Транзистор bc557: характеристики, аналоги, datasheet и цоколевка

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC556 – BC560 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.

Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A – от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B – от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C – от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.

Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 – BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.

BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +

В корзину

PNP транзистор общего применения

ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE

Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800

Общие ∙ Производитель Semtech

компенсационный стабилизатор напряжения

Принцип компенсационного стабилизатора на TL431 такой же как и на обычном стабилитроне: разность напряжений между входом и выходом компенсирует мощный биполярный транзистор. Но точность стабилизации получается выше, за счет того что обратная связь берется с выхода стабилизатора. Резистор R1 нужно рассчитывать на минимальный ток 5 мА, R2 и R3 рассчитываются, также как для параметрического стабилизатора.

Чтобы стабилизировать токи на уровне единиц и десятков Ампер одним транзистором в компенсационном стабилизаторе не обойтись, нужен промежуточный усилительный каскад. Оба транзистора работают по схеме с эмиттерного повторителя, т.е. происходит усиление тока, а напряжение не усиливается.
На рисунке представлена реальная схема компенсационного стабилизатора на TL431, в ней появились новые компоненты: резистор R2 ограничивающий ток базы VT1 (например 330 Ом), резистор R3 – компенсирующий обратный ток коллектора VT2 (что особенно актуально при нагреве VT2) (например 4,7 кОм) и конденсатор C1 – повышающий устойчивость работы стабилизатора на высоких частотах (например 0,01 мкФ).

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

Тип	Наименование ЭРЭ	Зарубежное название
A1	Полевой N-канальный транзистор	Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2	Двухзатворный N-канальный полевой транзистор	Tetrode, Dual-Gate
A3	Набор N-канальных полевых транзисторов	Double MOSFET Transistor Array
B1	Полевой Р-канальный транзистор	MOS, GaAs FET, P-Channel
D1	Один диод широкого применения	General Purpose, Switching, PIN-Diode
D2	Два диода широкого применения	Dual Diodes
D3	Три диода широкого применения	Triple Diodes
D4	Четыре диода широкого применения	Bridge, Quad Diodes
E1	Один импульсный диод	Rectifier Diode
E2	Два импульсных диода	Dual
E3	Три импульсных диода	Triple
E4	Четыре импульсных диода	Quad
F1	Один диод Шоттки	AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2	Два диода Шоттки	Dual
F3	Три диода Шоттки	Tripple
F4	Четыре диода Шоттки	Quad
K1	“Цифровой” транзистор NPN	Digital Transistor NPN
K2	Набор “цифровых” транзисторов NPN	Double Digital NPN Transistor Array
L1	“Цифровой” транзистор PNP	Digital Transistor PNP
L2	Набор “цифровых” транзисторов PNP	Double Digital PNP Transistor Array
L3	Набор “цифровых” транзисторов \| PNP, NPN	Double Digital PNP-NPN Transistor Array
N1	Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц)	AF-Transistor NPN
N2	Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц)	RF-Transistor NPN
N3	Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В)	High-Voltage Transistor NPN
N4	“Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000)	Darlington Transistor NPN
N5	Набор транзисторов NPN	Double Transistor Array NPN
N6	Малошумящий транзистор NPN	Low-Noise Transistor NPN
01	Операционный усилитель	Single Operational Amplifier
02	Компаратор	Single Differential Comparator
P1	Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц)	AF-Transistor PNP
P2	Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц)	RF-Transistor PNP
P3	Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В)	High-Voltage Transisnor PNP
P4	“Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000)	Darlington Transistor PNP
P5	Набор транзисторов PNP	Double Transistor Array PNP
P6	Набор транзисторов PNP, NPN	Double Transistor Array PNP-NPN
S1	Один сапрессор	Transient Voltage Suppressor (TVS)
S2	Два сапрессора	Dual
T1	Источник опорного напряжения	“Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2	Стабилизатор напряжения	Voltage Regulator
T3	Детектор напряжения	Voltage Detector
U1	Усилитель на полевых транзисторах	GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2	Усилитель биполярный NPN	Si-MMIC NPN, Amplifier
U3	Усилитель биполярный PNP	Si-MMIC PNP, Amplifier
V1	Один варикап (варактор)	Tuning Diode, Varactor
V2	Два варикапа (варактора)	Dual
Z1	Один стабилитрон	Zener Diode

Основные технические характеристики TL431:

напряжение анод-катод: 2,5…36 вольт;
ток анод-катод: 1…100 мА (если нужна стабильная работа, то не стоит допускать ток менее 5мА);

Точность опорного источника напряжения TL431 зависит от 6-той буквы в обозначении:

без буквы — 2%;
буква A — 1%;
буква B — 0,5%.

