Транзисторы кт503, 2т503. справочник, справочные данные, параметры, цоколевка, datasheet, даташит

↑ Предыстория

Поиски собственного звука начались для меня достаточно давно и продолжаются ныне. Начинал я с интегральных УНЧ (микросхемы), продолжаю на «рассыпухе». «Рассыпуха» более сложна в повторении и настройке, но она и звучит лучше. Это утверждение касается только тех схем, которые я собрал и отслушал, насчет всех остальных говорить не берусь. Так вот, в поисках звука я пробовал разные варианты как с нашего портала так и из других уголков великой Сети. Мною были попробованы: • 160 Вт УМЗЧ с компенсацией нелинейности. Доработанный усилитель В. Короля • УМЗЧ Холтона на полевых транзисторах • венгерский вариант QUAD 405 • Усилитель на N-канальных полевиках А. Никитина он же Creek 4240

Транзисторные УНЧ

Транзисторные усилители мощности низкой частоты (УМЗЧ) для звуковой и аудио-аппаратуры. В разделе собраны принципиальные схемы самодельных усилителей мощности НЧ на биполярных и полевых транзисторах.

Здесь вы найдете схемы транзисторных усилителей разной сложности и с разным классом мощности:

низкой мощности — до 1,5 Ватт;
средней мощности — от 1,5 Ватт до 20 Ватт;
большой мощности — 25 Ватт, 50 Ватт, 100 Ватт, 200 Ватт, 300 Ватт и более.

Для самодельного аудио-комплекса или при ремонте музыкального центра можно изготовить многоканальный усилитель мощности в конфигурациях:

система 2.1 (сабвуфер + 2 сателлита);
система 5.1 (сабвуфер + 5 сателлитов);
стерео — два канала усиления;
квадро — четыре канала усиления.

На транзисторах можно без лишних сложностей собрать небольшой самодельный усилитель для наушников. Присутствуют очень простые и доступные по себестоимости конструкции усилителей, которые прекрасно подойдут для изготовления начинающими радиолюбителями.

Усилитель построен по простой схеме на трех транзисторах. На выходе, на нагрузке сопротивлением 4 От выдает мощность 2W при питании от источника напряжением 12V. Входное сопротивление усилителя мало, и составляет 470 Ом. Столь малое входное сопротивление позволяет ему хорошо согласовываться .

Схема самодельного гибридного усилителя звука на лампах и микросхемах с выходной мощностью 30 Ватт. Усилитель построен на лампе ECC88 (отечественный аналог — 6Н23П) и мощной микросхеме LM3875.

Принципиальная схема гитарного усилителя мощности низкой частоты с предусилителем и темброблоком. УМЗЧ собран на транзисторах TIP142 и TIP147, выходная мощность — 40Вт на 8 Ом, 60 Вт на 4 Ома.

Несколько принципиальных схем высококачественных УМЗЧ на полевых транзисторах, привлекающие своей простотой и техническими характеристиками. Применение полевых транзисторов в усилителе мощности позволяет значительно повысить качество звучания при общем упрощении схемы.

Схема электрическая принципиальная усилителя приведена на рисунке (в скобках приведены замененные элементы). Данная конструкция является модернизациейразработки . Принципиальная схема УМЗЧ на MOSFET транзисторах (200Вт). Все основные части усилителя — трансформатор, радиаторы .

При разработке усилителей ЗЧ с максимальной выходной мощностью более 100 Вт первостепенноезначение приобретает необходимость получения возможно большего КПД усилителя при достаточно малых нелинейных искажениях. Вопрос о допустимом проценте нелинейных искажений усилителя ЗЧ не раз обсуждался на .

Свое знакомство с мощными усилителями я начал в 1958 году, когда учился в энергетическомтехникуме, и мне поручили обслуживать радиоузел. Он состоял из трех частей: малогабаритной радиотрансляционной установки “ТУ-100″, магнитофона “Днепр 9” и ЛАТРа на .

Уже давно разработчики УМЗЧ задают себе вопрос: до какого уровня необходимо снижать нелинейность усилителя? . Если проанализировать рекламные журналы по аудиотехнике, то гармонические искажения даже “топовых” моделей УМЗЧ в основном лежат в диапазоне 0,003. 0,05% .

