Биполярный транзистор C945 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты
Наименование производителя: C945
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130
- Корпус транзистора: SOT23
- Аналоги (замена) для C945
Описание транзистора 2N4403
Транзистор 2N4403 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE159, SK3466, BC327, BSS80C, PN200, THC4403, TMPT4403, 2N2907, 2N4143*, 2N4972*, 2N6001*, 2N6003*, 2N6005*, 2N6007*, 2N6011*, 2N6013*, 2N6015* A5T2907*, A5T4403*.
Транзистор
UКЭ0 /UКБ0 ПРОБВ
IК, МАКСмА
PК, МАКСмВт
h21Э
fгрМГц
Изготовитель
мин.
макс.
IКмА
UКЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)
2N4403
40/40
600
350
100
150
10
200
American Microsemiconductor Inc
AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc
Advncd Semi
Allegro Microsystems Inc
AlegroMicro
Central Semiconductor Corp
CentralSemi
Continental Device India Ltd
Contin Dev
Crimson Semiconductor Inc
CrimsonSimi
Diodes Inc
Diodes Inc
Elm State Electronics lnc
Elm State
Hi-Tron Semiconductor
Hi-Tron
Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA
KSL Microdevices Ing
KSL Micro
Micro Electronics Ltd
Micro Еlecs
Microsemi Corp
Microsemi
Mistral SPA
Mistral SpA
Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh
NAS Elekt
National Semiconductor Corp
Natl Semi
Rochester Electronics Inc
Rochester
Rohm Со Ltd
Rohm Со Ltd
Samsung Electronics Inc
Samsung
Semelab Plc
Semelab
Semiconductors Inc
Semi Inc
Semiconductor Technology Inc
SemiconTech
Intex Со Inc/Semitronics Corp
Semitronics
Solid State Inc
Solid Stinc
Swampscott Electronics Со Inc
Swampscott
Toshiba America Electronic Components Inc
ToshibaAmer
Transistor Со
Transistor
United-Page Inc, UPI Semiconductor Division
UPI Semi
Space Power Electronics Inc
Space Power
Цоколёвка
Тип
Номера выводов
1
2
3
3 вывода
E
B
C
UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.
IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой PNP, эпитаксиальнопланарные, которые применяются в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах высокочастотного диапазона.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус | Примеча-ние |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 | |
| (2)КТ914А | 7 | 65 | 65 | 4 | 0,8 | 150 | 350 | 12 | — | — | |
| (2)КТ932А/Б/В | 20 | 80/60/40 | 4,5 | 2 | 150 | 100 | 300 | от 15 до 120 | — | TC ≤ 50°C | |
| (2)КТ933А/Б | 5 | 80/60 | 4,5 | 0,5 | 150 | 75 | 100 | от 15 до 120 | — | TC ≤ 50°C | |
| КТ973А/Б/В/Г | 8 | 60/45/60/60 | 5 | 2 | 150 | — | — | от 750 до 5000 | — | ||
| КТ974А/Б/В | 5 | 80/60/50 | 3 | 2 | 150 | 450 | 80 | от 10 до 120 | — | TC ≤ 50°C |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 |
| 2SA1359 (O, Y) | 10,0 (1,0) | 40 | 40 | 5 | 3 | 150 | 100 | 35 | 70 | TO-126 |
| 2SB843 | 10,0 (1,0) | 50 | 40 | 6 | 5 | 175 | — | — | 90 | TO-126 |
| BTB1424AD3 | 10,0 (1,0) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 240 | 35 | 180 | TO-126 |
| BTB1424AT3 | 10,0 (1,0) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 240 | 35 | 180 | TO-126 |
| H772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| HT772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126 |
| KSH772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| ST2SB772T | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| 2SA1761 | (0,9) | 60 | 50 | 6 | 3 | 150 | 100 | — | 120 | TO-92 |
| 2SA3802 | (0,8) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| 2SB985 (R, S, T, U) | (1) | 60 | 60 | 6 | 3 | 165 | 150 | — | 280 | TO-92 |
