1am smd транзистор даташит

Высокочастотные эффекты

Производительность транзисторного усилителя относительно постоянна вплоть до некоторой точки, как показано на графике зависимости коэффициента усиления по току от частоты для усилителя малых сигналов с общим эмиттером (рисунок ниже). За этой точкой по мере увеличения частоты производительность транзистора ухудшается.

Граничная частота (частота отсечки коэффициента бета), f_гр, f_T – это частота, при которой коэффициент усиления по току (h_fe) усилителя малых сигналов с общим эмиттером падает ниже единицы (рисунок ниже). Реальный усилитель должен иметь коэффициент усиления > 1. Таким образом, на частоте f_гр транзистор использоваться не может. Максимальная частота, приемлемая для использования транзистора, равна 0,1f_гр.

Зависимость коэффициента усиления по току (h_fe) от частоты для усилителя малых сигналов с общим эмиттером

Некоторые радиочастотные биполярные транзисторы могут использоваться в качестве усилителей на частотах до нескольких ГГц. Кремниево-германиевые устройства расширяют диапазон до 10 ГГц.

Предельная частота (частота отсечки коэффициента альфа), f_пр, f_alpha – это частота, при которой коэффициент α снижается до 0,707 от коэффициента α на низких частотах, α=0,707α. Предельная частота и граничная частота примерно равны: f_пр≅f_гр. В качестве высокочастотного показателя предпочтительнее использовать граничную частоту f_гр.

f_max – самая высокая частота колебаний, возможная при наиболее благоприятных условиях смещения и согласования импеданса. Это частота, при которой коэффициент усиления по мощности равен единице. Весь выходной сигнал подается назад на вход для поддержания колебаний. f_max является верхним пределом частоты работы транзистора в качестве активного устройства. Хотя реальный усилитель не используется на f_max.

Эффект Миллера: верхний предел частоты для транзистора, связанный с емкостями переходов. Например, PN2222A имеет входную емкость C_ibo=25пФ и выходную емкость C_obo=9пФ между К-Б и К-Э соответственно. Хотя емкость К-Э 25 пФ кажется большой, она меньше, чем емкость К-Б (9 пФ). Из-за эффекта Миллера в усилителе с общим эмиттером емкость К-Б оказывает влияние на базу в β раз. Почему это так? Усилитель с общим эмиттером инвертирует сигнал, проходящий от базы к эмиттеру. Инвертированный сигнал коллектора, подаваемый назад на базу, противодействует входному сигналу. Сигнал на коллекторе в β раз больше входного сигнала. Для PN2222A β=50–300. Таким образом, емкость К-Б 9 пФ выглядит так: от 9 · 50 = 450 пФ до 9 · 300 = 2700 пФ.

Решение проблемы с емкостью перехода для широкополосных приложений заключается в выборе высокочастотного транзистора – RF (радиочастотного) или СВЧ транзистора. Полоса пропускания может быть дополнительно расширена за счет использования схемы с общей базой, вместо схемы с общим эмиттером. Заземленная база защищает входной эмиттер от емкостной обратной связи с коллектора. Каскодная схема из двух транзисторов будет обеспечивать такую же полосу пропускания, как и схема с общей базой, но уже с более высоким входным импедансом схемы с общим эмиттером.

Модификации транзистора 2N3904

Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (f_T, С_obo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.

Модель	Тип корпуса	P_C	Другие параметры	Производитель
2N3904	TO-92	0,625	T_j = от -55°C до +150°C	Motorola
2N3904 S	SOT-23	0,35	T_j = от -55°C до +150°C	KEC (Korea Electronics)
2N3904 E	ESM	0,1
2N3904 U	USM
2N3904 V	VSM
2N3904 S	SOT-23	0,225	FS (First Silicon)
2N3904 U	SOT-323	0,15
2N3904 N	TO-92N	0,4	AUK Semiconductor
MMBT 3904	SOT-23	0,35	Fairchild Semiconductor
PZT 3904	SOT-223	1
2N3904 – T18	TO-18	0,31	T_j = от -63°C до +200°C	SEME LAB

