Производители
Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.
Подключение IRF3205
Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:
Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.
Подключение к микроконтроллеру
Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:
- Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
- Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
- Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF
Ограничитель тока
N-канальный полевой транзистор, чей терминал затвора укорочен вместе с выводом источника, действует как ограничитель тока. Это означает, что в этом размещении, полевой транзистор даёт току проходить через них, чтобы достигнуть только определённого уровня, после чего, он становится удерживаемой постоянной, безотносительной к колебаниям уровня напряжения. Эти ограничители тока из интегральной части не изменяющегося постоянного тока или стабилизирующих диодов.
Рисунок 6 Полевой транзистор как ограничитель тока
Полевые транзисторы широко используются в интегрированных схемах из-за их компактного размера. Они используются в схемах микшеров для телевизоров и радиоприемников из-за низких модуляционных искажений. Более того, полевые транзисторы также применяют в резисторах с переменным напряжением в операционных усилителях, схемах контроля звука, ведь они обеспечивают большую изоляцию между их выводами затвора и стока. Полевые транзисторы применяются в таких областях как цифровая электроника и оптоволоконные системы.
Пора подвести итоги: полевой транзистор может использоваться как аналоговый выключатель, как усилитель, как генератор с фазовращателем, как модулятор и как ограничитель тока. Каждый вариант имеет свои особенности, делающие его действительно значимым.
Вряд ли можно переоценить роль полевого транзистора в повседневной жизни. Все перечисленные пять способов его применения имеют очень существенное значение в наши дни. Сложно выделить какое-то наиболее значимое использование среди названных, ведь каждое может оказаться где-то просто незаменимым.
Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.
Тандемное включение транзисторов (схемы Дарлингтона и Шиклаи)
Довольно часто возникает ситуация, когда необходимого коэффициента усиления одного транзистора не хватает. В этом случае транзисторы соединяют тандемно (то есть выходной ток первого транзистора является входным током для второго). Существует две схемы такого включения: схема Дарлингтона и схема Шиклаи. Отличие заключается лишь в том, что в схеме Дарлингтона используются транзисторы одинакового типа проводимости, а в схеме Шиклаи – разного типа проводимости.
Схема Дарлингтона
Схема Шиклаи
Данные пары – это просто два каскада эмиттерного повторителя. Иногда данные составные схемы транзисторов называют «супер-β» пары, так как они функционируют как один транзистор с высоким коэффициентом усиления.
Общий коэффициент передачи тока будет равен:
h21e(ОБЩ) = h21e(VT1)*h21e(VT2)
При использовании данных схем вполне возможна такая ситуация, когда нагрузка уменьшится до нуля (или некоторого минимального значения, близкого к нулю) или при повышении температуры базовый ток транзистора VT1 может стать равным нулю или даже переменить направление за счёт неуправляемого обратного тока коллектора. Во избежание запирания транзистора VT2 его режим следует стабилизировать с помощью резистора R1.
Величину сопротивления R1 можно определить по формуле:
R1 ≤ UE min/ICBO(VT1)
Как проверить IRF3205
Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.
Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).
Проверка диода
На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока
Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.
Проверка работы транзистора
Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.
Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.
В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.
После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.
Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.
Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.
Характеристики IRF3205
- Постоянный максимальный ток на коллектора при 10В и 25C — 110А
- Постоянный максимальный ток на коллекторе при 10В и 100C — 80А
- Максимальный ток при импульсном режиме — 390А
- Максимальное напряжение на канале сток-исток — 55В
- Напряжение для открытия — 2-4В
- Максимальное напряжение на затворе — ±20В
- Сопротивление канала сток-исток — 8 мОм
- Емкость затвора — ±3200 пФ
- Время открытия — ±14 нс
- Время закрытия — ±50 нс
- Максимальная мощность рассеивания — 200 Вт
- Диапазон рабочих температур — -55-175C
- Температура пайки (до 10 секунд) — 300C
Отдельное замечание по поводу максимального тока на коллекторе. Официально указанные 110 Ампер — это действительно максимальная сила тока для кристалла, но к нему он идет по тонкой проволочке от контакта истока. Она может выдержать максимум 75А. Это ограничение носит название “Максимальный ток корпуса”.
Если Вам необходимы полные характеристики и графики зависимости, то найти Вы их сможете в официальном datasheet.
Аналоги биполярного транзистора 2SС5586
Type | Mat | Struct | Pc | Vcb | Vce | Ic | Ft | Cc | Hfe | Caps |
2SC5586 | Si | NPN | 70,00 | 900,00 | 550,00 | 5,00 | 6,00 | 50,00 | 10,00 | TO3PF |
H05N50F | N | MOSFET | 38,00 | 500,00 | 30,00 | 5,00 | 150,00 | 60,00 | ||
H06N60F | N | MOSFET | 40,00 | 600,00 | 30,00 | 6,00 | 150,00 | 19,00 | ||
H07N60F | N | MOSFET | 40,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 19,00 | ||
H07N65F | N | MOSFET | 48,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 29,00 | ||
H10N60F | N | MOSFET | 50,00 | 600,00 | 30,00 | 10,00 | 150,00 | 26,00 | ||
H10N65F | N | MOSFET | 50,00 | 650,00 | 30,00 | 10,00 | 150,00 | 75,00 | ||
H12N60F | N | MOSFET | 50,00 | 600,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | 50,00 | ||
H12N65F | N | MOSFET | 50,00 | 650,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | 50,00 | ||
HIRF830F | N | MOSFET | 38,00 | 500,00 | 30,00 | 43589,00 | 150,00 | 46,00 | ||
HIRF840F | N | MOSFET | 38,00 | 500,00 | 30,00 | 8,00 | 150,00 | 23,00 | ||
IPA50R199CP | N | MOSFET | 139,00 | 500,00 | 17,00 | 34,00 | ||||
MTN12N65FP | N | MOSFET | 51,00 | 650,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | 38,00 | 85,00 | |
MTN6N65FP | N | MOSFET | 54,00 | 650,00 | 30,00 | 6,00 | 150,00 | 13,00 | ||
MTN6N70FP | N | MOSFET | 54,00 | 700,00 | 30,00 | 6,00 | 150,00 | 13,00 | ||
MTN7N60FP | N | MOSFET | 44,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 37,00 | 40,00 | |
MTN7N65FP | N | MOSFET | 52,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 50,00 | ||
MTN8N50FP | N | MOSFET | 38.5 | 500,00 | 30,00 | 8,00 | 150,00 | 23,00 | ||
MTN8N60FP | N | MOSFET | 48,00 | 600,00 | 30,00 | 43592,00 | 150,00 | 37,00 | 40,00 | |
MTN8N65FP | N | MOSFET | 60,00 | 650,00 | 30,00 | 43592,00 | 150,00 | 70,00 | ||
MTN8N70FP | N | MOSFET | 60,00 | 700,00 | 30,00 | 43592,00 | 150,00 | 70,00 | ||
SIF10N60C | N | MOSFET | 156,00 | 600,00 | 20,00 | 10,00 | 150,00 | |||
SIF10N65C | N | MOSFET | 156,00 | 650,00 | 20,00 | 10,00 | 150,00 | |||
SIF10N70C | N | MOSFET | 157,00 | 700,00 | 20,00 | 10,00 | 150,00 | |||
SIF12N60C | N | MOSFET | 225,00 | 600,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | |||
SIF12N65C | N | MOSFET | 225,00 | 650,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | |||
SIF13N50C | N | MOSFET | 170,00 | 500,00 | 30,00 | 13,00 | 150,00 | |||
SIF18N65C | N | MOSFET | 65,00 | 650,00 | 30,00 | 18,00 | 150,00 | |||
SIF5N50C | N | MOSFET | 74,00 | 500,00 | 30,00 | 5,00 | 150,00 | |||
SIF7N60C | N | MOSFET | 147,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
SIF7N60D | N | MOSFET | 147,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
SIF7N65C | N | MOSFET | 142,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
SIF7N65D | N | MOSFET | 142,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
SIF7N70C | N | MOSFET | 147,00 | 700,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
SIF7N80C | N | MOSFET | 167,00 | 800,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
SIF8N50C | N | MOSFET | 125,00 | 500,00 | 30,00 | 8,00 | 150,00 | |||
SIHFI830G | N | MOSFET | 35,00 | 500,00 | 20,00 | 4,00 | 43468,00 | 150,00 | 38,00 | 16,00 |
SPA04N80C3 | N | MOSFET | 38,00 | 800,00 | 4,00 | 23,00 | ||||
SPA06N80C3 | N | MOSFET | 39,00 | 800,00 | 6,00 | 31,00 | ||||
STF12N50M2 | N | MOSFET | 85,00 | 500,00 | 25,00 | 4,00 | 10,00 | 150,00 | 15,00 | 43595,00 |
STF30NM50N | N | MOSFET | 40,00 | 500,00 | 25,00 | 4,00 | 27,00 | 150,00 | ||
STF8NM50N | N | MOSFET | 45,00 | 500,00 | 25,00 | 4,00 | 5,00 | 150,00 | ||
STP9NB50FP | N | MOSFET | 40,00 | 500,00 | 30,00 | 43712,00 | 150,00 | 11,00 |
Bipolar transistor, NPN, 900 V, 5 A, 70 W
Биполярный транзистор, NPN, 900 В, 5 А, 70 Вт
Применение IRF3205
Максимальное напряжение стока-истока в 55 В дает возможность использовать этот транзистор в схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, блоков питания, источниках бесперебойного питания и прочем. Также зачастую при создании высокочастотных инверторов.
