Температурный дрейф
Температура влияет на характеристики транзисторов по постоянному и переменному току. Двумя аспектами этой проблемы являются изменение температуры окружающей среды и самонагревание. Некоторые приложения, например, военные и автомобильные, требуют работы в расширенном температурном диапазоне. В благоприятной же среде схемы подвергаются самонагреванию, в частности высоковольтные схемы.
Ток утечки IК0 и коэффициент β увеличиваются с ростом температуры. Коэффициент β по постоянному току hFE возрастает экспоненциально. Коэффициент β по переменному току hfe увеличивается, но не так быстро. При повышении температуры от -55°C до 85°C он удваивается. По мере увеличения температуры увеличение hfe даст больший выходной сигнал в схеме с общим эмиттером, который в крайних случаях будет ограничен (отсечен). Увеличение hFE сдвигает точку смещения, приводя к возможному отсечению пиков на одной из полуволн. В многокаскадных усилителях с прямой связью сдвиг точки смещения усиливается. Решением этой проблемы является использование отрицательной обратной связи для стабилизации точки смещения. Это также стабилизирует и коэффициент усиления по переменному току.
Повышение температуры на рисунке ниже (a) приведет к уменьшению VБЭ от номинальных 0,7 В для кремниевых транзисторов. Уменьшение VБЭ увеличивает ток коллектора в усилителе с общим эмиттером, что дополнительно приводит к сдвигу точки смещения. Лекарством от смещения VБЭ является использование пары транзисторов, собранных в схему дифференциального усилителя. Если оба транзистора на рисунке ниже (b) имеют одинаковую температуру, VБЭ будет отслеживать изменение температуры и компенсировать его.
(a) односторонний усилитель с общим эмиттером и (b) дифференциальный усилитель с компенсацией изменений VБЭ
Рекомендуемая максимальная температура перехода для кремниевых устройств часто составляет 125°C. Хотя для повышения надежности, работать необходимо при более низких температурах. Транзистор прекращает работать при температуре выше 150°C. Транзисторы из карбида кремния и алмазные транзисторы будут работать при значительно более высоких температурах.
Цоколёвка и маркировка КТ815
Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.
Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.
На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.
Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.
Графические данные
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера в области сверхмалых и номинальных значений.
Представленные графики отражают зависимость изменения коэффициента передачи тока транзистора КТ3102 от тока эмиттера во всем диапазоне допустимых значений. В области сверхмалых токов эмиттера, величина которых не превышает 2мкА, h 21Е ниже номинальных значений в 5-10 раз. По мере перехода транзистора в режим работы с эмиттерным током, характерным для усилительных схем, коэффициент передачи тока приобретает достаточно линейный характер. Дальнейшее нарастание тока эмиттера и достижение значений близких к предельно допустимым вызывает падение h 21Е на 30-40%.
Анализ графика позволяет сделать вывод, что транзистор рекомендуется для работы в усилительных устройствах в области допустимых электрических параметров.
Маркировка биполярный SMD транзисторов
| Обозначение на корпусе | Тип транзистора | Условный аналог |
| 15 | MMBT3960 | 2N3960 |
| 1A | BC846A | BC546A |
| 1B | BC846B | BC546B |
| 1C | MMBTA20 | MPSA20 |
| 1D | BC846 | — |
| 1E | BC847A | BC547A |
| 1F | BC847B | BC547B |
| 1G | BC847C | BC547C |
| 1H | BC847 | — |
| 1J | BC848A | BC548A |
| 1K | BC848B | BC548B |
| 1L | BC848C | BC548C |
| 1M | BC848 | — |
| 1P | FMMT2222A | 2N2222A |
| 1T | MMBT3960A | 2N3960A |
| 1X | MMBT930 | — |
| 1Y | MMBT3903 | 2N3903 |
| 2A | FMMT3906 | 2N3906 |
| 2B | BC849B | BC549B |
| 2C | BC849C | BC549C / BC109C / MMBTA70 |
| 2E | FMMTA93 | — |
| 2F | BC850B | BC550B |
| 2G | BC850C | BC550C |
| 2J | MMBT3640 | 2N3640 |
| 2K | MMBT8598 | — |
| 2M | MMBT404 | — |
| 2N | MMBT404A | — |
| 2T | MMBT4403 | 2N4403 |
| 2W | MMBT8599 | — |
| 2X | MMBT4401 | 2N4401 |
| 3A | BC856A | BC556A |
| 3B | BC856B | BC556B |
| 3D | BC856 | — |
| 3E | BC857A | BC557A |
| 3F | BC857B | BC557B |
| 3G | BC857C | BC557C |
| 3J | BC858A | BC558A |
| 3K | BC858B | BC558B |
| 3L | BC858C | BC558C |
| 3S | MMBT5551 | — |
| 4A | BC859A | BC559A |
| 4B | BC859B | BC559B |
| 4C | BC859C | BC559C |
| 4E | BC860A | BC560A |
| 4F | BC860B | BC560B |
| 4G | BC860C | BC560C |
| 4J | FMMT38A | — |
| 449 | FMMT449 | — |
| 489 | FMMT489 | — |
| 491 | FMMT491 | — |
| 493 | FMMT493 | — |
| 5A | BC807-16 | BC327-16 |
| 5B | BC807-25 | BC327-25 |
| 5C | BC807-40 | BC327-40 |
| 5E | BC808-16 | BC328-16 |
| 5F | BC808-25 | BC328-25 |
| 5G | BC808-40 | BC328-40 |
| 549 | FMMT549 | — |
| 589 | FMMT589 | — |
| 591 | FMMT591 | — |
| 593 | FMMT593 | — |
| 6A | BC817-16 | BC337-16 |
| 6B | BC817-25 | BC337-25 |
| 6C | BC817-40 | BC337-40 |
| 6E | BC818-16 | BC338-16 |
| 6F | BC818-25 | BC338-25 |
| 6G | BC818-40 | BC338-40 |
| 9 | BC849BLT1 | — |
| AA | BCW60A | BC636 / BCW60A |
| AB | BCW60B | — |
| AC | BCW60C | BC548B |
| AD | BCW60D | — |
| AE | BCX52 | — |
| AG | BCX70G | — |
| AH | BCX70H | — |
| AJ | BCX70J | — |
| AK | BCX70K | — |
| AL | MMBTA55 | — |
| AM | BSS64 | 2N3638 |
| AS1 | BST50 | BSR50 |
| B2 | BSV52 | 2N2369A |
| BA | BCW61A | BC635 |
| BB | BCW61B | — |
| BC | BCW61C | — |
| BD | BCW61D | — |
| BE | BCX55 | — |
| BG | BCX71G | — |
| BH | BCX71H | BC639 |
| BJ | BCX71J | — |
| BK | BCX71K | — |
| BN | MMBT3638A | 2N3638A |
| BR2 | BSR31 | 2N4031 |
| C1 | BCW29 | — |
| C2 | BCW30 | BC178B / BC558B |
| C5 | MMBA811C5 | — |
| C6 | MMBA811C6 | — |
| C7 | BCF29 | — |
| C8 | BCF30 | — |
| CE | BSS79B | — |
| CEC | BC869 | BC369 |
| CF | BSS79C | — |
| CH | BSS82B / BSS80B | — |
| CJ | BSS80C | — |
| CM | BSS82C | — |
| D1 | BCW31 | BC108A / BC548A |
| D2 | BCW32 | BC108A / BC548A |
| D3 | BCW33 | BC108C / BC548C |
| D6 | MMBC1622D6 | — |
| D7 | BCF32 | — |
| D8 | BCF33 | BC549C / BCY58 / MMBC1622D8 |
| DA | BCW67A | — |
| DB | BCW67B | — |
| DC | BCW67C | — |
| DE | BFN18 | — |
| DF | BCW68F | — |
| DG | BCW68G | — |
| DH | BCW68H | — |
| E1 | BFS17 | BFY90 / BFW92 |
| EA | BCW65A | — |
| EB | BCW65B | — |
| EC | BCW65C | — |
| ED | BCW65C | — |
| EF | BCW66F | — |
| EG | BCW66G | — |
| EH | BCW66H | — |
| F1 | MMBC1009F1 | — |
| F3 | MMBC1009F3 | — |
| FA | BFQ17 | BFW16A |
| FD | BCV26 | MPSA64 |
| FE | BCV46 | MPSA77 |
| FF | BCV27 | MPSA14 |
| FG | BCV47 | MPSA27 |
| GF | BFR92P | — |
| H1 | BCW69 | — |
| H2 | BCW70 | BC557B |
| H3 | BCW89 | — |
| H7 | BCF70 | — |
| K1 | BCW71 | BC547A |
| K2 | BCW72 | BC547B |
| K3 | BCW81 | — |
| K4 | BCW71R | — |
| K7 | BCV71 | — |
| K8 | BCV72 | — |
| K9 | BCF81 | — |
| L1 | BSS65 | — |
| L2 | BSS70 | — |
| L3 | MMBC1323L3 | — |
| L4 | MMBC1623L4 | — |
| L5 | MMBC1623L5 | — |
| L6 | MMBC1623L6 | — |
| L7 | MMBC1623L7 | — |
| M3 | MMBA812M3 | — |
| M4 | MMBA812M4 | — |
| M5 | MMBA812M5 | — |
| M6 | BSR58 / MMBA812M6 | 2N4858 |
| M7 | MMBA812M7 | — |
| O2 | BST82 | — |
| P1 | BFR92 | BFR90 |
| P2 | BFR92A | BFR90 |
| P5 | FMMT2369A | 2N2369A |
| Q3 | MMBC1321Q3 | — |
| Q4 | MMBC1321Q4 | — |
| Q5 | MMBC1321Q5 | — |
| R1 | BFR93 | BFR91 |
| R2 | BFR93A | BFR91 |
| S1A | SMBT3904 | — |
| S1D | SMBTA42 | — |
| S2 | MMBA813S2 | — |
| S2A | SMBT3906 | — |
| S2D | SMBTA92 | — |
| S2F | SMBT2907A | — |
| S3 | MMBA813S3 | — |
| S4 | MMBA813S4 | — |
| T1 | BCX17 | BC327 |
| T2 | BCX18 | — |
| T7 | BSR15 | 2N2907A |
| T8 | BSR16 | 2N2907A |
| U1 | BCX19 | BC337 |
| U2 | BCX20 | — |
| U7 | BSR13 | 2N2222A |
| U8 | BSR14 | 2N2222A |
| U9 | BSR17 | — |
| U92 | BSR17A | 2N3904 |
| Z2V | FMMTA64 | — |
| ZD | MMBT4125 | 2N4125 |
Таблица предельных значений
Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.
Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.
| Обозначение | Параметр | Величина | Ед.изм. |
|---|---|---|---|
| Uкб max | Напряжение коллектор-база | 20…50 | В |
| Uкэ max | Напряжение коллектоp-эмиттеp (Rбэ=10кОм) | 20…50 | В |
| Uэб max | Напряжение эмиттер-база | 5 | В |
| Iк max | Постоянный ток коллектора | 200 | мА |
| Iк имп max | Импульсный ток коллектора (tu 500) | 250 | мА |
| Pк max | Рассеиваемая мощность коллектора | 250 | мВт |
| Tj | Температура перехода | 125 | °C |
Технические характеристики
Теперь рассмотрим технические характеристики транзисторов серии КТ3102. Начнём с максимально допустимых, как критически важных. Они измерялись при стандартной температуре 25°С:
- разность потенциалов К-Б:
- КТ3102А, КТ3102Б – 50 В;
- КТ3102В, КТ3102Д – 30 В
- разность потенциалов К-Э:
- КТ3102А, КТ3102Б – 50 В;
- КТ3102В, КТ3102Д – 30 В
- разность потенциалов Э-Б – 5 В;
- ток через коллектор – 100 мА;
- кратковременный ток через коллектор (время импульса не более 40 мкс) – 200 мА;
- мощность – 250 мВт;
- т-ра при которой транзистор может нормально функционировать от -40 до +85 °С.
