Составной транзистор, схемы дарлингтона, шиклаи. расчет, применение

Какими же транзисторами можно заменить?

Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные

Главное, что важно знать о них:

• первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
• после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
• затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
• ну и, наконец, то как передается ток.

Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.

Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.

Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера

Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.

Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.

Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы. К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт

И этот аналог пойдет для замены полностью

К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.

К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.

Составной транзистор. Схемы Дарлингтона, Шиклаи. Расчет, применение

Составной транзистор — схемы, применение, расчет параметров. Схемы Дарлингтона, Шиклаи. Тонкости и подводные камни составных транзисторов (10+)

Составной транзистор, схемы Дарлингтона, Шиклаи. Расчет, применение

Составной транзистор

применяется, если необходим очень большой коэффициент передачи тока (h). У составного транзистора h равен произведению h транзисторов, входящих в его состав.

Недостатком составного транзистора является большое напряжение насыщения

коллектор — эмиттер. Оно в разы больше, чем у обычного транзистора. Простого решения этой проблемы не существует.Схема Дарлингтона обладает высоким напряжением насыщения эмиттер — база.Схема Шиклаи свободна от этого недостатка.

Применение составного транзистора требует тщательного выбора рабочих точек транзисторов и расчета параметров. Формулы приведены в статье.

Составные транзисторы находят применение там, где необходимо совсем небольшим током управлять токами большими, то есть там, где необходим большой коэффициент передачи тока. Однако составному транзистору свойственны некоторые существенные недостатки, которые ограничивают его применение. Составной транзистор активно используется в аналоговых схемах. Применение его в ключевых схемах не эффективно.

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа. Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР. Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока — 250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Усилитель на транзисторах 13002

Хотя компактные люминесцентные лампы уже непопулярны, у многих самодельщиков накопились платы от них. Среди прочих компонентов, там присутствуют транзисторы типов 13001, 13002, 13003. Хотя они считаются ключевыми, перевести их в линейный режим общепринятым способом не составляет труда, выходная мощность при этом, конечно, невелика. Так, например, автор Instructables под ником Utsource123 собрал из двух таких транзисторов составной (его также называют транзистором Дарлингтона, который сделал соответствующее изобретение в 1953 году) и построил на нём простой однотактный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ). Поскольку мастер решил не составлять схему усилителя, переводчику пришлось восстановить её по описанию и фотографиям. Получилась самая обыкновенная схема УМЗЧ на составном транзисторе без каких-либо особенностей. На старых транзисторах МП она выглядела бы точно так же. С учётом противоположной структуры, конечно.

Смещение на базу резистором, конденсатор, чтобы это смещение не попало в источник сигнала — всё как обычно. Конденсатор на 100 мкФ, 25 В, резистор на 1 кОм.

Первым делом мастер знакомит читателей с цоколёвкой транзистора 13002:

Затем он, как и положено при сборке из двух транзисторов одного составного, соединяет эмиттер первого транзистора с базой второго. Хорошо, они как раз расположены рядом.

Впаивает резистор смещения между коллектором и базой первого транзистора. Благодаря ему оба транзистора будут работать в линейном режиме.

Подключает к базе первого транзистора плюсовой вывод конденсатора:

Соединяет коллекторы обоих транзисторов перемычкой:

Подключает сигнальный кабель: общий провод припаивает к эмиттеру второго транзистора, а выход любого из стереоканалов — к минусовому выводу конденсатора:

Один вывод динамической головки соединяет с плюсом питания, второй — с соединёнными вместе коллекторами обоих транзистора. Минус питания подаёт на эмиттер второго транзистора.

Усилитель готов к работе. Если не добавлять к нему регулятор громкости, источник сигнала придётся взять такой, в котором соответствующий регулятор имеется. И можно слушать.

Собрав второй такой же усилитель и подав на него сигнал с другого стереоканала, вы получите стереофонический эффект.

Источник (Source)

Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.

Теория работы составного транзистора (СТ)

Для получения основных параметров СТ следует задаться моделью самого биполярного транзистора (БТ) для низких частот на рис. 1а.