Всем доброго времени суток! Вот с чем я осмелюсь с Вами поделиться. Тема для многих известна, и понятна. В чём она состоит. Дальше чисто моё ИМХО. Давно любителям звука внушают – если лампы, то в любом проявлении, а если транзисторы, то чтобы их было o-очень много! Иначе лапового звука не добьёшься. Например советские стандарты сначала классифицировали аудио-аппаратуру по кассам 4-й, 3-й, 2-й, 1-й!, и наконец.

Принципиальная схема простого трехтранзисторного усилителя мощности для применения в разнообразной малогабаритной аппаратуре. Зачастую, от «компьютерных колонок» требуется только воспроизведение каких-то звуковых сигналов, речевых сигналов, не требующих HI-FI или Hl-end качества .

↑ Система охлаждения QUAD

Я делал это так: порезал уголок на два куска длиной 92 мм, потом приложил их к плате и разметил 2-а отверстия по углам платы, просверлил и прикрутил уголки к платам. Далее гнём выводы транзисторам, вставляем их в посадочные места и размечаем отверстия под крепеж. Такое дело я произвел с 4-мя транзисторами на плате. Далее просверлил уголок нарезал резьбу. Так как мой уголок был предварительно чем-то зеленым покрашен, я обработал его наждаком на ровной поверхности и заодно вывел точную плоскость для крепления с двух сторон.

Потом начинаем всё это дело собирать воедино: мажем термопастой с одной стороны слюдяную прокладку и прикладываем её к радиатору намазанной стороной, мажем теплоотвод транзистора и устанавливаем его в отведенные для него отверстия в плате прикручиваем через плоскую шайбу к радиатору в случае с 2SD1047 . При монтажеTIP42 °C всё тоже самое, только предварительно необходимо прикупить 4 пластиковые диэлектрические шайбочки для корпусов ТО-220.

Уголки, несущие на себе транзисторы ВК прикручиваются через термопасту на бОльший радиатор. У меня он не очень большой, но достаточно массивный. При работе на средних мощностях этот радиатор разогревается до ~60 градусов.

Принцип работы усилителя класса Д

Работа усилителя класса D заключается в следующем. Используя компаратор, входящий импульс переходит в форму прямоугольного вида (меандр)

Из этого следует: входящая информация зашифрована в отношении пиковой мощности прямоугольной импульсной установки, называемой скважностью. Импульс прямоугольной формы начинает усиливаться, а далее поступает на фильтр низкой частоты

После этого формируется сигнал близкий по форме к выходящему аналоговому аудиосигналу.

На представленном ниже графике показано преобразование входящего сигнала синусоидальной формы в периодический прямоугольный, при этом сопоставляя его с пилообразным сигналом.

Во время размаха пиковой амплитуды положительной полярности, скважность меандра будет сто процентов, а отрицательный максимальный размах составляет ноль процентов. В действительности частота сигнала пилообразной формы во много раз выше, и находится в пределах нескольких сот килогерц

Частотный фильтр не совсем безупречный, следовательно, нужен сигнал пилообразной формы имеющий частоту в десять и более раз выше пиковой 2000 Гц.

Схема УНЧ Д класса

После того, как мы немного ознакомились с особенностями работы усилителя звука класса D, теперь можно попытаться своими силами собрать этот аппарат. Мощные выходные мосфеты желательно установить IRF540N либо IRFB41N15D. Такие полевые ключи обладают малым зарядом затвора, обеспечивающего моментальное переключение.

Вместе с тем, они имеют небольшое значение сопротивления перехода, которое уменьшает потребление электроэнергии. Кроме этого, вы должны быть уверены, что полевой транзистор расчитан на высокое рабочее напряжение перехода сток-исток. Конечно можно применить и N-канальный МОП-транзистор IRF640N, но у него сопротивление перехода RDS(on) гораздо выше. А это может сказаться на эффективности.

Выше показана таблица, дающая сравнительное представление характеристик данных МОП-транзисторов;

Для компоновки печатной платы радио-элементами можно применять SMD-детали, также взамен микросхемы IR2110 можно попробывать IR2011S. Может такое случится, что сразу усилитель не «заведется», но когда это все-таки случится и вы послушаете его звучание, то убедитесь, что время потратили не зря!