| BR3CG3802 | (0,8) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| KTB985 | (1) | 60 | 50 | 6 | 3 | 150 | 150 | — | 100 | TO-92 |
| ZTX949 | (1,2) | 50 | 30 | 6 | 4,5 | 200 | 120 | — | 100 | TO-92 |
| ZTX951 | (1,2) | 100 | 60 | 6 | 4 | 200 | — | 100 | TO-92 | |
| ZTX953 | (1,2) | 140 | 100 | 6 | 3,5 | 200 | 125 | — | 100 | TO-92 |
| 2SA2039-TL-E | 15 | 50 | 50 | 6 | 5 | 150 | 360 | 24 | 200 | TO-252 |
| 2SA2126-TL-E | 15 | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 390 | 24 | 200 | TO-252 |
| 2SAR573D | 10 | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 300 | 35 | 180 | TO-252 |
| BTA2039J3 | 15 | 60 | 50 | 6 | 5 | 150 | 150 | 42 | 200 | TO-252 |
| BTB1184J3 | 15 | — | — | 6 | 3 | 150 | 80 | 35 | 180 | TO-252 |
| BTB1184J3S | 15 | — | — | 6 | 3 | 150 | 80 | 35 | 270 | TO-252 |
| BTB9435J3 | 10 | 40 | 32 | 6 | 3 | 150 | 180 | 20 | 180 | TO-252 |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Распиновка
Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.
Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право: база, коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.
Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором 2N5400; транзистором BF491; транзистором ECG288; транзистором КТ502Е; транзистором MPSA92; транзистором MPSA93; транзистором MPSL51;
транзистором MPSL51; транзистором 2SB646; транзистором 2SB646A; транзистором 2SA637; транзистором 2SB647; транзистором 2SB647A; транзистором 2SA638; транзистором 2SA639; транзистором BC526A; транзистором BC404VI;
Datasheet Download — Unisonic Technologies
| Номер произв | 2SB772S | ||
| Описание | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR | ||
| Производители | Unisonic Technologies | ||
| логотип | |||
|
1Page
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DESCRIPTION The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage FEATURES * High current output up to 3A ORDERING INFORMATION Ordering Number MARKING SOT-223
2SB772S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA= 25°C, unless otherwise specified) PARAMETER VCBO -40 VCEO VEBO -30 ICP -7 IC -3 Base Current IB -0.6 PD 1 TJ TSTG +150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA= 25°C, unless otherwise specified) PARAMETER BVCBO Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO BVEBO Collector Cut-Off Current ICBO ICEO Emitter Cut-Off Current IEBO hFE1 hFE2 VCE(SAT) Base-Emitter Saturation Voltage VBE(SAT) fT Output Capacitance COB Note 1: Pulse test: PW<300μs, Duty Cycle<2% CLASSIFICATION OF hFE2 RANK IC=-100μA, IE=0 IC=-1mA, IB=0 IE=-100μA, IC=0 VCB=-30V, IE=0 VCE=-30V, IB=0 VEB=-3V, IC=0 VCE=-2V, IC=-20mA VCE=-2V, IC=-1A IC=-2A, IB=-0.2A IC=-2A, IB=-0.2A VCE=-5V, IC=-0.1A VCB=-10V, IE=0, f=1MHz P
2SB772S ■ TYPICAL CHARACTERICS DC Current Gain vs. Collector Current 800 VCE=-2V 150°C 200 25°C -10-1 -10-101 -102 -103 Collector Current, Ic (mA) -104 Base-Emitter Saturation Voltage vs. -1.2 IC/IB=10 25°C -10-1 -10-101 -102 -103 Collector Current, Ic (mA) -104 PNP SILICON TRANSISTOR -103 IC/IB=10 -102 150°C 25°C -101 -1 -10-1 -10-101 -102 -103 Collector Current, Ic (mA) -104 Collector Current vs. 2.0 Collector-Emitter Voltage 1.6 01 234 5 Collector-Emitter Voltage, VCE (V) UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD |
|||
| Всего страниц | 3 Pages | ||
| Скачать PDF |
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.
| Характеристика | Символ | Значение ٭ | |||
|---|---|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-база, В | UCBO | 40 | |||
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEO | 30 | |||
| Напряжение база-эмиттер, В | UEBO | 5 | |||
| Ток коллектора постоянный, А | ICO | 3 | |||
| Ток коллектора импульсный, А | ICM | 7 | |||
| Ток базы постоянный, А | IBO | 0,6 | |||
| Мощность рассеяния, Вт | 2SB772 | Корпус TO-92 | при Ta = 25°С | PC | 0,5 |
| Корпус TO-126/TO-126C | 1 | ||||
| Корпус TO-251/TO-252 | 1 | ||||
| 2SB772S | Корпус SOT-89 | 0,5 | |||
| Корпус SOT-223 | 1 | ||||
| 2SB772SS | Корпус SOT-23 | при Ta = 25°С | 0,35 | ||
| при TС = 25°С | 10 | ||||
| Предельная температура кристалла, °С | TJ | 150 | |||
| Диапазон температур при хранении, °С | TSTG | от -55 до 150 |
٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.
В таблицу предельных эксплуатационных характеристик и типовых термических характеристик введены для сравнения данные по рассеиваемой мощности транзисторов 2SB772/S/SS, выпускаемых в различных корпусах одним и тем же производителем: “Unisonic Technologies Co., Ltd”. Остальные параметры и характеристики полностью повторяются.
Модификации и группы транзистора B772
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 |
| 2SB772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 40 | 55 | 160 | TO-126 |
| BTB772ST3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 2 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-126 |
| BTB772T3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-126 |
| CSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| CSB772 (P, Q, R, E) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 200 | TO-126 |
| FTB772 | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KSB772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KTB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| PMB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| ST2S772T | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| TSB772CK | 10,0 (1,0) | 50 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126 |
| B772C | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126C |
| B772P | 15,0 (1,25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 120 | TO-126D |
| HSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126ML |
| 2SB772B | 25,0 (2,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-220 |
| 2SB772I | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 30 | TO-251 |
| B772PC | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 120 | TO-251 |
| BTB772I3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-251 |
| WTP772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 30 | TO-251 |
| 2SB772D | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-252 |
| B772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252 |
| BTB772AJ3 | 15,0 (1,0) | 50 | 30 | 7 | 3 | 150 | 190 | 33 | 180 | TO-252 |
| BTB772J3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-252 |
| FTB772D | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252 |
| GSTD772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-252 |
| ST2SB772R | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 100 | TO-252 |
| B772M | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252-2L |
| 2SB772A | (0.5) | 70 | 60 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | SOT-89 |
| 2SB772GP | (1.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 100 | 55 | 160 | SOT-89 |
| 2SB772T | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-89 |
| BTB772AM3 | (2) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 80 | 25 | 180 | SOT-89 |
| FTB772F | (0.5) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | SOT-89 |
| GSTM772 | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | SOT-89 |
| KXA1502 | (0.5) | 40 | 20 | 5 | 1.5 | 150 | 100 | 20 | 160 | SOT-89 |
| L2SB772 (P, Q) | (0.5) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 160 | SOT-89 |
| ST2SB772U | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-89 |
| ZX5T250 | (0.5) | 70 | 60 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 160 | SOT-89 |
| 2SB772S | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-89 |
| ALJB772 | (1) | 40 | 30 | 6 | 1.5 | 150 | 100 | — | 200 | TO-92 |
| B772S | (0.625) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-92 |
| BTB772SA3 | (0.75) | 50 | 50 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-92 |
| GSTS772 | (0.625) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| HB772S | (0.75) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| HSB772S | (0.75) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| TSB772SCT | (0.625) | 50 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| 2SB772L | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-92LM |
| 2SB772M | (0.35) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-23 |
| B772SS | 10,0 (0,35) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-23 |
| 2SB772N | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-223 |
| 2SB772ZGP | (1.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 100 | 55 | 160 | SOT-223 |
Примечения:
- Столбец корпуса. Уточнения для следующих корпусов: TO-251 или TO-252, TO-252 или DPAK, SOT-89 или TO-92.
- В столбце «Модель» в скобках указаны дополнительные символы, вводимые в обозначение транзистора в случаях, когда производитель классифицирует изделия по группам параметра hFE.