Рис. 1. Варианты схемы замещения БТ n-p-n

Первичных расчётных параметра всего два: коэффициент усиления по току и входное сопротивление транзистора. Получив их, для конкретной схемы по известным формулам можно рассчитать коэффициент усиления по напряжению, входное и выходное сопротивления каскада.

Схемы замещения составных транзисторов Дарлингтона (СТД) и Шиклаи (СТШ) приведены на рис. 2, готовые формулы для расчёта параметров – в табл. 1.

Таблица 1 – Формулы для расчёта параметров СТ

Здесь rэ  – сопротивление эмиттера, вычисляемое по формуле:

Рис. 2 Варианты составных транзисторов

Известно, что b зависит от тока коллектора (график зависимости указывается в даташите). Если ток базы VT2 (он же – эмиттерный или коллекторный ток VT1) окажется слишком мал, реальные параметры СТ окажутся намного ниже расчётных. Поэтому для поддержания начального коллекторного тока VT1 достаточно воткнуть в схему дополнительный резистор Rдоп (рис. 2в). Например, если в СТД в качестве VT1 использован КТ315 с минимальным необходимым током Ik.min , то дополнительное сопротивление будет равно

можно поставить резистор номиналом 680 Ом.

Шунтирующее действие Rдоп снижает параметры СТ, поэтому в микросхемах и иных навороченных схемах его заменяют источником тока. 

Как видно из формул в табл. 1, усиление и входное сопротивление СТД больше, чем у СТШ. Однако последний имеет свои преимущества:

1. на входе СТШ падает меньшее напряжение, чем у СТД (Uбэ против 2Uбэ);
2. коллектор VT2 соединён с общим проводом, т.е. в схеме с ОЭ для охлаждения VT2 можно посадить прямо на металлический корпус устройства.

Характеристики

Технические свойства этого биполярника на удивление хороши, даже по сегодняшним меркам. К сожалению, в даташит современного производителя КТ315, представлена только основная информация. В них не найти графиков, отражающих поведение устройство в различных условиях эксплуатации, которыми наполнены современные технические описания на другие подобные устройства от зарубежных производителей.

Максимальные характеристики

Максимальные значения допустимых электрических режимов эксплуатации КТ315 до сих пор впечатляют начинающих радиолюбителей. Например, максимальный ток коллектора может достигать уровня в 100 мА, а рабочая частота у некоторых экземпляров превышает заявленные 250 МГц. Его более дорогие современники из серии КТ2xx/3xx, даже имея металлический корпус, не могли похвастаться такими показателями. КТ315 был долгое время своеобразным техническим лидером, пока ему на смену не пришёл усовершенствованный КТ3102. Рассмотрим максимально допустимые электрические режимы эксплуатации КТ315, в корпусе ТО-92, белорусского ОАО «Интеграл». В конце обозначения таких приборов присутствует цифра «1».

Основные электрические параметры

Будьте внимательны, несмотря на свои достаточно хорошие характеристики, КТ315 не может конкурировать с современными устройствами по некоторым параметрам. Так у современной серии КТ315, как и 50 лет назад, относительно небольшой диапазон рабочих температур от — 45 до + 100°C. А коэффициент шума (К_Ш) достигает 40 Дб, что уже много для современного устройства, предназначенного для усиления в низкочастотных трактах.

Классификация

Кроме основных параметров, в техническом описании можно найти распределение устройств по группам. Таблица классификации дает представление о параметрах всей серии КТ315. Используя её можно подобрать нужное устройство, путем сравнения основных характеристик всей серии.

Комплементарная пара

У КТ315 имеется комплементарная пара – КТ361. Эти устройства довольно часто применялись вместе, особенно в бестрансформаторных двухтактных схемах. Совместное применение данной пары безусловно вошло в историю российской электроники.

Примеры использования

Вариантов применения транзистора TIP122 и его схем включения достаточно много, их просто невозможно уместить в одну статью. Поэтому рассмотрим только некоторые схемы с его участием. Первая — усилитель звуковой частоты на 12 Вт, вторая — автоматический регулятор скорости вращения вентилятора.

Усилитель низкой частоты

Данный усилитель сделан на микросхеме операционном усилителе TL081 и двух выходных транзисторах TIP122 и TIP127. При нагрузке 8 Ом рассматриваемый усилитель способен обеспечить выходную мощность 12 Вт. Напряжение питания данного прибора должно находиться в пределах от 12 до 18 вольт.

Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора

Рассматриваемый регулятор скорости вращения вентилятора можно использовать для предотвращения перегрева различной бытовой аппаратуры, например, компьютера. Его устанавливают в корпус охлаждаемого им устройства. Данная схема позволяет автоматически регулировать скорость вращения вентилятора, в зависимости от температуры воздуха.

Температурный датчик LM335 ориентирован на работу при -40 до +1000 градусов цельсия. Напряжение на нем будет увеличиваться на 10 мВ вместе с ростом вокруг окружающей температуры. Напряжение с него подается на неинвертирующий вход операционного усилителя LM741. Со стабилитрона 1N4733 на инвертирующий вход микросхемы, через потенциометр, подается опорное напряжение 5.1 В.

В данной схеме потенциометр предназначен для регулирования порога срабатывания вентилятора. Транзистор находится в выходном каскаде усилителя и предназначен для непосредственного управления вентилятором.

Технические характеристики

Серию КТ825 относят к полупроводниковым триодам с p-n-p-проводимостью. Но на самом деле они представляют собой устройства состоящее из двух таких структур, собранных в едином корпусе по схеме Дарлингтона. В СССР их ещё называли — составными.

Максимальные эксплуатационные значения

КТ825Г является лучшим по параметрам транзистором в своей серии, если не рассматривать его аналог 2Т825. Он имеет наибольшие значения предельно допустимых режимов эксплуатации среди «собратьев». Рассмотрим их поподробнее:

• максимальное постоянное напряжение: К-Э — до 90 В; Б-Э – до 5 В;
• коллекторный ток: постоянный от 20 А; импульсный до 40 А;
• рассеиваемая мощность на коллекторе: до 125 Вт (с радиатором); до 3 Вт (без теплоотвода);  у кристалла не более 40 Вт;
• температура: p-n-перехода до +150°С; окружающей среды от -40 до +100 °C.

Электрические характеристики

Электрические параметры КТ825Г тоже неплохие, по сравнению с другими серии. Согласно данным из даташит, он имеет лучшие показатели статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (H_21э) от 600 до 25000 и пробивное напряжение К-Э до 90В. Такие величины H_21э обусловлены его составной структурой. Эти и другие характеристики устройства представлены в таблице ниже, исходя из условий его работы указанных в отдельном столбце.

Комплементарная пара

В качестве комплементарной пары во многих технических решениях используется составной КТ827А, имеющий NPN-проводимость.

Советуем Вам проверить информацию о содержании драгоценных металлов в КТ825Г, так как некоторые модели могут иметь ценность даже в нерабочем состоянии, особенно продукция старого образца.

Пара Шиклаи и каскодная схема

Другое название составного полупроводникового триода – пара Дарлингтона. Кроме неё существует также пара Шиклаи. Это сходная комбинация диады основных элементов, которая отличается тем, что включает в себя разнотипные транзисторы.

Что до каскодной схемы, то это также вариант составного транзистора, в котором один полупроводниковый триод включается по схеме с ОЭ, а другой по схеме с ОБ. Такое устройство аналогично простому транзистору, который включён в схему с ОЭ, но обладающему более хорошими показателями по частоте, высоким входным сопротивлением и большим линейным диапазоном с меньшими искажениями транслируемого сигнала.

Плюсы и минусы составного транзистора

Если говорить о плюсах этого замечательного устройства, то это, конечно же, очень высокий коэффициент усиления, который позволяет запускать транзистор даже с очень низким током на базе. Однако, есть и минусы, как и всегда. Казалось бы, что здесь может быть не так, а вот может. Дело в том, что быстродействием здесь и не пахнет, поэтому в основном транзистор Дарлингтона используется в низкочастотных схемах. Обычно их ставят на выходных каскадах схем, а также в блоках управления электродвигателями — там они действительно на своем месте. Также без них не обойтись и многим современным авто, ведь они являются важнейшей частью коммутатора электронных схем в системе зажигания.

