Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения | |
|---|---|---|---|---|
| Пробивное напряжение эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IC = 400 мА, IB = 0 | ˃ 5,0 | |
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 1500 В, IE = 0 | ˂ 1,0 | |
| Ток эмиттера выключения, мА | IEBO | UEB = 5,0 В, IC = 0 | ˂ 200,0 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat)1 | IC = 4,0 А, IB = 0,8 А | ˂ 5,0 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 0,8 А | ˂ 1,3 | |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А | 8…25 | |
| hFE (2) | UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А | 5…9 | ||
| Частотная полоса передачи (частота среза), МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 0,1 А | 2 | |
| Выходная емкость коллекторного перехода, пФ | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 95 | |
| Время переключения, мкс | Время сохранения | ts | ICP = 4 А, IB1 = 0,8 А, fH = 15,75 кГц | ˂ 11 |
| Время спадания | tf | См. схему измерений на Рис. 1. | ˂ 0,6 | |
| Падение напряжения на демпфирующем диоде, В | UF | IF = 6 А | ˂ 2,0 |
Примечание: данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс = 25°C.
Распиновка
Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.
Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право: база, коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.
Шум
Максимальная чувствительность усилителей малых сигналов ограничена шумом случайных колебаний тока. Двумя основными источниками шума в транзисторах являются дробовой шум из-за потока носителей заряда в базе и тепловой шум. Источником теплового шума является сопротивление устройства, и с ростом температуры уровень теплового шума увеличивается:
\
где
- k – постоянная Больцмана (1,38 · 10-23 Вт · с/К);
- T – температура резистора в кельвинах;
- R – сопротивление в омах;
- Bш – полоса шума в герцах.
Шум в транзисторном усилителе определяется с точки зрения дополнительного шума, создаваемого усилителем, то есть не того шума, который усиливается от входа к выходу, а того, который генерируется в усилителе. Он определяется путем измерения отношения сигнал/шум (С/Ш, S/N) на входе и выходе усилителя. Выходное переменное напряжение усилителя с малым входным сигналом соответствует S + N, сумме сигнала и шума. Переменное напряжение без входного сигнала соответствует только шуму N. Величина шума F определяется через отношения S/N на входе и выходе усилителя.
\[F = {(S/N)_{вх} \over (S/N)_{вых}}\]
\
Величина шума F для радиочастотных (РЧ, RF) транзисторов обычно приводится в технических описаниях в децибелах, FдБ. На ОВЧ (очень высоких частотах, VHF, от 30 МГц до 300 МГц) хорошим показателем шума является величина <1 дБ. На частотах свыше ОВЧ уровень шума значительно увеличивается, 20 дБ на декаду, как показано на рисунке ниже.
Уровень шума малосигнального транзистора в зависимости от частоты
На рисунке выше также показано, что шум на низких частотах с уменьшением частоты увеличивается на 10 дБ за декаду. Этот шум известен как шум 1/f.
Уровень шума зависит от типа транзистора (модели). Радиочастотные транзисторы малых сигналов, используемые на антенном входе радиоприемников, специально разработаны для внесения малого уровня шума. Уровень шума зависит от тока смещения и согласования импедансов. Наилучший показатель шума для транзистора достигается при более низком токе смещения и, возможно, при рассогласовании импедансов.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.
10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32
Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали
Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W
Высокочастотные эффекты
Производительность транзисторного усилителя относительно постоянна вплоть до некоторой точки, как показано на графике зависимости коэффициента усиления по току от частоты для усилителя малых сигналов с общим эмиттером (рисунок ниже). За этой точкой по мере увеличения частоты производительность транзистора ухудшается.
Граничная частота (частота отсечки коэффициента бета), fгр, fT – это частота, при которой коэффициент усиления по току (hfe) усилителя малых сигналов с общим эмиттером падает ниже единицы (рисунок ниже). Реальный усилитель должен иметь коэффициент усиления > 1. Таким образом, на частоте fгр транзистор использоваться не может. Максимальная частота, приемлемая для использования транзистора, равна 0,1fгр.
Зависимость коэффициента усиления по току (hfe) от частоты для усилителя малых сигналов с общим эмиттером
Некоторые радиочастотные биполярные транзисторы могут использоваться в качестве усилителей на частотах до нескольких ГГц. Кремниево-германиевые устройства расширяют диапазон до 10 ГГц.
Предельная частота (частота отсечки коэффициента альфа), fпр, falpha – это частота, при которой коэффициент α снижается до 0,707 от коэффициента α на низких частотах, α=0,707α. Предельная частота и граничная частота примерно равны: fпр≅fгр. В качестве высокочастотного показателя предпочтительнее использовать граничную частоту fгр.
fmax – самая высокая частота колебаний, возможная при наиболее благоприятных условиях смещения и согласования импеданса. Это частота, при которой коэффициент усиления по мощности равен единице. Весь выходной сигнал подается назад на вход для поддержания колебаний. fmax является верхним пределом частоты работы транзистора в качестве активного устройства. Хотя реальный усилитель не используется на fmax.
Эффект Миллера: верхний предел частоты для транзистора, связанный с емкостями переходов. Например, PN2222A имеет входную емкость Cibo=25пФ и выходную емкость Cobo=9пФ между К-Б и К-Э соответственно. Хотя емкость К-Э 25 пФ кажется большой, она меньше, чем емкость К-Б (9 пФ). Из-за эффекта Миллера в усилителе с общим эмиттером емкость К-Б оказывает влияние на базу в β раз. Почему это так? Усилитель с общим эмиттером инвертирует сигнал, проходящий от базы к эмиттеру. Инвертированный сигнал коллектора, подаваемый назад на базу, противодействует входному сигналу. Сигнал на коллекторе в β раз больше входного сигнала. Для PN2222A β=50–300. Таким образом, емкость К-Б 9 пФ выглядит так: от 9 · 50 = 450 пФ до 9 · 300 = 2700 пФ.
Решение проблемы с емкостью перехода для широкополосных приложений заключается в выборе высокочастотного транзистора – RF (радиочастотного) или СВЧ транзистора. Полоса пропускания может быть дополнительно расширена за счет использования схемы с общей базой, вместо схемы с общим эмиттером. Заземленная база защищает входной эмиттер от емкостной обратной связи с коллектора. Каскодная схема из двух транзисторов будет обеспечивать такую же полосу пропускания, как и схема с общей базой, но уже с более высоким входным импедансом схемы с общим эмиттером.
Маркировка
По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.
Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).
Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».
Модификации и группы транзистора D1047
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE ٭ | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| 2SD1047 (D, E) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3PN |
| 2SD1047 C | 120 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 140 | 35…200 | TO-3PB |
| 2SD1047 P | 120 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3PB |
| CSD1047 F (O, Y) | 90 | 160 | 160 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3P |
| KSD1047 (O, Y) | 80 | 160 | 140 | 6 | 8 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3P |
| KTD1047 (O, Y) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3P(N) |
| KTD1047 B (O, Y) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3P(N)-E |
| PMD1047 (D, E) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 20…200 | TO-3PI |
٭ — производителями почти во всех модификациях выделяются группы (O, Y) или (D, E) по поддиапазонам величин hFE.
