Все о маркировке smd транзисторов: как расшифровать их кодовые обозначения

ALJ13002 Datasheet (PDF)

1.1. alj13002.pdf Size:103K _update

SUNROC ALJ13002 TRANSISTOR(NPN) FEATURES 1. EMITTER Power dissipation 2.COLLECTOR PCM:0.8W(Tamb=25℃) Collector current 3.BASE ICM:0.6A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600V 1 2 3 Opcrating and storage junction temperature range TJ,Tstg:-65℃ to -150℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specjfied): MIN TYP MAX UNIT Parameter Symbol Tes

3.1. alj13005.pdf Size:150K _update

SUNROC ALJ13005 TRANSISTOR(NPN) MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) MAXI Parameter Value Units Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current IC 2.0 A Collector Power Dissipation PC 50 W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storag Temperature -55～150 ℃ Tstg ELECTRICAL CHARACTERISTICS

SUNROC ALJ13003 TRANSISTOR(NPN) FEATURES ·power switching applications MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current-Continuous 1.2 A PC Collector Power Dissipation 25 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55

3.3. alj13001.pdf Size:195K _update

SUNROC ALJ13001 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. BASE power switching applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 1 2 3 VCBO Collector -Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current -Continuous 0.2 A PC Collector Power Dissipation

3.4. alj13003.pdf Size:104K _update

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе. Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Область применения транзисторов 13001

Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.

сетевые адаптеры мобильных устройств;
электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
электронные трансформаторы;
другие импульсные устройства.

Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.

Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.

На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.

Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем

При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:

этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.

Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки

Смотрите это видео на YouTube

Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.

Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007

Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142

Как работает транзистор и где используется?

Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность

Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора

Описание характеристик, назначение выводов и примеры схем включения линейного стабилизатора напряжения LM317

Распиновка

KSH13005W Datasheet (PDF)

1.1. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13005W █ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-263（D2PAK） Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ Tj——Junction Temperature………

2.1. ksh13005a.pdf Size:227K _upd

KSH13005A KSH13005A ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005A KSH13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO-220

2.2. ksh13005af.pdf Size:223K _upd

KSH13005AF KSH13005AF ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005AF KSH13005AF Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO

Схема «зарядки» для телефона.

R1 — 1 Ом, 1Ватт. R2 — 20 кОм. R3 — 680 кОм. R4 — 100 кОм. R5 — 43 Ом. R6 — 5,1 Ом. R7 — 33 Ом. R8 — 1 кОм. R9 — 1,5 кОм. C1 — 22 мФ,25в(оксидный). C2 — 1 нФ, 400в. C3 — 3,3 нФ, 1000в. C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный). C5 — 100 мФ,25в(оксидный). VD1 — стабилитрон 5,6в. VD2,VD3 — диод 1N407. VD4 — диод 1N4937. VD5 — индикаторный светодиод. Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

13001 – кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.

H13005D Datasheet (PDF)

Транзистор h945

1.1. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi

R H13005DL 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast，etc 2． 2． 2

1.2. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi

R H13005D 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2．

1.3. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi

Биполярный транзистор BD131 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BD131

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 11
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора:

BD131
Datasheet (PDF)

..1. bd131.pdf Size:49K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D100BD131NPN power transistor1999 Apr 12Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 04Philips Semiconductors Product specificationNPN power transistor BD131FEATURES PINNING High current (max. 3 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 emitter2 collector, connected to metal part ofAPPLICATIONS mount

..2. bd131 bd132.pdf Size:142K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTORSNPNBD131PNPBD132TO-126 Plastic PackageECBGeneral Purpose Medium Power ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL BD131 BD132 UNITCollector -Base Voltage VCBO V70 45Collector -Emitter Voltage VCEO V45 45Emitter-Base Voltage

..3. bd131.pdf Size:207K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD131DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage -: V = 45V(Min.)(BR)CEOComplement to type BD132Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power and general purposeapplications.ABSOLUTE

0.1. bd131-bd132.pdf Size:96K _comset

PNP BD132 NPN BD131 SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORSThe BD132are PNN transistors mounted in Jedec TO-126 plastic package. Medium power applications. NPN complements are BD131 . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit-VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V-VCBO Collector-Base Voltage 45 V-VEBO Emitter-Base Voltage 4 VSymbol Ratings Value Unit-IC 3 IC

Другие транзисторы… BD123
, BD124
, BD124A
, BD127
, BD128
, BD129
, BD130
, BD130Y
, 2N2907
, BD131A
, BD132
, BD132A
, BD133
, BD135
, BD135-10
, BD135-16
, BD135-6
.