Вот такую схему используют радиолюбители, когда делают составной транзистор своими руками (используя транзистор Дарлингтона вместе с электродвигателем):

Схемы с использованием TL431

Микросхема может использоваться во многих разных схемах блоков питания. Это могут быть как регулируемые блоки питания, так и зарядные устройства к аккумуляторам. Давайте разберем несколько базовых, типовых схем, которые можно модернизировать, и на базе которых можно создавать свои замыслы и творения.

Стабилизатор напряжения на TL431 (2.5-36В, 100mA)

Данная схема позволяет заменить обыкновенный стабилитрон. Вы можете менять выходное напряжение путем изменения сопротивления резисторов R1 и R2. Чтобы провести расчет сопротивления, рекомендуем прибегнуть к использованию формулы, указанной ниже:

Стабилизатор напряжения с увеличенным максимальным током (2.5-36В)

Максимальный выходной ток TL431 равен 100мА. Однако, если вашему проекту нужен больший показатель выходного тока, то советуем вам использовать транзистор: тогда максимальный ток будет зависеть от его характеристик. Формула для расчета сопротивлений резисторов остается такой же.

Подобные схемы часто используются с другими микросхемами.К сожалению, большинство из них просто не могут пропускать высокий ток, поэтому, чтобы решить такую проблему, в дело вступает управляющий транзистор. В таком случае максимальный ток ограничивается его свойствами. Главная задача здесь — правильный подбор транзистора под управляющее напряжение на его базе.

Лабораторный блок питания на TL431 с защитой

Данная схема представляет собой регулируемый блок питания, который способен выдавать до 30Вт. И помимо этого имеет встроенную защиту от перегрузки. В случае, если ток начнет превышать допустимое значение на транзисторе Т2, то на ЛБП произойдет прекращение подачи напряжения, о чем будет сигнализировать загоревшийся светодиод.

Не стоит забывать использовать охлаждение в виде радиатора, ведь компоненты во время пиковых нагрузок будут быстро нагреваться, и со временем при частых перегревах, выходить из строя.

Стабилизатор тока на TL431 (Светодиодный драйвер)

Чаще всего стабилизаторы тока используются для запитывания светодиодов и светодиодных лент. Схема тут элементарная — вам понадобятся всего лишь пара резисторов и один транзистор.

Индикатор напряжения

Схема может понадобиться, когда вам необходимо следить за тем, чтобы напряжение не выходило за верхние и нижние пределы. Эти пределы задаются сопротивлением резисторов, по формуле, указанной ниже.

Данную схему можно модернизировать путем добавления пищалок или других звуковых устройств. Таким образом точно не получится пропустить сигнал о неправильном напряжении.

Таймер задержки на TL431

Универсальная микросхема, на которой есть возможность реализовать даже схему таймера задержки. Все, что вам понадобится — это пара резисторов и конденсатор. Их номиналы необходимо рассчитать по формуле, чтобы получить требуемое время задержки (формула указана ниже).

Такая схема возможна благодаря очень низкому показателю входного тока (4мкА). Во время замыкания главного контакта, транзистор начинает производить зарядку. После достижения показателя в 2.5В он открывается, и ток при содействии оптопаровому светодиоду (оптрону) начинает течь, от чего на внешней цепи происходит замыкание.

Зарядное устройство для литиевых аккумуляторах на TL431 и LM317

Эта простейшая схема позволяет правильно заряжать литиевые аккумуляторы. В этой зарядке TL431 используется в качестве источника опорного напряжения, а LM317 в качестве источника тока. Устройство заряжает аккумуляторы методом CC CV, означает, как все знают, постоянный ток (Constant Current), постоянное напряжение (Constant Voltage).

Входное напряжение для этой схемы — 9-20В. Сначала аккумулятор заряжается постоянным током, который поддается изменению, меняя сопротивление резистора R5. После того, как аккумулятор достигнет напряжения около 4.2В, он начинает заряжаться постоянным напряжением.

Учтите, что очень важно перед использованием настроить устройство: без нагрузки необходимо подстроить переменный резистор RV1 так, чтобы на выходе напряжение было равно 4.2 Вольта.