| Обозначение транзистора в группе | 2SD1047 O | 2SD1047 Y | 2SD1047 D | 2SD1047 E |
|---|---|---|---|---|
| Диапазон величины hFE | 60…120 | 100…200 | 60…120 | 100…200 |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2 | 95 | 5…25 | — / 11,0 / 0,6 | TO-3PHIS |
| КТ839А | 50 | 1500 | — | 5 | 10 | 150 | ˂ 1,5 | — | 5 | 240 | ˃ 5 | — | TO-3 |
| КТ872А | 100 | 1500 | 700 | 6 | 8 | 150 | ˂ 1,0 | — | — | — | 6 | — / 7,5 / 1,0 | TO-218 |
| КТ872А1 | 34 | 1200 | 700 | 6 | 8 | 150 | ˂ 1,5 | — | — | — | 6 | — / 7,5 / 1,0 | TO-218 |
| КТ8107А | 100 | 1500 | 700 | 6 | 10 | 125 | ˂ 3,0 | — | — | — | 2,3 | — / 3,5 / 0,5 | TO-3 |
| КТ710А | 50 | — | 3000 | 5 | 5 | — | ˂ 3,5 | — | ˃ 1,5 | — | ˃ 3,5 | — | TO-3 |
| 2Т856А | 125 | 950 | 950 | 5 | 10 | — | ˂ 1,5 | — | — | — | 10…60 | — / — / 0,5 | TO-3 |
| КТ8118 | 50 | 900 | 800 | — | 3 | — | — | — | ˃ 15 | — | 10…40 | — | TO-220 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2 | 95 | 5…25 | — / 11,0 / 0,6 | TO-3PHIS |
| 2SD2498 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,2 | 2 | 95 | 5…30 | — / 10 / 0,7 | TO-3PHIS |
| 2SD2500 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,4 | 1,7 | 135 | 10 | — / 11 / 0,7 | TO-3PHIS |
| 2SD5702 | 60 | 1500 | 800 | 6 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,5 | 3 | — | 10 | — / — / 0,4 | TO-3PHIS |
| 2SC5048 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 12 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,4 | 1,7 | 160 | 10 | — / 4 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5129 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,4 | 1,7 | 135 | 10 | — / 4 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5150 | 50 | 1700 | 700 | 5 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,2 | 2 | 185 | 10 | — / 4 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5280 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 8 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,5 | 2 | 115 | 10 | — / 5 / 0,5 | TO-3PHIS |
| 2SC5339 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 7 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2,4 | 82 | 10 | — / 8 / 0,5 | TO-3PHIS |
| 2SC5386 | 50 | 150 | 600 | 5 | 8 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,5 | 1,7 | 105 | 15 | — / 3,5 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5404 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 9 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,5 | 2,5 | 115 | 10 | — / 3,5 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5802 | 60 | 1500 | 800 | 6 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,5 | — | — | 15 | — / — / 0,3 | TO-3PHIS |
| BU4508DZ | 32 | 1500 | 800 | — | 8 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,03 | — | — | 7 | — / 3,75 / 0,4 | SOT186A |
| BU508DXI | 45 | 1500 | 700 | — | 8 | 150 | ˂ 1 | ˂ 1,3 | 7 | 125 | ˂ 30 | — / 6,5 / 0,7 | ISO218 |
| BUH515DX1 | 50 | 1500 | 700 | 5 | 8 | 150 | ˂ 1,5 | ˂ 1,3 | — | — | 3…10 | — / 3,6 / 0,26 | ISO218 |
| BUH515FP | 38 | 1500 | 700 | 10 | 8 | 150 | ˂ 1,5 | ˂ 1,3 | — | — | 4…12 | — / 3,9 / 0,28 | TO-220FP |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Технические характеристики биполярных транзисторов кт502а-кт503а
Приложение 8
К142ЕН6Г
Основные
характеристики:
Выходное
напряжение +15 В, -15 В
Выходной
ток 200 мА
Максимальное
входное напряжение 40 В
Разность
напряжения вход-выход 3,2 В
Мощность
рассеивания (с теплоотводом) 8 Вт
Точность
выходного напряжения ±0,5 В
Диапазон
рабочих температур -45…+70 °C
Рисунок
16 – Типовая схема включения микросхемы
К142ЕН6Г
Рисунок
17 — Цоколевка корпуса
К142ЕН5А
Основные
характеристики:
Выходное
напряжение 5 В
Выходной
ток 2 А
Максимальное
входное напряжение 15 В
Разность
напряжения вход-выход 2,5 В
Мощность
рассеивания (с теплоотводом) 10 Вт
Точность
выходного напряжения ±0,1 В
Диапазон
рабочих температур -45…+100 °C
Рисунок
17 – Типовая схема включения микросхемы
К142ЕН5А
Рисунок
18 — Цоколевка корпуса
Технические
характеристики выпрямительных диодов
средней мощности КД201 — 2Д250
|
Диод |
Uоб/Uимп |
Iпр/Iимп |
Uпр/Iпр |
Cд/Uд |
Io(25)Ioм |
Fmax |
P/Pт |
|
КД208А |
100/100 |
1.5/ |
1.0/1 |
0.05/0.2 |
1 |
Условные обозначения электрических параметров выпрямительных диодов средней мощности:
|
Обозначение: |
Параметр |
|
Uоб/Uимп |
максимально |
|
Iпр/Iимп |
максимально |
|
Uпр/Iпр |
максимальное |
|
Cд/Uд |
емкость |
|
Io(25)Ioм |
обратный |
|
Fmax |
максимальная |
|
P/Pт |
максимально |
Микросхема
представляет собой два триггера Шмитта
с логическим элементом 4И-НЕ на входе.
Корпус
К155ТЛ1
типа 201.14-1, масса не более 2 г.
Корпус
ИМС К155ТЛ1
Условное
графическое обозначение
1,2,4,5,9,10,12,13
— входы;
3,11 — свободные;
6,8 — выходы;
7
— общий;
14 — напряжение питания;
Электрические
параметры
|
1 |
Номинальное |
5 |
|
2 |
Выходное |
не |
|
3 |
Выходное |
не |
|
4 |
Напряжение |
не |
|
5 |
Напряжение |
не |
|
6 |
Напряжение |
не |
|
7 |
Входной |
не |
|
8 |
Входной |
не |
|
9 |
Входной |
не |
|
10 |
Ток |
-18…-55 |
|
11 |
Ток |
не |
|
12 |
Ток |
не |
|
13 |
Потребляемая |
не |
|
14 |
Время |
не |
|
15 |
Время |
не |
Рисунок
– Передаточная характеристика триггера
Шмитта для произвольного сигнала.
3386T502
9,6 ‡ 9,6 Квадратный / однооборотный / подстроечный потенциометр
DB Lectro Inc
ACT5026
ACT5026, 10 А, 3-ФАЗНЫЙ БЕСЩЕТКОВЫЙ КОНТРОЛЛЕР ДВИГАТЕЛЯ постоянного тока
Aeroflex Circuit Technology
AOT502
N-канальный полевой МОП-транзистор с зажимом
Alpha & Omega Semiconductors
AOT502
N-канальный полевой МОП-транзистор с зажимом
Шэньчжэнь FreesCale Electronics.ООО
APT5020
Power MOS V — это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения.
Advanced Power Technology
APT5020
Power MOS V — это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения.
Advanced Power Technology
APT5020BLC
Power MOS VITM — это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения с низким зарядом затвора.
Advanced Power Technology
APT5020BN
N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОП-МОП-транзисторы высокого напряжения
Advanced Power Technology
APT5020BVFR
Power MOS V — это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения.
Advanced Power Technology
APT5020BVR
Power MOS V — это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения.
Advanced Power Technology
Электрические характеристики
Данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс=25°C.
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 80 В, IE = 0 | ≤ 0,1 |
| Ток эмиттера выключения, мА | IEBO | UEB = 4 В, IC = 0 | ≤ 0,1 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 5 А, IB = 500 мА | ≤ 2,5 |
| Напряжение включения база-эмиттер, В | UBE(ON) | IC = 1,0 А, UCE = 5 В | ≤ 1,5 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) ٭ | UCE = 5 В, IC = 1,0 А | 60…200 |
| hFE (2) | UCE = 5 В, IC = 6,0 А | ≥ 20 | |
| Частота среза, МГц | fT | UCE = 5 В, IC = 1,0 А | 15 |
| Выходная емкость, pF | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 210 |
| Время включения, мкс ٭٭ | ton | UCC = 20 В, IC = 1 А = 10×IB1 = -10×IB2, RL = 20 Ом | 0,26 |
| Время спадания импульса, мкс ٭٭ | tf | 0,68 | |
| Время рассасывания заряда, мкс ٭٭ | tstg | 6,88 |
٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы O и Y в пределах указанного диапазона.
٭٭ — параметры сняты в импульсном режиме: схема для измерения параметров представлена ниже.
Применение высоковольтных ключей: полупроводниковые трансформаторы среднего напряжения
На полупроводниковый или, как его еще называют, твердотельный трансформатор (Solid State Transformer, SST) обычно подается входное напряжение переменного тока высокого или чаще среднего уровня, скажем, 4160 В переменного тока мощностью 13,8 кВ·А, которое он, без использования громоздкого классического трансформатора, преобразует в выходное более низкое напряжение. По своей сути, это изолированный DC/DC-преобразователь с добавленной функциональностью. Основная концепция данного решения и применение показаны на рис. 5.