Также, может быть Вам будут интересен другой усилитель

Вот еще интересный усилитель класса D 100 Вт

Предыдущая запись TDA7057AQ портативный мостовой усилитель малой мощности
Следующая запись Распиновка кабеля HDMI

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815

. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: NEC Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 13955 Условные обозначения описаны на странице «Теория».

↑ Я склонировал китайский клон. Китайцы, плачьте!

Последним вариантом был увиденный мной на E-bey китайский кит «QUAD 405-2 ». Цена, да еще с доставкой, при зарплате простого электрика показалась мне великоватой. Я решил пойти другим путём! Необходимо найти фотографию платы со стороны дорожек. Порыскав на том же ибее я её нашел.

Кстати, эта плата все-таки немного отличается от оригинальной:

Фото оригинального QUAD в выходном каскаде (ВК) применены транзисторы от Sanyo 2SD1047 в корпусе ТО-3РВ, в раскачке стоятTIP42 °C (хотя более желательно применятьBD242 от Philips); отсутствует перемычка посередине платы, она разведена дорожкой по контуру платы. Тем самым китайцы облегчили наш труд, т.к изготавливая первый свой вариант Венгерской версииQUAD 405 я достаточно намучался с поиском уголка и изготовлением из него переходника на радиатор.

Здесь же всё намного получилось проще: только я зашел на хозяйственный рынок, на втором лотке мне бросился в глаза алюминиевый уголок 40×30×4 мм длиной 20 см (на 2 радиатора нужно 184 мм). Я его тут же прикупил недорого.

Итак вернемся к плате. Фото платы было найдено

Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.

и отредактировано т. к. плата была сфотографирована под углом. Затем фотка была выставлена шаблоном в программе Sprint Layout 5.0, заданы размеры платы и пошла обрисовка. Плата была с точностью повторена. Переведена ЛУТом на подготовленный текстолит, и вытравлена.

Приятно отметить, что все детали (см. спецификацию в файлах) доступны и недороги. Мне удалось быстро всё купить у местных продавцов в моём городе.

Придя домой, начал всё запаивать, предварительно гнуть ноги резисторам на самопальной деревянной оправке. Для каждого канала я подбирал маломощные транзисторы на тестере. После запайки всех компонентов, кроме транзисторов на радиаторе, необходимо подготовить переходной уголок.

Что такое усилитель Д класса

В ответе на такой вопрос нет ничего сложного. Просто схемотехника усилителя класса D построена таким образом, что его оконечный тракт работает в режиме ключа. Чтобы было легче воспринять эту информацию и понять принцип его работы, для этого мы поясним на примере усилителя класса AB.

Такие аппараты, как правило имеют невысокую выходную мощность и работают в качестве линейного устройства. В усилителях с импульсным источником питания, мощные полевые транзисторы (MOSFET) выполняют функции переключателей. Тоесть, в определенный момент открывают и закрывают переходы транзистора затвор, сток и исток.

Для сравнения, ниже показаны две схемы включения транзисторов — первая включение биполярного транзистора структуры NPN, другая выполняет переключение полевого транзистора.

А это схема работы полевого транзистора:

Такой принцип действия, гарантирует довольно высокую производительность полупроводниковых приборов, в пределах 96 процентов. Из этого следует, что выходной каскад усилителя Д класса дает много тепловой энергии. Поэтому нет необходимости устанавливать радиатор с большой площадью рассеивания тепла.

В этом есть существенное отличие от усилителей класса АВ, работающих в линейном подключении. Для примера можно взять усилитель В класса, который способен обеспечить производительность не более 78 процентов, к тому же, это только теоретически. Ниже показана структурная схема УМЗЧ D класса, или как еще говорят, усилителя с ШИМ-контроллером.

↑ Система охлаждения QUAD

Зарубежные аналоги отечественных микросхем

При конструировании какой нибудь схемы или ремонте уже существующих у радиолюбителей часто возникает необходимость замены отечественной микросхемы на её полный или функциональный зарубежный аналог.

Ниже, в таблице представлено почти 3000 зарубежных аналогов отечественных цифровых и аналоговых микросхем.

Для удобства поиска аналога микросхемы сгруппированы по их серии от 133 до 1873 + ИПВ.

Чем заменить микросхему?

Часто возникает вопрос при ремонте радиоаппаратуры. Если не удается найти нужную микросхему, то можно заменить её аналогом по приведённой ниже таблице.

