2n3904: характеристики транзистора, datasheet и аналоги

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC556 – BC560 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.

Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A – от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B – от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C – от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.

Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 – BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.

BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +

В корзину

PNP транзистор общего применения

ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE

Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800

Общие ∙ Производитель Semtech

Электрические параметры

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.

Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.

Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.

Граничная частота – частота сигнала, при которой h_FE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 f_T.

Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.

Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. R_G – выходное сопротивление источника сигнала.

Обозначение	Параметр	Условия измерений	Значение
			Мин.	Тип.	Макс.
I_CBO	Обратный ток коллектора, nA	V_CB=30В, I_E =0			15
h_FE (h₂₁)	Коэффициент усиления	V_CE=5В, I_C =2мА	110		800
V_CE(sat)(U_BEsat)	Напряжение насыщения к-э, мВ	I_C=10 мA, I_B=0,5мA		90	250
I_C=100 мA, I_B=5мA		200	600
V_BE(sat)(U_BEsat)	Напряжение насыщения б-э, мВ	I_C =10 мA, I_B=0,5мA		700
I_C =100 мA, I_B=5мA		900
V_BE (U_BE)	Напряжение б-э (прямое), В	V_CE=5 В, I_C =2 мA	580	660	700
V_CE=5 В, I_C =10 мA			720
f_T	Граничная частота, МГц	V_CE=5В, I_C =10мA, f=100 MГц		300
C_ob	Выходная емкость, пФ	V_CB=10В, I_E =0, f= 1MГц		3,5	6
C_ib	Входная емкость, пФ	V_EB=0,5В, I_С =0, f= 1MГц		9
NF (F)	Коэффициент шума, дБ	ВС546-548	V_CE=5В, I_C =0,2мA, R_G=2кОм, f= 1кГц, Δf=200Гц		2	10
ВС549, 550		1,2	4
ВС549	V_CE=5В, I_C =0,2мA, R_G=2кОм, f= 30-15000 Гц		1,4	4
ВС550		1,4	3

Примечания:

Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

Аналоги импортного и отечественного производства

Тип транзистора	P_C	V_CEO	V_EBO	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Тип корпуса
2N 3906A	0,625	40	5	0,2	150	250	4,5	100	ТО-92
Импортные аналоги
MMBT 390	0,35	40	5	0,2	150	250	4,5	100	SOT-23
PZT 3906	1	40	5	0,2	150	250	4,5	100	SOT-223
H2N 3906	0,625	40	5	0,2	150	250	4,5	100	ТО-92
KN 3906	0,625	40	5	0,2	150	250	4,5	100	ТО-92
2N 3905	0,625	40	5	0,2	150	200	4,5	100	ТО-92
2SB 1014	0,7	60	8	1	185			160	ТО-92
2SB 977A	0,75	50	8	1	195			3000	ТО-92
BC 327-025	0,625	45	5	0,5	150	260	10	160	ТО-92
KN 4403	0,625	40	5	0,6	150	200	8,5	100	ТО-92
KSP 75/76/77	0,625	40/50/60	10	0,5	150			10000	ТО-92
TIPP 115/116/117	0,8	60/80/100	5	2	150			1000	ТО-92
TIS 91 (M)	0,625	40	5	0,4	150			100	ТО-92
ECG 2342	0,8	80	5	1	150	200		2000	ТО-92
BSR 62	0,8	80	5	1	150	200		1000	ТО-92
Аналоги производства РФ и Республики Беларусь
КТ 6109D/G	0,625	40	5	0,5	150			144/112	ТО-92
КТ361Г/В2/Д2/К2	0,15	35 – 60	4	0,05	150	250	7	350	ТО-92
КТ502В/Г/Д /Е	0,35	40		0,15	150	5		120	ТО-92
КТ6136А	0,625	40	5	0,2	150	250	4,5	300	ТО-92
КТ313Б/В	0,3	60	5	0,35	150	200	12	300	ТО-92

Примечание: характеристики радиоэлементов в таблице взяты из даташит производителя.

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Биполярный транзистор 2N2369 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N2369

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора:

2N2369
Datasheet (PDF)

..1. 2n2369 2n2369re.pdf Size:291K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N2369/DSwitching Transistors2N2369NPN Silicon*2N2369ACOLLECTOR3*Motorola Preferred Device2BASE1EMITTER32

..2. 2n2369.pdf Size:52K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D1252N2369NPN switching transistor1997 Jun 20Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor 2N2369FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 15 V).1 emitter2 baseAPPLICATIO

..3. 2n2369 a.pdf Size:213K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N23692N2369ATO-18APPLICATIONS2N2369/A are NPN Silicon High Speed Saturated Switching, Transistors With Low Power & High Speed Switching Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 15 VCollec

0.1. 2n2369a.pdf Size:524K _central

2N2369Awww.centralsemi.comNPN SILICON TRANSISTORDESCRIPTION:The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2369A is an epitaxial planar NPN Silicon Transistor designed for ultra high speed saturated switching applications.MARKING: FULL PART NUMBERTO-18 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCES 40 VCollector-Emitter Voltage VC

0.2. p2n2369a.pdf Size:250K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company P2N2369ANPN SILICON HIGH SPEED SWITHCHING TRANSISTOR TO — 92 Plastic PackageECBLOW POWER AND HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 15 VVCBOCollector Base Voltage 4

0.3. p2n2369.pdf Size:248K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON HIGH SPEED SWITHCHING TRANSISTORS P2N2369TO-92Plastic PackageECBLOW POWER FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 15 VVCBOCollector Base Voltage 40 VC

0.4. 2n4449 2n2369a.pdf Size:66K _microsemi

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

Другие транзисторы… 2N2363
, 2N2364
, 2N2364A
, 2N2368
, 2N2368-51
, 2N2368ACSM
, 2N2368AQF
, 2N2368S
, 2SC1815
, 2N2369-46
, 2N2369-51
, 2N2369A
, 2N2369ACSM
, 2N2369ADCSM
, 2N2369AQF
, 2N2369AUB
, 2N2369CSM
.

Производители

Выберите производителя, чтобы ознакомится с его DataSheet на 13009:

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Во время пьянки мы чувствуем себя личностью. Наутро – организмом.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;

транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-02-14 22:21:29

дата записи: 2016-02-23 16:11:18

дата записи: 2016-02-23 16:13:10

дата записи: 2016-10-12 13:39:27

MJE13005 – функциональный аналог; дата записи: 2017-11-01 08:40:54

2SC3040 – функциональный аналог; дата записи: 2018-07-06 22:01:53

Добавить аналог транзистора MJE13009.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13009? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали

Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W

Маркировка (цветовая, кодовая)

Транзисторы КТ3102 до 1986 года, с корпусом КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. Цвет точки на верхнем торце корпуса, определяет модификацию:

А – бордо;
Б – желтый;
В – зеленый;
Г – голубой;
Д – синий;
Е – белый;
Ж – коричневый;
И – серебряный;
К – оранжевый;
Л(И) — светло-табачный;
М(К) — серый.

Начиная с 1986 года начала использоваться стандатная маркировка — использование специальных символов. Для КТ3102 — белый прямоугольный треугольник, расположенный на передней части корпуса (слева сверху), обозначающий его модель (тип). Справа указывается групповая принадлежность, а в нижней части дата (год, месяц) выпуска.

Сегодня производители не используют различные символы в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора.