Поиск неисправности усилителя мощности

Если на динамиках нет звука

Подобная неисправность может возникнуть в том случае, когда сигналы непосредственно из усилителя перестают поступать на саму акустику. Кроме того, отсутствие звука в динамиках может указывать на то, что автомагнитола перестала передавать сигнал на час усилитель.

Чтобы устранить эту неисправность, необходимо провести диагностику и убедиться, что усилитель находится во включенном состоянии и на него поступает необходимый уровень мощности, для нормального, бесперебойного функционирования. После этого, следует убедиться в том, что на усилитель подается непосредственно с головного устройства сигнал.

Чтобы это проверить нужно, отключить провода RCA, а затем подсоединить их к каждому, отдельному проверочному блоку. При этом пользователь должен убедиться в том, чтобы магнитола была во включенном состоянии, а все кабели были правильно подключены к соответствующим разъемам. Если такая проверка не принесла никаких положительных результатов, рекомендуется воспользоваться другим комплектом RCA проводов. Это обусловлено тем, что в некоторых случаях, причиной отсутствия звука в динамиках выступают вышедшие из строя, неисправные провода.

Если после повторного подключения, на одном выходе появляется звук, а на другом нет, тогда в этом случае, велика вероятность того, что из строя вышла магнитола. В том случае, когда сигнала нет на самом выходе автоусилителя, тогда это устройство нужно снять и подключить к нему другие колонки, можно даже те, которые используются в обыкновенных домашних аудиосистемах. Если после такого подключения звук в колонках появится, тогда усилитель является исправным, а причину отсутствия звука следует искать в автомобильных динамиках.

Зарождение нового мира

В то время как Бардин бросил Bell Labs, чтобы стать академиком (он продолжил изучение германиевых транзисторов и сверхпроводников в Иллинойском университете), Браттэйн поработал еще некоторое время, а после ушел в педагогику. Шокли основал свою собственную компанию по производству транзисторов и создал уникальное место — Силиконовую долину. Это процветающий район в Калифорнии вокруг Пало-Альто, где находятся крупные корпорации электроники. Двое из его сотрудников, Роберт Нойс и Гордон Мур, основали компанию Intel — крупнейшего в мире производителя микросхем.

Бардин, Браттэйн и Шокли ненадолго воссоединились в 1956 году: за свое открытие они получили высшую в мире научную награду — Нобелевскую премию по физике.

Назначение оборудования и особенности его конструкции

Основным назначением любого инвертора является формирование постоянного сварочного тока, который получают путем выпрямления высокочастотного переменного. Использование именно высокочастотного переменного тока, преобразованного посредством специального инверторного модуля из выпрямленного сетевого, обусловлено тем, что силу такого тока можно эффективно увеличивать до требуемой величины при помощи компактного трансформатора. Именно данный принцип, положенный в работу инвертора, позволяет такому оборудованию иметь компактные размеры при высокой эффективности.

Функциональная схема работы сварочного инвертора

Схема сварочного инвертора, которая определяет его технические характеристики, включает в себя следующие основные элементы:

• первичный выпрямительный блок, основу которого составляет диодный мост (в задачу такого блока входит выпрямление переменного тока, поступающего из стандартной электрической сети);
• инверторный блок, основным элементом которого является транзисторная сборка (именно при помощи данного блока постоянный ток, поступающий на его вход, преобразуется в переменный, частота которого составляет 50–100 кГц);
• высокочастотный понижающий трансформатор, на котором за счет понижения входящего напряжения значительно повышается сила выходящего тока (благодаря принципу высокочастотной трансформации на выходе такого устройства может быть сформирован ток, сила которого доходит до 200–250 А);
• выходной выпрямитель, собранный на базе силовых диодов (в задачу данного блока инвертора входит выпрямление переменного высокочастотного тока, что необходимо для выполнения сварочных работ).

Как связаны ёмкость батареи и время заряда

Сначала разберём, в чём измеряется ёмкость аккумуляторной батареи, и как это влияет на время зарядки.

Ёмкость АКБ измеряют в киловатт-часах. Допустим, наша батарея обладает ёмкостью 85 кВтч. Теоретически это значит, что она может в течение 85 часов выдавать мощность, равную 1 кВт, а также, наоборот, в течение 1 часа выдать 85 кВт.

Из этого обозначения можно понять, как долго заряжается Тесла. Если мощность зарядки достигнет 85 кВт, то батарея полностью зарядится за 1 час. А если мощность зарядки будет составлять 1 киловатт, то время заряда аккумуляторной батареи составит 85 часов.

Разумеется, не все Теслы одинаковые. В зависимости от модели различается ёмкость батареи.

Биполярный транзистор: внешний вид, составные элементы, конструкция корпуса — кратко

Сразу стоит определиться, что биполярный транзистор (bipolar transistor) создан для работы в цепях постоянного тока, где и используется. Сократим его название до БТ.

На фотографии ниже показал насколько разнообразные формы он имеет. А ведь этот небольшой ассортимент мной высыпан из одной маленькой коробочки.

Транзисторный корпус может быть изготовлен из пластмассы или металла в виде параллелепипеда, цилиндра, таблетки различной величины. Общими элементами являются три контактных штыря, созданные для подключения к электрической схеме.

Эти выводы необходимо различать в технической документации, правильно подключать при монтаже. Поэтому их назвали:

1. Э (E) — эмиттер;
2. К (C) — коллектор;
3. Б (B) — база.

Буквы в скобках используются в международной документации.

Основной метод соединения БТ в электрических схемах — пайка, хотя допускаются и другие.

Габариты корпуса и контактных выводов зависят от мощности, которую способен коммутировать этот модуль. Чем выше проектная нагрузка, тем большие размеры вынуждены создавать производители для обеспечения надежной работы и отвода опасного тепла.

Общеизвестно, что полупроводниковые переходы не способны выдерживать высокий нагрев — они банально перегорают. Поэтому все мощные корпуса выполняются из металла и снабжаются теплоотводящими радиаторами.

В особо ответственных узлах для них дополнительно создается принудительный обдув струями воздуха. Этим приемом значительно повышается надежность работы системных блоков компьютеров, ноутбуков, сложной электронной техники.

Любой БТ состоит из трех полупроводниковых переходов p и n типа, как обычный диод. Только у диода их меньше: всего два. Он способен пропускать ток всего в одну сторону, а в противоположную — блокирует.

Bipolar transistor создается по одной из двух схем соединения полупроводниковых элементов:

1. p-n-p, называемую прямым включением;
2. n-p-n — обратным.

При обозначении на схемах их рисуют одинаково, но с небольшими отличиями вывода эмиттера:

1. прямое направление: стрелка нацелена на базу;
2. обратное — стрелка показывается выходом из базы наружу элемента.

Указатель стрелки эмиттера показывает положительное направление тока через полупроводниковый переход.

Почему сабвуфер уходит в защиту

ребят объясните почему усилок при включение магнитолы сразу уходит в защиту что может быть ?.Усилитель при включении уходит в защиту.

Коротит проводка где то

какой усь?как полключем?может банально питание не?

Провода где то пробивают значит проверь плюсовой и акустические провода на колонки (саб) которые идут

Масса может быть плохая

вариантов масса, сам усилок сдох, масса хреновая, Плюсовой провод скорее всего нет, ибо сгорел бы предохранитель, одна из колонок коротит, перегрузка тоже врятли, ибо тогда он хотябы включался, а при увеличении громкости уже уходил в защиту… Кстати у приятеля был забавный случай.. у него на самом усилителе коротила колонка, провода многожильные акустические были, и один усик с плюса упал на минус…

Подскажите что такое на 10 ке подсветка печки и могнитола включается включается и так постоянно

Входное и выходное сопротивление эмиттерного повторителя

Раз уж упомянули про входное и выходное сопротивление, то как же его рассчитать? Оказывается, сопротивление со стороны входа (входное сопротивление) рассчитывается очень просто:

R_вх = R_э  х β,

где R_э — это сопротивление резистора в цепи эмиттера

β —

Также не стоит забывать, что когда мы цепляем нагрузку, то меняется и входное сопротивление, так как параллельно R_э мы цепляем какое-то сопротивление, являющееся нагрузкой.