Так как IRF3205 имеет малую паразитную емкость, а, соответственно, и время открытия/закрытия, в совокупности с очень маленьким сопротивлением, то он является универсальным вариантом для многих проектов, связанных с коммутацией небольшого напряжения.
Если же Вам не хватает токовых характеристик этого транзистора, Вы можете подключить несколько штук параллельно, что дает хорошую возможность использовать его для управления большой нагрузкой.
Рекомендации по эксплуатации транзисторов
Значения большинства параметров транзисторов зависят от реального режима работы и температуры, причем с увеличением температуры параметры транзисторов могут меняться. В справочнике приведены, как правило, типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п.
Для обеспечения надежной работы транзисторов необходимо принимать меры, исключающие длительные электрические нагрузки, близкие к предельно допустимым. Например заменять транзистор на аналогичный но меньшей мощности не стоит, это касается не только мощностей, но и других параметров транзистора. В некоторых случаях для увеличения мощности транзисторы можно включать параллельно, когда эмиттер соединяется с эмиттером, коллектор с коллектором и база – с базой. Перегрузки могут быть вызваны разными причинами, например от перенапряжения, для защиты от перенапряжения часто применяют быстродействующие диоды.
Что касается нагрева и перегрева транзисторов, температурный режим транзисторов не только оказывает влияние на значение параметров, но и определяет надежность их эксплуатации. Следует стремиться к тому, чтобы транзистор при работе не перегревался, в выходных каскадах усилителей транзисторы обязательно нужно ставить на большие радиаторы. Защиту транзисторов от перегрева нужно обеспечивать не только во время эксплуатации, но и во время пайки. При лужении и пайке следует принимать меры, исключающие перегрев транзистора, транзисторы во время пайки желательно держать пинцетом, для защиты от перегрева.
Мы рассмотрели здесь только несколько видов транзисторов, и это лишь мизерная часть из обилия моделей электронных компонентов, представленных на рынке сегодня.
Так или иначе, вы с легкостью сможете подобрать подходящий транзистор для своих целей. Документация на них доступна сегодня в сети в виде даташитов, в которых исчерпывающе представлены все характеристики. Типы корпусов современных транзисторов различны, и для одной и той же модели зачастую доступны как SMD исполнение, так и выводное.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока от 15 и выше.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 60 в, импульсное — 160 в — у КТ805А, КТ805АМ. 135 в — у КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ — не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ — 5 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ — не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ — 5 в.
Максимальный ток коллектора. — 5 А.
Обратный импульсный ток коллектора при сопротивлении база-эмиттер 10Ом и температуре окружающей среды от +25 до +100 по Цельсию, у транзисторов КТ805А, КТ805АМ — — не более 60 мА, при напряжении колектор-эмиттер 160в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ — — не более 70 мА, при напряжении колектор-эмиттер 135в.
Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более — 100 мА.
Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). — 30 Вт.
Граничная частота передачи тока — 20 МГц.
Транзисторы КТ805 и качер Бровина.
Качер Бровина — черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла — источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста — он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.
В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости — КТ805АМ.
В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент — намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 — 0,25 мм на диэлектрическое основание, например — пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен — может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).
После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН). К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу — это даст возможность наблюдать «стример» — коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы — стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.
Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 — 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.
Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 — 2000 мФ на 50 в. Транзистор обязательно устанавливается на радиатор — чем больше, тем лучше.
Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно — выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению. Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина — 22см), а первичной — 6см (длина — 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения — 8 в.
В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.
При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего — от 100 до 250 мА. Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.