После предельных ознакомимся также с электрическими параметрами. Они важны, так как от них зависят возможности КТ3102. Измерялись при той же стандартной температуре, а остальные условия тестирования приведены в отдельном столбце таблицы.
| Электрические характеристики транзистора КТ3102 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы тестирования | Тр-р | min | typ | max | Ед. изм |
| Статический к-т усиления в схеме ОЭ | UКБ = 5 В, IЭ = 2 мА,
Т = +25°С |
КТ3102А | 100 | 250 | ||
| КТ3102Б, В, Д | 200 | 500 | ||||
| UКБ = 5 В, IЭ = 2 мА,
Т = -40°С |
КТ3102А | 25 | 250 | |||
| КТ3102Б, В, Д | 50 | 500 | ||||
| UКБ = 5 В, IЭ = 2мА,
Т = +85°С |
КТ3102А | 100 | ||||
| КТ3102Б, В, Д | 200 | |||||
| Граничная частота | UКБ = 5 В, IЭ = 10 мА | ВСЕ | 300 | МГц | ||
| К-т шума | UКБ = 5 В, IЭ = 0,2 мА
F = 1кГц, RГ = 2кОм |
КТ3102А, Б, В | 5 | 10 | дБ | |
| КТ3102Д | 2,5 | 4 | ||||
| Граничная разность потенциалов | IБ = 0 В, IЭ = 10 мА | КТ3102А, Б | 30 | В | ||
| КТ3102В, Д | 20 | |||||
| Обратный ток К-Э | UКЭ = 50 В | КТ3102А, Б | 0,1 | мкА | ||
| UКЭ = 30 В | КТ3102В, Д | 0,05 | ||||
| Обратный ток через К | Т = +25°С | КТ3102А, Б | 0,1 | мкА | ||
| Т = -40°С | 0,05 | |||||
| Т = +85°С | 5 | |||||
| Т = +25°С | КТ3102В, Д | 0,05 | ||||
| Т = -40°С | 0,015 | |||||
| Т = +85°С | 5 | |||||
| Обратный ток через Э | UЭБ = 5 В | ВСЕ | 10 | мкА | ||
| Ёмкость на коллекторе | UКБ = 5 В | ВСЕ | 6 | пФ |
Зарубежные и отечественные аналоги транзистора КТ3102
Наиболее часто для замены КТ3102 используют элементы, приведенные в таблице 1.
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| КТ3102 | 50 | 0,2 | 0,25 | 100 | 100 |
| Отечественный | |||||
| КТ611Б | 180 | 0,1 | 3 | 30 | 60 |
| КТ315Б | 20 | 0,1 | 0,15 | 50 | 250 |
| КТ315Г | 35 | 0,1 | 0,15 | 50 | 250 |
| КТ315Е | 35 | 0,1 | 0,15 | 50 | 250 |
| Импорт | |||||
| BC174 | 64 | 0,1 | 0,3 | 125 | 100 |
| 2SA2785 | |||||
| BC546 | 80 | 0,1 | 0,5 | 110 | 300 |
| BC547 | 50 | 0,1 | 0,5 | 110 | 300 |
| BC548 | 30 | 0,1 | 0,5 | 110 | 300 |
| BC549 | 30 | 0,1 | 0,5 | 110 | 200 |
| BC182 | 50 | 0,2 | 0,3 | 120 | 150 |
Таблица 1
Таблица 2 включает перечень элементов, схожих по электрическим параметрам, транзистору КТ3102 конкретной категории.
| Группа | Аналоги | |
|---|---|---|
| Импорт | Отечественные | |
| КТ3102АМ | 2N4123, 2SC1815O, 2SC945O, 2SC945R, BC107AP, BC107АP, BC182A, BC183A, BC237A, BC238A, BC317, BC547A, BC548A, BC550A, BCY59-VII, BCY65-VII, MPS3709, SS9014A | КТ6111А |
| КТ3102БМ | 2N2483 , 2N5210, 2SC1000GTM, 2SC1815, 2SC1815BL, 2SC1815GR, 2SC1815L, 2SC1815Y, 2SC828A, 2SC945G, 2SC945L, 2SC945Y, BC107BP, BC182B, BC182C, BC183B, BC183C, BC184A, BC237B, BC237C, BC318, BC337, BC382B, BC452, BC546B, BC547B, BC547C, BC550B, BC550C, BCY56, BCY59-IX, BCY59-VIII, BCY65-IX, BCY65-VII, BCY79, MPSA09, PN1484, SF132E, SS9014B, SS9014C, SS9014D | КТ3102БМ, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3117Б, КТ6111Б, КТ6111В, КТ6111Г, КТ660А |
| КТ3102ВМ | 2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, 2SC828, BC108AP, BC108BP, BC238, BC238A, BC238B, BC238C, BC451, BC548A, BC548B, BC548C, BC549A, BC549B, BC549C, MPS3708, MPS3710, SF131E | |
| КТ3102ГМ | 2SC538, 2SC900, 2SC923, BC108CP, BC183C, BC238C, BC382C, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, SF131F, SF132F | |
| КТ3102ДМ | 2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, 2SC945, BC109BP, BC184A, BC239B, BC239C, BC383B, BC384B, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-X, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, PN1484 | |
| КТ3102ЕМ | 2N5088, 2N5089, 2N5210, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BC549C, BCY57, BFX65, MPS6516, MPS6517 | |
| КТ3102ЖМ | BC239B, MPS6518 | |
| КТ3102ИМ | BC109BP | |
| КТ3102КМ | BC109CP |
Таблица 2
Поиск транзистора для замены на сайте alltransistors.com
Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors.com:
- Bipolar Transistor Cross-Reference Search (для биполярных транзисторов);
- MOSFET Cross-Reference Search (для полевых транзисторов).
Ниже приведен пример поиска замены для транзистора NTE53.
Информация по транзистору была найдена на сайте www.weisd.com, там указано что 458-056 NTE Equivalent NTE53 — это высоковольтный быстродействующий кремниевый транзистор NPN-структуры в корпусе TO3 (NTE Electronics Inc). Используется в переключающих устройствах, где нужно высокое быстродействие.
Даташит: 458-056 NTE Equivalent NTE53.
Максимальные параметры транзистора из даташита:
- Напряжение Коллектор-Эмиттер: 400В (максимум 800В);
- Напряжение Эмиттер-База: 9В;
- Продолжительный ток Коллектора: 15А;
- Пиковый ток Коллектора: 30А;
- Рассеиваемая транзистором мощность: 175Ватт.
Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE53:
После отправки формы было получено 15 результатов:
| Type | Struct | Uce | Ueb | Ic | Ft | Hfe | Caps |
| 2SC3224 | NPN | 30 | 120 | TO3 | |||
| 2SD1287 | NPN | 30 | 300 | TO3 | |||
| 2SD434 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD435 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD436 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD815 | NPN | 30 | 300 | TO3A1 | |||
| 2T7067A | NPN | 20 | TO3 | ||||
| 2T7067B | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET10015 | NPN | 50 | TO3 | ||||
| ET10016 | NPN | 50 | TO3 | ||||
| ET10020 | NPN | 60 | TO3 | ||||
| ET10021 | NPN | 60 | TO3 | ||||
| ET6060 | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET6061 | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET6062 | NPN | 20 | TO3 |
В зависимости о того в каком устройстве используется транзистор NTE53, нужно пересмотреть даташиты на все найденные транзисторы для замены и выбрать подходящий по быстродействию (если это параметр критичен там где будет использоваться транзистор).
Подготовлено редакцией сайта RadioStorage.net .
