Высокочастотные эффекты
Производительность транзисторного усилителя относительно постоянна вплоть до некоторой точки, как показано на графике зависимости коэффициента усиления по току от частоты для усилителя малых сигналов с общим эмиттером (рисунок ниже). За этой точкой по мере увеличения частоты производительность транзистора ухудшается.
Граничная частота (частота отсечки коэффициента бета), fгр, fT – это частота, при которой коэффициент усиления по току (hfe) усилителя малых сигналов с общим эмиттером падает ниже единицы (рисунок ниже). Реальный усилитель должен иметь коэффициент усиления > 1. Таким образом, на частоте fгр транзистор использоваться не может. Максимальная частота, приемлемая для использования транзистора, равна 0,1fгр.
Зависимость коэффициента усиления по току (hfe) от частоты для усилителя малых сигналов с общим эмиттером
Некоторые радиочастотные биполярные транзисторы могут использоваться в качестве усилителей на частотах до нескольких ГГц. Кремниево-германиевые устройства расширяют диапазон до 10 ГГц.
Предельная частота (частота отсечки коэффициента альфа), fпр, falpha – это частота, при которой коэффициент α снижается до 0,707 от коэффициента α на низких частотах, α=0,707α. Предельная частота и граничная частота примерно равны: fпр≅fгр. В качестве высокочастотного показателя предпочтительнее использовать граничную частоту fгр.
fmax – самая высокая частота колебаний, возможная при наиболее благоприятных условиях смещения и согласования импеданса. Это частота, при которой коэффициент усиления по мощности равен единице. Весь выходной сигнал подается назад на вход для поддержания колебаний. fmax является верхним пределом частоты работы транзистора в качестве активного устройства. Хотя реальный усилитель не используется на fmax.
Эффект Миллера: верхний предел частоты для транзистора, связанный с емкостями переходов. Например, PN2222A имеет входную емкость Cibo=25пФ и выходную емкость Cobo=9пФ между К-Б и К-Э соответственно. Хотя емкость К-Э 25 пФ кажется большой, она меньше, чем емкость К-Б (9 пФ). Из-за эффекта Миллера в усилителе с общим эмиттером емкость К-Б оказывает влияние на базу в β раз. Почему это так? Усилитель с общим эмиттером инвертирует сигнал, проходящий от базы к эмиттеру. Инвертированный сигнал коллектора, подаваемый назад на базу, противодействует входному сигналу. Сигнал на коллекторе в β раз больше входного сигнала. Для PN2222A β=50–300. Таким образом, емкость К-Б 9 пФ выглядит так: от 9 · 50 = 450 пФ до 9 · 300 = 2700 пФ.
Решение проблемы с емкостью перехода для широкополосных приложений заключается в выборе высокочастотного транзистора – RF (радиочастотного) или СВЧ транзистора. Полоса пропускания может быть дополнительно расширена за счет использования схемы с общей базой, вместо схемы с общим эмиттером. Заземленная база защищает входной эмиттер от емкостной обратной связи с коллектора. Каскодная схема из двух транзисторов будет обеспечивать такую же полосу пропускания, как и схема с общей базой, но уже с более высоким входным импедансом схемы с общим эмиттером.
Влияние входного и выходного конденсаторов на АЧХ нашего усилителя
Замеряем АЧХ нашей платы. На входе: конденсатор 1 мкФ, на выходе: 2200 мкФ.
Если посмотреть график внизу, на АЧХ (частотную характеристику) нашего усилителя, то можно заметить завал на низких частотах, начиная от 100 Гц и ниже. А также небольшой завал на высоких частотах (от 10 кГц и выше). По высоким частотам этот завал совсем незначительный, поэтому мы его трогать не будем. А вот низких частот нужно немного добавить.
Часто начинающие пользователи методом научного тыка добавляют конденсаторы в усилитель. Иногда им везет, а иногда нет.
Для начала обратим внимание на рекомендации автора:
На нашей собранной плате выходной конденсатор имеет ёмкость 2200 мкФ, входной — 1 мкФ. Нагрузка у нас 4 Ом. На схеме Худа входной конденсатор — 0.5 мкФ, а выходной — 5000 мкФ. Частенько любители увеличивают входной конденсатор для выравнивания АЧХ. Но на самом деле нужно увеличить ёмкость выходного.
Сейчас мы добавим по очереди конденсаторы и будем замерять АЧХ.