Расчет параметров составного транзистора

Коэффициент передачи тока

Для первой схемы (Дарлингтона) [Коэффициент передачи тока

] = ([Коэффициент передачи тока первого транзистора ] + 1) * [Коэффициент передачи тока второго транзистора ]

Для второй схемы (Шиклаи) [Коэффициент передачи тока

] = [Коэффициент передачи тока первого транзистора ] * ([Коэффициент передачи тока второго транзистора ] + 1)

Напряжение насыщения база — эмиттер

Для первой схемы (Дарлингтона) [Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы Iб

] = [Напряжение насыщения база — эмиттер первого транзистора при токе базы Iб ] + [Напряжение насыщения база — эмиттер второго транзистора при токе базы I1 ], где [I1 ] = [Iб ] * (1 + [Коэффициент передачи тока первого транзистора ]) — [Ток через резистор ]

Для второй схемы (Шиклаи) [Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы Iб

] = [Напряжение насыщения база — эмиттер первого транзистора при токе базы Iб ]

Как видно из формул, напряжение насыщения база — эмиттер во второй схеме намного ниже. Это и есть главное преимущество второй схемы.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер

[Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора Iк

] = [Напряжение насыщения база — эмиттер второго транзистора при токе базы Iб ] + [Напряжение насыщения коллектор — эмиттер первого транзистора при токе коллектора I2 ], где [Iб ] = [Iк ] / [Коэффициент передачи тока второго транзистора ]

Для первой схемы (Дарлингтона), [I2

] = ([Iб ] + [Ток через резистор ]) / (1 + 1 / [Коэффициент передачи тока первого транзистора ])

Для второй схемы (Шиклаи), [I2

] = ([Iб ] + [Ток через резистор ])

Сразу бросается в глаза, что напряжение насыщения коллектор — эмиттер составного транзистора в разы больше напряжения насыщения обычных транзисторов. Действительно, чтобы второй транзистор открылся, нужно подать на его базу напряжение, большее напряжения насыщения база — эмиттер. А это напряжение обычно больше напряжения насыщения коллектор — эмиттер. Кроме того, напряжение подается через первый транзистор, на котором также падает часть напряжения. Вот и получается, что чтобы составной транзистор открылся, между его коллектором и эмиттером должно быть приложено значительное напряжение.