Аналоги
Аналоги для любой серии КТ3102 нужно подбирать в зависимости от конкретного устройства, потому что они имеют разные буквенные индексы и отличаются по параметрам. Поэтому, возможную замену приведём в виде таблицы, в которой слева будет расположено наименование одного из транзисторов, а в правой его прототип.
| Транзистор | Аналог |
| КТ3102 | BC174, BC182 |
| КТ3102А | 2SC945, BC107AP, BC182A, BC237, BC547A, BC548A, BC550A, КТ6111А |
| КТ3102АМ | BC547A |
| КТ3102Б | BCY79, BC547C, 2N5210, 2SC945G, BC182B, BC107BP, BC546B, BC550B, BC237B, КТ6111Б, BC183B, BC183C, BC337, BC547B, 2SC1815, 2N2483 |
| КТ3102БМ | BC547B |
| КТ3102В | 2N3711, 2SC458, 2SC828, BC108, BC548, BC549, КТ373В |
| КТ3102ВМ | BC548B |
| КТ3102Г | 2SC538, BC547C, BC548C, |
| КТ3102Д | 2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC945, BC109, BC521, BC549A, BC549B, MPS6515 |
Нелинейность
Усилитель класса A с общим эмиттером управляется почти до отсечки, как показано на рисунке ниже
Обратите внимание, что верхушка положительной полуволны более плоская, чем у отрицательной. Для многих приложений, таких как усиление аудиосигнала высокого качества, такое искажение неприемлемо
Искажение большого сигнала в усилителе с общим эмиттером
Усилители малых сигналов относительно линейны, потому что они используют небольшой линейный участок характеристик транзистора. Усилители больших сигналов не являются стопроцентно линейными, поскольку характеристики транзистора, такие как коэффициент β, не постоянны, а меняются в зависимости от тока коллектора. Коэффициент β высок при низком токе коллектора и низок при очень низком или высоком токе коллектора. Хотя в первую очередь, мы сталкиваемся с уменьшением β при увеличении тока коллектора.
Список соединений SPICE для анализа переходных процессов и анализа Фурье:
Анализ Фурье показывает коэффициент нелинейных искажений (THD) 10%:
В листинге SPICE, приведенном выше, показано, как определить величину искажений. Команда “” сообщает SPICE о необходимости выполнения анализа Фурье на частоте 2000 Гц на выходе v(2). Командная строка “” выдает вывод анализа Фурье, который приведен выше. Он показывает, что коэффициент нелинейных искажений (THD, total harmonic distortion) составляет более 10%, и величину отдельных гармоник сигнала.
Частичным решением проблемы с этими искажениями является уменьшение тока коллектора или работа усилителя при большей нагрузке. Окончательным решением является применение отрицательной обратной связи. Смотрите раздел «Обратная связь».
Маркировка полевых SMD транзисторов
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
Температурное рассогласование (проблема с параллельными транзисторами)
Если два идентичных мощных транзистора включены параллельно для получения большей величины тока, можно было бы ожидать, что ток между ними будет распределяться одинаково. Но из-за различий в характеристиках транзисторов ток будет распределяться неодинаково.
Для транзисторов, включенных параллельно для получения большего тока, требуются балластные эмиттерные резисторы
На практике нецелесообразно выбирать идентичные транзисторы. Коэффициент β для транзисторов малых сигналов обычно находится в диапазоне 100–300, для мощных транзисторов: 20–50. Если бы они совпадали, то любой из них мог бы нагреваться сильнее других из-за условий окружающей среды. Более горячий транзистор потребляет больше тока, что приводит к тепловому разгону. Решение при параллельном использовании биполярных транзисторов состоит в добавлении эмиттерных резисторов, известных как балластные резисторы с сопротивлением менее ома. Если более горячий транзистор потребляет больше тока, падение напряжения на балластном резисторе увеличивает отрицательную обратную связь. Это уменьшает ток. Установка всех транзисторов на одном радиаторе также помогает выравнивать ток.