Стандарт электрических вилок и розеток

Те, кто любит путешествовать и бывает в разных странах замечали, что розетки и вилки не везде одинаковые. Так же при заказе различных устройств и приборов, например из Китая предлагается выбрать различные варианты: EU Plug, US Plug, UK Plug, AU Plug. Как не ошибиться в этом? Давайте подробнее разберёмся.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах управления I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE транзистора от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE₍_sat₎ от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C / I_B = 10.

Рис. 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора I_C от напряжения управления (базы) U_BE.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 5. Зависимость ширины полосы пропускания (частоты среза f_T) от коллекторной нагрузки транзистора I_C.

Характеристика снята при величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 6. Изменение выходной емкости C_ob транзистора при увеличении напряжения на коллекторном переходе U_CB.

Характеристика снята при частоте f = 1 МГц.

Рис. 7. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса T_C.

Рис. 8. Область безопасной работы (ОБР) транзистора.

В области больших токов ОБР транзистора ограничена импульсным или постоянным значением тока коллектора I_CMAX (Pulse) или I_CMAX (DC), определяемыми устойчивостью к нагреву монтажных соединений внутри транзистора или критическим снижением коэффициента усиления.

В области больших напряжений ОБР ограничена предельным напряжением коллектор-эмиттер U_CEMAX, при котором развивается лавинообразный пробой п/п структуры.

Между этими двумя ограничениями безопасная работа определяется общим тепловым режимом структуры и перегревами локальных участков, способствующими возникновению вторичных тепловых пробоев.

Технические характеристики

Рассмотрим технические характеристики отечественной серии транзисторов КТ503. Превышения указанных ниже значений не допускается, так как кремниевая структура в результате перегрева разрушается, и устройство в конечном итоге выходит из строя. Все параметры представлены с учётом температуры перехода (Т_П) не более +25oC.

Абсолютные характеристики КТ503:

максимальное напряжение К-Э (U_КЭ_{0 max}) при заданном токе К (I_К до 0.15 А или I_К_имп. до 0.35 А) и нулевом токе Б (I_Б = 0 А):
- КТ503А(Б) до 40 В;
- КТ503В(Г) до 60 В;
- КТ503Д до 80 В;
- КТ503Е до 100 В.
напряжение Б-Э (U_{ЭБ0 max}) до 5 В (при IК max = 0 А);
ток коллектора (I_К) до 0.15 А; импульсный (I_К_имп₎ до 0.35 А;
ток базы (I_Б) до 0.1 А;
рассеиваемая мощность (P_K) до 0,35 Вт (с теплоотводом и без него);
температура перехода (Т_П) до 398 К (до +125oC).

Маркировка

В советское время до 1986 г. маркировка на корпусе КТ503 была цветная. Белая точка (круг) на квадратной части корпуса КТ-26 указывала принадлежность транзистора к рассматриваемой серии. Группу (от А до Е), к которой устройство было отнесено при производстве, можно определить по цвету краски на торце упаковки.

С 1986 г. до 2000 г. на аналогичных устройства наносилась кодово-символьная маркировка, для типизации по прежнему использовался белы круг. Год, месяц и группа имели соответствующий код на корпусе. Расшифровка такого обозначения показана в таблице ниже.

Кроме вышеуказанных вариантов, после 2000 г., на корпус наносилась буквенно-цифровое обозначение. Однако, в связи со снижением производства такая маркировка встречаются крайне редко.

Комплиментарная пара

Комплементарной парой для КТ503 является серия КТ502, которая имеет p-n-p-структуру кристалла. В советское время оба транзистора широко использовались во входных каскадах усиления сигнала низкой частоты. Не удивительно, что маркировка и классификация по группам у них схожа.

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 0.6 В, обычно на основе нашего опыта 0.2 В

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 1.2 В, обычно на основе нашего опыта 0.6 В

Рабочая частота — до 2 МГц. Схемы с общим эмиттером, выполненные нами, стабильно работают на частоте до 2 МГц.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор — база 5 В — не более 20 пФ.

Постоянное обратное напряжение база — эмиттер — 5 В.

Постоянное ток коллектора — 0.15 А.

Импульсный ток коллектора — 0.35 А.

Постоянный ток базы — 0.1 А.