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Усилитель на КТ315

Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.

На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).

Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.

Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.

Полевые транзисторы

Так же очень распространенные на сегодняшний день компоненты. Их применяют даже чаще, чем биполярные. К примеру, инверторы теперь в основном только с полевыми, то есть биполярные приборы они уже стеснили. И если у вас возникает вопрос, можно ли заменить полевой транзистор биполярным, то ответ будет положительным. Однако в полевом плюсов намного больше, чем в биполярном.

Полевые усилители поглощают энергии намного меньше, чем биполярные, так как полевые управление фокусируют на напряжении и электрическим полем заряда, в то время когда биполярные же держатся на токе базы. Поэтому их предпочитают больше. Полевые транзисторы даже переключаются в разы быстрее, чем биполярные. К тому же они имеют хорошую термоустойчивость. И для того, чтобы переключить направления электрического тока, полевые транзисторы вправе соединяться параллельно и без резисторов, просто нужен драйвер, подходящий для этого.

Если же говорить о замене полевых триодов, то и здесь есть способ поиска их аналогов. В принципе в поиске с биполярными не сильно отличается, можно сказать даже, что будет практически таким же. Но разница небольшая есть: нет той проблемы с передачей тока, как у биполярного транзистора. Нельзя забывать о сток-исток, нужно помнить о запасе.

К тому же у полевого есть такой параметр, как сопротивление открытого канала. Вот от него легко определить, что будет с мощностью, и как она будет рассеиваться

Ну и, конечно же, очень важно рассчитывать это сопротивление открытого канала, так как можно потерять много энергии и напряжении при переходе не будет слишком высоким

Чем можно заменить полевые транзисторы?

Крутизна S также очень важна при поиске аналога. Данный параметр будет показывать состояние тока стока при напряжении затвора. Это позволит определить, сколько понадобится напряжения для коммутации.

Помните, что выбирать важно и исходя от порогового напряжения затвора, если напряжение будет в разы меньше порогового, то нормального функционирования от вашего аналога ждать не придется. Цепь при получении напряжения не получит нужного и вся мощность, точнее ее рассеивание останется на приборе, а для него этого нежелательно, ведь может случиться перегрев

В даташите еще говорится, что мощность рассеяния обоих приборов одинакова: и зависит это от корпуса. Если корпус большой, то получение тепловой мощности будет безопаснее рассеиваться.

Емкость затвора так же очень важна в случае данного предмета

Очень важно, чтобы затвор не был крайне тяжелым, и необходимо помнить об этом при выборе. Будет очень хорошо, если он будет меньше в разы, так как это принесет удобство и легкость в использовании данного механизма

Однако если вам нет необходимости перепаивать, то спокойно можно выбрать размер, который идеально подойдет, схожий с оригиналом.

К примеру, сейчас довольно часто меняют IRFP460 на более новую и современную 20N50, так как у него затвор крайне легкий. Опять-таки даташит скажет то же самое, указав на массу схожести, несмотря на преимущество второго.

ALJ13002 Datasheet (PDF)

1.1. alj13002.pdf Size:103K _update

3.1. alj13003.pdf Size:104K _update

3.2. alj13005.pdf Size:150K _update

3.3. alj13003-251.pdf Size:104K _update

3.4. alj13001.pdf Size:195K _update

Другие транзисторы… 2SC4355 , 2SC4356 , 2SC4357 , 2SC4358 , 2SC4359 , 2SC436 , 2SC4360 , 2SC4361 , BD139 , 2SC4363 , 2SC4364 , 2SC4365 , 2SC4366 , 2SC4367 , 2SC4368 , 2SC4369 , 2SC437 .

Характеристики УМЗЧ

Основные технические характеристики	Значения
Номинальная выходная мощность, Вт, при R = 8 Ом при R = 4 Ом	50 100
Нелинейные искажения, %, при номинальной выход-ной мощности в полосе частот 20 Гц…20кГц, не более	0,5
Коэффициент передачи по напряжению при R = 8 Ом при Rн = 4 Ом	0,87 0,78
Выходное сопротивление (частотно-независимое), Ом, не более	1,2
Входное сопротивление, МОм	1
Входная емкость, пФ, не более	30
Полоса воспроизводимых частот, Гц, по уровню -3 дБ	0,15…6–¹º

Назначение отдельных элементов схемы (см. рис. 1) следующее. Резисторы R3, R4, R9, R10, R14, R15, R20, R21 и конденсаторы С8, С9, С11, С12, С17, С18 обеспечивают устойчивость ВК; резисторы R5, R8, R29 обеспечивают устойчивость САР; элементы R24, С21 — цепь Цобеля. Резисторы R18, R19, R22, R23 задают ток покоя; элементы R16, VD2, VD3 защищают вход ОУ DA1 от проникания большого постоянного напряжения с выхода УМЗЧ при аварийном режиме. Резисторы R6, R7, R9, R10, R12 обеспечивают ток покоя 10±2 мА через транзисторы VT1 – VT4 (с учётом разброса характеристик для VT5—VT8).