Видно, что TL431 может работать в широком диапазоне напряжений, но вот токовые способности не так велики всего 100 мА, да и мощность рассеиваемая такими корпусами не превышает сотен мили Ватт. Для получения более серьезных токов интегральный стабилитрон стоит использовать как источник опорного напряжения, регулирующую функцию доверив мощным транзисторам.

Простое зарядное устройство для литиевого аккумулятора.

Главное отличие зарядного устройства от блока питания – четкое ограничение зарядного тока. Следующая схема имеет два режима ограничения:

по току;
по напряжению;

Пока напряжение на выходе меньше 4,2 В ограничивается выходной ток, при достижении напряжением величины 4,2 В начинает ограничиватся напряжение и ток заряда снижается.
На следующей схеме ограничение тока осуществляют транзисторы VT1, VT2 и резисторы R1-R3. Резистор R1 выполняет функцию шунта, когда напряжение на нем превышает 0,6 В (порог открывания VT1), транзистор VT1 открывается и закрывает транзистор VT2. Из-за этого падает напряжение на базе VT3 он начинает закрываться и следовательно снижается выходное напряжение, а это ведет к снижению выходного тока. Таким образом работает обратная связь по току и его стабилизация. Когда напряжение подбирается к уровню 4,2 В в работу начинает вступать DA1 и ограничивать напряжение на выходе зарядного устройства.

А теперь список номиналов компонентов схемы:

DA1 – TL431C;
R1 – 2,2 Ом;
R2 – 470 Ом;
R3 – 100 кОм;
R4 – 15 кОм;
R5 – 22 кОм;
R6 – 680 Ом (нужен для подстройки выходного напряжения);
VT1, VT2 – BC857B;
VT3 – BCP68-25;
VT4 – BSS138.

Реле времени

TL431 нашел свое применение не только как источник опорного напряжения, а и во многих других применениях. Например благодаря тому что входной ток TL431 составляет 2-4мкА, то на основе этой микросхемы можно построить реле времени: при размыкании контакта S1 C1 начинает медленно заряжаться через R1, а когда напряжение на входе TL431 достигнет 2,5 В выходной транзистор DA1 откроется и через светодиод оптопары PC817 начнет протекать ток, соответственно откроется и фототранзистор и замкнет внешнюю цепь.
В этой схеме резистор R2 ограничивает ток через оптрон и стабилизатор (например 680 Ом), R3 нужен чтобы предупредить зажигание светодиода от тока собственных нужд TL431 (например 2 кОм).

Где и как мы можем использовать ?

Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения U_кэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока h_FEи низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 U_кэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.

Характеристики

Приведем основные предельно допустимые характеристики транзистора ВС557 при температуре окружающей среды 25 о С:

Максимальное напряжение коллектор-база U_кб_max = — 50 В;
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер U_кэ_max = -45 В;
Наибольшее возможное напряжение эмиттер-база U_эб_max = -5 В;
Максимальный постоянный ток коллектора I_к_max = -100 А;
Наибольший допустимый ток коллектора I_{к пик} = -200 А;
Рассеиваемая мощность коллектора (максимальная) Р_к_max = 0,5 Вт;
Температура хранения (рабочая) T_stg = -65 … 150 о С;
Максимальная температура перехода T_j = 150 о С.

В следующей таблице написаны основные электрические значения устройства.

В документации производителя присутствует такой параметр как «тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда»

Данное число показывает, насколько градусов увеличится температура кристалла, при увеличении рассеиваемой мощности.

Все транзисторы ВС557 по статическому коэффициенту передачи тока (h_fe) делятся на три группы А, В и С.

Для ВС557А – h_fe = от 110 до 200;
Для ВС557В – h_fe = от 200 до 450;
Для ВС557С – h_fe = от 420 до 800;

На следующем рисунке приведен график зависимости коэффициента усиления транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером h_fe от тока коллектора.

На графике по оси абсцисс отложены значения тока коллектора в логарифмическом масштабе. По оси ординат отложены значения h_fe.

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.

Обозначение	Параметр	Значение
V_CBO	Напряжение коллектор-база, В	BC546	80
(U_{CB max})	BC547/550	50
BC548/549	30
V_CEO	Напряжение коллектор-эмиттер, В	BC546	65
(U_{CE max})	BC547/550	45
BC548/549	30
V_EBO (U_{EB max})	Напряжение эмиттер-база (обратное), В	BC546/547	6
BC548-550	5
I_C(I_Cmax)	Ток коллектора, А	0,1
P_C (P_{C max})	Рассеиваемая мощность, Вт	0,5
T_j(t_jmax)	Температура кристалла, °С	150
T_stg	Температура хранения, °С	-65…+150

Datasheet Download — STMicroelectronics

Номер произв

BC857

Описание

SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS

Производители

STMicroelectronics

логотип

1Page

No Preview Available !