1. Добавляем входной конденсатор 3.3 мкФ параллельно 1 мкФ = 4.3 мкФ:
На входе 4.3 мкФ на выходе 2200 мкФ
Видно, что практически ничего не поменялось на нашем графике, поэтому конденсатор мы пока выпаяем.
2. Теперь добавим параллельно выходному конденсатору 2200 мкФ ещё на 4700 мкФ и смотрим график:
На входе 1 мкФ на выходе 6900 мкФ
Как видим, наша АЧХ стала лучше на низких частотах и этого вполне достаточно для комфортного прослушивания музыки.
3. Но нам этого, конечно же, мало. Мы хотим ещё, поэтому добавим ещё 4700 мкФ к нашим конденсаторам:
На входе 1 мкФ на выходе 11600 мкФ
АЧХ ещё немного выровнялась, но это незначительно.
4. Давайте вернем наш конденсатор на вход, видно еще небольшое выравнивание АЧХ. Получилась такая картинка:
На входе 4.3 мкФ на выходе 11600 мкФ
Посмотрев на график, вы можете выбрать вариант, который вам подойдет для 4 Ом. Если же у вас акустика 8 Ом, просто делите емкость конденсаторов на 2.
Для себя мы оставим 2 вариант, этого достаточно для нашего усилителя. То есть, на входе — 1 мкФ а на выходе — 2200+4700 мкФ.
Datasheet Download — Panasonic Semiconductor
| Номер произв | C1384 | ||
| Описание | 2SC1384 | ||
| Производители | Panasonic Semiconductor | ||
| логотип | |||
|
1Page
wwwT.rDaantasSishteoert4U.com 2SC1383, 2SC1384 s Features q Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). q Complementary pair with 2SA683 and 2SA684. s Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C) Parameter VCBO VCEO VEBO ICP IC PC Tj Tstg Ratings 5.9±0.2 Unit: mm 4.9±0.2 0.7±0.1 2.54±0.15 +0.2 0.45–0.1 1.27 0.45–0.1 1:Emitter s Electrical Characteristics (Ta=25˚C) Parameter ICBO VCBO VCB = 20V, IE = 0 IC = 10µA, IE = 0 0.1 µA 30 VCEO IC = 2mA, IB = 0 25 VEBO hFE1*1 hFE2 VCE(sat) VBE(sat) fT Cob IE = 10µA, IC = 0 5 VCE = 10V, IC = 500mA*2 85 160 340 VCE = 5V, IB = 1A*2 50 100 IC = 500mA, IB = 50mA*2 0.2 0.4 IC = 500mA, IB = 50mA*2 0.85 1.2 VCB = 10V, IE = –50mA, f = 200MHz 200 MHz VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz 11 20 pF *2 Pulse measurement *1hFE1 Rank classification Rank hFE1 85 ~ 170 120 ~ 240 S
PC — Ta 1.2 0 20 40 60 80 100 120 140 160 VCE(sat) — IC 10 IC/IB=10 3 0.1 –25˚C 0.03 Collector current IC (A) 10 fT — IE 200 VCB=10V 180 Ta=25˚C 160 –1 –3 –10 –30 –100 Emitter current IE (mA) IC — VCE 1.5 IB=10mA 9mA 0 2 4 6 8 10 Collector to emitter voltage VCE (V) VBE(sat) — IC 100 IC/IB=10 30 25˚C Ta=–25˚C 1 Collector current IC (A) 10 Cob — VCB 50 IE=0 45 f=1MHz 13 Collector to base voltage VCB (V) 2SC1383, 2SC1384 IC — IB 1.2 VCE=10V Ta=25˚C 0 2 4 6 8 10 12 Base current IB (mA) hFE — IC 600 VCE=10V 500 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 Collector current IC (A) 10 VCER — RBE 120 IC=10mA Ta=25˚C 0.1 0.3 1 3 10 30 100 Base to emitter resistance RBE (kΩ) 2
Transistor ICEO — Ta 104 VCE=10V 103 102 10 ICP 1 IC 0.3 Collector to emitter voltage VCE (V) 2SC1383, 2SC1384 |
|||
| Всего страниц | 3 Pages | ||
| Скачать PDF |
TransistorПервый вариант УНЧ на транзисторах
В первом варианте усилитель построен на кремниевых транзисторах n-p-n проводимости. Входной сигнал поступает через переменный резистор R1, который в свою очередь является нагрузочным сопротивлением для схемы источника сигнала. Наушники подсоединены к коллекторной электроцепи транзистора VT2 усилителя.
Поступающие на потенциометр R1 колебания НЧ через его движок и емкость С1 идут на базу VT1 1-го каскада в результате чего происходит частичное усиление. Данный резистор еще играет роль регулятора усиления (регулятор громкости), поскольку с изменением его сопротивления меняется напряжение, поступающее на базу VT1, и соответственно изменяется уровень усиленного сигнала.
Далее частично усиленный сигнал с сопротивления R3 через разделительный конденсатор идет на базу второго транзистора, в результате чего сигнал дополнительно усиливается и выделяется на наушниках, которые являются нагрузкой выходной цепи.
Сопротивления R2 и R4 обеспечивают положительное смещение на базе транзисторов (по отношению к эмиттеру). В момент отладки УЗЧ, данные сопротивления необходимо подобрать под конкретно используемые транзисторы, поскольку каждый транзистор имеет определенное отклонение коэффициента усиления.
Профессиональный цифровой осциллограф
Количество каналов: 1, размер экрана: 2,4 дюйма, разрешен…
Подробнее
Переход на нитрид-галлиевую технологию
Рис. 3. IGN1011L1200 — мощный GaN-on-SiC транзистор с импульсной выходной мощностью 1250 Вт. Транзистор предназначен для работы на частотах 1030 и 1090 МГц в режиме Mode-S ELM в составе систем вторичной радиолокации
Технология нитрид-галлиевых ПВПЭ (GaN HEMT) транзисторов — новейшая технология изготовления мощных усилительных полупроводниковых ВЧ/СВЧ-приборов, быстро набирающая популярность во многих приложениях благодаря высокому коэффициенту усиления и большой выходной мощности в S-диапазоне и выше. Как правило, приборы этого типа выполнены на подложке из карбида кремния (SiC), которая, обеспечивая высокую теплопроводность, способствует повышению долговременной надежности работы устройств.
GaN HEMT-транзисторы в силу конструктивного исполнения на SiC-подложке, обеспечивающей оптимальное охлаждение, идеально подходят для импульсных приложений высокой мощности с их строгими требованиями к плотности мощности (по сравнению с CW-приложениями). Кроме того, поскольку эти транзисторы отличаются высокой плотностью мощности, их выходная емкость из расчета на 1 Вт намного ниже, чем у конкурирующих с ними технологий. Это позволяет проводить настройку гармонических составляющих сигнала на выходе, что обеспечивает КПД выше 85% даже при киловаттных уровнях выходной мощности. Меньшая емкость из расчета на 1 Вт — то, что позволяет этим полупроводниковым устройствам работать на гораздо более высоких частотах, чем при использовании технологии LDMOS.
Однако одним из недостатков, присущих GaN HEMT-транзисторам, является то, что они являются полупроводниковыми устройствами, работающими в режиме обеднения носителями. Это значит, что для их функционирования требуется и положительное, и отрицательное напряжения. Кроме того, напряжение на затвор такого транзистора подается до появления напряжения на его стоке. Чтобы нивелировать этот недостаток, компания Integra в усилительных субмодулях (паллетах) использует специальные схемы, распределяющие по времени управляющие импульсы затвора (gate pulsing and sequencing, GPS). Такое решение позволяет избежать затруднений, связанных с указанной особенностью GaN HEMT-транзисторов, и не приводит к увеличению числа элементов в конечном решении усилителя.
Примером современного GaN HEMT-устройства является транзистор IGN1011L1200 компании Integra, представленный на рис. 3. Импульсная выходная мощность транзистора (предназначенного для систем опознавания и обзорных радиолокационных станций) превышает 1250 Вт. Он работает на частотах 1030 и 1090 МГц в том же схемотехническом решении, что является следствием исключительно низкого отношения емкости из расчета на 1 Вт. При коэффициенте усиления около 17 дБ у IGN1011L1200 — очень высокий КПД: 85% в режиме Mode-S ELM при усилении импульсного сигнала соответствующего формата (пачка из 48 импульсов — 32 мкс вкл./18 мкс выкл., период повтора посылок — 24 мс, усредненный коэффициент заполнения — 6,4%.
Применение высоковольтных ключей: полупроводниковые трансформаторы среднего напряжения
На полупроводниковый или, как его еще называют, твердотельный трансформатор (Solid State Transformer, SST) обычно подается входное напряжение переменного тока высокого или чаще среднего уровня, скажем, 4160 В переменного тока мощностью 13,8 кВ·А, которое он, без использования громоздкого классического трансформатора, преобразует в выходное более низкое напряжение. По своей сути, это изолированный DC/DC-преобразователь с добавленной функциональностью. Основная концепция данного решения и применение показаны на рис. 5.
Рис. 5. Твердотельный трансформатор, базовая концепция и его практическое применение на примере зарядной станции электромобилей
Здесь напряжение от сети переменного тока сначала поступает на AC/DC-преобразователь (по сути, выпрямитель) и выпрямляется, а затем в изолированном DC/DC-преобразователе преобразуется в высокочастотное переменное напряжение в диапазоне частот 5–100 кГц. При этом для гальванической изоляции используется гораздо меньший среднечастотный трансформатор, который обеспечивает пониженное вторичное напряжение. Далее напряжение снова выпрямляется и затем его можно использовать для зарядки аккумулятора электромобиля или для управления DC/AC-преобразователем для получения напряжения переменного тока, например подачи питания в электрическую локальную микросеть или для управления нагрузками электродвигателя с низким рабочим напряжением.
Такой твердотельный трансформатор, как правило, имеет габариты значительно меньше эквивалентного ему по мощности классического 60/50-Гц трансформатора, что позволяет распределять мощность при очень высоких напряжениях, а преобразование в более низкие напряжения выполняется непосредственно в месте его использования. Это уменьшает ток, при котором распределяется мощность, снижая вес и стоимость линий, а также потери в них. Такое решение может быть особенно полезно при уровнях мощности в мегаваттах, например на станциях быстрой зарядки напряжением постоянного тока, которым необходимо заряжать 8–10 автомобилей мощностью зарядной станции в 250–350 кВт, или на больших судах для уменьшения потерь в линиях, возникающих при распределении переменного тока более низкого напряжения.
Поскольку выпрямленное напряжение первичной стороны составляет не менее 6 кВ, то в случае, если требуются частоты переключения выше 500–1000 Гц, использовать IGBT или IGCT с рабочим напряжением 3,3 или 6,5 кВ попросту нельзя. Вместо этого можно выбрать многоуровневую инверторную архитектуру с 7+ уровнями IGBT 1700 В или модульный многоуровневый преобразователь (modular multi-level converter, MMC) с многокаскадными низковольтными преобразователями напряжения, рассчитанными на ступенчатую синусоидальную выходную мощность. Пример модульного многоуровневого преобразователя показан на рис. 6, где на каждой ступени преобразователя на первичной стороне используется трехуровневый модуль IGBT на 1700 В . Все в целом, с соответствующим управлением, необходимо для того, чтобы обеспечить на выходе желаемое напряжение синусоидальной формы.
Рис. 6. Реализация модульной многоуровневой преобразовательной системы на основе кремниевых транзисторов для реализации твердотельного трансформатора . Каждая из ячеек каскадного преобразователя на первичной стороне представляет собой трехуровневый модуль с рабочим напряжением 1700 В и использует преобразование на средних частотах
Для сравнения на рис. 7 показана трехуровневая реализация с SiC-модулями, рассчитанными на рабочее напряжение 10 кВ. Очевидно, что именно реализация на приборах SiC-технологии имеет решающее значение для упрощения архитектуры и управления преобразователями, что позволяет твердотельному трансформатору работать на относительно высоких частотах.
Рис. 7. Гораздо более простая реализация с использованием высоковольтных SiC МОП-транзисторов или транзисторов топологии Supercascode
Как можно видеть на рис. 7, сложность управления снижена, а количество высоковольтных устройств значительно уменьшено. Чтобы получить небольшой трансформатор, частота коммутации должна теперь быть в 10 раз больше, чем у кремниевого решения, а чтобы не усложнять решение отвода тепла, потери не должны выходить за разумные рамки. Именно в этом направлении высоковольтные устройства на основе SiC превосходят все, что может нам дать кремний.
Когда стоит использовать полевые МОП-транзисторы?
Биполярные и униполярные транзисторы — очень важные элементы, но возникает вопрос: когда их использовать? Оба типа имеют свои преимущества и недостатки, поэтому в некоторых проектах, один имеет преимущество перед другим. Использование биполярных транзисторов, безусловно, заслуживает внимания, когда схема питается от низкого напряжения (например, 1,5 В или 3,3 В), поскольку для ее работы достаточно напряжения 0,7 В. Униполярный транзистор может быть еще не полностью открыт в этих условиях.
МОП-транзисторы рекомендуются для управления нагрузками, потребляющими токи в диапазоне ампер, поскольку управляющий элемент (например, Arduino) не должен подавать на них питание — этого достаточно, чтобы установить достаточно высокий потенциал. Чтобы полностью открыть транзистор, приложите напряжение, в несколько раз превышающее пороговое напряжение между затвором и истоком (это напряжение включения).
| МОП-транзисторы практически не потребляют ток от цепи, которая контролирует их работу! |
Использование униполярных транзисторов рекомендуется там, где важно потребление тока. В некоторых проектах, особенно в схемах с питанием от небольших батарей, даже несколько микроампер, потребляемых базой биполярного транзистора, могут значительно сократить время работы устройства
Между эмиттером и коллектором полностью включенного (насыщенного) биполярного транзистора создается постоянное напряжение — обычно 0,2 В, но это значение может быть выше для мощных транзисторов. У униполярных транзисторов есть только сопротивление открытого канала, поэтому падение напряжения на них зависит от протекающего тока.
Напоследок еще одно практическое замечание. Если нам нужно контролировать, например, 10 так называемых сверхярких светодиодов, каждый через отдельный транзистор, то следует использовать 10 биполярных транзисторов вместе с 10 резисторами, по одному на каждую базу. Между тем, использование полевых МОП-транзисторов устранит необходимость в дополнительных резисторах, что сэкономит место на плате.
Германий
В конце XIX века германий был впервые выделен и идентифицирован немецким химиком Клеменсом Винклером. Этот материал, названный в честь родины Винклера, долгое время считался малопроводящим металлом. Это утверждение было пересмотрено в период Второй мировой войны, так как именно тогда были обнаружены полупроводниковые свойства германия. Приборы, состоящие из германия, широко распространились в послевоенные годы. В это время нужно было удовлетворить потребность в производстве германиевых транзисторов и подобных устройств. Так, производство германия в США выросло с нескольких сотен килограммов в 1946 году до 45 тонн к 1960 году.
Селектор входов усилителя и отключение
В нашем усилителе мы будем использовать китайский селектор входов, но мы его немного переделаем.
Задача первая — это, собственно, переключать аудио вход. А вторая — использовать эту же плату для отключения звука после выключения усилителя.
Давайте вспомним, что мы поставили конденсаторы 66000 мкФ в питание каждого канала усилителя. Поэтому, при выключении нашего усилителя, он будет еще какое-то время работать, используя конденсаторы, пока они не разрядятся. При этом, первых 5 секунд после выключения будет играть музыка, а затем в колонках будет просто хрипеть еще несколько минут. Согласитесь, это не очень приятно.
Как обычно решают такие проблемы в усилителях? Ставят схему с реле, которая отключает акустику сразу после выключения усилителя. Обычно эта же схема является защитой акустики от постоянного тока при повреждении выходного каскада усилителя.
Давайте еще раз посмотрим на схему нашего усилителя:
На выходе мы видим конденсатор С5, через который подключается акустика. Через него не пройдет постоянный ток, поэтому защита нам не требуется. Теперь у нас есть вариант отключать акустику через реле и, таким образом, решить проблему. Но недостатком этого метода является звуковой сигнал, который будет проходить через контакты реле, что не очень хорошо. Чем меньше соединений у нас будет, тем лучше.
Поэтому мы решили пойти другим путем, а именно: при отключении усилителя перед входным конденсатором С1 будем замыкать его вход, как показано на схеме красным цветом. При замкнутом входе никаких звуков из акустики не будет.
У нас на плате 4 реле, которые включают один из 4 входов в усилитель (AUX, PHO, DVD, CD). По умолчанию все входы отключены, то есть контакты всех реле находятся в нормально разомкнутом состоянии. Мы же возьмем одно из реле (четвертое слева на право на картинке, CD) и перепаяем его так, чтобы контакты были в нормально замкнутом состоянии.
Получится, что при выключенном усилителе реле будет замыкать вход на плату. А как только мы его включим, реле разомкнется и звуковой сигнал будет поступать на плату. Получается, что, при выключении усилителя, 1-3 реле отключат все входы, а наше 4 реле перемкнет входы на плату.
Таким образом мы получили небольшую задержку при включении усилителя и теперь, при выключении, у нас не будет играть музыка.
Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.
Т ранзисторы BC556 – BC560 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.
Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.
Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.
Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A – от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B – от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C – от 420 до 800.
Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.
Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 – BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.
BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.
Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.
В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.
Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +
В корзину
PNP транзистор общего применения
ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE
Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800
Общие ∙ Производитель Semtech