Маркировка (цветовая, кодовая)
Транзисторы КТ3102 до 1986 года, с корпусом КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. Цвет точки на верхнем торце корпуса, определяет модификацию:
- А – бордо;
- Б – желтый;
- В – зеленый;
- Г – голубой;
- Д – синий;
- Е – белый;
- Ж – коричневый;
- И – серебряный;
- К – оранжевый;
- Л(И) — светло-табачный;
- М(К) — серый.
Начиная с 1986 года начала использоваться стандатная маркировка — использование специальных символов. Для КТ3102 — белый прямоугольный треугольник, расположенный на передней части корпуса (слева сверху), обозначающий его модель (тип). Справа указывается групповая принадлежность, а в нижней части дата (год, месяц) выпуска.
Сегодня производители не используют различные символы в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора.
BC109 Datasheet (PDF)
..1. bc107 bc108 bc109 4.pdf Size:49K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D125BC107; BC108; BC109NPN general purpose transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC107; BC108; BC109FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max.
..2. bc107 bc108 bc109.pdf Size:49K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D125BC107; BC108; BC109NPN general purpose transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC107; BC108; BC109FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max.
..3. bc107 bc108 bc109.pdf Size:120K _central
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
..4. bc107 bc108 bc109 bc147 bc148 bc149.pdf Size:791K _aeg-telefunken
..5. bc107 bc108 bc109 a b c.pdf Size:142K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTORS BC107/A/B/CBC108/A/B/CBC109/A/B/CTO-18Metal Can PackageLow Noise General Purpose Audio AmplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL BC107 BC108 BC109 UNITVCEOCollector Emitter Voltage 45 25 V25VCBOCollector Base Voltage 50 30 V30VEBOEm
..6. bc107 bc108 bc109 bc167 bc168 bc169 bc237 bc238 bc239 bc317 bc318 bc319.pdf Size:228K _microelectronics
..7. bc109.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc General Purpose NPN Small Signal Transistor BC109DESCRIPTIONWith TO-18 package.High DC Current Gain-: h :200-800@ (V = 5V, I = 2mA)FE CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned For Low Noise General Purpose Amplifiers,Driver Stages and Signal Processing ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
0.1. bc107-bc108-bc109.pdf Size:100K _st
BC107BC108-BC109LOW NOISE GENERAL PURPOSE AUDIO AMPLIFIERSDESCRIPTIONThe BC107, BC108 and BC109 are silicon planarepitaxial NPN transistors in TO-18 metal case.Theyare suitable for use in driver stages, low noise inputstages and signal processing circuits of televisionreceivers. The complementary PNP types are re-spectively the BC177, BC178 and BC179.TO-18INTERNAL SCHEMATI
0.2. bc109dcsm.pdf Size:155K _semelab
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR BC109DCSM Dual Silicon Planar NPN Transistors Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) Each Side Total Device VCBO Collector Base Vol
Основные технические характеристики 2n5551
При температуре окружающей среды +25 градусов (°C), транзистор 2n5551 имеет следующие технические значения:
физические:
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, для транзистора MMBT5551 корпус SOT-23;
- материал корпуса – пластиковый корпус;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) (Si);
электрические:
- проводимость — обратной проводимости n-p-n;
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс. (Ic max) 600 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс (VCEmax) не более 160 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) U КБ макс. (VCBmax) не более 180 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс. (VЕВ max) не более 6 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft) от 100 до 300 МГц (MHz);
- максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0.05 мкА (µA), при U КБ макс. (VCBО ) = 120 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
- максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) IЭБО (IEBO) не более 0.05 мкА (µA), при U EБ макс. (VEBО ) = 4 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора IК (IС)=0);
- для ТО-92 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PKмакс. (PC) 0,625 Вт (Watt) или 625 мВт (mW);
- для SOT-23 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PKмакс. (PC) 0,350 Вт (Watt) или 350 мВт (mW);
- максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 55 до +150 °С;
Классификация по hFE
коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) находится в пределах от 80 до 250 hFE, при UКЭ макс. = 5 В (V) и IK макс. = 10 мА (mA).
Возможны небольшие отличия в характеристиках у разных производителей.