BC857
BC858
SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
Type
BC857A
BC857B
BC858A
BC858B
Marking
3E
3F
3J
3K

s SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP

TRANSISTORS

s MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR

APPLICATION IN SURFACE MOUNTING
CIRCUITS

s VERY LOW NOISE AF AMPLIFIER

s NPN COMPLEMENTS FOR BC857 IS BC847

2
3
1
SOT-23
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
S ym b o l
Parameter

VCES

V CBO

V CEO

V EBO

ICM

IBM

IEM

Ptot

Tstg

Collector-Emit ter Voltage (VBE = 0)

Collector-Base Voltage (IE = 0)

Collector-Emitter Voltage (IB = 0)

Emitter-Base Voltage (IC = 0)

Collector Current
Collector Peak Current
Base Peak Current
Emitter Peak Current

Total Dissipation at Tc = 25 oC

Storage Temperature
Max. O perating Junction Temperature
October 1997
Value
BC857
BC858
-50 -30
-50 -30
-45 -30
-5
-0.1
-0.2
-0.2
-0.2
300
-65 to 150
150
Uni t
V
V
V
V
A
A
A
A
mW

1/5

No Preview Available !

BC857/BC858
THERMAL DATA

Rthj-amb • Thermal Resistance Junction-Ambient

Rth j-SR • Thermal Resistance Junction-Substrat e

• Mounted on a ceramic substrate area = 10 x 8 x 0.6 mm

Max
Max
420
330

oC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)

Symb ol
P a ram et er
Test Conditions

ICBO

Collector Cut-off

Current (IE = 0)

VCE = -30 V

VCE = -30 V Ta mb = 150 oC

V(BR)CES ∗ Collect or-Emitter

Breakdown Voltage

(VBE = 0)

IC = -10 µA

for BC857

for BC858

V( BR)CBO ∗ Collect or-Base

Breakdown Voltage

(IE = 0)

IC = -10 µA

for BC857

for BC858

V( BR)CEO ∗ Collect or-Emitter

Breakdown Voltage

(IB = 0)

V(BR)EBO

Em it t er -Base
Breakdown Voltage

(IC = 0)

VCE(sat)∗ Collect or-Emitter

Saturation Voltage

IC = -2 mA

for BC857

for BC858

IC = -10 µA

for BC857

for BC858

IC = -10 mA

IC = -100 mA

IB = -0.5 mA

IB = -5 mA

VBE(s at)∗ Base-Emitt er

Saturation Voltage

IC = -10 mA IB = -0.5 mA

IC = -100 mA IB = -5 mA

VBE(on)∗ Base-Emitt er O n

Voltage

IC = -2 mA VCE = -5 V

IC = -10 mA VCE = -5 V

hFE DC Current G ain

IC = -10 µA

for group A

for group B

IC = -2 mA

for group A

for group B

VCE = -5 V

fT Transit ion F requency IC = -10 mA VCE = -5 V f = 100MHz

CCB Collect or Base

Capacitance

IE = 0 VCB = -10 V f = 1 MHz

NF Noise Figure

VCE = -5 V IC = -0.2 mA f = 1KHz

∆f = 200 Hz RG = 2 KΩ

∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 2 %

Min.
-50
-30
-50
-30
-45
-30
-6
-5
-0.6
110
200
Typ .
-0.09
-0.25
-0.75
-0.9
-0.66
-0.72
90
150
180
290
150
2
1.2
M a x.
-15
-5
-0.3
-0.65
-0.75
-0.82
220
450
6
10
4
Unit
nA

µA

V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
dB
dB
2/5

No Preview Available !

BC857/BC858

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued)

Symb ol
P a ram et er
Test Conditions

hie Input Impedance

VCE = -5 V IC = -2 mA

for group A

for group B

f = 1KHz

hre Reverse Voltage Ratio VCE = -5 V IC = -2 mA f = 1KHz

for group A

for group B

hfe Small Signal Current VCE = -5 V IC = -2 mA f = 1KHz

Gain

for group A

for group B

hoe Output Admittance

VCE = -5 V IC = -2 mA

for group A

for group B

∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 2 %

f = 1KHz
Min. Typ . Max. Un it

1.6 2.7 4.5 KΩ

3.2 4.5 8.5 KΩ

1.5 10-4

2 10-4

220
330

18 30 µs

30 60 µs

3/5

Всего страниц

5 Pages

Скачать PDF

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru