Способы проверки irfz44n
Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.
Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.
Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.
Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.
У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.
По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.
Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.
irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.
Основные характеристики
Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):
- Максимальное напряжение стока-истока (V DSS) — 55 В;
- Максимальный ток стока (I D) — 49 A;
- Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — 5 мОм;
- Рассеиваемая мощность (P D) — 94 Вт
Максимальные значения
Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.
Тепловые параметры
Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.
Электрические параметры
Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят номинальные электрические характеристики. У IRFZ44N электрические характеристики, при Tj= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.
Основные технические характеристики
Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:
- Тип проводимости транзистора NPN;
- Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
- Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
- Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
- Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
- Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
- Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandw >
Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга
Аналоги и описание
Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.
- Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
- Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
- Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
- Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.
Применение
Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:
Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.
КТ315 — аналоги отечественные и зарубежные
Но так как главной темой статьи является не КТ315 — аналоги для этого транзистора, то следует уже уделить внимание и основной теме. Итак, вот список аналогов:
- Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления. Если сравнивать с КТ315, аналог зарубежный довольно дорогой. Но он имеет то преимущество, что при пайке и перепайке не так быстро выходит из строя (что не в последнюю очередь благодаря его увеличенной и укреплённой конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность — 0,25. На направление «коллектор-база» может подаваться до 50 Вольт. На коллектор-эмиттер — до 45 Вольт. Максимальное напряжение для направления эмиттер-база составляет 6 Вольт. Коллекторный переход имеет ёмкость 8. Предельная температура перехода составляет 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока — 200.
- Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены. Значение максимальной рассеиваемой мощности составляет 0,18. Максимально допустимое напряжение на коллектор-базу и коллектор-эмиттер — 40 Вольт. Эмиттер-база — всего 6 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 8. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока — 90.
- Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что он для КТ315 — аналог отечественный будет неверно, ведь исторически так сложилось, что подобные детали изготавливались одного вида, который соответствует всем необходимым запросам и может выполнить возложенные на него функции. Дело в том, что просто КТ3102 не существует, обязательно вслед идёт ещё одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Более детальную информацию вы сможете получить, просматривая каждый транзистор. Отечественная разработка является усовершенствованным КТ315. Аналог в этом случае — слово не совсем уместное, скорее, усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 составляет 0,25. На коллектор-базу может подаваться максимальное напряжение в 20-50 Вольт. Максимальное напряжение, которое можно подавать на коллектор-эмиттер, тоже составляет 20-50 Вольт. Максимальное напряжение на эмиттер-базу составляет 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода равняется 6. Предельная температура перехода — 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока равняется 100.
- Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность — 0,1. Напряжение на направлении коллектор — база не должно превышать 40 Вольт. Максимальное напряжение на направлении коллектор — эмиттер не должно быть больше 15 Вольт. Для направления эмиттер — база это значение не должно превышать 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 6 единиц. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока равен 35.
Область применения транзисторов 13001
Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.
- сетевые адаптеры мобильных устройств;
- электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
- электронные трансформаторы;
- другие импульсные устройства.
Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.
Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.
На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.
Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем
При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:
- этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
- собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
- заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.
Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки
Смотрите это видео на YouTube
Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.
Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007
Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142
Как работает транзистор и где используется?
Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность
Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора
Описание характеристик, назначение выводов и примеры схем включения линейного стабилизатора напряжения LM317
Преимущества полевых транзисторов
Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.
Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.
Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.
С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.
Datasheet Download — MCC
| Номер произв | MPSA44 | ||
| Описание | NPN Silicon High Voltage Transistor | ||
| Производители | MCC | ||
| логотип | |||
|
1Page
MCC omponents 21201 Itasca Street Chatsworth !»# l Through Hole Package l 150oC Junction Temperature Pin Configuration l Case: TO-92, Molded Plastic l Marking: A44 www.DataSheet4U.com Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified Charateristic Power Dissipation@TA=25oC Power Dissipation@TC=25oC Thermal Resistance, Junction to VCEO VCBO VEBO IC Pd Pd Value mW/oC W mW/oC RqJA 200 oC/W RqJC 83.3 oC/W Tj, TSTG -55~150 oC MPSA44
MPSA44 MCC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Collector–Emitter Breakdown Voltage(1) (IC = 1.0 mAdc, IB = 0) Collector–Base Breakdown Voltage (IC = 100 mAdc, IE = 0) Emitter–Base Breakdown Voltage (IE = 100 mAdc, IC = 0) Collector Cutoff Current (VCB = 300 Vdc, IE = 0) Emitter Cutoff Current (VEB = 4.0 Vdc, IC = 0) ON CHARACTERISTICS(1) DC Current Gain(1) (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc) (IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc) (IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc) Collector–Emitter Saturation Voltage(1) (IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc) (IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc) Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc) SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS (VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) Input Capacitance (VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz) Small–Signal Current Gain (IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz) 1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%. Symbol V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO ICBO IEBO 400 0.1 µAdc 0.1 µAdc hFE VCE(sat) VBE(sat) 70 Cobo — Cibo — 130 pF hfe 1.0 — — www.mccsemi.com
MPSA44 MCC TA = 125°C 25°C VCE = 10 V -55°C 5.0 10 20 IC, COLLECTOR CURRENT (mA) Figure 1. DC Current Gain 0.4 IC = 1.0 mA 0.3 IC = 10 mA IC = 50 mA TA = 25°C 0.1 10 30 IB, BASE CURRENT (µA) 10 k TA = 25°C 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.6 VBE(on) @ VCE = 10 V 0.4 0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 10 0.1 0.3 IC, COLLECTOR CURRENT (mA) Figure 3. “On” Voltages 100 TA = 25°C 1.0 ms 100 µs TC = 25°C 1.0 s 10 CURRENT LIMIT THERMAL LIMIT 2.0 VALID FOR DUTY CYCLE ≤ 10% 1.0 VCE, COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS) 200 Cib 50 10 Cob 5.0 TA = 25°C f = 1.0 MHz |
|||
| Всего страниц | 3 Pages | ||
| Скачать PDF |
Графические данные характеристик
Рис 1. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 25 °C.
Рис 2. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 175 °C.
Рис 3. Передаточная характеристика полевого транзистора.
Рис 4. Зависимость сопротивления при открытом канале от температуры.
Рис 5. Зависимость величины паразитных емкостей от напряжения питания схемы.
Рис 6. Зависимость падения напряжения на внутреннем диоде от тока стока и температуры.
Рис 7. Зона безопасной работы в открытом состоянии в зависимости от длительности и значениях напряжения и тока на стоке.
Модификации транзистора
| Тип | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Tj | Cd | Id | Qg | Rds | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ44N | 83 W | 55 V | 10 V | 4 V | 175 °C | 41 A | 62 nC | 0.024 Ohm | TO-220AB | |
| AUIRFZ44N | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-220AB | |
| AUIRFZ44NL | 94 W | 55 V | 20 V | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-262 | |||
| AUIRFZ44NS | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | D2PAK | |
| IRFZ44NL | 110 W | 55 V | 10 V | 4 V | 150 °C | 49 A | 42 nC | 0.022 Ohm | TO-262 | |
| IRFZ44NLPBF | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 360 pf | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-262 |
| IRFZ44NPBF | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 360 pf | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-220AB |
| IRFZ44NS | 110 W | 55 V | 10 V | 4 V | 150 °C | 49 A | 42 nC | 0.022 Ohm | D2PAK | |
| IRFZ44NSPBF | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 360 pf | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-263 |
| LIRFZ44N | 94 W | 55 V | 20 V | 175 °C | 360 pf | 49 A | 0.0175 Ohm | TO-220 |
Примечания:
- Pd — Максимальная рассеиваемая мощность.
- Uds — Предельно допустимое напряжение сток-исток.
- Ugs — Предельно допустимое напряжение затвор-исток.
- Ugs(th) — Пороговое напряжение включения.
- Tj — Максимальная температура канала.
- Cd — Выходная емкость.
- Id — Максимально допустимый постоянный ток стока.
- Qg — Общий заряд затвора.
- Rds — Сопротивление сток-исток открытого транзистора.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока – от 8.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 300 В.
Максимальный ток коллектора – 1,5 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А – 1в.
Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А – – не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора – около 40 Вт(на радиаторе).
Граничная частота передачи тока – 4 МГц.
Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 15 в – не более 1 мА.
Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 9 в – не более 1 мА.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Юмор: Вскрытие неизбежно – здоровый образ жизни лишь отсрочит его. Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 8050.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 8050 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор 8050 транзистором 2SC1166; транзистором 2SC1213A; транзистором КТ630Г; транзистором SS8050; Коллективный разум.дата записи: 2015-02-07 15:32:40 дата записи: 2016-01-02 14:07:49 дата записи: 2016-05-24 08:28:57 S8550 – комплементарная пара; дата записи: 2017-04-01 23:42:34 Добавить аналог транзистора 8050.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 8050? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество. |
Безопасность при эксплуатации полевых транзисторов
Все варианты полевиков, не важно, имеют они p-n переходы, или это МОП-варианты, сильно подвержены влиянию перегрузок электричеством на затворах. Прежде всего, это относится к электростатике, которая накапливается в организме людей и устройствах для измерения разных величин
В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы. Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима.
Желательно провести заземление измерительной и паяльной аппаратуры. Сегодня это происходит в автоматическом режиме с помощью розеток европейского типа, так как они оснащены заземляющими проводниками.