Резистор R31 ограничивает интервал регулирования тока 10; элементы R28, VD5 обеспечивают режим работы компаратора на микросхеме DA2. Элементы R17, С10, R1, DA1 стабилизируют нулевое напряжение на выходе. Краткие рекомендации по применяемым элементам, их заменам, монтажу и конструкции изложены ниже. Резисторы R18, R19, R22, R23 должны иметь малую индуктивность, например, MF-200 номиналом 0,62 Ом ±5 % или любые металлоплёночные мощностью не менее 2 Вт. Остальные резисторы — С2-23 или аналогичные с разбросом ±5 %. Оксидные конденсаторы — К50-35 или аналогичные по характеристикам. Конденсаторы СЗ, С10, С21, С22 — плёночные К73-17 или аналогичные по параметрам. Остальные конденсаторы — К10-176 или аналогичные.

Возможна замена активных элементов. Так, микросхема DA1 — любой ОУ с входным сопротивлением Rвx> 1 ГОм; микросхема DA2 – КР198НТ6 – КР198НТ8 (с проверкой цоколёвки). Транзистор VT9 — любой малой мощности структуры p-n-p (Uкэmax> 80 В, lк max> 50 мА, Fт> 5МГц), транзистор VT10 — любой маломощный полевой с изолированным затвором и n-каналом с Uси max> 80 В и током lс max> 10 мА. Транзисторы VT1, VT2 — любые из 2SJ77—2SJ79; VT3, VT4 – любые из 2SK214—2SK216; VT5, VT7 — любые из 2SK1056, 2SK1057; VT6, VT8 – любые из 2SJ160, 2SJ161.

Резисторы R14, R15, R20, R21 надо монтировать как можно ближе к транзисторам VT5—VT8, а конденсаторы С8, С9, С17, С18 монтируют непосредственно на выводах этих транзисторов.
Для повышения надёжности работы в условиях повышенной температуры окружающей среды (выше +30 °С) транзисторы VT1—VT4 следует установить на небольшие теплоотводы, обеспечивающие температуру корпусов транзисторов не выше +70 °С. Выходные транзисторы VT5—VT8 также требуют установки на теплоотводы соответствующих размеров, зависимых от заданной выходной мощности и температуры корпусов транзисторов, не превышающей +70 °С.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA)

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

Тип	Наименование ЭРЭ	Зарубежное название
A1	Полевой N-канальный транзистор	Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2	Двухзатворный N-канальный полевой транзистор	Tetrode, Dual-Gate
A3	Набор N-канальных полевых транзисторов	Double MOSFET Transistor Array
B1	Полевой Р-канальный транзистор	MOS, GaAs FET, P-Channel
D1	Один диод широкого применения	General Purpose, Switching, PIN-Diode
D2	Два диода широкого применения	Dual Diodes
D3	Три диода широкого применения	Triple Diodes
D4	Четыре диода широкого применения	Bridge, Quad Diodes
E1	Один импульсный диод	Rectifier Diode
E2	Два импульсных диода	Dual
E3	Три импульсных диода	Triple
E4	Четыре импульсных диода	Quad
F1	Один диод Шоттки	AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2	Два диода Шоттки	Dual
F3	Три диода Шоттки	Tripple
F4	Четыре диода Шоттки	Quad
K1	“Цифровой” транзистор NPN	Digital Transistor NPN
K2	Набор “цифровых” транзисторов NPN	Double Digital NPN Transistor Array
L1	“Цифровой” транзистор PNP	Digital Transistor PNP
L2	Набор “цифровых” транзисторов PNP	Double Digital PNP Transistor Array
L3	Набор “цифровых” транзисторов \| PNP, NPN	Double Digital PNP-NPN Transistor Array
N1	Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц)	AF-Transistor NPN
N2	Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц)	RF-Transistor NPN
N3	Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В)	High-Voltage Transistor NPN
N4	“Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000)	Darlington Transistor NPN
N5	Набор транзисторов NPN	Double Transistor Array NPN
N6	Малошумящий транзистор NPN	Low-Noise Transistor NPN
01	Операционный усилитель	Single Operational Amplifier
02	Компаратор	Single Differential Comparator
P1	Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц)	AF-Transistor PNP
P2	Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц)	RF-Transistor PNP
P3	Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В)	High-Voltage Transisnor PNP
P4	“Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000)	Darlington Transistor PNP
P5	Набор транзисторов PNP	Double Transistor Array PNP
P6	Набор транзисторов PNP, NPN	Double Transistor Array PNP-NPN
S1	Один сапрессор	Transient Voltage Suppressor (TVS)
S2	Два сапрессора	Dual
T1	Источник опорного напряжения	“Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2	Стабилизатор напряжения	Voltage Regulator
T3	Детектор напряжения	Voltage Detector
U1	Усилитель на полевых транзисторах	GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2	Усилитель биполярный NPN	Si-MMIC NPN, Amplifier
U3	Усилитель биполярный PNP	Si-MMIC PNP, Amplifier
V1	Один варикап (варактор)	Tuning Diode, Varactor
V2	Два варикапа (варактора)	Dual
Z1	Один стабилитрон	Zener Diode

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока – от 8.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 300 В.

Максимальный ток коллектора – 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А – 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А – – не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора – около 40 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока – 4 МГц.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 15 в – не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 9 в – не более 1 мА.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Параметры

Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:

физические:

принцип действия – биполярный;
корпус ТО-92 или SOT-23;
материал корпуса – пластик;
материал – монокристаллический кремний;

электрические (для устройства в корпусе ТО-92):

проводимость – n-p-n (обратная);
IK макс. (Ic max) не более 200 мА (mA);
UКЭ макс. (VCEmax) не более 400 В (V);
UКБ макс. (VCBmax) не более 500 В (V);
UЭБ макс. (VЕВ max) не более 9 В (V);
UКЭ нас. (VCEsat) не более 0.5 В (V), при IK (Ic)=50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
UКЭ нас. (VCEsat) не более 1.2 В (V), при IK (Ic)=50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
fгр (ft) от 8 МГц (MHz), при U КЭ = 20 В (V), IK = 20 мА (mA);
UКБ макс. (VCB max ) = 500 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0;
IКЭО (ICEO) не более 200 мкА (µA), при U КЭ макс. (VCEmax ) =400 В (V) и IБ (IB)=0;
IЭБО (IEBO) не более 100 мкА (µA), при U EБ макc. (VEB max ) = 9 В (V) и IК (IС)=0;
PK макс. (PC) 0,75 Вт (W);
Tраб. (Tj) не более + 150 °C;
Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.;
Hfe при UКЭ = 20 В (V) и IK = 20 мА (mA) от 10 до 40 , при UКЭ = 10 В (V) и IK = 0,25 мА (mA) — 8;

электрические (для устройств в корпусе SOT-23):

проводимость – n-p-n;
IK (Ic max) 200 мА (mA);
UКЭО (VCEO) ≤ 500 В (V);
UКБО (VCBO) ≤ 800 В (V);
UЭБО (VЕВO) ≤ 9 В (V);
UКЭ нас. (VCEsat) ≤ 0.5 В (V), при IK (Ic) = 50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
UКЭ нас. (VCEsat) ≤1.2 В (V), при IK (Ic) = 50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
fгр (ft) 8 МГц (MHz), при U КЭ = 20 В (V), IK = 20 мА (mA);
IКБО (ICBO) ≤1 мкА (µA) при U КБ (VCBО) = 600 В (V);
IКЭО (ICEO) ≤10 мкА (µA), при U КЭ (VCEО ) = 400 В (V) и IБ (IB)=0;
IЭБО (IEBO) ≤1 мкА (µA), при U EБ (VEBО ) = 9 В (V) и IК (IС)=0;
PK (PC) = 0,5 Вт (W);
Tраб. (Tj) ≤ + 150 °C.;
Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.;
Hfe при UКЭ = 20 В (V) и IK = 20 мА (mA) 8 Hfe, при UКЭ = 5 В (V) и IK = 1 мА (mA) от 10 до 30 Hfe.

ALJ13002 Datasheet (PDF)

Маркировка

Распиновка

Область применения транзисторов 13001

Распиновка

KSH13005W Datasheet (PDF)

Схема «зарядки» для телефона.

H13005D Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор BD131 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

BD131 Datasheet (PDF)

Маркировка и цоколёвка

Усилитель на КТ315

Полевые транзисторы

Чем можно заменить полевые транзисторы?

ALJ13002 Datasheet (PDF)

Характеристики УМЗЧ

Режима работы в SOA

Режим FBSOA

Какие бывают стандарты маркировки

Наиболее важные параметры.

Параметры

BD131
Datasheet (PDF)