Рис. 5. Твердотельный трансформатор, базовая концепция и его практическое применение на примере зарядной станции электромобилей
Здесь напряжение от сети переменного тока сначала поступает на AC/DC-преобразователь (по сути, выпрямитель) и выпрямляется, а затем в изолированном DC/DC-преобразователе преобразуется в высокочастотное переменное напряжение в диапазоне частот 5–100 кГц. При этом для гальванической изоляции используется гораздо меньший среднечастотный трансформатор, который обеспечивает пониженное вторичное напряжение. Далее напряжение снова выпрямляется и затем его можно использовать для зарядки аккумулятора электромобиля или для управления DC/AC-преобразователем для получения напряжения переменного тока, например подачи питания в электрическую локальную микросеть или для управления нагрузками электродвигателя с низким рабочим напряжением.
Такой твердотельный трансформатор, как правило, имеет габариты значительно меньше эквивалентного ему по мощности классического 60/50-Гц трансформатора, что позволяет распределять мощность при очень высоких напряжениях, а преобразование в более низкие напряжения выполняется непосредственно в месте его использования. Это уменьшает ток, при котором распределяется мощность, снижая вес и стоимость линий, а также потери в них. Такое решение может быть особенно полезно при уровнях мощности в мегаваттах, например на станциях быстрой зарядки напряжением постоянного тока, которым необходимо заряжать 8–10 автомобилей мощностью зарядной станции в 250–350 кВт, или на больших судах для уменьшения потерь в линиях, возникающих при распределении переменного тока более низкого напряжения.
Поскольку выпрямленное напряжение первичной стороны составляет не менее 6 кВ, то в случае, если требуются частоты переключения выше 500–1000 Гц, использовать IGBT или IGCT с рабочим напряжением 3,3 или 6,5 кВ попросту нельзя. Вместо этого можно выбрать многоуровневую инверторную архитектуру с 7+ уровнями IGBT 1700 В или модульный многоуровневый преобразователь (modular multi-level converter, MMC) с многокаскадными низковольтными преобразователями напряжения, рассчитанными на ступенчатую синусоидальную выходную мощность. Пример модульного многоуровневого преобразователя показан на рис. 6, где на каждой ступени преобразователя на первичной стороне используется трехуровневый модуль IGBT на 1700 В . Все в целом, с соответствующим управлением, необходимо для того, чтобы обеспечить на выходе желаемое напряжение синусоидальной формы.
Рис. 6. Реализация модульной многоуровневой преобразовательной системы на основе кремниевых транзисторов для реализации твердотельного трансформатора . Каждая из ячеек каскадного преобразователя на первичной стороне представляет собой трехуровневый модуль с рабочим напряжением 1700 В и использует преобразование на средних частотах
Для сравнения на рис. 7 показана трехуровневая реализация с SiC-модулями, рассчитанными на рабочее напряжение 10 кВ. Очевидно, что именно реализация на приборах SiC-технологии имеет решающее значение для упрощения архитектуры и управления преобразователями, что позволяет твердотельному трансформатору работать на относительно высоких частотах.
Рис. 7. Гораздо более простая реализация с использованием высоковольтных SiC МОП-транзисторов или транзисторов топологии Supercascode
Как можно видеть на рис. 7, сложность управления снижена, а количество высоковольтных устройств значительно уменьшено. Чтобы получить небольшой трансформатор, частота коммутации должна теперь быть в 10 раз больше, чем у кремниевого решения, а чтобы не усложнять решение отвода тепла, потери не должны выходить за разумные рамки. Именно в этом направлении высоковольтные устройства на основе SiC превосходят все, что может нам дать кремний.
Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.
Т ранзисторы BC556 – BC560 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.
Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.
Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.
Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A – от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B – от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C – от 420 до 800.
Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.
Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 – BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.
BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.
Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.
В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.
Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +
В корзину
PNP транзистор общего применения
ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE
Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800
Общие ∙ Производитель Semtech