Замена импортных транзисторов отечественными

Аналоги и возможные замены
Тип	Аналог	Возможная замена	Примечания
MJEF34		КТ816	Любой мощный рпр-транзистор с максимальным током коллектора большим 3 А
TIP42		КТ816
2SK58		КПС315А, Б
2N5911		Обычные ПТ
U441		КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12; КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е
U444		КП303Д, Е; КП307Г, Д;КП312; КП323,КП329; КП341;КП364Д, Е
MPF102		КП303Д, Е	В этой схеме можно применить любой высокочастотный полевой транзистор с каналом ri-типа и изоляцией рп-переходом. При наладке схемы может понадобиться подобрать резисторы в цепях затворов и/или истоков. Предпочтение следует отдавать транзисторам с наибольшим и начальными токами стока, малым пороговым напряжением и уровнем шума на ВЧ
MPS3866		КТ368	В этой схеме можно применить любой высокочастотный биполярный прп-транзистор. Предпочтение следует отдавать транзисторам с малым уровнем шума на ВЧ
25139	КП327А,В	КП346А-9; КП382А
1N754		КС162
1N757A		КС182
2N3563		КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е
2N3565		КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е
2N3569		КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е
BFR90	КТ3198А	КТ371А, КТ3190А
MPS3866	КТ939А
MRF557		КТ948; КТ996Б-2;КТ9141; КТ9143;КТ919; КТ938
MRF837		КТ634; КТ640; КТ657Б-2
MV2101		KB102; KB107А,В
2N4401	КТ6103	КТ504
2N4403	КТ6102, КТ6116	КТ505
ВС547В	КТ3102
ВС549С	КТ3102
ВС557В	KТ3107
BD139	КТ815
BD140	КТ814
2N5771	КТ363АМ
ВС548	КТ3102
ВС557	КТ3107
TIP111	КТ716
TIP116	КТ852
TIP33B	КТ865
TIP34B	КТ864
2SC2092		КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120
MRF475		КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120
40673		КП350, КП306,КП327, КП347,КП382
2N4124	КТ3102Д
J309		КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12, КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е
MPS2907	КТ313
2N3414		КТ645
2N4403	КТ6102, КТ6116	КТ505
3055Т	КТ8150А
ВС517		КТ972
IRF9Z30		КП944
TIP125	КТ853, КТ8115
BS250P		КП944
2N3391A		КТ3102	Любые маломощные с большим h_2fe
BC184L		КТ3102	Любые маломощные с большим h_2fe
ВС547В		КТ3102
BUZ11		КП150
IRFL9110		КП944
2N4401	КТ6103, КТ6117	КТ504
2N4403	КТ6102, КТ6116	КТ505
ВС109С		КТ342
ВС237		КТ3102
ВС547		КТЗ102, КТ645А
2N4401	КТ6103, КТ6117	КТ504
2N4403	КТ6102, КТ6116	КТ505
MPS А18		КТ342Б, Д
2N3704		КТ685
2N4393		КП302ГМ
2N5401		КТ6116А
ВС487		КТ342Б, Д; КТ630Е
IRFZ44	КП723А
MPS2907	КТ313	КТ3107
MPSА14		КТ685
MPSA64		КТ973
2N2222	КТ3117Б	КТ315
2N3904	КТ6137А	КТ815
2N3906	КТ6136А
ECG-187	ГТ906А
FPT-100			фототранзистор
HRF-511	КП904
TIL 414			фототранзистор

Нужно заменить диод или стабилитрон? — аналоги и замены диодов и полупроводников.

Характеристики КТ815

Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815

Наименование	U КБ , В	U КЭ , В	I K , мА	Р К , Вт	h21 э	I КБ , мА	f, МГц	U КЭ , В.
КТ815А	40	30	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815Б	50	45	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815В	70	65	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815Г	100	85	1500(3000)	1(10)	30-275	≤50	≥ 3	<0,6

Обозначения из таблицы читаются следующим образом:

U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
I КБ — обратный ток вывода коллектора.
f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.

Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:

Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.

Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.

Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.

Поиск транзистора для замены на сайте alltransistors.com

Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors.com:

Bipolar Transistor Cross-Reference Search (для биполярных транзисторов);
MOSFET Cross-Reference Search (для полевых транзисторов).

Ниже приведен пример поиска замены для транзистора NTE53.

Информация по транзистору была найдена на сайте www.weisd.com, там указано что 458-056 NTE Equivalent NTE53 — это высоковольтный быстродействующий кремниевый транзистор NPN-структуры в корпусе TO3 (NTE Electronics Inc). Используется в переключающих устройствах, где нужно высокое быстродействие.

Даташит: 458-056 NTE Equivalent NTE53.

Максимальные параметры транзистора из даташита:

Напряжение Коллектор-Эмиттер: 400В (максимум 800В);
Напряжение Эмиттер-База: 9В;
Продолжительный ток Коллектора: 15А;
Пиковый ток Коллектора: 30А;
Рассеиваемая транзистором мощность: 175Ватт.

Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE53:

После отправки формы было получено 15 результатов:

Type	Struct	Uce	Ueb	Ic	Ft	Hfe	Caps
2SC3224	NPN			30		120	TO3
2SD1287	NPN			30		300	TO3
2SD434	NPN		10	20		60	TO3
2SD435	NPN		10	20		60	TO3
2SD436	NPN		10	20		60	TO3
2SD815	NPN			30		300	TO3A1
2T7067A	NPN			20			TO3
2T7067B	NPN			20			TO3
ET10015	NPN			50			TO3
ET10016	NPN			50			TO3
ET10020	NPN			60			TO3
ET10021	NPN			60			TO3
ET6060	NPN			20			TO3
ET6061	NPN			20			TO3
ET6062	NPN			20			TO3

В зависимости о того в каком устройстве используется транзистор NTE53, нужно пересмотреть даташиты на все найденные транзисторы для замены и выбрать подходящий по быстродействию (если это параметр критичен там где будет использоваться транзистор).

Подготовлено редакцией сайта RadioStorage.net .

Электрические характеристики

Обозначение	Параметр	Условия измерения	Мин.	Тип.	Макс.	Ед.изм.
BV_CBO	Напряжение пробоя коллектор-база	I_C= -100 µA, I_E=0	-50			V
BV_CEO	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	I_C= -10mA, I_B=0	-50			V
BV_EBO	Напряжение пробоя эмиттер-база	I_E= -10 µA, I_C=0	-5			V
I_CBO	Ток отсечки коллектора	V_CB= -50V, I_E=0			-0.1	µA
I_EBO	Ток отсечки эмиттера	V_EB= -5V, I_C=0			-0.1	µA
h_FE1h_FE2	Коэффициент усиления по постоянному току	V_CE= -6V, I_C= -2mA V_CE= -6V, I_C= -150mA	70 25		400
V_{CE (sat)}	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	I_C= -100mA, I_B= -10mA		-0.1	-0.3	V
V_{BE (sat)}	Напряжение насыщения база-эмиттер	I_C= -100mA, I_B= -10mA			-1.1	V
f_T	Частотная эффективность	V_CE= -10V, I_C=-1mA	80			MHz
C_ob	Выходное сопротивление	V_CB= -10V, I_E=0, f=1MHz		4	7	pF
NF	Уровень шумов	V_CE= -6V, I_C= -0.1mA f=100Hz, R_G=10kΩ		0.5	6	dB

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре воздуха 25°C.

Недостатки

Какие недостатки есть у импульсных реле? Некоторые модели
отдельных производителей чувствительны к перепадам напряжения.

Чем это чревато? А тем, что свет на некоторых лампах у вас будет включаться и выключаться самопроизвольно при нестабильном напряжении.

Еще многих раздражает постоянное клацанье и щелчки при работе реле. Особенно этим грешат эл.механические разновидности. Они состоят из рычажной и контактной системы, катушки, плюс пружины.

Отличить их можно по рычагу с лицевой стороны. С его
помощью реле вручную переводится из одного положения в другое.

В электронные встроена плата с микроконтроллером. В них
клацать особо нечему, и они менее шумны.

Чтобы было меньше проблем, выбирайте реле от известных и давно зарекомендовавших себя брендов. Таких как — ABB (E-290), Schneider Electric (Acti 9iTL), F&F (Biss) или отечественный Меандр (РИО-1 и РИО-2).

У ABB очень большой выбор по добавлению к основной модели E290 всяких накладок и дополнительных «плюшек».

У Меандр РИО-2 есть полезная функция для работы с обычными одноклавишными выключателями.

Для этого данную релюшку нужно перевести в режим №2 и к каждому из входов Y, Y1 и Y2 подключить свой выключатель света (всего 3шт).

В итоге вы получите режим работы перекрестных выключателей на основе обычных одноклавишников. При нажатии любого из них (вкл или выкл), будет изменяться выход и переключаться контакты на самом реле, зажигая или гася лампочку.

Цоколёвка и маркировка КТ815

Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.

Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.

На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.

Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.