Эмиттерный повторитель уменьшает выходное сопротивление источника сигнала в β раз. Допустим, если у нас выходное сопротивление источника сигнала равняется 500 Ом, а  β в схеме эмиттерного повторителя равняется 100, то на выходе эмиттерного повторителя мы уже получим источник сигнала с выходным сопротивлением в 5 Ом.

Но опять же, раз выходной сигнал у нас стает меньше на 0,6-0,7 Вольт, получается, что он даже меньше входного!?

Значит схема не усиливает напряжение, а даже его чуток ослабляет). Вот тебе и транзистор  — усилитель сигналов)) Но-но! Рано огорчаться. Так как входное сопротивление такой схемы большое, значит, мы можем нагрузить на вход эмиттерного повторителя какой-либо сигнал, не боясь, что он просядет, а на выход мы можем подключить низкоомную нагрузку. В этом и заключается вся прелесть

Так, а теперь давайте представим, что было бы, если бы мы напрямую, без эмиттерного повторителя, подали сигнал в низкоомную нагрузку с генератора сигнала с высоким выходным сопротивлением? Да сигнал у нас просел бы в несколько раз! Чтобы это понять, читаем статью про входное и выходное сопротивление.

Как вывести усилитель из режима защиты

Большинство аудиолюбителей достаточно категорично и не готово к компромиссам при выборе аппаратуры, справедливо полагая, что воспринимаемый звук обязан быть чистым, сильным и впечатляющим. Как этого добиться?

Поиск данных по Вашему запросу:

Перейти к результатам поиска >>>

Пожалуй, основную роль в решении этого вопроса сыграет выбор усилителя. Функция Усилитель отвечает за качество и мощь воспроизведения звука

При этом при покупке стоит обратить внимание на следующие обозначения, знаменующие внедрение высоких технологий в производство аудио — аппаратуры:

• Hi-fi. Обеспечивает максимальную чистоту и точность звука, освобождая его от посторонних шумов и искажений.
• Hi-end. Выбор перфекциониста, готового немало заплатить за удовольствие различать мельчайшие нюансы любимых музыкальных композиций. Нередко к этой категории относят аппаратуру ручной сборки.

Технические характеристики, на которые следует обратить внимание:

Входная и выходная мощность. Решающее значение имеет номинальный показатель выходной мощности, т.к. краевые значения часто недостоверны.
Частотный диапазон. Варьируется от 20 до 20000 Гц.
Коэффициент нелинейных искажений. Здесь все просто — чем меньше, тем лучше. Идеальное значение, согласно мнению экспертов — 0,1%.
Соотношение сигнала и шума. Современная техника предполагает значение этого показателя свыше 100 дБ, что сводит к минимуму посторонние шумы при прослушивании.
Демпинг-фактор. Отражает выходное сопротивление усилителя в его соотношении с номинальным сопротивлением нагрузки. Иными словами, достаточный показатель демпинг-фактора (более 100) уменьшает возникновение ненужных вибраций аппаратуры и т.п.

Классификация

Чтобы разобраться во всем многообразии предложений рынка, необходимо различать продукт по различным критериям. Усилители можно классифицировать:

Биполярный транзистор BC212 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC212

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

BC212
Datasheet (PDF)

..1. bc212 bc213 bc214.pdf Size:107K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC212/DAmplifier TransistorsBC212,BPNP SiliconBC213COLLECTORBC21432BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23BC BC

0.1. bc212lb.pdf Size:27K _fairchild_semi

BC212LBPNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 100mA. Sourced from process 68.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseAbsolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVCBO Collector-Base Voltage 60 VVEBO Emitter-Base V

0.2. bc212l.pdf Size:29K _fairchild_semi

BC212LB CETO-92 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA.Sourced from Process 68. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units50 VVCEO Collector-Emitter Voltage60 VVCBO Collector-Base Voltage5 VVEBO Emitter-Base VoltageCollector Curr

 0.3. bc212b.pdf Size:27K _fairchild_semi

BC212BPNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 100mA. Sourced from process 68.TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVCBO Collector-Base Voltage 60 VVEBO Emitter-Base Vo

0.4. bc212b-d.pdf Size:59K _onsemi

BC212BAmplifier TransistorsPNP SiliconFeatures These are Pb-Free Devices* http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2BASECollector-Emitter Voltage VCEO -50 VdcCollector-Base Voltage VCBO -60 Vdc3EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current — Continuous IC -100 mAdcTotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 350 mWDerate a

 0.5. bc212csm.pdf Size:11K _semelab

BC212CSMDimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31rad.(0.012) Ceramic Surface Mount 3Package for High Reliability Applications 211.91 0.10(0.075 0.004)A0.31rad.Bipolar PNP Device. (0.012)3.05 0.13(0.12 0.005)1.40(0.055)1.02 0.10max.VCEO = 50V A =(0.04 0.004)

0.6. bc212dcsm.pdf Size:10K _semelab

BC212DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 50V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.2A C(0.05

0.7. bc212l la lb bc214l.pdf Size:76K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-92 Plastic PackageBC212L, BC212LA, BC212LBBC214L, BC214LB, BC214LCPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSAmplifier TransistorsDIM MIN MAXA 4,32 5,33B 4,45 5,20C 3,18 4,19D 0,41 0,55E 0,35 0,50F 5 DEGG 1,14 1,40H 1,14 1,53K 12,70 L 1.982 2.082ALL DIMENSIONS IN M.M.

Другие транзисторы… BC211A
, BC211A-10
, BC211A-16
, BC211A-6
, BC211B
, BC211C
, BC211D
, BC211E
, , BC212A
, BC212AP
, BC212B
, BC212BP
, BC212K
, BC212KA
, BC212KB
, BC212L
.

Как работают ключевые MOSFET-транзисторы в фазах питания импульсных цепей питания

N-канальные транзисторы обычно открываются путем подачи на затвор положительного потенциала.

Упрощенный пример подключения нагрузки через MOSFET-транзистор (Enhancement-типа):

В данной схеме для того, чтобы n-канальный MOSFET-транзистор заработал, к его стоку(drain) необходимо подать позитивное напряжение Vdd, а на затвор (gate) — минимальное напряжение Vg. После этого n-канал между стоком-истоком откроется, по нему потечет ток от стока (+Vdd) к истоку (минусовой вывод) — транзистор перейдет во включенное, открытое состояние.

Иллюстрация работы n-канала, образующегося при открытии MOSFET-транзистора:

Чтобы выключить MOSFET, нужно отключить напряжение Vdd или Vg.

Более подробно о работе импульсных фаз питания можно почитать в статье «Как работает VRM материнских плат».

Схема эмиттерного повторителя

Давайте разберемся, что значит словосочетание «эмиттерный повторитель»? Если досконально разобрать эту фразу, то она означает, что на эмиттере что-то должно повторяться.

Упрощенная схема эмиттерного повторителя выглядит вот так:

На первый взгляд  вроде бы схема как схема, но она обладает 4 важными свойствами:

1) Напряжение U_вых меньше U_вх  на каких-то 0,6-0,7 Вольт (падение напряжения на базе-эмиттере)

2)U_вых в точности  повторяет  по форме и фазе U_вх

3) Сопротивление со стороны входа (входное сопротивление) большое

4) Сопротивление со стороны выхода (выходное сопротивление) маленькое

Выявление причин неисправности видеокарты, которая не дает компьютеру включиться

При установке видеокарты с коротким замыканием по питанию в материнскую плату (либо в райзер), при включении компьютера блок питания уходит в защиту.

Для уточнения причин неисправности в первую очередь нужно проверить сопротивление на разъеме дополнительного питания +12 вольт и контактах +3.3 и +12 вольт на контактах PCI-E видеокарты.

Если сопротивление очень мало или равно нулю, то это свидетельствует о выходе из строя каких-то элементов в цепях питания видеокарты.

Для нахождения причин проблемы нужно произвести внимательный осмотр деталей на плате на предмет потемнений, повреждений, обуглений и других отклонений от нормы.

Частой причиной короткого замыкания является использование некачественных керамических конденсаторов в цепях питания. Они иногда выходят из строя с образованием участка с очень малым сопротивлением. Подробнее о таких проблемах можно прочитать в статье «Устранение типичной неисправности в цепи питания Sapphire Radeon RX400/500-й серий».

Если визуальный осмотр не дает никаких результатов, нужно приступать к проверке сопротивлений подозрительных электронных элементов в цепях питания видеокарты.

Наиболее частой причиной появления проблем, связанных с появлением коротких замыканий, являются пробои полевых транзисторов фаз питания. Точно проверить их исправность можно только выпаяв их с печатной платы, хотя у пробитого полевого транзистора выявить короткое замыкание можно и не снимая его с платы. Для оценки состояния полевых транзисторов используется измерение сопротивления, а также падение напряжения между выводами.

Как омметром проверить полевой транзистор?

Исходя из логики работы рассмотренного полевого транзистора, в закрытом состоянии он не должен проводить ток между стоком-истоком, то есть его сопротивление должно быть очень велико.

В связи с тем, что между выводами сток-исток включен диод, сопротивление между этими выводами будет значительно отличаться при разной полярности щупов омметра. Если к истоку (source) подключить плюсовой вывод, а на сток (drain) — минус, то сопротивление будет очень маленьким — оно должно соответствовать внутреннему сопротивлению диода (здесь можно измерять падение напряжения на его переходе). При обратной полярности (на истоке — минус, ан стоке — плюс) сопротивление должно быть очень большим.

Сопротивление между затвором и стоком, а также затвором-истоком должно быть очень большим, так как затвор электрически изолирован от других выводов.

При подаче на затвор небольшого положительного потенциала (например, от плюсового вывода щупа мультиметра) транзистор должен открываться, а сопротивление между всеми выводами — падать практически до нуля (в связи с этим поведение открытого полевого транзистора похоже на пробитый элемент с коротким замыканием). Закрыть транзистор после этого можно путем подачи отрицательного потенциала на затвор.

Для исключения влияния других электронных элементов, лучше всего транзисторы проверять в отпаянном от платы состоянии. Так как это не всегда удобно делать, то оценить состояние транзисторов приходится не снимая их с видеокарты (другого устройства). Перед проверкой следует обнулить заряд затвора (G), кратковременно замкнув его с истоком (S).

Для этого мультиметром в режиме измерения сопротивления измеряется его значение между стоком (drain) — истоком (Source). Если щуп минуса находится на стоке (drain, подложка MOSFET-а), а плюс — на истоке (S), то транзистор, находящийся в закрытом состоянии должен показывать высокое сопротивление (что соответствует падению напряжения, равному сотням милливольт).

В качестве практического примера проверки полевых транзисторов VRM рассмотрим видеокарту Nvidia GeForce GTX950.

Германий

В конце XIX века германий был впервые выделен и идентифицирован немецким химиком Клеменсом Винклером. Этот материал, названный в честь родины Винклера, долгое время считался малопроводящим металлом. Это утверждение было пересмотрено в период Второй мировой войны, так как именно тогда были обнаружены полупроводниковые свойства германия. Приборы, состоящие из германия, широко распространились в послевоенные годы. В это время нужно было удовлетворить потребность в производстве германиевых транзисторов и подобных устройств. Так, производство германия в США выросло с нескольких сотен килограммов в 1946 году до 45 тонн к 1960 году.

Информация для сведения

Tesla Punk 220w производится из цинкового сплава и имеет четыре цвета: чёрный, бронзовый, медный, серебристый, обладает всеми необходимыми защитами, поднимает в режиме вариватт с 0.1 Ом, но на некоторых модах может поднять и с 0.08 Ом, позволяет заряжать аккумуляторы током 1.5 А.

Технические характеристики:
Предельная мощность: до 220 Вт,
Пределы по напряжению: до 7.5 В
Пиковое значение силы тока: 50 А,
Режимы мода: VW / TC (NI, SS, TI), TCR
Температурный режим: от 100 до 300 градусов
Ток зарядки: 1.5 А
Сопротивление в вариватте: 0.1 Ом/ в термоконтроле : от 0.05 Ом.

Размеры:
Высота: 86 мм
Ширина: 56 мм
Толщина: 30 мм
Вес: 280 гр.

Где находится БП в системном блоке и как его разобрать

Чтобы получить доступ к БП компьютера необходимо сначала снять с системного блока левую боковую стенку, открутив два винта на задней стенке со стороны расположения разъемов.

Для извлечения блока питания из корпуса системного блока необходимо открутить четыре винта, помеченных на фото. Для проведения внешнего осмотра БП достаточно отсоединить от блоков компьютера только те провода, которые мешают для установки БП на край корпуса системного блока.

Расположив блок питания на углу системного блока, нужно открутить четыре винта, находящиеся сверху, на фото розового цвета. Часто один или два винта спрятаны под наклейкой, и чтобы найти винт, ее нужно отклеить или проткнуть жалом отвертки. По бокам тоже бывают наклейки, мешающие снять крышку, их нужно прорезать по линии сопряжения деталей корпуса БП.

После того, как крышка с БП снята обязательно удаляется пылесосом вся пыль. Она является одной из главных причин отказа радиодеталей, так как, покрывая их толстым слоем, снижает теплоотдачу от деталей, они перегреваются и, работая в тяжелых условиях, быстрее выходят из строя.

Для надежной работы компьютера удалять пыль из системного блока и БП, а также проверять работу кулеров необходимо не реже одного раза в год.

О роли полевых транзисторов в импульсных источниках питания

В современных видеокартах в качестве ключевых элементов импульсных фаз питания чаще всего используются n-канальные полевые транзисторы с изолированным затвором.

Полевые транзисторы являются электронными ключами, обеспечивающими работу фаз питания видеокарт (картинка с сайта techpowerup):

Это активные электронные компоненты с МОП-структурой (металл-окисел-полупроводник), в которых используется полевой эффект.

На английском языке их называют MOSFET-транзисторами (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor):

MOSFET-транзисторы еще называют МДП-транзисторами (структура метал-диэлектрик-полупроводник), МОП-транзисторами (структура метал-окисел-полупроводник).

Упрощенная структура n-канального полевого транзистора:

N-канальные транзисторы имеют три вывода:

• G-gate (затвор) — служит для управления состоянием транзистором (аналог сетки электронных ламп или базы на биполярных транзисторах);
• D-drain (сток) — является входом управляемой электрической цепи (аналог коллектора биполярных транзисторов);
• S-source (исток) — выход управляемой электроцепи (аналог эмиттера у биполярных транзисторов).

Типовая электрическая схема N-канального полевого MOSFET-транзистора:

Как видно из схемы, между истоком и стоком n-канального полевого транзистора (иногда) включается диод. Это элемент, который должен защищать транзистор от всплесков обратного напряжения, вызванных переходными процессами на индуктивной нагрузке фаз питания при выключении транзистора. Он должен гасить на себе всплеск напряжения от катушки индуктивности в момент закрытия транзистора.

MOSFET-транзисторы выпускаются в четырех видах корпусов:

• для поверхностного монтажа — TO-263, TO-252, MO-187, SO-8, SOT-223, SOT-23, TSOP-6 и другие;
• с проволочными выводами — TO-262, TO-251, TO-274, TO-220, TO-247 и другие;
• DirectFET — DirectFET M4, DirectFET MA, DirectFET MD, DirectFET ME, DirectFET S1, DirectFET SH и другие;
• PQFN — PQFN 2×2, PQFN 3×3, PQFN 3.3×3.3, PQFN 5×4, PQFN 5×6 и другие.

Виды корпусов MOSFET-транзисторов:

Чтобы проверить полевые транзисторы, нужно знать хотя бы на базовом уровне их устройство, принцип работы, назначение выводов и какое сопротивление должно быть между ними в выключенном состоянии.

Обзор

В верхней части Tesla Punk 220w расположилась коннекторная площадка. Сам коннектор стилизован под шестерёнку. Пин подпружинивается с тугим ходом.

Боковые накладки выполнены из прозрачного пластика, а под ними муляж платы, на которую припаяны транзисторы, диоды, микросхемы и другие радиодетали, а также есть светодиоды, о которых поговорим попозже.
Боковые накладки удерживаются четырьмя винтами, одна из накладок имеет разъём под microUSB.
Огорчением является размер коннекторной площадки, которая не может усадить атомайзеры даже 24 мм, есть с одной стороны небольшое нависание из-за скосов по корпусу.

Передняя панель разместила кнопку fire, которая имеет круглую форму, отчётливо нажимается, немного возвышается над корпусом. Клик прогнозируемый. Далее идёт дисплей, кнопочки минус и плюс, под которыми ещё одна кнопка, отвечающая за управлением LED-подсветкой.

В самой нижней части крышка, под которой скрываются два аккума формата 18650. Крышка на салазках ездит по корпуса и при этом ещё удерживается магнитами. Внутренняя часть крышки имеет контактную группу. Внутри аккумуляторной шахты обозначения о правильной установки аккумуляторов. Аккумуляторная шахта разъединена ребром, на котором балансир заряда. А на противоположенной стороне, шарик, который подпирает крышку. Возможно из-за этого шарика, крышка слегка выпирает над корпусом, но это не беда, мод уверенно стоит на плоской поверхности.
Крышка имеет газоотводы.

Режимы работы

Всё как обычно в плате от Теслы. Сама работа платы нареканий не вызывает, все режимы работают слаженно, а нажатие на fire означает мгновенный отклик.
Дисплей отображает все необходимые для вейпера параметры, а именно о сопротивлении, силе тока, мощности, режиме разогрева спиралей, заряде аккумуляторных батарей.
Вспомним про кнопку управлением подсветкой. Есть пять разных режимов при которых амплитуда свечения будет разной: от быстрой до затухающей.
В Punk 220w есть такие режимы работы как вариватт, термоконтроль на кантале, никеле, титане, нержавейки, TCR.
Чтобы посмотреть версию прошивки, следует три раза нажать на fire и кнопочку плюс.

Заключение

Проблема поиска зарядных станций и страх того, что аккумулятор разрядится в самый неподходящий момент, пугает каждого владельца машины с ДВС, решившего пересесть на электромобиль. Однако судя по отзывам владельцев Теслы, такие мысли у них появлялись только в первые месяцы эксплуатации. Впоследствии они переставали задумываться об этом, ведь зарядить Теслу можно практически везде!

Спасибо, помогло!Не помогло1

Сейчас читают:

Конструкция и особенности эксплуатации батареи для автомобилей Тесла

Как правильно заряжать гироскутер

Сколько времени нужно заряжать электронную сигарету

Как и сколько заряжать беспроводные наушники Xiaomi Redmi AirDots — инструкция на русском языке

Как правильно и сколько заряжать аккумуляторные батарейки