- В столбце мощности «PC Tc(Ta) = 25°С» в скобках указывается значение рассеиваемой мощности в режиме ограничения температуры внешней среды на уровне TA = 25°C.
- В режиме ограничения температуры корпуса транзистора TC = 25°C значение рассеиваемой мощности указывается в основном для транзисторов, выпускаемых в крупных корпусах, например, таких как TO-126. Поскольку такой температурный режим означает присутствие охладителя – устройства, стабилизирующего температуру корпуса, для транзисторов, выпускаемых в малоразмерных корпусах (TO-92, SOT-89), где применение охладителя на практике невозможно или нецелесообразно, значение рассеиваемой мощности для условия TC = 25°C большинством производителей не указывается.
- Иногда производитель выпускает изделие в корпусе версии повышенной мощности (например – TO-92LM). В этом случае указывается повышенное значение мощности рассеивания (см. таблицу, транзистор 2SB772L).
Учимся ремонтировать кинескопные, LED и ЖК телевизоры вместе.
13.11.2015 Lega95 1 Комментарий
Привет. Сегодня будем ремонтировать телевизор с неисправной кадровой разверткой на примере старенького телевизора AIWA TV-215KE.
Для тех, кто вообще не разбирается в телевизорах поясню, что кадровая развертка неисправна, если по средине экрана светится яркая горизонтальная полоса, как и в нашем примере. Бывают еще другие поломки кадровой развертки, такие как заворот изображения, или же маленький размер по вертикали, но эти неисправности разберем уже в других статьях.
Как всегда ремонт телевизора начнем с его разборки и внешнего осмотра деталей на предмет дефектов. Сразу отмечу, что этот телевизор как «сборная Советского Союза», так как в нем использован отдельный самодельный блок питания, родной просто отключен и все запчасти выпаяны. Так же использован радиоканал от советских телевизоров 3УСТЦ. Какую именно функцию он там выполняет я не разбирался, но сделано все довольно красиво и аккуратно. У мастера, который делал все эти переделки, руки растут определенно из нужного места.
Радиоканал от 3УСТЦ в телевизоре AIWA TV-215KE
При внешнем осмотре сразу бросился в глаза выгоревший резистор рядом с ТДКС.
Рядом с ним стоит диод, который я в первую очередь и проверил. Он оказался пробитым.
Для продолжения ремонта используем схему.
Кадровая развертка этого телевизора собрана на микросхеме LA7832. Наши сгоревшие элементы находятся в цепи формирования питающего напряжения 25 вольт, которое заводятся на 6 ногу нашей микросхемы LA7832.
Схема кадровой телевизора AIWA TV-215KE
Скажу сразу, если диод и защитное сопротивление сгоревшие, то велика вероятность выхода из строя и самой микросхемы. Так что я решил сразу ее выпаять и заменить на новую.
Прогар на кадровой LA7832
Выпаяв микросхему, увидел большой прогар не ее корпусе, так что решение о ее замене было вполне обоснованным. Полным аналогом LA7832 является LA7840, которую и установим вместо сгоревшей.
Заменив микросхему и установив новый диод и резистор, приступим к поиску причины выхода из строя микросхемы LA7832. Наши сгоревшие элементы являются следствием, а не причиной поломки. Основных причин выхода из строя кадровой микросхемы в данном случае я выделяю две, а именно завышенное напряжение на микросхему или же недостаточная фильтрация этого напряжения. Так как питающее напряжение 115в я померял в начале ремонта, осталось проверить сами электролиты. По схеме их всего 2, это с832 1000мкф на 35в и С510 220 мкф на 35в. С832 оказался рабочим, а вот С510 с завышенным ESR, что возможно и привело к поломке телевизора.
Завышеный ESR конденсатора С510
Установив все на место, включил телевизор. Кадровая развертка появилась. Через 15 мин работы, микросхема нагрелась всего до 40 градусов, что является хорошим результатом.
Впаянная микросхема LA7840
Вот такой ремонт у нас получился
Спасибо за внимание
AIWA_TV-215KE.rar (220,1 KiB, 2 097 hits)