Аналоги биполярных транзисторов

Приведенные ниже данные составил Козак Виктор Романович

Аналоги биполярных транзисторов
КТ209	MPS404
КТ368А9	BF599
КТ3102АМ КТ3102БМ КТ3102ВМ КТ3102ДМ	BC547A BC547B BC548B BC549C
КТ3107БМ КТ3107ГМ КТ3107ДМ КТ3107ЖМ КТ3107ИМ КТ3107КМ КТ3107ЛМ	BC308A BC308A BC308B BC309B BC307B BC308C BC309C
КТ3117А КТ3117Б	2N2221 2N2222A
КТ3126А	BF506
КТ3127А	2N4411
КТ3129Б9 КТ3129В9 КТ3129Г9	BC857A BC858A BC858B
КТ3130А9 КТ3130Б9 КТ3130В9	BCW71 BCW72 BCW31
КТ3142А	2N2369
КТ3189А9 КТ3189Б9 КТ3189В9	BC847A BC847B BC847C
КТ635Б	2N3725
КТ639А КТ639Б КТ639В КТ639Г КТ639Д КТ639Е КТ639Ж	BD136-6 BD136-10 BD136-16 BD138-6 BD138-10 BD140-6 BD140-10
КТ644А КТ644Б КТ644В КТ644Г	PN2905A PN2906 PN2907 PN2907A
КТ645А КТ645Б	2N4400 2N4400
КТ646А КТ646Б	2SC495 2SC496
КТ660А КТ660Б	BC337 BC338
КТ668А КТ668Б КТ668В	BC556 BC557 BC558
КТ684А КТ684Б КТ684В	BC636 BC638 BC640
КТ685А КТ685Б КТ685В КТ685Г	PN2906 PN2906A PN2907 PN2907A
КТ686А КТ686Б КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е	BC327-16 BC327-25 BC327-40 BC328-16 BC328-25 BC328-40
КТ6109А КТ6109Б КТ6109В КТ6109Г КТ6109Д	SS9012D SS9012E SS9012F SS9012G SS9012H
КТ6110А КТ6110Б КТ6110В КТ6110Г КТ6110Д	SS9013D SS9013E SS9013F SS9013G SS9013H
КТ6111А КТ6111Б КТ6111В КТ6111Г	SS9014A SS9014B SS9014C SS9014D
КТ6112А КТ6112Б КТ6112В	SS9015A SS9015B SS9015C
КТ6113А КТ6113Б КТ6113В КТ6113Г КТ6113Д КТ6113Е	SS9018D SS9018E SS9018F SS9018G SS9018H SS9018I
КТ6114А КТ6114Б КТ6114В	SS8050B SS8050C SS8050D
КТ6115А КТ6115Б КТ6115В	SS8550B SS8550C SS8550D
КТ6116А КТ6116Б	2N5401 2N5400
КТ6117А КТ6117Б	2N5551 2N5550
КТ6128А КТ6128Б КТ6128В КТ6128Г КТ6128Д КТ6128Е	SS9016D SS9016E SS9016F SS9016G SS9016H SS9016I
КТ6136А	2N3906
КТ6137А	2N3904
КТ728А КТ729А	MJ3055 2N3055
КТ808АМ КТ808БМ	2SC1619A 2SC1618
КТ814Б КТ814В КТ814Г	BD136 BD138 BD140
КТ815Б КТ815В КТ815Г	BD135 BD137 BD139
КТ817Б КТ817В КТ817Г	BD233 BD235 BD237
КТ818Б	TIP42
КТ819Б	TIP41
КТ840А КТ840Б	BU326A BU126
КТ856А КТ856Б	BUX48A BUX48
КТ867А	BUY21
КТ872А КТ872Б КТ872Г	BU508A BU508 BU508D
КТ878А КТ878Б КТ878В	BUX98 2N6546 BUX98A
КТ879А КТ879Б	2N6279 2N6278
КТ892А КТ892Б КТ892В	TIP661 BU932Z TIP662
КТ899А	2N6388
КТ8107А	BU508A
КТ8109А	TIP151
КТ8110А	2SC4242
КТ8121А	MJE13005
КТ8126А КТ8126Б	MJE13007 MJE13006
КТ8164А КТ8164Б	MJE13005 MJE13004
КТ8170А1 КТ8170Б1	MJE13003 MJE13002
КТ8176А КТ8176Б КТ8176В	TIP31A TIP31B TIP31C
КТ8177А КТ8177Б КТ8177В	TIP32A TIP32B TIP32C
КТ928А КТ928Б КТ928В	2N2218 2N2219 2N2219A
КТ940А КТ940Б КТ940В	BF458 BF457 BF459
КТ961А КТ961Б КТ961В	BD139 BD137 BD135
КТ969А	BF469
КТ972А КТ972Б	BD877 BD875
КТ973А КТ973Б	BD878 BD876
KT9116A KT9116Б	TPV-394 TPV-375
KT9133A	TPV-376
KT9142A	2SC3218
KT9150	TPV-595
KT9151A	2SC3812
KT9152A	2SC3660

Электрические характеристики

Данные в таблице действетельны при температуре среды Ta = 25°C.

Характеристика	Обознач.	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 30 В, IE = 0	≤ 0,1
Ток базы выключения, мкА	IEBO	UEB = 5 В, IC =0	≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *	UCE(sat)	IC = 0,5 А, IB = 0,05 А	0,5
Напряжение включения база-эмиттер, В *	UBE(ON)	IC = 0,5 А, UCE = 2,0 В	1
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В *	UCEO(sus)	IC = 0,03 А, IB = 0	80
Статический коэффициент усиления по току *	hFE(1)	UCE = 2 В, IC = 0,005 А	≥ 25
hFE(2)	UCE = 2 В, IC = 0,15 А	от 40 до 250
hFE(3)	UCE = 2 В, IC = 0,5 А	≥ 25

٭ — Характеристики сняты в импульсном режиме: ширина импульса ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 1,5 %.