Постоянная рассеиваемая мощность — 0.35 Вт.

КТ503А, 2Т503А

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ503Б, 2Т503Б

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.

КТ503В, 2Т503В

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ503Г, 2Т503Г

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.

КТ503Д, 2Т503Д

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 80 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ503Е, 2Т503Е

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 100 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

(читать дальше…) :: (в начало статьи)

:: ПоискТехника безопасности :: Помощь

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!Задать вопрос. Обсуждение статьи.

Еще статьи

Металлоискатель самодельный. Сделать, собрать самому, своими руками. С…
Схема металлоискателя с высокой разрешающей способностью. Описание сборки и нала…

Применение тиристоров (динисторов, тринисторов, симисторов). Схемы. Ис…
Тиристоры в электронных схемах. Тонкости и особенности использования. Виды тирис…

Практика проектирования электронных схем. Самоучитель электроники….
Искусство разработки устройств. Элементная база радиоэлектроники. Типовые схемы….

Умный дом, дача, коттедж. Мониторинг, наблюдение энергоснабжения, элек…
Система мониторинга отключения света с SMS уведомлением своими руками
…

Бесперебойник своими руками. ИБП, UPS сделать самому. Синус, синусоида…
Как сделать бесперебойник самому? Чисто синусоидальное напряжение на выходе, при…

Преобразователь однофазного в трехфазное. Конвертер одной фазы в три. …
Схема преобразователя однофазного напряжения в трехфазное….

Зарядное устройство. Импульсный автомобильный зарядник. Зарядка аккуму…
Схема импульсного зарядного устройства. Расчет на разные напряжения и токи….

Импульсный источник питания. Своими руками. Самодельный. Сделать. Лабо…
Схема импульсного блока питания. Расчет на разные напряжения и токи….

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения и преобразователях напряжения в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
2SD1047	100	160	140	6	12	150	15	210	60	TO-247
КТ892А/Б	175	350	350	5	15	150	—	—	300	TO-3
КТ897Б	125	200	200	5	20	—	10	—	400	TO-3
КТ898А/Б	125	350	—	5	20	200	10	—	400	TO-218
КТ8101А/Б	150	200	—	6	16	150	10	1000	20	TO-218
КТ8107А	100	1500	700	5	8	150	7	—	2…8	TO-3
КТ8114А/Б	125	1500	—	5	8	150	—	—	8	TO-3
КТ8117А	100	700	600	5	10	150	4	—	10	TO-3
КТ8150А	115	70	60	7	15	150	4	—	20	TO-3
КТ8158Б	125	100	100	5	12	150	4	—	1000	TO-3

Зарубежное производство

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
2SD1047	100	160	140	6	12	150	15	210	60	TO-247
2SC5669	140	250	230	6	15	150	15	200	60	TO-3PN
2SD1975A	150	200	200	5	15	150	20	200	60	TO-3PL
2SD2489	130	200	200	5	15	150	70	120	5000	TO-3PN
BU941B	155	—	350	5	15	175	—	—	300	TO-3P
MJL3281A	200	200	200	7	15	150	30	600	75	TO-3PBL, TO-264
MJL4281A	230	350	350	5	15	150	35	600	80	TO-3PBL, TO-264
NJW0302	150	250	250	5	15	150	30	400	60	TO-3P
NJW1302	200	200	250	5	15	150	30	600	60	TO-3P
2SC4059	130	600	450	7	15	175	20	—	60	TO-247
2SC4108N	100	500	400	7	12	150	20	160	—	TO-247
ET359	100	300	200	—	80	175	—	—	80	TO-247
IDD1314	150	450	—	—	15	150	—	—	100	TO-247

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Применение

В основном применяются в схемах автоматики, усилителях низкой частоты (если нет требований по низкому уровню шума, высокой линейности и стабильности), микромощных источникам питания.

Примеры устройств:

Бестрансформаторный источник питания
Аналог динистора в релаксационном генераторе
УМЗЧ высокого качества
Датчик уровня жидкости

Вообще эти транзисторы относятся к числу наших самых любимых радиодеталей. Если необходим низкочастотный биполярный n-p-n транзистор без дополнительных требований, то это — КТ503, если необходима пара транзисторов p-n-n, n-p-n, с близкими характеристиками, то это — КТ502, КТ503.