	—	—	6	— / 7,5 / 1,0	TO-218
КТ872А1	34	1200	700	6	8	150	˂ 1,5	—	—	—	6	— / 7,5 / 1,0	TO-218
КТ8107А	100	1500	700	6	10	125	˂ 3,0	—	—	—	2,3	— / 3,5 / 0,5	TO-3
КТ710А	50	—	3000	5	5	—	˂ 3,5	—	˃ 1,5	—	˃ 3,5	—	TO-3
2Т856А	125	950	950	5	10	—	˂ 1,5	—	—	—	10…60	— / — / 0,5	TO-3
КТ8118	50	900	800	—	3	—	—	—	˃ 15	—	10…40	—	TO-220

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC/ICP	TJ	UCE (sat)	UBE (sat)	fT	Cob	hFE	Временные параметры: ton / tstg / tf мкс	Корпус
2SD2499	50	1500	600	5	6	150	˂ 5	˂ 1,3	2	95	5…25	— / 11,0 / 0,6	TO-3PHIS
2SD2498	50	1500	600	5	6	150	˂ 5	˂ 1,2	2	95	5…30	— / 10 / 0,7	TO-3PHIS
2SD2500	50	1500	600	5	10	150	˂ 3	˂ 1,4	1,7	135	10	— / 11 / 0,7	TO-3PHIS
2SD5702	60	1500	800	6	6	150	˂ 5	˂ 1,5	3	—	10	— / — / 0,4	TO-3PHIS
2SC5048	50	1500	600	5	12	150	˂ 3	˂ 1,4	1,7	160	10	— / 4 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5129	50	1500	600	5	10	150	˂ 3	˂ 1,4	1,7	135	10	— / 4 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5150	50	1700	700	5	10	150	˂ 3	˂ 1,2	2	185	10	— / 4 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5280	50	1500	600	5	8	150	˂ 5	˂ 1,5	2	115	10	— / 5 / 0,5	TO-3PHIS
2SC5339	50	1500	600	5	7	150	˂ 5	˂ 1,3	2,4	82	10	— / 8 / 0,5	TO-3PHIS
2SC5386	50	150	600	5	8	150	˂ 3	˂ 1,5	1,7	105	15	— / 3,5 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5404	50	1500	600	5	9	150	˂ 3	˂ 1,5	2,5	115	10	— / 3,5 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5802	60	1500	800	6	10	150	˂ 3	˂ 1,5	—	—	15	— / — / 0,3	TO-3PHIS
BU4508DZ	32	1500	800	—	8	150	˂ 3	˂ 1,03	—	—	7	— / 3,75 / 0,4	SOT186A
BU508DXI	45	1500	700	—	8	150	˂ 1	˂ 1,3	7	125	˂ 30	— / 6,5 / 0,7	ISO218
BUH515DX1	50	1500	700	5	8	150	˂ 1,5	˂ 1,3	—	—	3…10	— / 3,6 / 0,26	ISO218
BUH515FP	38	1500	700	10	8	150	˂ 1,5	˂ 1,3	—	—	4…12	— / 3,9 / 0,28	TO-220FP

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор TIP122 транзистором 2SD633; транзистором 2SD970; транзистором ECG261; транзистором TIP121;

транзистором TIP120; транзистором RCA122; транзистором TIP622; транзистором TIP121; транзистором 2SC1883; транзистором 2SD1196; транзистором 2SD686; транзистором 2SD970; транзистором 2SD460; транзистором 2SD1414;

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

• Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
• Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Разновидности и характеристики

Существует достаточно большое количество различных вариантов данного прибора, отличающихся друг от друга теми или иными показателями. Для рассмотрения всех вариантов прибора, введём следующие параметры КТ3102 :

• Максимальный допустимый ток на коллекторе( I K MAX ) – 0,1 A .
• Максимальный импульсный ток на коллекторе( I K I MAX ) – 0,2 A .
• Максимальная мощность коллектора( P K MAX ) – 0,25 B т. ( Данное значение мощности подсчитано без использования радиатора)
• Максимальная частота при подключении по схеме с общим эмиттером ( f гр ) – 150МГц.

Вышеперечисленные характеристики КТ3102 одинаковы для всех моделей прибора. То есть, при любой маркировке прибора, вы должны учитывать вышеперечисленные значения. Описанные ниже показатели будут отличаться в зависимости от типа элемента. В последующем приведём краткую сводку параметров для каждого типа.

• U КБ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-база.
• U КЭ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-эмиттер.
• H 21э – коэффициент усиления при подключении с общим эмиттером.
• I КБ – обратный ток коллектора.
• К Ш – коэффициент шума.

Для удобства, все показатели будут вынесены в таблицу. Буква М и её отсутствие в обозначении пары транзисторов (например, КТ3102А и КТ3102АМ) означает тип корпуса. С буквой М – пластиковый корпус. Без неё – металлический. Показатели не зависят от типа корпуса. В таблице, также, будут приведены зарубежные аналоги КТ3102.

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

• биполярный транзистор;
• корпус ТО-220, ТО-3PN;
• материал корпуса – пластик;
• кристалл — кремний (Si);

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером U_{КЭ нас.} (V_BEsat):

напряжение насыщения между базой и эммитером U_{БЭ нас.} (V_BEsat):

коммутационные характеристики (при U_КЭ =120 В, I_K =8 A, I_{Б вкл}=1.6А, I_{Б выкл.}= -1.6А):

• время задержки t_зад (t_d) = 0.1 мкс (µs);
• время включения t_вкл (t_on) = 1.1 мкс (µs);
• время спада t_сп (t_f) = 0.7 мкс (µs);
• время рассасывания t_РАС (t_s) = 3 мкс (µs);

• Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу R_θJC = 1.26 °C/W (°C/Вт);
• Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде R_θCA= 62.5 °C/W (°C/Вт);
• Общее тепловое сопротивление R_θJA= 100 °C/W (°C/Вт);
• T_{перехода} (T_j) ≤ + 150 °C;
• T_хран.(T_str) от — 65 до + 150 °C;
• T_раб.(T_amb) от — 65 до + 150 °C;
• T_пайки (T_L) до 275 °C.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009 находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

Замена импортных транзисторов отечественными

Аналоги и возможные замены
Тип	Аналог	Возможная замена	Примечания
MJEF34		КТ816	Любой мощный рпр-транзистор с максимальным током коллектора большим 3 А
TIP42		КТ816
2SK58		КПС315А, Б
2N5911		Обычные ПТ
U441		КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12; КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е
U444		КП303Д, Е; КП307Г, Д;КП312; КП323,КП329; КП341;КП364Д, Е
MPF102		КП303Д, Е	В этой схеме можно применить любой высокочастотный полевой транзистор с каналом ri-типа и изоляцией рп-переходом. При наладке схемы может понадобиться подобрать резисторы в цепях затворов и/или истоков. Предпочтение следует отдавать транзисторам с наибольшим и начальными токами стока, малым пороговым напряжением и уровнем шума на ВЧ
MPS3866		КТ368	В этой схеме можно применить любой высокочастотный биполярный прп-транзистор. Предпочтение следует отдавать транзисторам с малым уровнем шума на ВЧ
25139	КП327А,В	КП346А-9; КП382А
1N754		КС162
1N757A		КС182
2N3563		КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е
2N3565		КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е
2N3569		КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е
BFR90	КТ3198А	КТ371А, КТ3190А
MPS3866	КТ939А
MRF557		КТ948; КТ996Б-2;КТ9141; КТ9143;КТ919; КТ938
MRF837		КТ634; КТ640; КТ657Б-2
MV2101		KB102; KB107А,В
2N4401	КТ6103	КТ504
2N4403	КТ6102, КТ6116	КТ505
ВС547В	КТ3102
ВС549С	КТ3102
ВС557В	KТ3107
BD139	КТ815
BD140	КТ814
2N5771	КТ363АМ
ВС548	КТ3102
ВС557	КТ3107
TIP111	КТ716
TIP116	КТ852
TIP33B	КТ865
TIP34B	КТ864
2SC2092		КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120
MRF475		КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120
40673		КП350, КП306,КП327, КП347,КП382
2N4124	КТ3102Д
J309		КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12, КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е
MPS2907	КТ313
2N3414		КТ645
2N4403	КТ6102, КТ6116	КТ505
3055Т	КТ8150А
ВС517		КТ972
IRF9Z30		КП944
TIP125	КТ853, КТ8115
BS250P		КП944
2N3391A		КТ3102	Любые маломощные с большим h2fe
BC184L		КТ3102	Любые маломощные с большим h2fe
ВС547В		КТ3102
BUZ11		КП150
IRFL9110		КП944
2N4401	КТ6103, КТ6117	КТ504
2N4403	КТ6102, КТ6116	КТ505
ВС109С		КТ342
ВС237		КТ3102
ВС547		КТЗ102, КТ645А
2N4401	КТ6103, КТ6117	КТ504
2N4403	КТ6102, КТ6116	КТ505
MPS А18		КТ342Б, Д
2N3704		КТ685
2N4393		КП302ГМ
2N5401		КТ6116А
ВС487		КТ342Б, Д; КТ630Е
IRFZ44	КП723А
MPS2907	КТ313	КТ3107
MPSА14		КТ685
MPSA64		КТ973
2N2222	КТ3117Б	КТ315
2N3904	КТ6137А	КТ815
2N3906	КТ6136А
ECG-187	ГТ906А
FPT-100			фототранзистор
HRF-511	КП904
TIL 414			фототранзистор

Нужно заменить диод или стабилитрон? — аналоги и замены диодов и полупроводников.

Зарубежные аналоги КТ3102

Для замены KT 3102 существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.

Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.